JPH02187911A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
- Publication number
- JPH02187911A JPH02187911A JP1007246A JP724689A JPH02187911A JP H02187911 A JPH02187911 A JP H02187911A JP 1007246 A JP1007246 A JP 1007246A JP 724689 A JP724689 A JP 724689A JP H02187911 A JPH02187911 A JP H02187911A
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- Japan
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- film
- thickness
- insulating film
- adhesive
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気記録媒体からデータを読みだす磁気ヘッ
ドの内で磁気抵抗効果型ヘッドに関するものである。
ドの内で磁気抵抗効果型ヘッドに関するものである。
従来の技術
第４図及び第５図は従来の磁気抵抗効果型ヘッドを示す
斜視図及び側断面図である。第４図及び第５図において
１はＮｉ−Ｍｎフェライト等の磁性材料で出来た基板、
２は基板１上に形成された絶縁膜で、絶縁膜２はアルミ
ナや二酸化シリコン等の非磁性材料によって構成されて
いる。又絶縁膜２はスパッタリング法等の薄膜形成技術
を用いて形成される。３は絶縁ＩＩＩ ２の上に形成さ
れた磁気抵抗効果型素子膜（以下ＭＲ素子膜と略す）で
、ＭＲ素子膜３はＮｉ−Ｆｅ合金等の強磁性材料によっ
て構成される。４はＭＲ素子膜３の上に形成された導電
膜で、導電膜４はＴｉ等の高導電材料で構成される。５
は導電膜４上の端部に形成されたリードで、リード５は
銅や金等の材料によって形成されている。６は導電膜４
上及び絶縁膜２上に形成された絶縁膜で、絶縁膜６は絶
縁膜２と同じ様にアルミナや二酸化シリコン等の非磁性
材料によって構成されている。７は磁性カバー材で、磁
性カバー材７は絶縁膜６の上に接着剤８によって接着さ
れている。又磁性カバー材７は基板１と同じ様にＮ ｉ
−Ｍｎフェライト等の磁性材料で出来ている。又、第５
図において６１は導電膜４及び絶縁膜６及び接着剤８の
厚みである。Ｇ２は絶縁膜２の膜厚を示している。この
様な磁気抵抗効果型ヘッドは一般にＭＲ素子膜３の平滑
性を重視しており、平滑性の良い絶縁ｉｌ！ ２の上に
ＭＲ素子膜３を形成するのが普通である。なぜならＭＲ
素子膜３の平滑性は磁気特性に影響を与えると考えられ
ているからである。
斜視図及び側断面図である。第４図及び第５図において
１はＮｉ−Ｍｎフェライト等の磁性材料で出来た基板、
２は基板１上に形成された絶縁膜で、絶縁膜２はアルミ
ナや二酸化シリコン等の非磁性材料によって構成されて
いる。又絶縁膜２はスパッタリング法等の薄膜形成技術
を用いて形成される。３は絶縁ＩＩＩ ２の上に形成さ
れた磁気抵抗効果型素子膜（以下ＭＲ素子膜と略す）で
、ＭＲ素子膜３はＮｉ−Ｆｅ合金等の強磁性材料によっ
て構成される。４はＭＲ素子膜３の上に形成された導電
膜で、導電膜４はＴｉ等の高導電材料で構成される。５
は導電膜４上の端部に形成されたリードで、リード５は
銅や金等の材料によって形成されている。６は導電膜４
上及び絶縁膜２上に形成された絶縁膜で、絶縁膜６は絶
縁膜２と同じ様にアルミナや二酸化シリコン等の非磁性
材料によって構成されている。７は磁性カバー材で、磁
性カバー材７は絶縁膜６の上に接着剤８によって接着さ
れている。又磁性カバー材７は基板１と同じ様にＮ ｉ
−Ｍｎフェライト等の磁性材料で出来ている。又、第５
図において６１は導電膜４及び絶縁膜６及び接着剤８の
厚みである。Ｇ２は絶縁膜２の膜厚を示している。この
様な磁気抵抗効果型ヘッドは一般にＭＲ素子膜３の平滑
性を重視しており、平滑性の良い絶縁ｉｌ！ ２の上に
ＭＲ素子膜３を形成するのが普通である。なぜならＭＲ
素子膜３の平滑性は磁気特性に影響を与えると考えられ
ているからである。
以上の様に構成された従来の磁気抵抗効果型ヘッドにつ
いて厚みＧ１と再生出力及び２次高調波歪のそれぞれの
関係について説明する。この例においてはＧ２を０．６
μｍとして固定させた。第６図は従来の磁気抵抗効果型
ヘッドの厚みＧ１と再生出力及び２次高調波歪の関係を
示したグラフで、横軸は厚みＧ１をとり、単位はμｍで
ある。
いて厚みＧ１と再生出力及び２次高調波歪のそれぞれの
関係について説明する。この例においてはＧ２を０．６
μｍとして固定させた。第６図は従来の磁気抵抗効果型
ヘッドの厚みＧ１と再生出力及び２次高調波歪の関係を
示したグラフで、横軸は厚みＧ１をとり、単位はμｍで
ある。
左縦軸は標準化出力がとっである。又右縦軸は２次高調
波歪をとっており、単位はｄＢである。ここで、標準化
出力とは以下の様に定義する。最大再生出力をＨｌとし
、それぞれの厚みＧ１の再生出力をＨとすると標準化出
力Ｐは次式で表される。
波歪をとっており、単位はｄＢである。ここで、標準化
出力とは以下の様に定義する。最大再生出力をＨｌとし
、それぞれの厚みＧ１の再生出力をＨとすると標準化出
力Ｐは次式で表される。
Ｐ＝Ｈ／Ｈ１
今回の場合厚みＧ１が０．４μｍの時再生出力が最大と
なっているので、Ｇ１が０．４μｍの時標準化出力は１
となる。先ず標準化出力と厚みＧ１の関係について説明
する。第６図に示す様に標準化出力はＧ１が０．４μｍ
までは厚みＧ１が増すに従って大きくなっていく。さら
に厚みＧ１が０．４μｍよりも大きくなっていくと今度
は標準化出力は低下してい（。厚みＧ１がこの様な極値
を持つわけは以下の通りである。接着剤８が厚くなり、
厚みＧ１が厚くなると導電膜４に発生した磁束が絶縁膜
６及び接着剤８を通って外部に逃げやす（なり、ＭＲ素
子膜３に十分な磁束が流れ込まないので再生出力が低下
し、標準化出力が小さくなってい（。又接着剤８が薄く
なり、厚みＧ１が０．４μｍよりも厚みが減少していく
と、今度は導電膜４に発生した磁束は外部に逃げにくく
なり、はとんどの磁束はＭＲ素子膜３に流れ込んで、Ｍ
Ｒ素子膜３は磁気的に飽和してしまう。そしてＭＲ素子
膜３は磁束が過飽和状態になると再生出力は低下し、標
準化出力は小さ（なっていく。次に２次高調波歪と厚み
Ｇ１の関係について説明する。厚みＧ１が０．３μｍの
時、２次高調波歪は最も小さ（なり厚みＧ１がそれより
厚くても薄くても２次高調波歪は大きくなる。従って標
準化出力及び２次高調波歪の両方とも導電膜４のＭＲ素
子膜４が設けられていない方の磁性カッく一材７と導電
膜３までの膜厚すなわち厚みＧｌによってかなり変動す
る。
なっているので、Ｇ１が０．４μｍの時標準化出力は１
となる。先ず標準化出力と厚みＧ１の関係について説明
する。第６図に示す様に標準化出力はＧ１が０．４μｍ
までは厚みＧ１が増すに従って大きくなっていく。さら
に厚みＧ１が０．４μｍよりも大きくなっていくと今度
は標準化出力は低下してい（。厚みＧ１がこの様な極値
を持つわけは以下の通りである。接着剤８が厚くなり、
厚みＧ１が厚くなると導電膜４に発生した磁束が絶縁膜
６及び接着剤８を通って外部に逃げやす（なり、ＭＲ素
子膜３に十分な磁束が流れ込まないので再生出力が低下
し、標準化出力が小さくなってい（。又接着剤８が薄く
なり、厚みＧ１が０．４μｍよりも厚みが減少していく
と、今度は導電膜４に発生した磁束は外部に逃げにくく
なり、はとんどの磁束はＭＲ素子膜３に流れ込んで、Ｍ
Ｒ素子膜３は磁気的に飽和してしまう。そしてＭＲ素子
膜３は磁束が過飽和状態になると再生出力は低下し、標
準化出力は小さ（なっていく。次に２次高調波歪と厚み
Ｇ１の関係について説明する。厚みＧ１が０．３μｍの
時、２次高調波歪は最も小さ（なり厚みＧ１がそれより
厚くても薄くても２次高調波歪は大きくなる。従って標
準化出力及び２次高調波歪の両方とも導電膜４のＭＲ素
子膜４が設けられていない方の磁性カッく一材７と導電
膜３までの膜厚すなわち厚みＧｌによってかなり変動す
る。
発明が解決しようとする課題
磁性カバー材７を接着剤８で絶縁膜の上に接着する際に
、接着剤８の膜厚のばらつきは０．１μｍ位生じる。例
えば２次高調波歪を最低にするために６１を０．３μｍ
にすると接着剤８の膜厚の誤差により、第６図に示す様
に標準化出力にほぼ０．２５程のばらつきが生じる。即
ち各々の磁気抵抗効果型ヘッドの再生出力がそれぞれの
へ、ンドによってかなりばらついてくる。従って従来の
技術では完成品にかなりの再生出力のばらつきがあり歩
留りが悪かった。
、接着剤８の膜厚のばらつきは０．１μｍ位生じる。例
えば２次高調波歪を最低にするために６１を０．３μｍ
にすると接着剤８の膜厚の誤差により、第６図に示す様
に標準化出力にほぼ０．２５程のばらつきが生じる。即
ち各々の磁気抵抗効果型ヘッドの再生出力がそれぞれの
へ、ンドによってかなりばらついてくる。従って従来の
技術では完成品にかなりの再生出力のばらつきがあり歩
留りが悪かった。
本発明は前記従来の問題点を解決するもので、接着剤の
膜厚の違いによって再生出力のばらつきを従来よりもか
なり小さく、磁気特性のばらつきを小さくすることがで
き、歩留りの良い磁気抵抗効果型ヘッドを提供する事を
目的としている。
膜厚の違いによって再生出力のばらつきを従来よりもか
なり小さく、磁気特性のばらつきを小さくすることがで
き、歩留りの良い磁気抵抗効果型ヘッドを提供する事を
目的としている。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、基板上に絶縁膜を設け、そ
の上に導電膜、磁気抵抗効果素子膜を順に設けたきいう
構成を有している。
の上に導電膜、磁気抵抗効果素子膜を順に設けたきいう
構成を有している。
作 用
この構成により、基板と導電膜の間には絶縁膜しかなく
、その絶縁膜の膜厚を精度良くする事ができ、接着剤の
膜厚の厚薄によって生じる漏洩磁束の度合を軽減する事
ができる。
、その絶縁膜の膜厚を精度良くする事ができ、接着剤の
膜厚の厚薄によって生じる漏洩磁束の度合を軽減する事
ができる。
実施例
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の一実施例における
磁気抵抗効果型ヘッドの斜視図及び側断面図を示す。第
１図及び第２図において１は基板、２は絶縁膜、５はリ
ード、６は絶縁膜、７は磁性カバー材、８は接着剤でこ
れらは従来の構成と同じである。９は絶縁膜２の上に形
成された導電膜で、導電膜９はＴｉ等の高導電材料によ
って構成されている。１０は導電膜９の上のみに形成さ
れたＭＲ素子膜で、Ｎｉ−Ｆｅ合金等の強磁性材料によ
って構成されている。又、第２図においてＦｌは絶縁膜
６及び接着剤８の厚みである。Ｆ２は絶縁膜２と導電膜
９の膜厚を示している。
磁気抵抗効果型ヘッドの斜視図及び側断面図を示す。第
１図及び第２図において１は基板、２は絶縁膜、５はリ
ード、６は絶縁膜、７は磁性カバー材、８は接着剤でこ
れらは従来の構成と同じである。９は絶縁膜２の上に形
成された導電膜で、導電膜９はＴｉ等の高導電材料によ
って構成されている。１０は導電膜９の上のみに形成さ
れたＭＲ素子膜で、Ｎｉ−Ｆｅ合金等の強磁性材料によ
って構成されている。又、第２図においてＦｌは絶縁膜
６及び接着剤８の厚みである。Ｆ２は絶縁膜２と導電膜
９の膜厚を示している。
以上の様に構成された従来の磁気抵抗効果型ヘッドにつ
いて厚みＦｌと再生出力及び２次高調波歪のそれぞれの
関係について説明する。本実施例の場合Ｆ２を０．４μ
ｍとして固定させた。第３図は従来の磁気抵抗効果型ヘ
ッドの厚みＦｌと再生出力及び２次高調波歪の関係を示
したグラフで、横軸は厚みＦｌをとり、単位はμｍであ
る。左縦軸を標準化出力がとっている。又右縦軸は２次
高調波歪を七っており、単位はｄＢである。先ず標準化
出力と厚みＦｌの関係について説明する。第３図に示す
様に標準化出力は厚みＦｌが０．６μｍまでは厚みＦｌ
が増すに従って太き（なっていく。さらに厚みＦｌが０
．６μｍよりも厚みが大きくなっていくと今度は標準化
出力は低下していく。次に２次高調波歪と厚みＦｌの関
係について説明する。厚みＦｌが０．６５μｍの時が２
次高調波歪が小さ（なり厚みＦｌがそれより厚くても薄
（でも２次高調波歪は大きくなる。本実施例の磁気抵抗
効果型ヘッドの標準化出力の曲線は従来の磁気抵抗効果
型ヘッドの標準化出力の曲線のよりも全体的に緩やかな
変化をしている。２次高調波歪が最低になる様な厚さＦ
ｌは０．６５μｍであるから、０．６５μｍを目標にし
て接着剤８の膜厚を調整する。しかし前述の様に様に接
着剤８の膜厚には約０．１μｍの誤差がある。従って第
３図に示す様にそのばらつきを考慮すると標準化出力に
はほぼ０．１はどのばらつきが生じる。従来はほぼ０．
２５はどのばらつきがあったので、かなりの改善がみら
れる。この様に従来よりも標準化出力のばらつきが小さ
くなったのは、導電膜９のＭＲ素子膜１０が設けられて
いない方の基板１までの距離は非常に精度良く決められ
るからである。というのはその距離は絶縁膜２の膜厚に
よって決まり、絶縁膜２はスパッタリング法等の薄膜形
成技術により０．Ｏｌｕｍ−０，００５μｍという精度
で形成されるからである。これは接着剤８の膜厚の精度
よりも１０倍〜２０倍良い。
いて厚みＦｌと再生出力及び２次高調波歪のそれぞれの
関係について説明する。本実施例の場合Ｆ２を０．４μ
ｍとして固定させた。第３図は従来の磁気抵抗効果型ヘ
ッドの厚みＦｌと再生出力及び２次高調波歪の関係を示
したグラフで、横軸は厚みＦｌをとり、単位はμｍであ
る。左縦軸を標準化出力がとっている。又右縦軸は２次
高調波歪を七っており、単位はｄＢである。先ず標準化
出力と厚みＦｌの関係について説明する。第３図に示す
様に標準化出力は厚みＦｌが０．６μｍまでは厚みＦｌ
が増すに従って太き（なっていく。さらに厚みＦｌが０
．６μｍよりも厚みが大きくなっていくと今度は標準化
出力は低下していく。次に２次高調波歪と厚みＦｌの関
係について説明する。厚みＦｌが０．６５μｍの時が２
次高調波歪が小さ（なり厚みＦｌがそれより厚くても薄
（でも２次高調波歪は大きくなる。本実施例の磁気抵抗
効果型ヘッドの標準化出力の曲線は従来の磁気抵抗効果
型ヘッドの標準化出力の曲線のよりも全体的に緩やかな
変化をしている。２次高調波歪が最低になる様な厚さＦ
ｌは０．６５μｍであるから、０．６５μｍを目標にし
て接着剤８の膜厚を調整する。しかし前述の様に様に接
着剤８の膜厚には約０．１μｍの誤差がある。従って第
３図に示す様にそのばらつきを考慮すると標準化出力に
はほぼ０．１はどのばらつきが生じる。従来はほぼ０．
２５はどのばらつきがあったので、かなりの改善がみら
れる。この様に従来よりも標準化出力のばらつきが小さ
くなったのは、導電膜９のＭＲ素子膜１０が設けられて
いない方の基板１までの距離は非常に精度良く決められ
るからである。というのはその距離は絶縁膜２の膜厚に
よって決まり、絶縁膜２はスパッタリング法等の薄膜形
成技術により０．Ｏｌｕｍ−０，００５μｍという精度
で形成されるからである。これは接着剤８の膜厚の精度
よりも１０倍〜２０倍良い。
以上の様に本実施例によれば導電膜９の接着剤８を設け
られる側にＭＲ素子膜１０を形成したので、接着剤８の
膜厚の変化による再生出力の変化を従来よりは緩やかに
し、接着剤８の膜厚誤差による再生出力のばらつきを大
幅に改善できる。
られる側にＭＲ素子膜１０を形成したので、接着剤８の
膜厚の変化による再生出力の変化を従来よりは緩やかに
し、接着剤８の膜厚誤差による再生出力のばらつきを大
幅に改善できる。
発明の効果
本発明は、基板上に絶縁膜を
設け、その上に導電膜、磁気抵抗効果素子膜を順に設け
た事により、基板と導電膜の間には絶縁膜しかなく、そ
の絶縁膜の膜厚を精度良（する事ができ、接着剤の膜厚
の厚薄によって生じる漏洩磁束の度合を軽減する事がで
きるので、おのおののヘッドにおける再生出力の差を従
来よりもかなり小さくする事ができ、磁気特性の歩留り
を小さくする事ができる。
た事により、基板と導電膜の間には絶縁膜しかなく、そ
の絶縁膜の膜厚を精度良（する事ができ、接着剤の膜厚
の厚薄によって生じる漏洩磁束の度合を軽減する事がで
きるので、おのおののヘッドにおける再生出力の差を従
来よりもかなり小さくする事ができ、磁気特性の歩留り
を小さくする事ができる。
第１図は本発明の一実施例における磁気抵抗効果型ヘッ
ドを示す斜視図、第２図は同側断面図、第３図は本実施
例の接着剤の膜厚と標準化出力及び２次高調波歪の関係
を示すグラフ、第４図は従来の磁気抵抗効果型ヘッドを
示す斜視図、第５図は同側断面図、第６図は接着剤の膜
厚と標準化出力及び２次高調波歪の関係を示すグラフで
ある。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・絶縁膜 ５・・・・・・リード ６・・・・・・絶縁膜 ７・・・・・・磁性カバー材 ８・・・・・・接着剤 ９・・・・・・導電膜 １０・・・・・・ＭＲ素子膜 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ばか１名１：基板 ２：絶縁膜 ５：リード ６：絶縁膜 第 図 ７：磁性カバー材 ８：接着剤 ９：導電膜 １０：ＭＲ素子膜 Ｆｌ（ｐｍ） 第 １：基板 ２：絶縁膜 ３：磁気抵抗効果型素子膜 ４：導電膜 ５図 ５：リード ６：絶縁膜 ７：磁性カバ ８：接着剤 材 Ｇｌ（μｍ）
ドを示す斜視図、第２図は同側断面図、第３図は本実施
例の接着剤の膜厚と標準化出力及び２次高調波歪の関係
を示すグラフ、第４図は従来の磁気抵抗効果型ヘッドを
示す斜視図、第５図は同側断面図、第６図は接着剤の膜
厚と標準化出力及び２次高調波歪の関係を示すグラフで
ある。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・絶縁膜 ５・・・・・・リード ６・・・・・・絶縁膜 ７・・・・・・磁性カバー材 ８・・・・・・接着剤 ９・・・・・・導電膜 １０・・・・・・ＭＲ素子膜 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ばか１名１：基板 ２：絶縁膜 ５：リード ６：絶縁膜 第 図 ７：磁性カバー材 ８：接着剤 ９：導電膜 １０：ＭＲ素子膜 Ｆｌ（ｐｍ） 第 １：基板 ２：絶縁膜 ３：磁気抵抗効果型素子膜 ４：導電膜 ５図 ５：リード ６：絶縁膜 ７：磁性カバ ８：接着剤 材 Ｇｌ（μｍ）
Claims (1)
- 磁性基板に絶縁膜を設け、その上に導電膜を設けるとと
もに前記導電膜の上に磁気抵抗効果素子膜を設け、前記
磁気抵抗効果素子膜を覆う様に更に絶縁膜を形成し、前
記絶縁膜の上に磁性カバーを接着した事を特徴とする磁
気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1007246A JPH02187911A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1007246A JPH02187911A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02187911A true JPH02187911A (ja) | 1990-07-24 |
Family
ID=11660660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1007246A Pending JPH02187911A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02187911A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5798895A (en) * | 1994-02-28 | 1998-08-25 | Commissariat A L'energie Atomique | Magnetic reading head having a magnetoresistant element and improved polarization means |
-
1989
- 1989-01-13 JP JP1007246A patent/JPH02187911A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5798895A (en) * | 1994-02-28 | 1998-08-25 | Commissariat A L'energie Atomique | Magnetic reading head having a magnetoresistant element and improved polarization means |
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