JPH01315016A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［概要］ 磁気記録媒体に記録された情報を磁気抵抗効果の利用に
より再生する磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）に関
し、 バルクハウゼン雑音を有効に抑制することを目的とし、 磁気に応じて抵抗値が変化する感知部の両側から軟磁性
体薄膜から成る端子が各々引き出された薄膜の磁気抵抗
効果素子と、感知部を含む平面に対し直交する姿勢で両
端子間を感知部近傍において中間部が挿通される導体層
と、を有することにより構成されろ。

［産業上の利用分野コ 本発明は、磁気記録媒体に記録された情報を磁気抵抗効
果の利用により再生する磁気抵抗効果型ヘッドに間する
ものである。

この種のヘッドでは磁気ディスクや磁気テープの発生す
る磁束の変化が磁気抵抗効果により抵抗値の変化に置き
かえられるので、ヘッドに流れる電流から電圧の変化と
して磁気記録の情報を再生できる。

［従来の技術］ 第５１！！及び第６Ｉｌｉ！Ｉでは従来における磁気抵
抗効果型ヘッドの構成が説明されており、ここでは第５
図の磁気ディスク５０に記録された情報が再生されてい
る。

その再生は薄膜化された磁気抵抗効果素子１４の感知部
１０により行なわれており、第５図のように感知部１０
の先端は磁気ディスク５０と対向したヘッド再生面５２
に対して面一とされている。

そして感知部ｌＯの両側から図の上方へ端子１２−１．
１２−２が各々引き出されており、端子１２−１．１２
−２の上端には通電用の導体層５４−１．５４−２が各
々接続されている。

また第５図において、磁気抵抗効果素子１４の前方には
シールド層５６が、その後方には磁性フェライト基板５
８が各々配置されており、それらの配置は第６図から理
解される。

なお、磁気抵抗効果素子１４及びシールド層５６は第６
図のように絶縁層６０内で形成されてい第５図において
、導体層５４−１．５４−２及び端子１２−１．１２−
２を介して感知部１０に検出電流Ｉが外部から供給され
ており、感知部１０てはヘッド再生面５２に沿って検出
電流■が流れる。

その検出電流■と磁化容易軸ＥＡが平行となる一軸の磁
気異方性を感知部１０が有しており、磁気ディスク５０
の磁気が磁化容易軸ＥＡと直交するときに最も高い効率
で再生が行なわれる。

［発明が解決しようとする課題］ ここで、第５図で示される感知Ｍ１０の長さしは磁気デ
ィスク５０のトラック幅が与えられると、これに対応し
て決定される。

そのトラック幅は記録密度を高めるために狭小化が要請
されており、１０μｍ以下とすることが要求される。

その場合、感知部長さしの減少により磁区が感知部１０
で発生しやすくなり、バルクハウゼン雑音が生じ易くな
る。

このバルクハウゼン雑音のレベルはトラック幅（すなわ
ち長さし）の狭小化とともに高まり、したがって磁気デ
ィスク５０の記録密度をさらに高めるためには、これを
抑制することが重要な課題となる。

本発明は上記従来の課題に鑑みてなされたものであり、
その目的は、バルクハウゼン雑音を有効に抑制すること
が可能となる磁気抵抗効果型ヘッドを提供することにあ
る。

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、本発明は、第１図のように
導体層１６が設けられたことを特徴としている。

同図の感知部１０では磁気に応じて抵抗値が変化してお
り、その両側から軟磁性体薄膜から成る端子１２−１．
１２−２が各々引き出されている。

そして上記導体層１６の中間部は、感知部１０を含む平
面に対し直交する姿勢で、両端子１２−１．１２−２間
を感知部近傍において挿通されている。

［作用コ 第２図のように電流ｉが導体７１１１６へ供給されると
、感知部１０において電流■の通流方向（すなわち磁化
容易軸ＥＡＯ軸方向）に磁界Ｈが加えられる。

これにより感知部１０における磁区の発生が抑制され、
したがってバルクハウゼン雑音が減ぜられる。

［実施例］ 以下、図面に基づいて本発明に係るヘッドの好適な実施
例を説明する。

第１図及び第２図では第１実施例が、第３図では第２実
施例が、そして第４図では第３実施例が各々説明されて
おり、ここでは前述した第５図及び第６図と同一部材の
図示及び説明は省略する。

但し、磁気抵抗効果素子１４はＮｉＦｅにより形成した
薄膜とされており、ヘッド通電用の導体層５４−１．５
４−２はＣｕ、ｋＱなどにより形成されている。

またシールド層５６はＮｉＦｅ、ＣｏＺｒなどの強磁性
体により形成されており、バルクハウゼン雑音の抑制に
使用される導体Ｎ１６はＣｕ、Ａ２などにより形成した
薄膜とされている。

さらに、端子１２−１．１２−２は感知部ＩＯと同じＮ
ｉＦｅて形成されることが望ましいが、ＮｊＦｅに限ら
ず軟磁性体であれば良い。

第１図において、導体層１６はその面が磁気抵抗効果素
子１４を含む平面と平行な姿勢とされており、導体層１
６の中間部には直角の段差が設けられている。

そして導体層１６の長手方向は端子１２−１゜１２−２
の長手方向に対して直角に設定されており、導体層１６
の段差中間部は感知部１０を含む平面に対して直交した
姿勢となっている。

さらに導体層１６の段差中間部は感知部１０の近情にお
い゛ＣＣ吊子１２−１．１２−２間図の上下方向へ挿通
されており、導体層１６と磁気抵抗効果素子１４とは絶
縁層６０により絶縁されている。

導体層１６には第２図のように雑音抑制用の電流ｉが外
部の定電流源から供給されており、その電流ｉにより感
知部１０において磁化容易軸ＥＡＯ軸方向に磁界Ｈが端
子１２−１．１２−２を介して加えられる。

磁化容易軸ＥＡＯ軸方向へ外部から磁界Ｈが加えられる
と、ＩＥＥＥ　　ＭＡＧ−１６，Ｎｏ５Ｐ６４３〜Ｐ６
４５　（１９８０）で示されるように磁区の発生が抑制
され、バルクハウゼン雑音が減ぜられる。

したがって、磁気ディスク５０の記録密度を高めるため
に感知部１０の長さしを短縮した場合でも、低雑音で品
質の高い再生を行なうことが可能となる。

なお、必要以上の雑音抑制用電流ｉが供給される場合に
はヘッドの感度が低下するので、その電流値は雑音抑制
に十分なものに設定することが好ましい。

また、雑音抑制用の磁界Ｈを永久磁化で得る場合には、
これを最適なものに一定化することが困難であるので、
ヘッドの感度低下を招き易い。

第３図の実施例では端子１２−１．１２−２の内側対向
辺に層状突起３０−１．３０−２が形成されており、そ
れらの形成位置は導体層１６と交差する位置より図の上
側とされている。

また第４図の実施例においても層状突起４０−１．４０
−２が端子１２−１．１２−２の内側対向辺で同様に形
成されているが、第３図では突起３０−１．３０−２の
先端間に間隙が形成されているのに対し、第４図では突
起４０−１．４０−２が重ねられている。

但し、突起４０−１．４０−２は非接触とされており、
それら及び突起３０−１．３０−２は絶縁Ｎ６０で絶縁
されている。

このように磁気抵抗の減少させる層状突起３０−１．３
０−２．４０−１．４０−２が設けられたので、第３図
及び第４図の実施例では、磁界Ｈを効率的に発生させる
ことが可能となる。

以上説明したように本実施例によれば、感知部１０の長
さしを短縮してもバルクハウゼン雑音を有効に抑制でき
るので、磁気ディスク５０のトラック幅をさらに狭小化
してその記録密度をより高めることが可能となる。

［発明の効果コ 以上説明したように本発明によれば、バルクハウゼン雑
音の原因となる磁区の発生を通電により抑制できるので
、磁気抵抗効果素子の感知部を微小化して磁気記録媒体
の記＆ｊＩ密度を高めることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は第１実施例の要部説明図、 第２［２１は第１実施例の構成説明図、第３図は第２実
施例の構成説明図、 第４図は第３実施例の構成説明図、 第５図及び第６図は従来例の構成説明図である。 １０・　・　・感知部、 １２−１．　１２−２・　・　・端子、１４・・・磁気
抵抗効果素子、 １６・・・導体層。 １４（磁気抵抗効果素子） 第１実施例の要部説明図 第　　１　　図 第２実ＩＩ！！、例の構成説明図 「■ ―■ 従来例の構成説明図 第５図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 磁気に応じて抵抗値が変化する感知部（１０）の両側か
   ら軟磁性体薄膜から成る端子（１２−１、１２−２）が
   各々引き出された薄膜の磁気抵抗効果素子（１４）と、 感知部（１０）を含む平面に対し直交する姿勢で両端子
   （１２−１、１２−２）間を感知部近傍において中間部
   が挿通される導体層（１６）と、を有する、ことを特徴
   とする磁気抵抗効果型ヘッド。