JPH02188445A - 高温超電導結晶化ガラスの製造方法 - Google Patents
高温超電導結晶化ガラスの製造方法Info
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- JPH02188445A JPH02188445A JP900089A JP900089A JPH02188445A JP H02188445 A JPH02188445 A JP H02188445A JP 900089 A JP900089 A JP 900089A JP 900089 A JP900089 A JP 900089A JP H02188445 A JPH02188445 A JP H02188445A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高温超電導結晶化ガラスの製造方法に関する。
高温酸化物超電導材料の製造法は、原料粉末を焼いて固
める焼結法と、原料粉末を溶融したのち加熱処理をして
製造する溶融法の二つに大別される。
める焼結法と、原料粉末を溶融したのち加熱処理をして
製造する溶融法の二つに大別される。
いずれの方法もすでに多くの提案がなされている。
ところで、これらの方法で製造された超電導材料は、そ
の成形、加工が困難である。
の成形、加工が困難である。
しかしながら、最近では膜状、リボン状、糸状体など各
種の形状のものが要求されるようになって来た。
種の形状のものが要求されるようになって来た。
従来の溶融法による製造方法では、ガラス状溶融物より
急冷固化して、各種の形状に加工する際に失透現象が起
こりやすく、加工が困難であった。
急冷固化して、各種の形状に加工する際に失透現象が起
こりやすく、加工が困難であった。
これは原料構成元素が極めてガラス化しに、くいもので
あり、しかも限定された成分でなければ酸化物超電導体
にならないためである。
あり、しかも限定された成分でなければ酸化物超電導体
にならないためである。
換言すれば、超電導特性を示すためには組成的にガラス
化が困難であり、失透しやすい範囲にあるのが通常であ
る。
化が困難であり、失透しやすい範囲にあるのが通常であ
る。
そこで本発明は、かかる従来の溶融法の欠点を解消し、
超電導体としての特性を保持しながら、膜状体、リボン
状体、糸状体など各種の形状に容易に加工することがで
きる超電導体の製造方法を提供することを目的とするも
のである。
超電導体としての特性を保持しながら、膜状体、リボン
状体、糸状体など各種の形状に容易に加工することがで
きる超電導体の製造方法を提供することを目的とするも
のである。
上記目的を達成する本発明の高温超電導結晶化ガラスの
製造方法は、ＧｅＯ２またはＧａｚａ、 ３．７〜４．
９重量％、ＢｉｚＯｉ ３９．０〜３９．５重量％、Ｓ
ｒ０゜２０、１〜２０．３重量％、ＣａＱ ９．４〜９
．５重量％およびＣｕ０２６．６〜２７．０ｉ景％から
なる混合粉末１００重量部に、ＡｕまたはＰｔ Ｏ，０
２〜０．０８重量部を配合し、この配合物を加熱溶融し
てガラスを製造し、このガラスを熱処理して結晶化させ
ることを特徴とするものである。
製造方法は、ＧｅＯ２またはＧａｚａ、 ３．７〜４．
９重量％、ＢｉｚＯｉ ３９．０〜３９．５重量％、Ｓ
ｒ０゜２０、１〜２０．３重量％、ＣａＱ ９．４〜９
．５重量％およびＣｕ０２６．６〜２７．０ｉ景％から
なる混合粉末１００重量部に、ＡｕまたはＰｔ Ｏ，０
２〜０．０８重量部を配合し、この配合物を加熱溶融し
てガラスを製造し、このガラスを熱処理して結晶化させ
ることを特徴とするものである。
本発明により得られる高温超電導結晶化ガラスの超電導
特性は、絶対温度７７〜８０Ｋにおいて電気抵抗がＯ（
ゼロ）となる、またこのときの反磁性帯磁率は−３，４
〜−４，ＯＸｌ０−”ｅｍｕ／ｇを示している。結晶粒
子の大きさは３〜７μｍの範囲にある。
特性は、絶対温度７７〜８０Ｋにおいて電気抵抗がＯ（
ゼロ）となる、またこのときの反磁性帯磁率は−３，４
〜−４，ＯＸｌ０−”ｅｍｕ／ｇを示している。結晶粒
子の大きさは３〜７μｍの範囲にある。
本発明における出発原料は、Ｇｅｍ、またはＧａ、０３
、Ｂｉｔ’ｓ、ＳｒＯ２，ＣａＯおよびＣｕＯからなる
混合粉末に、Ａｕまたはｐｔを配合することにより調製
される。その構成成分限定理由は次のとおりである。
、Ｂｉｔ’ｓ、ＳｒＯ２，ＣａＯおよびＣｕＯからなる
混合粉末に、Ａｕまたはｐｔを配合することにより調製
される。その構成成分限定理由は次のとおりである。
なお、以下の説明における％は特記ない限り、重量％で
ある。
ある。
Ｇｅ０ｚ （酸化ゲルマニウム）またはＧａｚＯｉ（酸
化ガリウム）は本発明において溶融状態にあるガラスが
急冷して固化するに際して失透防止の役目をする。
化ガリウム）は本発明において溶融状態にあるガラスが
急冷して固化するに際して失透防止の役目をする。
Ｇｅｍ、またはＧａｔｅｓが４．９％を超えると超電導
特性が著しく欠化し、一方、３．７％に満たないと失透
防止の効果が損失する。
特性が著しく欠化し、一方、３．７％に満たないと失透
防止の効果が損失する。
８ｉｚＯｚ（＃化ビスマス）は超電導体を構成する結晶
の必須成分であり、Ｂｉ、０３が３９．５％を超えると
半導体となる。また３９．０％に満たないと、非超電導
相になる。
の必須成分であり、Ｂｉ、０３が３９．５％を超えると
半導体となる。また３９．０％に満たないと、非超電導
相になる。
５ｒＯｔ （酸化ストロンチウム）も超電導体を構成す
る結晶の必須成分であり、ＳｒＯ□が２０．３％を超え
ると半導体となる。まｊ、：２０．１％に満たないと非
超電導相になる。
る結晶の必須成分であり、ＳｒＯ□が２０．３％を超え
ると半導体となる。まｊ、：２０．１％に満たないと非
超電導相になる。
更に、Ｃａｂ（酸化カルシウム）は、超電導体を構成す
る結晶の必須成分であり、ＣａＯが９．５％を超えると
半導体となる。また９、４％に満たないと、非超電導相
になる。
る結晶の必須成分であり、ＣａＯが９．５％を超えると
半導体となる。また９、４％に満たないと、非超電導相
になる。
更にまた、Ｃｕ０（酸化銅）は超電導体を構成する結晶
の必須成分であり、ＣｕＯは２７．０％を超えると半導
体となり、２６．６％に満たないと非超電導相になる。
の必須成分であり、ＣｕＯは２７．０％を超えると半導
体となり、２６．６％に満たないと非超電導相になる。
Ａｕ （金）またはＰｔ （白金）はガラスを熱処理し
て結晶化させる際に、結晶核形成剤の役目をする。この
結晶核形成剤によって、結晶粒子を小さくすることが可
能となり、機械的強度を太き（することができる。
て結晶化させる際に、結晶核形成剤の役目をする。この
結晶核形成剤によって、結晶粒子を小さくすることが可
能となり、機械的強度を太き（することができる。
ＡｕまたはＰｔが０．０８％を超えると結晶核としての
作用が損失する。また０、０２％に満たないときは結晶
核としての効果が期待できない。
作用が損失する。また０、０２％に満たないときは結晶
核としての効果が期待できない。
本発明においては上記組成に調合された出発原料を十分
に混合し、これを耐熱容器、例えばアルミするつぼに入
れ、蓋をして加熱溶融してガラスを製造する。この加熱
溶融処理は、温度１１５０〜１１８０°Ｃにおいて１２
か１５分間を要して行なわれる。ついで、この溶融物を
できる限り急冷状態で所用の成形体に成形し、成形体を
８１０〜８２０℃で酸素雰囲気中で加熱処理する。
に混合し、これを耐熱容器、例えばアルミするつぼに入
れ、蓋をして加熱溶融してガラスを製造する。この加熱
溶融処理は、温度１１５０〜１１８０°Ｃにおいて１２
か１５分間を要して行なわれる。ついで、この溶融物を
できる限り急冷状態で所用の成形体に成形し、成形体を
８１０〜８２０℃で酸素雰囲気中で加熱処理する。
昇温時間はその成形体に応じた適当な速度、好ましくは
１００°Ｃ／２時間よりもよりゆっくりした速度が望ま
しい。
１００°Ｃ／２時間よりもよりゆっくりした速度が望ま
しい。
なお、本発明においては、結晶核形成剤であるＡｕまた
はｐｔはコロイドの状態で均一にガラス中に存在するこ
とが必要である。
はｐｔはコロイドの状態で均一にガラス中に存在するこ
とが必要である。
このために、Ａｕまたはｐｔを塩化金（）ｌＡＬＩｃ１
４・４ＨｚＯ）またはへキサクロロ白金酸ＣＨｚＰｔＣ
１＆・６ＨｚＯ）の水溶液の形で出発原料混合物に導入
することが好ましい。
４・４ＨｚＯ）またはへキサクロロ白金酸ＣＨｚＰｔＣ
１＆・６ＨｚＯ）の水溶液の形で出発原料混合物に導入
することが好ましい。
以下、本発明の実施例を述べる。
各原料を採取して下記第１表に示す成分組成を有する出
発原料（１）〜（６）を調整した。
発原料（１）〜（６）を調整した。
これをアルミするつぼに装入し、蓋をして温度１１５０
〜１１８０℃で加熱し、１２〜１５分間を要して溶融し
た。
〜１１８０℃で加熱し、１２〜１５分間を要して溶融し
た。
この溶融物を一２０°Ｃ以下に冷却した黒鉛板上に流し
出して厚さ１．５ ｍｍの薄板を得た。
出して厚さ１．５ ｍｍの薄板を得た。
Ｘ線測定では、完全にガラスであることを認めた。この
ガラスを温度８１０〜８２０°Ｃで酸素雰囲気中で加熱
処理をした。この結果、ガラスは完全に結晶体に変化し
た。結晶粒子の大きさは、３〜７μｍであった。得られ
た結晶体に間隔が約２ｒｍになるように銀ペーストで電
極を４本形成した。
ガラスを温度８１０〜８２０°Ｃで酸素雰囲気中で加熱
処理をした。この結果、ガラスは完全に結晶体に変化し
た。結晶粒子の大きさは、３〜７μｍであった。得られ
た結晶体に間隔が約２ｒｍになるように銀ペーストで電
極を４本形成した。
これを所定の温度に冷却した電気抵抗測定装置に挿入し
て電気抵抗値の変化を測定した。また同じように反磁性
帯磁率を測定した。測定結果を第１表に示す。
て電気抵抗値の変化を測定した。また同じように反磁性
帯磁率を測定した。測定結果を第１表に示す。
第１表から明らかなように、本発明により得られた結晶
化ガラスは、絶対温度７７〜８０Ｋにおいてその電気抵
抗値がゼロになる。また反磁性帯磁率は−３，４〜−４
，ＯＸｌ０−”ｅｍｕ／ｇである。
化ガラスは、絶対温度７７〜８０Ｋにおいてその電気抵
抗値がゼロになる。また反磁性帯磁率は−３，４〜−４
，ＯＸｌ０−”ｅｍｕ／ｇである。
以上詳述した如く、本発明の新規な組成のガラスを用い
て製造した高温超電導結晶化ガラスは液体窒素（７７Ｋ
）の温度域で電気抵抗がゼロになる特性を有し、また
反磁性帯磁率が認められた。
て製造した高温超電導結晶化ガラスは液体窒素（７７Ｋ
）の温度域で電気抵抗がゼロになる特性を有し、また
反磁性帯磁率が認められた。
本発明の製造方法によれば、各種の形状のものを特別の
設備や操作を必要とせずに安定的に製造することができ
る。
設備や操作を必要とせずに安定的に製造することができ
る。
従って得られた成形体は、各種の産業機器、種々の環境
で使用されるセンサー用検知材料として開発が期待され
る。
で使用されるセンサー用検知材料として開発が期待され
る。
第１図は本発明で得られた高温超電導結晶化ガラスの絶
対温度と電気抵抗値との相関を示す図である。 特許出願人 工業技術院長 飯 塚 幸 三指定代理人
工業技術大阪工業技術試験所長速水諒三 度（Ｋン
対温度と電気抵抗値との相関を示す図である。 特許出願人 工業技術院長 飯 塚 幸 三指定代理人
工業技術大阪工業技術試験所長速水諒三 度（Ｋン
Claims (1)
- ＧｅＯ＿２またはＧａ＿２Ｏ＿３３．７〜４．９重量％
、Ｂｉ＿２Ｏ＿３３９．０〜３９．５重量％、ＳｒＯ＿
２２０．１〜２０．３重量％、ＣａＯ９．４〜９．５重
量％およびＣｕＯ２６．６〜２７．０重量％からなる混
合粉末１００重量部に、ＡｕまたはＰｔ０．０２〜０．
０８重量部を配合し、この配合物を加熱溶融してガラス
を製造し、このガラスを熱処理して結晶化させることを
特徴とする高温超電導結晶化ガラスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP900089A JPH02188445A (ja) | 1989-01-17 | 1989-01-17 | 高温超電導結晶化ガラスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP900089A JPH02188445A (ja) | 1989-01-17 | 1989-01-17 | 高温超電導結晶化ガラスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02188445A true JPH02188445A (ja) | 1990-07-24 |
| JPH0443860B2 JPH0443860B2 (ja) | 1992-07-17 |
Family
ID=11708409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP900089A Granted JPH02188445A (ja) | 1989-01-17 | 1989-01-17 | 高温超電導結晶化ガラスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02188445A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5413981A (en) * | 1991-01-31 | 1995-05-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Oxide superconductor and a method for manufacturing an oxide superconductor |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105565662A (zh) * | 2016-01-20 | 2016-05-11 | 广西丛欣实业有限公司 | 耐热玻璃的制备方法 |
-
1989
- 1989-01-17 JP JP900089A patent/JPH02188445A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5413981A (en) * | 1991-01-31 | 1995-05-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Oxide superconductor and a method for manufacturing an oxide superconductor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0443860B2 (ja) | 1992-07-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |