JPH02188702A - 回折格子の形成方法 - Google Patents
回折格子の形成方法Info
- Publication number
- JPH02188702A JPH02188702A JP918789A JP918789A JPH02188702A JP H02188702 A JPH02188702 A JP H02188702A JP 918789 A JP918789 A JP 918789A JP 918789 A JP918789 A JP 918789A JP H02188702 A JPH02188702 A JP H02188702A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- etching
- photoresist
- etching mask
- diffraction grating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は回折格子の作成方法に関し、特に回折格子を作
成するためのエツチングマスクの作成方法に関する。
成するためのエツチングマスクの作成方法に関する。
（従来の技術）
回折格子は、光ＩＣに於て、フィルター、光結合器、分
布帰還形レーザ、分布ブラッグ反射鏡レーザ等の種々の
光回路素子に用いられている。
布帰還形レーザ、分布ブラッグ反射鏡レーザ等の種々の
光回路素子に用いられている。
光集積回路に用いられている回折格子は周期が約０．１
μ鋤〜１．０μ■で主にホログラフィックな方法で作ら
れている。
μ鋤〜１．０μ■で主にホログラフィックな方法で作ら
れている。
ホログラフィック露光法の原理は１光源から出た可干渉
な光束を均一な平行ビームにし、ビームスプリッタによ
って振幅強度の等しい２つのビームに分割し、分割した
ビームを交差角２θでフォトレジスト表面に入射させる
。２つのビームはフォトレジスト表面で干渉縞を生成し
、干渉縞の光強度分布に応じてフォトレジストを感光す
る。
な光束を均一な平行ビームにし、ビームスプリッタによ
って振幅強度の等しい２つのビームに分割し、分割した
ビームを交差角２θでフォトレジスト表面に入射させる
。２つのビームはフォトレジスト表面で干渉縞を生成し
、干渉縞の光強度分布に応じてフォトレジストを感光す
る。
次にフォトレジストを現像する事により、エツチングマ
スクを形成する。
スクを形成する。
近年、サブミクロンパターンのエツチング加重がドライ
プロセス主流であり、この加工プロセスにレジストパタ
ーンが耐えなければならない。
プロセス主流であり、この加工プロセスにレジストパタ
ーンが耐えなければならない。
その中でも、パターン形状を忠実に実現できるのは、ス
パッタエッチ、イオンビームエッチ、イオンミリング等
の異方性エツチングである。この方法で得られるパター
ン形状は、マスク材と試料のエツチング選択比で決まり
、３倍以上では方形波に近い形状を持つ回折格子が得ら
れるが、エツチング速度の差が小さいと、レジストも同
時にエツチングされ、正弦波状のエツチング形状となる
。このため十分なレジスト厚と垂直な断面形状を持つレ
ジストが必要となる。
パッタエッチ、イオンビームエッチ、イオンミリング等
の異方性エツチングである。この方法で得られるパター
ン形状は、マスク材と試料のエツチング選択比で決まり
、３倍以上では方形波に近い形状を持つ回折格子が得ら
れるが、エツチング速度の差が小さいと、レジストも同
時にエツチングされ、正弦波状のエツチング形状となる
。このため十分なレジスト厚と垂直な断面形状を持つレ
ジストが必要となる。
従来のエツチングマスク作成方法を図面を用いて説明す
る。
る。
第１の方法は、第３図に示すように基板１のトにフォト
レジストを塗布′し、プリベークの後、フォトレジスト
層２を得る（第３図ａ）。次にＨｅ−Ｃｄレーザ（λ−
３２５ｎｍ）を使った２光束干渉法によって露光しく第
３図ｂ）、現像を行い所望のレジストパターン３を形成
する（第３図Ｃ）。さらにレジストパターン３をマスク
にドライエツチングを行い基板１をエツチングしく第３
図ｄ）最後にレジストを除去して回折格子４を形成する
（第３図ｅ）。
レジストを塗布′し、プリベークの後、フォトレジスト
層２を得る（第３図ａ）。次にＨｅ−Ｃｄレーザ（λ−
３２５ｎｍ）を使った２光束干渉法によって露光しく第
３図ｂ）、現像を行い所望のレジストパターン３を形成
する（第３図Ｃ）。さらにレジストパターン３をマスク
にドライエツチングを行い基板１をエツチングしく第３
図ｄ）最後にレジストを除去して回折格子４を形成する
（第３図ｅ）。
第２の方法は、第２図に示すように基板５のＦに第２の
エツチングマスク層６（有機物又は金属）を塗布または
蒸着によって形成する（第２図ａ）。次にフォトレジス
トを塗布し、ブリベータの後、フォトレジスト層７を得
る（第２図ｂ）。
エツチングマスク層６（有機物又は金属）を塗布または
蒸着によって形成する（第２図ａ）。次にフォトレジス
トを塗布し、ブリベータの後、フォトレジスト層７を得
る（第２図ｂ）。
次に）Ｉｅ−Ｃｄレーザ（λ−３２５ｎｍ）を使った２
光束干渉法によって露光しく第２図ｃ）、続いて現像を
行い所望のレジストパターン８を形成する（第２図ｄ）
。さらにレジストパターン８をマスクとしてウェットエ
ツチングを行い、第２のエツチングマスク層６をエツチ
ングする（第２図ｅ）。こうして多層のエツチングマス
クが形成され、レジストパターン８と第２のエツチング
マスク層６をマスクとしてドライエツチングを行い基板
５をエツチングしく第２図ｆ）、最後にレジストを除去
して回折格子９を形成する（第２図ｇ）。
光束干渉法によって露光しく第２図ｃ）、続いて現像を
行い所望のレジストパターン８を形成する（第２図ｄ）
。さらにレジストパターン８をマスクとしてウェットエ
ツチングを行い、第２のエツチングマスク層６をエツチ
ングする（第２図ｅ）。こうして多層のエツチングマス
クが形成され、レジストパターン８と第２のエツチング
マスク層６をマスクとしてドライエツチングを行い基板
５をエツチングしく第２図ｆ）、最後にレジストを除去
して回折格子９を形成する（第２図ｇ）。
（発明が解決しようとしている課題）
以上述べた回折格子のエツチングマスク作成方法には次
のような問題があった。すなわち、第１の方法では、パ
ターンの均一性とレジスト断面形状にかかわる単層レジ
ストの層厚はパターン線幅よりも厚くできず、レジスト
の断面形状は正弦波状であったり、Ｓ字状であったりす
るため、このレジストをマスクにしてエツチングしたパ
ターンの断面形状はテーパーを持つことになる。また、
パターン線幅が例えば０．２μｍだとすると、レジスト
層厚も０．２μ−と限定されるため、ドライエツチング
ではフォトレジストマスクのエツチングも進行するため
深い溝を形成することができず、ドライエツチングによ
る高蹟度のパターン転写に望ましい厚い方形波状のパタ
ーン形成は不可能であった。
のような問題があった。すなわち、第１の方法では、パ
ターンの均一性とレジスト断面形状にかかわる単層レジ
ストの層厚はパターン線幅よりも厚くできず、レジスト
の断面形状は正弦波状であったり、Ｓ字状であったりす
るため、このレジストをマスクにしてエツチングしたパ
ターンの断面形状はテーパーを持つことになる。また、
パターン線幅が例えば０．２μｍだとすると、レジスト
層厚も０．２μ−と限定されるため、ドライエツチング
ではフォトレジストマスクのエツチングも進行するため
深い溝を形成することができず、ドライエツチングによ
る高蹟度のパターン転写に望ましい厚い方形波状のパタ
ーン形成は不可能であった。
第２の方法では第１のエツチングマスク層の厚みと形状
は改善されるが、第２のエツチング層６のパターン形成
に於てフォトレジスト層７のパターン形成の後このレジ
ストパターン８をマスクとして第２のエツチングマスク
層のパターンを形成する際に専用のエツチング工程が必
要となり、このためパターン形成工程が増え寸法積度が
落ち良好な回折格子が作成できない事があり、特に微細
な周期０．１μｍｘ１．ｏμｍの回折格子の作成では歩
留りが悪く大きな問題となっていた。
は改善されるが、第２のエツチング層６のパターン形成
に於てフォトレジスト層７のパターン形成の後このレジ
ストパターン８をマスクとして第２のエツチングマスク
層のパターンを形成する際に専用のエツチング工程が必
要となり、このためパターン形成工程が増え寸法積度が
落ち良好な回折格子が作成できない事があり、特に微細
な周期０．１μｍｘ１．ｏμｍの回折格子の作成では歩
留りが悪く大きな問題となっていた。
その他の回折格子作成方法としては、電子ビーム露光法
による直接描画や集束イオンビームによるマスクレス加
工などがある。これらは、荷電ビームであるためビーム
径を０．１μω以下に集束する事が可能であり、パター
ンを微細なパターンを高蹟度に直接描画することができ
・るが、反面、近接効果や、後方散乱のため、０．３μ
−以下の周期をもつ回折格子を厚いレジストおよび厚い
基板の上に描画する事は困難である。さらにパターンの
微細化に伴ってスルーブツト、歩留りが低下するという
問題がある。
による直接描画や集束イオンビームによるマスクレス加
工などがある。これらは、荷電ビームであるためビーム
径を０．１μω以下に集束する事が可能であり、パター
ンを微細なパターンを高蹟度に直接描画することができ
・るが、反面、近接効果や、後方散乱のため、０．３μ
−以下の周期をもつ回折格子を厚いレジストおよび厚い
基板の上に描画する事は困難である。さらにパターンの
微細化に伴ってスルーブツト、歩留りが低下するという
問題がある。
本発明はト記従来技術の問題を解決するために成された
ものであり、その目的は微細な周期を持つ回折格子を作
成するためのエツチングマスクの作成方法を提供するこ
とである。
ものであり、その目的は微細な周期を持つ回折格子を作
成するためのエツチングマスクの作成方法を提供するこ
とである。
本発明は、基板上に複数のエツチングマスク層を積層し
、ただし複数のエツチングマスク層の最−上層はフォト
レジスト層とし、このフォトレジスト層を露光したのち
現像してレジストパターンを形成し、レジストパターン
をマスクとして基板をエツチングして基板上に回折格子
を形成する回折格子の形成方法であって、該フォトレジ
スト層以外のエツチングマスク層が、フォトレジスト層
の現像液で除去可能であるか又は該フォトレジスト層の
レジストパターンか耐性をもつエツチング手段で除去可
能な組成から成る事を特徴とする回折格子の形成方法で
ある。
、ただし複数のエツチングマスク層の最−上層はフォト
レジスト層とし、このフォトレジスト層を露光したのち
現像してレジストパターンを形成し、レジストパターン
をマスクとして基板をエツチングして基板上に回折格子
を形成する回折格子の形成方法であって、該フォトレジ
スト層以外のエツチングマスク層が、フォトレジスト層
の現像液で除去可能であるか又は該フォトレジスト層の
レジストパターンか耐性をもつエツチング手段で除去可
能な組成から成る事を特徴とする回折格子の形成方法で
ある。
特に、面記複数のエツチングマスク層を上層としてのフ
ォトレジスト層および下層としてのフォトレジストの現
像液にｉｉＪ溶なエツチングマスク層からなる２層とし
、前記露光を紫外線レーザを用いた２光束干渉によって
行い、現像液で現像することによりフォトレジスト層に
レジストパターンを形成するとともに下層のエツチング
マスク層を現像液でエツチングすることを特徴とする回
折格子の形成方法である。
ォトレジスト層および下層としてのフォトレジストの現
像液にｉｉＪ溶なエツチングマスク層からなる２層とし
、前記露光を紫外線レーザを用いた２光束干渉によって
行い、現像液で現像することによりフォトレジスト層に
レジストパターンを形成するとともに下層のエツチング
マスク層を現像液でエツチングすることを特徴とする回
折格子の形成方法である。
すなわち、本発明の１的はエツチングマスクとして上層
にフォトレジスト層を用いた２層構成とし、上層レジス
トに紫外線レーザを用いた２光束干渉によるホログラフ
ィック露光し、現像するとともに前記レジストパターン
をマスクとし上記現像液に可溶な下層のエツチングマス
ク層を首記現像液でエツチングする事により、つまり同
時工程で現像とエツチングを行う事により達成される。
にフォトレジスト層を用いた２層構成とし、上層レジス
トに紫外線レーザを用いた２光束干渉によるホログラフ
ィック露光し、現像するとともに前記レジストパターン
をマスクとし上記現像液に可溶な下層のエツチングマス
ク層を首記現像液でエツチングする事により、つまり同
時工程で現像とエツチングを行う事により達成される。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明に基づく回折格子の作成方法を示す工程
図である。
図である。
はじめに半導体基板ｌＯを界面活性剤により拭き洗浄し
、次に有機溶剤による超音波洗浄を２〜３回くり返した
後、Ｎ２ブローで乾燥し、 ２００℃、３０分の熱処理
を行う。続いて、下層のエツチングマスク封目としてポ
リイミド（商品名ＰＩＸ−ＬＩＩＯ：日立化成社製）を
所望に希釈したものを全面に塗布形成し、残留溶媒をと
ばすために８０℃の乾燥を行いポリイミド層１１を形成
する（第１図ａ）。
、次に有機溶剤による超音波洗浄を２〜３回くり返した
後、Ｎ２ブローで乾燥し、 ２００℃、３０分の熱処理
を行う。続いて、下層のエツチングマスク封目としてポ
リイミド（商品名ＰＩＸ−ＬＩＩＯ：日立化成社製）を
所望に希釈したものを全面に塗布形成し、残留溶媒をと
ばすために８０℃の乾燥を行いポリイミド層１１を形成
する（第１図ａ）。
厚さは２０００人〜４０００人ぐらいが適当である。
ＰＩＸ−ＬＩＩＧの代りにポリイミド系のＬＢ層を用い
た場合、 ２００〜５００人の層厚でサイドエッチの少
ない良好な結果が得られた。
た場合、 ２００〜５００人の層厚でサイドエッチの少
ない良好な結果が得られた。
フォトレジスト層下層の適正層厚は該層の形成方法に強
く依存するが、一般には後工程での耐久性が十分であれ
ば薄い方が好ましい。−数的には１００人〜５０００人
程度である。
く依存するが、一般には後工程での耐久性が十分であれ
ば薄い方が好ましい。−数的には１００人〜５０００人
程度である。
さらにこの上に２光束干渉露光用のフォトレジスト層１
２（商品名マイクロボシト−１４００−１７ニジブレー
社製）を所望に希釈したものを全面に塗布形成し、８０
℃の乾燥を行う（第１図ｂ）。フォトレジストの厚さは
６００人〜８００人ぐらいが適当である。
２（商品名マイクロボシト−１４００−１７ニジブレー
社製）を所望に希釈したものを全面に塗布形成し、８０
℃の乾燥を行う（第１図ｂ）。フォトレジストの厚さは
６００人〜８００人ぐらいが適当である。
次にＨｅ−Ｃｄレーザ（λ−３２５）による２光束干渉
露光により、フォトレジスト層１２を露光する（第１図
Ｃ）。次に、フォトレジスト層１２専用の現像液（商品
名マイクロポジット ４５０デベロッパー：シブレー社
）で現像を行うことにより、干渉露光により生じた干渉
縞の強度分布に応じた感光度合に応じたレジストパター
ン１３がはじめに形成され、さらに現像を進行させるこ
とにより、露出したポリイミド層ＩＩがレジストパター
ン１３をマスクにエツチングされ、ポリイミドとフォト
レジストの２層の回折格子パターンが形成される（第１
図ｄ）。次にポリイミド層１２をミイド化させるための
熱処理を行う。このときフォトレジストの回折格子パタ
ーンも同時に熱処理され、エツチングマスクパターンが
形成される。
露光により、フォトレジスト層１２を露光する（第１図
Ｃ）。次に、フォトレジスト層１２専用の現像液（商品
名マイクロポジット ４５０デベロッパー：シブレー社
）で現像を行うことにより、干渉露光により生じた干渉
縞の強度分布に応じた感光度合に応じたレジストパター
ン１３がはじめに形成され、さらに現像を進行させるこ
とにより、露出したポリイミド層ＩＩがレジストパター
ン１３をマスクにエツチングされ、ポリイミドとフォト
レジストの２層の回折格子パターンが形成される（第１
図ｄ）。次にポリイミド層１２をミイド化させるための
熱処理を行う。このときフォトレジストの回折格子パタ
ーンも同時に熱処理され、エツチングマスクパターンが
形成される。
続いて上記２層のエツチングマスクパターンをマスクと
して半導体基板ｌＯをドライエツチングしく第１図ｅ）
、最後にエツチングマスク層を除去することにより、半
導体基板の回折格子パターン１４を得る（第１図ｆ）。
して半導体基板ｌＯをドライエツチングしく第１図ｅ）
、最後にエツチングマスク層を除去することにより、半
導体基板の回折格子パターン１４を得る（第１図ｆ）。
本発明は本実施例のみに限定されるものではなく、例え
ば干渉露光用の紫外線レーザの種類や波長は仕様に応じ
て定めれば良い。
ば干渉露光用の紫外線レーザの種類や波長は仕様に応じ
て定めれば良い。
また本実施例では半導体基板を用いたが、ガラス、光学
ガラスでもよい。また、フォトレジストにはマイクロポ
ジット−１４００−１７を用いたが、アルカリ現像タイ
プのフォトレジストであれば、ポジタイプでもネガタイ
プでも良い。更に下層エツチングマスク層としてポリイ
ミド層１１を用いたが、これに限定されず、使用するフ
ォトレジストのアルカリ現像液でエツチング可能な材料
であれば、例えば金属層ＡＩ、 Ｍｏや酸化層ＩＴＯ１
さらにはＬＢ層のポリイミド系等でもかまわない、この
時の層厚は使用するアルカリ現像液とのエツチングレー
トに応じて定めれば良い。加えて本実施例では半導体基
板のエツチングをドライエツチングとしているが、ポリ
イミドの良好な耐酸性を利用するならば、ウェットエツ
チングを用いてもかまわない。
ガラスでもよい。また、フォトレジストにはマイクロポ
ジット−１４００−１７を用いたが、アルカリ現像タイ
プのフォトレジストであれば、ポジタイプでもネガタイ
プでも良い。更に下層エツチングマスク層としてポリイ
ミド層１１を用いたが、これに限定されず、使用するフ
ォトレジストのアルカリ現像液でエツチング可能な材料
であれば、例えば金属層ＡＩ、 Ｍｏや酸化層ＩＴＯ１
さらにはＬＢ層のポリイミド系等でもかまわない、この
時の層厚は使用するアルカリ現像液とのエツチングレー
トに応じて定めれば良い。加えて本実施例では半導体基
板のエツチングをドライエツチングとしているが、ポリ
イミドの良好な耐酸性を利用するならば、ウェットエツ
チングを用いてもかまわない。
（発明の効果）
以−ト説明したように、本発明により、（１）工程の短
縮 （２）エツチングマスクを多層にできる（マスク厚がか
せげる） （３）パターン寸法精度の安定性が向上環の効果をもた
らされる。
縮 （２）エツチングマスクを多層にできる（マスク厚がか
せげる） （３）パターン寸法精度の安定性が向上環の効果をもた
らされる。
第１図は本発明の実施例の工程を示す断面図である。
第２図、５５３図は従来の回折格子形成方法の工程を示
す断面図である。 １ 基板 ２ フォトレジスト層 ３ レジストパターン 回折格子 基板 第２のエツチングマスク層 フォトレジスト層 レジストパターン 回折格子 基板 ポリイミド層 フォトレジスト層 レジストパターン 回折格子
す断面図である。 １ 基板 ２ フォトレジスト層 ３ レジストパターン 回折格子 基板 第２のエツチングマスク層 フォトレジスト層 レジストパターン 回折格子 基板 ポリイミド層 フォトレジスト層 レジストパターン 回折格子
Claims (2)
- （１）基板上に複数のエッチングマスク層を積層し、た
だし複数のエッチングマスク層の最上層はフォトレジス
ト層とし、このフォトレジスト層を露光したのち現像し
てレジストパターンを形成し、レジストパターンをマス
クとして基板をエッチングして基板上に回折格子を形成
する回折格子の形成方法であって、該フォトレジスト層
以外のエッチングマスク層が、フォトレジスト層の現像
液で除去可能であるか又は該フォトレジスト層のレジス
トパターンが耐性をもつエッチング手段で除去可能な組
成から成る事を特徴とする回折格子の形成方法。 - （２）前記複数のエッチングマスク層を上層としてのフ
ォトレジスト層および下層としてのフォトレジストの現
像液に可溶なエッチングマスク層からなる２層とし、前
記露光を紫外線レーザを用いた２光束干渉によって行い
、現像液で現像することによりフォトレジスト層にレジ
ストパターンを形成するとともに下層のエッチングマス
ク層を現像液でエッチングすることを特徴とする請求項
１に記載の回折格子の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP918789A JPH02188702A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 回折格子の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP918789A JPH02188702A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 回折格子の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02188702A true JPH02188702A (ja) | 1990-07-24 |
Family
ID=11713528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP918789A Pending JPH02188702A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 回折格子の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02188702A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003532246A (ja) * | 2000-05-03 | 2003-10-28 | ノボ ノルディスク アクティーゼルスカブ | 注入装置のカートリッジのコード化 |
| US8994382B2 (en) | 2006-04-12 | 2015-03-31 | Novo Nordisk A/S | Absolute position determination of movably mounted member in medication delivery device |
| US9522238B2 (en) | 2005-05-10 | 2016-12-20 | Novo Nordisk A/S | Injection device comprising an optical sensor |
| US9950117B2 (en) | 2009-02-13 | 2018-04-24 | Novo Nordisk A/S | Medical device and cartridge |
| WO2024203800A1 (ja) * | 2023-03-24 | 2024-10-03 | 日産化学株式会社 | 光学回折体製造用レジスト下層膜形成用組成物 |
-
1989
- 1989-01-18 JP JP918789A patent/JPH02188702A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003532246A (ja) * | 2000-05-03 | 2003-10-28 | ノボ ノルディスク アクティーゼルスカブ | 注入装置のカートリッジのコード化 |
| US9522238B2 (en) | 2005-05-10 | 2016-12-20 | Novo Nordisk A/S | Injection device comprising an optical sensor |
| US8994382B2 (en) | 2006-04-12 | 2015-03-31 | Novo Nordisk A/S | Absolute position determination of movably mounted member in medication delivery device |
| US9950117B2 (en) | 2009-02-13 | 2018-04-24 | Novo Nordisk A/S | Medical device and cartridge |
| WO2024203800A1 (ja) * | 2023-03-24 | 2024-10-03 | 日産化学株式会社 | 光学回折体製造用レジスト下層膜形成用組成物 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06265709A (ja) | 電子線リソグラフィを用いる回折格子製造方法 | |
| KR100223325B1 (ko) | 반도체 장치의 미세패턴 제조방법 | |
| JPWO2009078190A1 (ja) | パターン形成方法 | |
| JP3442004B2 (ja) | 光学素子の製造方法 | |
| US6455227B1 (en) | Multilayer resist structure, and method of manufacturing three-dimensional microstructure with use thereof | |
| TWI650619B (zh) | 光柵的製備方法 | |
| JPH0435726B2 (ja) | ||
| JPH06244139A (ja) | レリーフ状表面パターンの製作方法 | |
| JPH06174907A (ja) | 金属格子の製作方法 | |
| JPS63170917A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| US20090197210A1 (en) | Method for preparing photonic crystal slab waveguides | |
| JPH1172606A (ja) | ＳｉＣのパターンエッチング方法 | |
| JPS60230650A (ja) | 微細パタ−ンの製作法 | |
| JP2624351B2 (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| JPS646449B2 (ja) | ||
| JPS613489A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02156244A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0529197A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS6048023B2 (ja) | ポジ型レジスト | |
| JPS589944B2 (ja) | フオトマスク | |
| JPH06317704A (ja) | 回折格子の作成方法 | |
| JPH06250007A (ja) | ブレーズド型回折格子の製造方法 | |
| JPH0456284B2 (ja) | ||
| JPH04337702A (ja) | 回折格子の作成方法 | |
| JPH0461331B2 (ja) |