JPH02189607A - ボルテージ・レギュレーター - Google Patents
ボルテージ・レギュレーターInfo
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- JPH02189607A JPH02189607A JP1009557A JP955789A JPH02189607A JP H02189607 A JPH02189607 A JP H02189607A JP 1009557 A JP1009557 A JP 1009557A JP 955789 A JP955789 A JP 955789A JP H02189607 A JPH02189607 A JP H02189607A
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- JP
- Japan
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- resistor
- value
- voltage
- voltage regulator
- resistance
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC using semiconductor devices in series with the load as final control devices
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/625—Regulating voltage or current wherein it is irrelevant whether the variable actually regulated is AC or DC
- G05F1/63—Regulating voltage or current wherein it is irrelevant whether the variable actually regulated is AC or DC using variable impedances in series with the load as final control devices
- G05F1/648—Regulating voltage or current wherein it is irrelevant whether the variable actually regulated is AC or DC using variable impedances in series with the load as final control devices being plural resistors among which a selection is made
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- Power Engineering (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＣＭＯＳモノリシックＩＣ化された歩留りの
高いボルテージ・レギュレーターに関するものである。
高いボルテージ・レギュレーターに関するものである。
本発明は、ボルテージ・レギュレーターの出力電圧を決
める抵抗にポリシリコン抵抗もしくは、アルミ配線によ
って形成されたリンク部材を付加し、そのリンク部材を
レーザー光線によって、切断することで、歩留りの高い
ボルテージ・レギュレーターを提供するものである。
める抵抗にポリシリコン抵抗もしくは、アルミ配線によ
って形成されたリンク部材を付加し、そのリンク部材を
レーザー光線によって、切断することで、歩留りの高い
ボルテージ・レギュレーターを提供するものである。
従来のボルテージ・レギュレーターの回路図を第２図に
示す、基準電圧回路１と抵抗Ｒ１とｈから成る抵抗群２
から取り出された電圧は、誤差増幅器３で比較され出力
トランジスタ４を制御する。
示す、基準電圧回路１と抵抗Ｒ１とｈから成る抵抗群２
から取り出された電圧は、誤差増幅器３で比較され出力
トランジスタ４を制御する。
つまり、抵抗群２から取り出された電圧が、基準電圧よ
り小さければ、誤差増幅器３の出力は低くなり、出力ト
ランジスタ４を強くバイアスし、逆に抵抗群２から取り
出された電圧が基準電圧より高ければトランジスタ４を
弱くバイアスして、出力端子５には一定の電圧が得られ
る。
り小さければ、誤差増幅器３の出力は低くなり、出力ト
ランジスタ４を強くバイアスし、逆に抵抗群２から取り
出された電圧が基準電圧より高ければトランジスタ４を
弱くバイアスして、出力端子５には一定の電圧が得られ
る。
第２図のボルテージ・レギュレーターを、集積回路（以
下、ＩＣと呼ぶ）化した場合、次のような問題点が生じ
る。
下、ＩＣと呼ぶ）化した場合、次のような問題点が生じ
る。
出力端子５からの出力電圧をＶｏｕ ｔと呼ぶと、Ｙｏ
ｕ ｔは、式（１＋のように表わされる。
ｕ ｔは、式（１＋のように表わされる。
Ｖｏｕｔ＝ （Ｒ＋ ＋Ｉｈ）／ＲｔＸνｒｅｆ
−−−−−（１１ここでＲ１は、第２図の抵抗Ｒ，で
あり、Ｒ８は第２図の抵抗Ｒ２であり、Ｖｒｅｆは、基
準電圧回路１の出力電圧（以下、基準電圧と呼ぶ）であ
る。
−−−−−（１１ここでＲ１は、第２図の抵抗Ｒ，で
あり、Ｒ８は第２図の抵抗Ｒ２であり、Ｖｒｅｆは、基
準電圧回路１の出力電圧（以下、基準電圧と呼ぶ）であ
る。
式（１）から明らかなように、ある所望の出力電圧Ｖｏ
ｕ ｔを得るためには、抵抗Ｒ，，１１，および基準電
圧νｒｅｆを適当な値に設定すれば良い、しかし、ＩＣ
化した場合には、抵抗Ｒ１＋ Ｒｚ及び基準電圧Ｖｒｅ
ｆの絶対値は、プロセスが変動することにより、ねらい
値から大きくずれてしまう、とりわけ第２図に示すボル
テージ・レギュレーターをＩＣ化した場合には、式（１
）中の基準電圧Ｖｒｅｆが太き（変動してしまい、所望
の基準電圧Ｖｒｅｆが得られない、そこで、式（１）中
の抵抗Ｒ８の値を調整することにより、所望の出力電圧
Ｖｏｕ ｔを得ている。
ｕ ｔを得るためには、抵抗Ｒ，，１１，および基準電
圧νｒｅｆを適当な値に設定すれば良い、しかし、ＩＣ
化した場合には、抵抗Ｒ１＋ Ｒｚ及び基準電圧Ｖｒｅ
ｆの絶対値は、プロセスが変動することにより、ねらい
値から大きくずれてしまう、とりわけ第２図に示すボル
テージ・レギュレーターをＩＣ化した場合には、式（１
）中の基準電圧Ｖｒｅｆが太き（変動してしまい、所望
の基準電圧Ｖｒｅｆが得られない、そこで、式（１）中
の抵抗Ｒ８の値を調整することにより、所望の出力電圧
Ｖｏｕ ｔを得ている。
以下、前記抵抗Ｒ２の従来の調整法を説明する。
第３図に、従来の抵抗Ｒ１だけを抜き出した回路図を示
す、抵抗Ｒａ、 Ｒｂ、 Ｒｅ、 Ｒｄ＋ Ｒｅ、 Ｒ
ｆは直列に接続され、かつ、それぞれの抵抗に並列にア
ルミ配線が施されている。ＩＣ化プロセスによって基準
電圧回路が形成された後、基準電圧Ｖｒｅｆを測定し、
その値を式＋１１に代入し、所望の出力電圧Ｖｏｕｔが
得られる抵抗比（Ｒ＋＋Ｒｚ） ／Ｒｔの値を求める。
す、抵抗Ｒａ、 Ｒｂ、 Ｒｅ、 Ｒｄ＋ Ｒｅ、 Ｒ
ｆは直列に接続され、かつ、それぞれの抵抗に並列にア
ルミ配線が施されている。ＩＣ化プロセスによって基準
電圧回路が形成された後、基準電圧Ｖｒｅｆを測定し、
その値を式＋１１に代入し、所望の出力電圧Ｖｏｕｔが
得られる抵抗比（Ｒ＋＋Ｒｚ） ／Ｒｔの値を求める。
この抵抗比の値から、抵抗Ｒ１の値を換算し、切断すべ
きアルミ配線の箇所を決める０例えば、ｆｉｔ 抗Ｒｌ
ｔ：ｖ値が、Ｒｅ＋Ｒｆの値が必要だとすると、エツ
チング処理により抵抗ＲｅとＲｆに並列に接続されたア
ルミ配線部分を切断する。これにより、抵抗Ｒ１の値は
抵抗Ｒｅ＋Ｒｆの値となる。
きアルミ配線の箇所を決める０例えば、ｆｉｔ 抗Ｒｌ
ｔ：ｖ値が、Ｒｅ＋Ｒｆの値が必要だとすると、エツ
チング処理により抵抗ＲｅとＲｆに並列に接続されたア
ルミ配線部分を切断する。これにより、抵抗Ｒ１の値は
抵抗Ｒｅ＋Ｒｆの値となる。
しかし、上記のようなアルミ配線のエツチングによる調
整方法をとると、ＩＣウェハ上の全てのチップの抵抗Ｒ
８の値が、抵抗Ｒｅ ＋ ＲｆＯ値になってしまう、こ
れは歩留りを悪（するという問題を引き起こす、この理
由は前記プロセスの変動がＩＣウェハ内でも発生するた
めである０例えば、ウェハ内の左側と右側のチップでは
、前記基準電圧Ｖｒｅｆの値が異なってしまうため、左
側のチップから決めた抵抗値Ｒ８の値が、右側のチップ
では適用できないためである。
整方法をとると、ＩＣウェハ上の全てのチップの抵抗Ｒ
８の値が、抵抗Ｒｅ ＋ ＲｆＯ値になってしまう、こ
れは歩留りを悪（するという問題を引き起こす、この理
由は前記プロセスの変動がＩＣウェハ内でも発生するた
めである０例えば、ウェハ内の左側と右側のチップでは
、前記基準電圧Ｖｒｅｆの値が異なってしまうため、左
側のチップから決めた抵抗値Ｒ８の値が、右側のチップ
では適用できないためである。
本発明は、従来の技術の課題を解決することを目的とし
、とりわけ、歩留りの高いボルテージ・レギュレーター
を提供できた。
、とりわけ、歩留りの高いボルテージ・レギュレーター
を提供できた。
具体的には、従来のアルミ配線のエツチングによる調整
法の換わりに、抵抗りに付加されたポリシリコン抵抗も
しくはアルミ配線によって形成されたリンク部材をレー
ザー光線（例えば、アトパンテスト社の７８０００ Ｇ
レーザリペア装置）によって、所望の箇所だけ切断する
ことにより、抵抗Ｒ９の値を調整し、所望の出力電圧Ｖ
ｏｕ ｔを得るものである。
法の換わりに、抵抗りに付加されたポリシリコン抵抗も
しくはアルミ配線によって形成されたリンク部材をレー
ザー光線（例えば、アトパンテスト社の７８０００ Ｇ
レーザリペア装置）によって、所望の箇所だけ切断する
ことにより、抵抗Ｒ９の値を調整し、所望の出力電圧Ｖ
ｏｕ ｔを得るものである。
以下、図面に従って本発明の一実施例を詳細に説明する
。第１図は、第３図の抵抗Ｒ３を改良したもので、ポリ
シリコン抵抗または、アルミ配線によって形成されたリ
ンク部材６〜１１を付加した回路図である。抵抗Ｒａ−
Ｒｆは第３図と同様である。
。第１図は、第３図の抵抗Ｒ３を改良したもので、ポリ
シリコン抵抗または、アルミ配線によって形成されたリ
ンク部材６〜１１を付加した回路図である。抵抗Ｒａ−
Ｒｆは第３図と同様である。
さらに各抵抗Ｒａ＝Ｒｆのそれぞれの接続点と抵抗Ｒａ
の一端がレーザー光線によって切断できるリンク部材６
〜１１で接続されている。
の一端がレーザー光線によって切断できるリンク部材６
〜１１で接続されている。
以下、調整法について説明する。形成された基準電圧回
路ｌの基準電圧Ｖｒｅｆを測定し、式（１１から所望の
出力電圧Ｖｏｕｔが得られる抵抗比（ＲＩ＋ｌ！２）／
Ｒ，を求め、その抵抗比から抵抗ｉｔ、の値を計算する
までは従来と同様である０例えば、抵抗Ｒ２の値として
、前記の例のように抵抗Ｒｅ ＋ Ｒｆが必要になった
とすると、レーザー光線によってリンク部材１ｏ、 ｉ
ｉを切断する。ここで、各リンク部材６〜１１の抵抗値
は抵抗Ｒａ＝Ｒｆの抵抗値より小さい値にしておけば、
抵抗Ｒ１の値はほとんど抵抗Ｒｅ ＋ Ｆｌｆの値にな
る。実際には抵抗Ｒａ−Ｒｆの値は、数十にΩ〜数ＭΩ
の値であり、一方、リンク部材６〜１１の抵抗値は数十
Ωのオーダーである。上記説明ではリンク部材としてポ
リシリコン抵抗を用いた場合を想定したが、リンク部材
にアルミを用いれば、抵抗Ｒ９の値はより抵抗Ｒｅ ＋
Ｒｆの値に近づくことは明らかである。
路ｌの基準電圧Ｖｒｅｆを測定し、式（１１から所望の
出力電圧Ｖｏｕｔが得られる抵抗比（ＲＩ＋ｌ！２）／
Ｒ，を求め、その抵抗比から抵抗ｉｔ、の値を計算する
までは従来と同様である０例えば、抵抗Ｒ２の値として
、前記の例のように抵抗Ｒｅ ＋ Ｒｆが必要になった
とすると、レーザー光線によってリンク部材１ｏ、 ｉ
ｉを切断する。ここで、各リンク部材６〜１１の抵抗値
は抵抗Ｒａ＝Ｒｆの抵抗値より小さい値にしておけば、
抵抗Ｒ１の値はほとんど抵抗Ｒｅ ＋ Ｆｌｆの値にな
る。実際には抵抗Ｒａ−Ｒｆの値は、数十にΩ〜数ＭΩ
の値であり、一方、リンク部材６〜１１の抵抗値は数十
Ωのオーダーである。上記説明ではリンク部材としてポ
リシリコン抵抗を用いた場合を想定したが、リンク部材
にアルミを用いれば、抵抗Ｒ９の値はより抵抗Ｒｅ ＋
Ｒｆの値に近づくことは明らかである。
以上の調整法をＩＣウェハの各チップ毎に実行すれば、
ウェハ内で基準電圧Ｖｒｅｆが変動しても、それに合っ
たＲ１の値をレーザー光線によるリンク部材の切断で得
ることができる。
ウェハ内で基準電圧Ｖｒｅｆが変動しても、それに合っ
たＲ１の値をレーザー光線によるリンク部材の切断で得
ることができる。
本発明の他の実施例を第４図に示す、抵抗Ｒａ〜Ｒｆと
並列に、リンク部材１５〜２０が接続されている。
並列に、リンク部材１５〜２０が接続されている。
調整法については、前述の実施例と同様に所望の抵抗値
を持つ抵抗と並列に接続されているリンク部材をレーザ
ー光線によって切断する。
を持つ抵抗と並列に接続されているリンク部材をレーザ
ー光線によって切断する。
なお、第２図では正の出力電圧を持つボルテージ・レギ
ュレーターについて示しているが、第５図のような負の
出力電圧を持つボルテージ・レギュレーターの抵抗Ｒ１
に、第１図、第４図に示すような抵抗を用いることで、
同等の効果があることは明らかである。
ュレーターについて示しているが、第５図のような負の
出力電圧を持つボルテージ・レギュレーターの抵抗Ｒ１
に、第１図、第４図に示すような抵抗を用いることで、
同等の効果があることは明らかである。
（発明の効果）
以上述べたように本発明によれば、抵抗に付加されたリ
ンク部材を基準電圧Ｖｒｅｆから算出された箇所だけ、
レーザー光線によって切断することによって、所望の出
力電圧νｏｕＬを得ることができる。
ンク部材を基準電圧Ｖｒｅｆから算出された箇所だけ、
レーザー光線によって切断することによって、所望の出
力電圧νｏｕＬを得ることができる。
これを１チツプ毎に行うことによって、歩留りの高いボ
ルテージ・レギュレーターを提供できるという効果があ
る。
ルテージ・レギュレーターを提供できるという効果があ
る。
第１図は本発明のボルテージ・レギュレーターの抵抗部
の回路図、第２図は従来のボルテージ・レギュレーター
の回路図、第３図は第２図の抵抗部の詳細図、第４図は
本発明のボルテージ・レギュレーターの抵抗部の他の回
路図、第５図は従来の負の出力電圧を持つボルテージ・
レギュレーターの回路図である。 １・・・・基準電圧回路 ２・・・・抵抗群 ３・・・・誤差増幅器 ６〜１１・・リンク部材 ４・・・・出力トランジスタ ５・・・・出力端子 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助 抵４えＲ１バー入力仁りｌの回路図 第１図 促東の抵抗Ｒ＋戸口路図 第３図 抵抗Ｒ１の１での実た例の回路図 第４図 従来の正の出〃電圧Ｅ将つポル子−ブ・ＬＡ“ユし−７
−カ回路口第２図 負の出Ｖ電圧と、１今ηホ゛ルテー・ヅル■ユＬ−９−
ハ回ｙｂ図第５図
の回路図、第２図は従来のボルテージ・レギュレーター
の回路図、第３図は第２図の抵抗部の詳細図、第４図は
本発明のボルテージ・レギュレーターの抵抗部の他の回
路図、第５図は従来の負の出力電圧を持つボルテージ・
レギュレーターの回路図である。 １・・・・基準電圧回路 ２・・・・抵抗群 ３・・・・誤差増幅器 ６〜１１・・リンク部材 ４・・・・出力トランジスタ ５・・・・出力端子 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助 抵４えＲ１バー入力仁りｌの回路図 第１図 促東の抵抗Ｒ＋戸口路図 第３図 抵抗Ｒ１の１での実た例の回路図 第４図 従来の正の出〃電圧Ｅ将つポル子−ブ・ＬＡ“ユし−７
−カ回路口第２図 負の出Ｖ電圧と、１今ηホ゛ルテー・ヅル■ユＬ−９−
ハ回ｙｂ図第５図
Claims (1)
- 基準電圧回路と、抵抗と誤差増幅器と、出力トランジス
タとからなるＣＭＯＳモノリシックＩＣ化されたボルテ
ージ・レギュレーターにおいて、前記抵抗にレーザー光
線によって切断できる複数のリンク部材を付加し、前記
リンク部材をレーザー光線によって全部もしくは、その
一部を切断することを特徴としたボルテージ・レギュレ
ーター。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1009557A JPH02189607A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | ボルテージ・レギュレーター |
| KR1019900000431A KR0148689B1 (ko) | 1989-01-18 | 1990-01-15 | 전압 조절기 |
| GB9000917A GB2230625B (en) | 1989-01-18 | 1990-01-16 | A voltage regulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1009557A JPH02189607A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | ボルテージ・レギュレーター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02189607A true JPH02189607A (ja) | 1990-07-25 |
Family
ID=11723585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1009557A Pending JPH02189607A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | ボルテージ・レギュレーター |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02189607A (ja) |
| KR (1) | KR0148689B1 (ja) |
| GB (1) | GB2230625B (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4476478A (en) * | 1980-04-24 | 1984-10-09 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor read only memory and method of making the same |
| DE3030620A1 (de) * | 1980-08-13 | 1982-03-11 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Anordnung zur aenderung der elektrischen schaltungskonfiguration von integrierten halbleiterschaltkreisen |
| DE3341345C2 (de) * | 1983-11-15 | 1987-01-02 | SGS-ATES Deutschland Halbleiter-Bauelemente GmbH, 8018 Grafing | Längsspannungsregler |
| DE3341344C2 (de) * | 1983-11-15 | 1986-10-09 | SGS-ATES Deutschland Halbleiter-Bauelemente GmbH, 8018 Grafing | Längsspannungsregler |
| GB2206730A (en) * | 1987-05-19 | 1989-01-11 | Gazelle Microcircuits Inc | Semiconductor circuit device parameter optimization |
-
1989
- 1989-01-18 JP JP1009557A patent/JPH02189607A/ja active Pending
-
1990
- 1990-01-15 KR KR1019900000431A patent/KR0148689B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1990-01-16 GB GB9000917A patent/GB2230625B/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900012148A (ko) | 1990-08-03 |
| GB9000917D0 (en) | 1990-03-14 |
| GB2230625A (en) | 1990-10-24 |
| GB2230625B (en) | 1993-05-12 |
| KR0148689B1 (ko) | 1998-12-01 |
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