JPH02189885A - トランジスター誘導加熱装置

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(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）この発明は、高周波誘導によって金属鍛造用累月を加熱
するトランジスクー誘導加クツー装置に関するものであ
る。

（従来の技術）従来、鍛造用素材を加熱する高周波誘導加熱装置はサイ
リスター素子を用いていた。

（発明が解決しようとする課Ｂ＞　）サイリスター素子を用いたものでは自由な周波数調整が
出来ないためそのパワーコント１′Ｉ−ルの手段として
位相制御による電圧調整によるしかなかった。

従って、その位相制御の段階で大きな高調波を発生し、
これが誘電障害を生じたり、大きな電気雑音ためコンピ
ューター機器の多い現在では公害問題となっている。

この発明は、従来の技術の有するこのような問題点に６
％　２ｊてなされたもので、その目的とするところは外
乱などによるトランジスターヘース信号の異常を除去す
るトランジスター誘導加熱装置を提供しようとするもの
である。

（課題を解決するだめの手段）」−記の目的を達成するために、本発明のトランジスタ
ー誘導加熱装置は、パルストランス駆動トランジスクー
に、逆並列ダイオードを設りてなるものである。

（作用）１−ランジスクーを作動させる回路中に異常パルスが発
生した場合、逆並列ダイオードにてバイパスしてパルス
１−ランスに異常パルスが発生ずることを回避する。

（実施例１）以下この発明を添付図面に示す実施例に従って説明する
。

第１図において、１−ランシスター］’１．．Ｔ４　及
びＴ３．Ｔ２を交互にスイチングし、ワークコイルＬ１
に高周波電力を供給している。

トランジスターＴ１．Ｔ４　　及びＴ３．Ｔ２のインタ
ーロックが取れていれば素子に異常はないが万−一瞬で
も外乱などにより相手方のトランジスターが動作すると
、アーム短絡を生じトランジスターの素子の破損につな
がる。

トランジスターは、その飽和特性のために異常が生した
時に速断ヒユーズによる保護がきかないため必ず素子の
破損を生ずる。

従って、素子破損を避けるためには、ヘース信号を異常
なきものにするしか方法がない。

第３図は第１図のトランジスクーを作動させるためのパ
ルス発生回路である。

パルストランスＰＴ］にパルスを発生ざセるのみであれ
ば破線で示した逆並列ダイオ−１”Ｄｌ、１）４は必要
がないが、パルスＩ・ランスＰＴＩに張られているリー
ド線が他のリード線と並行するとそのラインＡとの間に
第３図破線でしめしたような浮遊界ｉｃが形成される。

パラインに負電圧がかかるとダイオードＤ２、パルスＩ
・ランスｌ）　Ｔ　１　。

７￥？遊容量Ｃを通して電流が流れ第２図破線に示すよ
うな異常パルスが発生ずる。

ところが、破線ダイオ−１−’Ｄ４があるとそのダイオ
ードでバイパスされパルストランスＰＴＩに異常パルス
が発生ずることはない。

この異常パルスは、相手方の正規信号と混触し、トラン
ジスターのアーム短絡となり、素子の破損に結びつく。

従って、逆並列ダイオードＤ１．Ｄ４をイン］けること
によってパルストランスに張られたリ−）−線から入り
込む外乱による素子の破損は完全になくなるごとになる
。

（効果）この発明は、」−記のように、パルス１〜ランス駆動ト
ランノスクーに、逆並列ダイオ−］を設りることにより
夕（乱によるトランジスターのアームの短絡及び素子の
破損を完全に除去出来る効果がある

【図面の簡単な説明】

図面はこの発明の実施例を示すもので、第１図は、トラ
ンジスター誘導加少すシ装置の主回路、第２図はパルス
トランスに発生ずるＩ−ランシスターのヘース波形、第
３図はパルストランスの駆動回路である。Ｔ・・トランジスタＤ・・ダイオードＣ・・浮遊容量ＰＴ・・パルスｌ−ランスＬ・　ワークコイル以−ト

【特許請求の範囲】