JPH02189957A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02189957A JPH02189957A JP1009034A JP903489A JPH02189957A JP H02189957 A JPH02189957 A JP H02189957A JP 1009034 A JP1009034 A JP 1009034A JP 903489 A JP903489 A JP 903489A JP H02189957 A JPH02189957 A JP H02189957A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- external electrode
- ferrite
- input
- noise
- noises
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W42/00—Arrangements for protection of devices
- H10W42/20—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons
- H10W42/281—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons characterised by their materials
- H10W42/287—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons characterised by their materials materials for magnetic shielding, e.g. ferromagnetic materials
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置に関し、特に高周波によって発生
したノイズ′の除去に関Ｊるものである。
したノイズ′の除去に関Ｊるものである。
第３図は従来の半導体装置の一例を示ず斜視図である。
図において、複数の外部電極端子１はその下端部が図示
しない半導体素子と電気的に接続されでおり、これら外
部電極端子１と半導体素子とが放熱板２上に配置されて
いる。放熱板２上には、」−２外部電極端子１および半
導体素子を取り囲むエポキシ樹脂で成形したケース３が
設けられ、このケース３内にボッティングモールドした
エポキシ樹脂４にＪ−つて上記外部電極端子１の１τ半
部および半導体素子が封止されている。そして、エポキ
シ樹脂４の表面から突出づる各外部電極端子１のうち、
入力端子あるいは出力端子となるものはノイズ防止用の
フェライトコア５が挿入される。
しない半導体素子と電気的に接続されでおり、これら外
部電極端子１と半導体素子とが放熱板２上に配置されて
いる。放熱板２上には、」−２外部電極端子１および半
導体素子を取り囲むエポキシ樹脂で成形したケース３が
設けられ、このケース３内にボッティングモールドした
エポキシ樹脂４にＪ−つて上記外部電極端子１の１τ半
部および半導体素子が封止されている。そして、エポキ
シ樹脂４の表面から突出づる各外部電極端子１のうち、
入力端子あるいは出力端子となるものはノイズ防止用の
フェライトコア５が挿入される。
上記半導体装置において、入力端子となる外部電極端子
１にフェライトコア５が挿入されている場合、その外部
電極端子１から高周波に起因づるノイズを乗せた入力波
が入力されると、その入力波のうちのノイズがインダク
タンス要素として働くフェライトコア５にＪ：つて除去
され、半導体素子にはノイズの除去された入力波だけが
入力される。
１にフェライトコア５が挿入されている場合、その外部
電極端子１から高周波に起因づるノイズを乗せた入力波
が入力されると、その入力波のうちのノイズがインダク
タンス要素として働くフェライトコア５にＪ：つて除去
され、半導体素子にはノイズの除去された入力波だけが
入力される。
また、入力端子となる外部電極端子１にはフェライトコ
ア５が挿入されていないが、出力端子となる外部電極端
子１にフェライトコア５が挿入されている場合には、ノ
イズを乗せた入力波は半導体素子にそのまま入力される
ものの、ノイズを乗せたまま半導体素子から出力される
出力波がフ工ライ１へ」ア５の挿入された外部電極端子
１を通過する際に、フエライ１へコア５によってノイズ
が除去される。
ア５が挿入されていないが、出力端子となる外部電極端
子１にフェライトコア５が挿入されている場合には、ノ
イズを乗せた入力波は半導体素子にそのまま入力される
ものの、ノイズを乗せたまま半導体素子から出力される
出力波がフ工ライ１へ」ア５の挿入された外部電極端子
１を通過する際に、フエライ１へコア５によってノイズ
が除去される。
（発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、−」二足した従来の半導体装置の場合、
ノイズ対策の必要性に応じて外部電極端子１にフェライ
ト」ア５を挿入するＪ：うにしているので、フェライト
コア５取付けの作業に手間がかかるばかりか、輸送の途
中でフェライトコア５が外部電極端子１から外れてしま
うなどの問題点があった。
ノイズ対策の必要性に応じて外部電極端子１にフェライ
ト」ア５を挿入するＪ：うにしているので、フェライト
コア５取付けの作業に手間がかかるばかりか、輸送の途
中でフェライトコア５が外部電極端子１から外れてしま
うなどの問題点があった。
また、＝１スト低減のため、フェライトコア５は外部電
極端子１のうち入力端子または出力端子となる１つにし
か取り付けないのが一般的であり、このため例えば入力
端子となる外部電極端子１にフェライト」ア１を挿入し
た場合には、入力波に乗ったノイズは除去ひきるが、半
導体素子内で生じたノイズが出力波に乗った場合にはこ
のノイズを除去できないなどの問題点もあった。
極端子１のうち入力端子または出力端子となる１つにし
か取り付けないのが一般的であり、このため例えば入力
端子となる外部電極端子１にフェライト」ア１を挿入し
た場合には、入力波に乗ったノイズは除去ひきるが、半
導体素子内で生じたノイズが出力波に乗った場合にはこ
のノイズを除去できないなどの問題点もあった。
この発明は、このような問題点を解決するＩＣめになさ
れたもので、製造が容易て・、輸送中の配慮も必要なく
、低コス１へて入力・出力のいずれに対してもノイズ除
去効果を発揮できる半導体装置を得ることを目的とする
。
れたもので、製造が容易て・、輸送中の配慮も必要なく
、低コス１へて入力・出力のいずれに対してもノイズ除
去効果を発揮できる半導体装置を得ることを目的とする
。
（課題を解決ηるための手段）
この発明に係る半導体装置は、外部電極端子を取り囲む
ようにノイズ除去用フェライト樹脂を成形し、このフ［
ライト樹脂を封什祠に固定したものである。
ようにノイズ除去用フェライト樹脂を成形し、このフ［
ライト樹脂を封什祠に固定したものである。
（作用）
この発明においては、半導体装置の外部電極端子にそれ
を取り囲むようにノイズ除去用フ、［ライト樹脂が成形
されているので、ノイズ対策処理として外部電極端子に
フェライトコアを挿入するといった作業が不要で、また
輸送の途中でフェライトコアが外部電極端子から外れて
しまうといった不都合もない。ノエライＩ〜樹脂はフエ
ライｈ ＩＺＩ ／’と同様インダクタンス要素として
働き、入力波。
を取り囲むようにノイズ除去用フ、［ライト樹脂が成形
されているので、ノイズ対策処理として外部電極端子に
フェライトコアを挿入するといった作業が不要で、また
輸送の途中でフェライトコアが外部電極端子から外れて
しまうといった不都合もない。ノエライＩ〜樹脂はフエ
ライｈ ＩＺＩ ／’と同様インダクタンス要素として
働き、入力波。
出力波に対して高周波によるノイズを除去ηるように作
用する。
用する。
第１図はこの発明による半導体装置の一実施例を示Ｊ斜
視図であり、第２図は第１図にお（プる■■矢視断面図
を示す。
視図であり、第２図は第１図にお（プる■■矢視断面図
を示す。
第１図および第２図にａ３いて、１〜４は上記従来装置
と同一のしのであり、また外部電極端子１には図示しな
い半導体素子が電気的に接続されでいることも上記従来
装置と同様である。この半導体装置では、従来の半導体
装置の）］−ライト」アに替えて、各外部電極端子１ご
とにこれらを取り囲むように成形したノイズ除去用フェ
ライト樹脂６が設けられている。この実施例では、ノイ
ズ除去用フェライト樹脂６はフェライト粉末を８０％以
上含有するエポキシ樹脂より成る。
と同一のしのであり、また外部電極端子１には図示しな
い半導体素子が電気的に接続されでいることも上記従来
装置と同様である。この半導体装置では、従来の半導体
装置の）］−ライト」アに替えて、各外部電極端子１ご
とにこれらを取り囲むように成形したノイズ除去用フェ
ライト樹脂６が設けられている。この実施例では、ノイ
ズ除去用フェライト樹脂６はフェライト粉末を８０％以
上含有するエポキシ樹脂より成る。
上記フエライ１へ樹脂６の成形は、外部電極端子１を放
熱板２トに取りイ」ける前に、直接、外部電極端子１に
対してトランスファーモールドする方法で行ってらＪ、
いし、ケース３へのエポキシ樹脂４のボッディングモー
ルドを各外部電極端子１の周囲の上記フェライト樹脂６
の成形予定部分だりを除外し−Ｃ行ったあと、−１゛ポ
４；シ樹脂１でポツティングされずに残された外部電極
端子１を取り囲む空隙部分にフェライト樹脂６をポツテ
ィングモルトする方法て゛行ってもよい。また、放熱板
１土に配置された各外部電極端子１の周囲にツユライ１
へ樹脂６をボッティングモールドしたあとで、ケース３
内へエポキシ樹脂４をボッディングモルトする方法でも
よい。
熱板２トに取りイ」ける前に、直接、外部電極端子１に
対してトランスファーモールドする方法で行ってらＪ、
いし、ケース３へのエポキシ樹脂４のボッディングモー
ルドを各外部電極端子１の周囲の上記フェライト樹脂６
の成形予定部分だりを除外し−Ｃ行ったあと、−１゛ポ
４；シ樹脂１でポツティングされずに残された外部電極
端子１を取り囲む空隙部分にフェライト樹脂６をポツテ
ィングモルトする方法て゛行ってもよい。また、放熱板
１土に配置された各外部電極端子１の周囲にツユライ１
へ樹脂６をボッティングモールドしたあとで、ケース３
内へエポキシ樹脂４をボッディングモルトする方法でも
よい。
上記半導体装置において、入力端子どなる外部電極端子
１から高周波に起因するノイズを乗せた入力波が入力さ
れると、その入力波に乗ったノイズはその外部電極端子
１に成形されたフェライト樹脂６がインダクタンス要素
として働くことによって除去され、半導体素子にはノイ
ズの除去された入力波だ（プが入力される。しｌｃかっ
て、半導体素子は外部で生じたノイズの影響を受けない
。
１から高周波に起因するノイズを乗せた入力波が入力さ
れると、その入力波に乗ったノイズはその外部電極端子
１に成形されたフェライト樹脂６がインダクタンス要素
として働くことによって除去され、半導体素子にはノイ
ズの除去された入力波だ（プが入力される。しｌｃかっ
て、半導体素子は外部で生じたノイズの影響を受けない
。
一方、半導体素子自身から生じたノイズを乗せた出力波
が出力端子となる外部電極端子１から出力されるとき、
その外部電極端子１に成形されているフコニライト樹脂
６がインダクタンス要素とｌ）で働いて、出力波に乗っ
たノイズはフェライト樹脂６によって除去される。
が出力端子となる外部電極端子１から出力されるとき、
その外部電極端子１に成形されているフコニライト樹脂
６がインダクタンス要素とｌ）で働いて、出力波に乗っ
たノイズはフェライト樹脂６によって除去される。
フェライト樹脂は封止用のエポキシ樹脂に埋込まれてい
るので離脱のおそれはなく、またその製作工程も上述し
たように簡単なものである。
るので離脱のおそれはなく、またその製作工程も上述し
たように簡単なものである。
以上説明したように、この発明によれば、半導体装置の
外部電極端子にそれを取り囲むようにノイズ除去用フェ
ライト樹脂を成形し、このフエライ１へ樹脂を封止材に
固定したので、従来装置のようにノイズ対策用として使
用時に外部電極端子にフェライトコアを挿入１ノたりす
る必要がなく、また輸送の途中でフェライト−コアが外
れる心配もなくなり、低コストで入力・出力のいずれに
対してもノイズ除去機能を発揮することができるなどの
効果がある。
外部電極端子にそれを取り囲むようにノイズ除去用フェ
ライト樹脂を成形し、このフエライ１へ樹脂を封止材に
固定したので、従来装置のようにノイズ対策用として使
用時に外部電極端子にフェライトコアを挿入１ノたりす
る必要がなく、また輸送の途中でフェライト−コアが外
れる心配もなくなり、低コストで入力・出力のいずれに
対してもノイズ除去機能を発揮することができるなどの
効果がある。
第１図はこの発明による半導体装置の一実施例を示す斜
視図、第２図は第１図のＩ［−ＩＩ矢視断面図、第３図
は従来の半導体装置を示す斜視図ぐある。 図において、１は外部電極端子、４はエポキシ樹脂、６
はフェライト樹脂である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 −〇 手続補正書（自発） 平成 １ １０１２ 萌か−年 月 日 ５゜ 補正の対象 明細書の 「発明の詳細な説明の欄」 ６゜ 補正の内容 明細書第６頁第４行の 「放熱板１」 を、 「放熱板２」 に訂正する。 以上 補正をする者 代表者 岐 守 哉
視図、第２図は第１図のＩ［−ＩＩ矢視断面図、第３図
は従来の半導体装置を示す斜視図ぐある。 図において、１は外部電極端子、４はエポキシ樹脂、６
はフェライト樹脂である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 −〇 手続補正書（自発） 平成 １ １０１２ 萌か−年 月 日 ５゜ 補正の対象 明細書の 「発明の詳細な説明の欄」 ６゜ 補正の内容 明細書第６頁第４行の 「放熱板１」 を、 「放熱板２」 に訂正する。 以上 補正をする者 代表者 岐 守 哉
Claims (1)
- （１） 外部電極端子を取り囲むようにノイズ除去用フ
ェライト樹脂を成形し、このフェライト樹脂を封止材に
固定したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1009034A JPH02189957A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1009034A JPH02189957A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02189957A true JPH02189957A (ja) | 1990-07-25 |
Family
ID=11709370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1009034A Pending JPH02189957A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02189957A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5956231A (en) * | 1994-10-07 | 1999-09-21 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having power semiconductor elements |
| US20110193569A1 (en) * | 2010-02-11 | 2011-08-11 | Landis+Gyr, Inc. | Oscillator Circuit with RF Suppression |
-
1989
- 1989-01-18 JP JP1009034A patent/JPH02189957A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5956231A (en) * | 1994-10-07 | 1999-09-21 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having power semiconductor elements |
| US20110193569A1 (en) * | 2010-02-11 | 2011-08-11 | Landis+Gyr, Inc. | Oscillator Circuit with RF Suppression |
| US9869698B2 (en) * | 2010-02-11 | 2018-01-16 | Landis+Gyr Llc | Oscillator circuit with RF suppression |
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