JPH02190752A - Ｘ線露光装置の残留空気濃度検出器 - Google Patents
Ｘ線露光装置の残留空気濃度検出器Info
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- JPH02190752A JPH02190752A JP1011420A JP1142089A JPH02190752A JP H02190752 A JPH02190752 A JP H02190752A JP 1011420 A JP1011420 A JP 1011420A JP 1142089 A JP1142089 A JP 1142089A JP H02190752 A JPH02190752 A JP H02190752A
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- Japan
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- ray
- air concentration
- exposure
- residual air
- light
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
Ｘ線露光装置内の空気濃度検出法に関し、空気濃度をさ
らに高感度に検出することを目的とし、 ｘ ’ｔｉ％照射を受けた空気中に含まれるアルゴンガ
スから放射される特定スペクトルの蛍光Ｘ線強度をスリ
ットを介してＸｖＡ検出器によって測定して、空気濃度
を検出するように構成する。
らに高感度に検出することを目的とし、 ｘ ’ｔｉ％照射を受けた空気中に含まれるアルゴンガ
スから放射される特定スペクトルの蛍光Ｘ線強度をスリ
ットを介してＸｖＡ検出器によって測定して、空気濃度
を検出するように構成する。
本発明はＸ線露光装置内の空気濃度検出法に関する。
ＬＳＩなどの半導体装置は極めて微細化されてフォト露
光法が限界となり、それに代わる方法としてＸ線露光法
が検討されている。本発明はそのＸ線露光装置による被
露光基板の品質向上、装置の耐久性向上に関している。
光法が限界となり、それに代わる方法としてＸ線露光法
が検討されている。本発明はそのＸ線露光装置による被
露光基板の品質向上、装置の耐久性向上に関している。
最近、Ｘ線露光法においてシンクロトロン放射光（Ｓｙ
ｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ ； Ｓ Ｒ
）を光源に利用した露光法が研究されており、従来のＸ
線管を光源としたＸ線鈷光法に比べてＸ線強度が大きく
て指向性があり、スループットの改善などが期待できる
として注目されているものである。
ｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ ； Ｓ Ｒ
）を光源に利用した露光法が研究されており、従来のＸ
線管を光源としたＸ線鈷光法に比べてＸ線強度が大きく
て指向性があり、スループットの改善などが期待できる
として注目されているものである。
以下に、このシンクロトロン放射光を用いたＸ線リソグ
ラフィ技術によって本発明を説明するが、その方法はシ
ンクロトロン放射光（以下、ＳＲ光と称する）から得ら
れる軟Ｘ線を利用してパターン転写をおこなうもので、
このようなＳＲ光は電子蓄積リングで作成され、その電
子蓄積リングとは電子を制御する偏向電磁石などの各種
電磁石。
ラフィ技術によって本発明を説明するが、その方法はシ
ンクロトロン放射光（以下、ＳＲ光と称する）から得ら
れる軟Ｘ線を利用してパターン転写をおこなうもので、
このようなＳＲ光は電子蓄積リングで作成され、その電
子蓄積リングとは電子を制御する偏向電磁石などの各種
電磁石。
電子にエネルギーを補給するための加速空胴、その他を
配置した超高真空の環状真空ダクトからなり、直線加速
器から加速された電子線を蓄積リングに入射させてリン
グ中を周回させておき、光速に近い速度で運動している
ときに進行方向を変化させて接線方向に強い光を放射さ
せ、そのＳＲ光をビームラインから取り出して微細加工
のりソグラフィ技術に利用するものである。
配置した超高真空の環状真空ダクトからなり、直線加速
器から加速された電子線を蓄積リングに入射させてリン
グ中を周回させておき、光速に近い速度で運動している
ときに進行方向を変化させて接線方向に強い光を放射さ
せ、そのＳＲ光をビームラインから取り出して微細加工
のりソグラフィ技術に利用するものである。
第３図はその電子蓄積リングの概要図を示しており、１
０は直線加速器、 １１は蓄積リング、 １２は偏向電
磁石、 １３は加速空胴、 １４は真空ダクト１５はビ
ームライン、１６はＳＲ光である。なお、電磁石には他
に四極電磁石、大極電磁石、補正電磁石などが偏向電磁
石と同様に配設されている。
０は直線加速器、 １１は蓄積リング、 １２は偏向電
磁石、 １３は加速空胴、 １４は真空ダクト１５はビ
ームライン、１６はＳＲ光である。なお、電磁石には他
に四極電磁石、大極電磁石、補正電磁石などが偏向電磁
石と同様に配設されている。
このＳＲ光はマイクロ波帯からＸ線領域までの広い波長
領域の連続スペクトルをもっているために、全反射ミラ
ーによる短波長Ｘ線成分の除去とベリリウム窓などの吸
収フィルタによる長波長成分の除去とをおこなって、フ
ォトンエネルギー約０．５ ＸｅＶ 〜３ ＫｅＶ （
波長２５人〜４人）の軟Ｘ線によって露光しているもの
である。
領域の連続スペクトルをもっているために、全反射ミラ
ーによる短波長Ｘ線成分の除去とベリリウム窓などの吸
収フィルタによる長波長成分の除去とをおこなって、フ
ォトンエネルギー約０．５ ＸｅＶ 〜３ ＫｅＶ （
波長２５人〜４人）の軟Ｘ線によって露光しているもの
である。
第４図はＳＲ光を利用したＸ線露光装置の概要図を示し
ており、電子蓄積リングから放射されたＳＲ光１６は短
波長Ｘ線成分の除去のためにミラー室２１においてミラ
ー２２によって複数回反射され、次に、ベリリウム窓２
３を透過して長波長成分が除去された後、露光室２４に
入射する。露光室２４内はヘリウムガス雰囲気であって
、室内にはマスク２５を介したレジスト塗布基板２６が
配置されており、そこに軟Ｘ線領域のエネルギーをもっ
たＳＲ光１６が照射されて露光がおこなわれる。
ており、電子蓄積リングから放射されたＳＲ光１６は短
波長Ｘ線成分の除去のためにミラー室２１においてミラ
ー２２によって複数回反射され、次に、ベリリウム窓２
３を透過して長波長成分が除去された後、露光室２４に
入射する。露光室２４内はヘリウムガス雰囲気であって
、室内にはマスク２５を介したレジスト塗布基板２６が
配置されており、そこに軟Ｘ線領域のエネルギーをもっ
たＳＲ光１６が照射されて露光がおこなわれる。
ところで、上記のような電子蓄積リングから放射された
ＳＲ光を照射するＸｖＡｎ光法においては、電子蓄積リ
ング中の真空度は１０”” Ｔｏｒｒ以下の超高真空で
あり、次に、その取り出し部であるビームラインからミ
ラー室を通ってベリリウム窓に至るまでの真空度は１０
−”Ｔｏｒｒ−１０−９Ｔｏｒｒの高真空であるが、露
光室は１気圧のヘリウム（Ｈｅ）ガス雰囲気になってい
る。これは真空中では露光の前処理、後処理を加えた露
光処理が容易でなく、且つ、Ｘ線はヘリウムガス中の透
過性が極めて良いからである。
ＳＲ光を照射するＸｖＡｎ光法においては、電子蓄積リ
ング中の真空度は１０”” Ｔｏｒｒ以下の超高真空で
あり、次に、その取り出し部であるビームラインからミ
ラー室を通ってベリリウム窓に至るまでの真空度は１０
−”Ｔｏｒｒ−１０−９Ｔｏｒｒの高真空であるが、露
光室は１気圧のヘリウム（Ｈｅ）ガス雰囲気になってい
る。これは真空中では露光の前処理、後処理を加えた露
光処理が容易でなく、且つ、Ｘ線はヘリウムガス中の透
過性が極めて良いからである。
しかし、軟Ｘ線は物質によって非常に吸収され易く、空
気中においてもＸ線強度の減衰は無視できない。例えば
、１％の酸素（０□）が含まれると波長８．３人のＸ線
は６０％以上透過率が減少し、このような酸素は、周知
のごとく、空気中に約２０％含まれている。従って、ヘ
リウムガス中への空気の混入は殆ど皆無にすることが望
ましい。
気中においてもＸ線強度の減衰は無視できない。例えば
、１％の酸素（０□）が含まれると波長８．３人のＸ線
は６０％以上透過率が減少し、このような酸素は、周知
のごとく、空気中に約２０％含まれている。従って、ヘ
リウムガス中への空気の混入は殆ど皆無にすることが望
ましい。
また、Ｘ線露光装置内に酸素が微量にでも含まれて、そ
の酸素にＸ線が吸収された場合にはオゾンが発生して、
そのオゾンのために露光装置の金属部分が腐食されて劣
化が早まるといった欠点がある。
の酸素にＸ線が吸収された場合にはオゾンが発生して、
そのオゾンのために露光装置の金属部分が腐食されて劣
化が早まるといった欠点がある。
これらの理由から、露光装置内の空気濃度は常に監視す
る必要があり、現在、通常の酸素濃度検出器（例えば、
電池式酸素濃度計）を用いて空気濃度を監視して所定量
より空気濃度が高くなれば露光処理を中止し、真空排気
して空気濃度を低下させた後、露光処理を再開している
。
る必要があり、現在、通常の酸素濃度検出器（例えば、
電池式酸素濃度計）を用いて空気濃度を監視して所定量
より空気濃度が高くなれば露光処理を中止し、真空排気
して空気濃度を低下させた後、露光処理を再開している
。
ところが、従来からの酸素濃度検出器は余り精度が良く
なく、その検出限界は０．１％程度であり、それを空気
濃度にすると約０．５％ということになる。しかし、露
光装置内の空気濃度の検出感度としてはさらに１桁以上
高い感度が要望されており、そうしなければ上記の問題
点に十分に対処できない。
なく、その検出限界は０．１％程度であり、それを空気
濃度にすると約０．５％ということになる。しかし、露
光装置内の空気濃度の検出感度としてはさらに１桁以上
高い感度が要望されており、そうしなければ上記の問題
点に十分に対処できない。
本発明はそのような問題点を改善して、さらに高感度に
検出できる空気濃度検出器を提案するものである。
検出できる空気濃度検出器を提案するものである。
その課題は、第１図の実施例図に示しているように、Ｘ
線照射を受けた空気中に含まれるアルゴンガスから放射
される特定スペクトルの蛍光Ｘ線強度をＸ線検出器１に
よって測定して、空気濃度を検出するように構成した残
留空気濃度検出器によって解決される。
線照射を受けた空気中に含まれるアルゴンガスから放射
される特定スペクトルの蛍光Ｘ線強度をＸ線検出器１に
よって測定して、空気濃度を検出するように構成した残
留空気濃度検出器によって解決される。
通常、空気はアルゴン（Ａｒ）ガス１％を含んでおり、
それにＸ線が照射されるとアルゴンの蛍光Ｘ線が発生す
る。この蛍光Ｘ線の強度をＸ線検出器によって測定し、
これは低濃度の場合にはアルゴンガス濃度に比例して、
アルゴンガス濃度は残留空気濃度に比例するから、この
アルゴンの特定エネルギーの蛍光Ｘ線と空気濃度との対
応表を参照して残留空気濃度を検出するものである。
それにＸ線が照射されるとアルゴンの蛍光Ｘ線が発生す
る。この蛍光Ｘ線の強度をＸ線検出器によって測定し、
これは低濃度の場合にはアルゴンガス濃度に比例して、
アルゴンガス濃度は残留空気濃度に比例するから、この
アルゴンの特定エネルギーの蛍光Ｘ線と空気濃度との対
応表を参照して残留空気濃度を検出するものである。
第１図に示す検出方式によってアルゴンの蛍光Ｘ線強度
を測定する場合、蛍光Ｘ線強度は近似的に次のように表
わされる。
を測定する場合、蛍光Ｘ線強度は近似的に次のように表
わされる。
ここに、■はアルゴン蛍光Ｘ線強度、ηは蛍光Ｘ線発生
効率、△Ωは検出器の見込む立体角、Ｅはフォトンエネ
ルギー＋ＩＳＲは入射Ｘ線強度、μはアルゴンの質量吸
収係数、ρはアルゴンガスの密度、ｔはアルゴンガスの
厚さである。
効率、△Ωは検出器の見込む立体角、Ｅはフォトンエネ
ルギー＋ＩＳＲは入射Ｘ線強度、μはアルゴンの質量吸
収係数、ρはアルゴンガスの密度、ｔはアルゴンガスの
厚さである。
上記の式において、フォトンエネルギー１が数ＫｅＶ（
７）ときμは１０ｚ〜１０３程度であり、ｔは０．１ｃ
ｍ程度とする。且つ、残留空気濃度が１％の場合にはア
ルゴン濃度は０．０１％であり、従ってアルゴン密度は
１．６ｘｌＯ−’ｇ／ｃＩｉｌ（常温）になる。そうす
れば、上記式はμρｔ １になるから■＝η△Ω／４π
ＪｄＥＩｓＲμρｔ に書き直すくとができる。この式の意味はアルゴン蛍光
Ｘ線強度Ｉがアルゴンガスの密度ρ、即ち、アルゴン濃
度に比例することであり、それは空気濃度に比例するこ
とになる。
７）ときμは１０ｚ〜１０３程度であり、ｔは０．１ｃ
ｍ程度とする。且つ、残留空気濃度が１％の場合にはア
ルゴン濃度は０．０１％であり、従ってアルゴン密度は
１．６ｘｌＯ−’ｇ／ｃＩｉｌ（常温）になる。そうす
れば、上記式はμρｔ １になるから■＝η△Ω／４π
ＪｄＥＩｓＲμρｔ に書き直すくとができる。この式の意味はアルゴン蛍光
Ｘ線強度Ｉがアルゴンガスの密度ρ、即ち、アルゴン濃
度に比例することであり、それは空気濃度に比例するこ
とになる。
本発明にかかる残留空気濃度検出器はこのような基礎理
論に基づいており、そうすれは、微量のアルゴンガスが
検出できて、その結果として、高感度に空気濃度が検出
できるものである。
論に基づいており、そうすれは、微量のアルゴンガスが
検出できて、その結果として、高感度に空気濃度が検出
できるものである。
以下に図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明にかかる残留空気濃度検出器を設けたＸ
線露光装置の概要図であり、図中の記号１は蛍光Ｘ線強
度を検出するＸ線検出器、２はスリット幅ｔをもったス
リット ３はベリリウム窓。
線露光装置の概要図であり、図中の記号１は蛍光Ｘ線強
度を検出するＸ線検出器、２はスリット幅ｔをもったス
リット ３はベリリウム窓。
４は露光室、５はマスク、６はレジスト塗布基板（被露
光基板）、７はゲートバルブ、１６はＳＲ光を示し、残
留空気濃度検出器はＸ線検出器１とスリット２から構成
されている。
光基板）、７はゲートバルブ、１６はＳＲ光を示し、残
留空気濃度検出器はＸ線検出器１とスリット２から構成
されている。
且つ、ＳＲ光１６はすでに全反射ミラーによって短波長
Ｘ線成分が除去され、しかも、図中のベリリウム窓３に
よって長波長成分が除去された軟Ｘ線からなる放射光で
ある。第１図に示す露光装置によれば残留空気濃度が露
光室４の直前で残留空気濃度検出器によって検出され、
所定値より残留空気濃度が多くなればゲートバルブ５を
閉じて露光室４を排気して空気濃度を減少させ、その後
にゲートバルブ５を開けて露光処理を再開させることが
できる。
Ｘ線成分が除去され、しかも、図中のベリリウム窓３に
よって長波長成分が除去された軟Ｘ線からなる放射光で
ある。第１図に示す露光装置によれば残留空気濃度が露
光室４の直前で残留空気濃度検出器によって検出され、
所定値より残留空気濃度が多くなればゲートバルブ５を
閉じて露光室４を排気して空気濃度を減少させ、その後
にゲートバルブ５を開けて露光処理を再開させることが
できる。
本発明を数値を用いた具体例によって説明すると、電子
エネルギー２．５Ｇｅνをもった電子蓄積リング１１か
ら放射されたＳＲ光１６を全反射ミラー（図示せず）を
通して厚さ２００μｍのベリリウム窓４を透過させて露
光室４に入射させる。その時、Ｘ線検出器１とスリット
２からなる残留空気濃度検出器によって残留空気濃度を
検出する。そうすると、第２図に示すような検出データ
が得られる。
エネルギー２．５Ｇｅνをもった電子蓄積リング１１か
ら放射されたＳＲ光１６を全反射ミラー（図示せず）を
通して厚さ２００μｍのベリリウム窓４を透過させて露
光室４に入射させる。その時、Ｘ線検出器１とスリット
２からなる残留空気濃度検出器によって残留空気濃度を
検出する。そうすると、第２図に示すような検出データ
が得られる。
即ち、第２図は本発明にかかる検出器で測定したＸ線強
度スペクトル図である。横軸はフォトンエネルギー（Ｋ
ｅＶ）、縦軸はＸｖＡ強度（任意値）であるが、図中の
３ ＫｅＶ付近に見られるピーク値がアルゴンの蛍光Ｘ
線強度値であって、それ以外の２ＫｅＶ以上に表われて
いる連続的なスペクトルは雰囲気ガスによって散乱され
た弾性散乱や非弾性散乱によるものと金属部分からの蛍
光Ｘ線であり、これは所謂、バックグラウンドである。
度スペクトル図である。横軸はフォトンエネルギー（Ｋ
ｅＶ）、縦軸はＸｖＡ強度（任意値）であるが、図中の
３ ＫｅＶ付近に見られるピーク値がアルゴンの蛍光Ｘ
線強度値であって、それ以外の２ＫｅＶ以上に表われて
いる連続的なスペクトルは雰囲気ガスによって散乱され
た弾性散乱や非弾性散乱によるものと金属部分からの蛍
光Ｘ線であり、これは所謂、バックグラウンドである。
ここに、スリットを設ける理由はＸ線検出器１に入る蛍
光Ｘ線の量の調整と所望の蛍光ｘ′！ＩＡのみを通過さ
せ、前記バンクグラウンドによる成分を減少させるため
である。また、２ ＫｅＶ以下のスペクトルはベリリウ
ム窓で吸収されて現われてこない。この第２図に示すア
ルゴン蛍光Ｘ線のピーク値とバックグラウンドとによる
Ｓ／Ｎ比から推定すると、アルゴン濃度０．００１％程
度まで精度良く検出でき、従って、残留空気濃度は０．
１％あるいはそれ以上の精度で検出できることは確実で
ある。
光Ｘ線の量の調整と所望の蛍光ｘ′！ＩＡのみを通過さ
せ、前記バンクグラウンドによる成分を減少させるため
である。また、２ ＫｅＶ以下のスペクトルはベリリウ
ム窓で吸収されて現われてこない。この第２図に示すア
ルゴン蛍光Ｘ線のピーク値とバックグラウンドとによる
Ｓ／Ｎ比から推定すると、アルゴン濃度０．００１％程
度まで精度良く検出でき、従って、残留空気濃度は０．
１％あるいはそれ以上の精度で検出できることは確実で
ある。
従って、本発明によれば残留空気濃度を従来の検出方法
よりも１桁程度以上感度良く検出でき、そのため、残留
空気濃度を一層感度良く制御することができる。そうす
れば、残留空気による吸収が減少するため、露光量が精
度良くなり、しかも、装置内の金属部分の腐食も減少す
る。
よりも１桁程度以上感度良く検出でき、そのため、残留
空気濃度を一層感度良く制御することができる。そうす
れば、残留空気による吸収が減少するため、露光量が精
度良くなり、しかも、装置内の金属部分の腐食も減少す
る。
なお、上記の例はシンクロトロン放射光（ＳＲ光）を光
源としたＸｙＡ露光装置で説明したが、本発明はＸ線管
などの他の光源を用いたＸ線露光装置にも通用できるこ
とはいうまでもない。
源としたＸｙＡ露光装置で説明したが、本発明はＸ線管
などの他の光源を用いたＸ線露光装置にも通用できるこ
とはいうまでもない。
以上の説明から明らかなように、本発明にかかるＸ線露
光装置の残留空気濃度検出器によれば残留空気濃度を一
層感度良く検出でき、そのため、露光量が正確になって
パターン精度が改善されてＬＳＩなどの品質向上に役立
ち、しかも、装置内の金属部分の腐食が減少してＸ線露
光装置の耐久性向上に寄与するものである。
光装置の残留空気濃度検出器によれば残留空気濃度を一
層感度良く検出でき、そのため、露光量が正確になって
パターン精度が改善されてＬＳＩなどの品質向上に役立
ち、しかも、装置内の金属部分の腐食が減少してＸ線露
光装置の耐久性向上に寄与するものである。
第１図は本発明にかかる残留空気濃度検出器を設けたｘ
Ｌ’ｐ露光装置の概要図、 第２図は本発明にかかる検出器で測定したＸ線強度スペ
クトル図、 第３図は電子蓄積リングの概要図、 第４図はＳＲ光を利用したＸ線露光装置の概要図である
。 図において、 ｌはＸ線検出器、 ２はスリット、３．２３はベ
リリウム窓、４．２４は露光室、５．２５はマスク、
７はゲートバルブ、６．２６はレジスト塗布基板
、 １１は蓄積リング、 を示している。 １６はＳＲ光
Ｌ’ｐ露光装置の概要図、 第２図は本発明にかかる検出器で測定したＸ線強度スペ
クトル図、 第３図は電子蓄積リングの概要図、 第４図はＳＲ光を利用したＸ線露光装置の概要図である
。 図において、 ｌはＸ線検出器、 ２はスリット、３．２３はベ
リリウム窓、４．２４は露光室、５．２５はマスク、
７はゲートバルブ、６．２６はレジスト塗布基板
、 １１は蓄積リング、 を示している。 １６はＳＲ光
Claims (1)
- Ｘ線照射を受けた空気中に含まれるアルゴンガスから放
射される特定スペクトルの蛍光Ｘ線強度をＸ線検出器に
よつて測定して、空気濃度を検出するように構成したこ
とを特徴とするＸ線露光装置の残留空気濃度検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1011420A JPH02190752A (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | Ｘ線露光装置の残留空気濃度検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1011420A JPH02190752A (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | Ｘ線露光装置の残留空気濃度検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02190752A true JPH02190752A (ja) | 1990-07-26 |
Family
ID=11777566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1011420A Pending JPH02190752A (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | Ｘ線露光装置の残留空気濃度検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02190752A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8064570B2 (en) * | 2006-12-20 | 2011-11-22 | Innov-X-Systems, Inc. | Hand-held XRF analyzer |
| KR20190041161A (ko) * | 2017-10-12 | 2019-04-22 | 주식회사 포스코 | 도금 성분 측정 장치 |
-
1989
- 1989-01-19 JP JP1011420A patent/JPH02190752A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8064570B2 (en) * | 2006-12-20 | 2011-11-22 | Innov-X-Systems, Inc. | Hand-held XRF analyzer |
| KR20190041161A (ko) * | 2017-10-12 | 2019-04-22 | 주식회사 포스코 | 도금 성분 측정 장치 |
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