JPH0219080A - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
- Publication number
- JPH0219080A JPH0219080A JP63170135A JP17013588A JPH0219080A JP H0219080 A JPH0219080 A JP H0219080A JP 63170135 A JP63170135 A JP 63170135A JP 17013588 A JP17013588 A JP 17013588A JP H0219080 A JPH0219080 A JP H0219080A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- photodetector
- light receiving
- circuit
- transmission gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 15
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
本発明は、光照射された原稿からの反射光を受けて電気
信号に変換することが可能な半導体受光装置に関する。
信号に変換することが可能な半導体受光装置に関する。
［発明の概要〕
本発明は、光電変換用受光素子（以下、受光素子と称す
、）のすべてが光電変換を終えた後、基準電位にリセッ
トを行なう放電回路が駆動する回路で構成されている半
導体受光装置である。このため光電変換時に信号出力に
ノイズ成分が加わらず、正確に信号出力を得ることが可
能となる。
、）のすべてが光電変換を終えた後、基準電位にリセッ
トを行なう放電回路が駆動する回路で構成されている半
導体受光装置である。このため光電変換時に信号出力に
ノイズ成分が加わらず、正確に信号出力を得ることが可
能となる。
また、前記放電回路は、前記読み取り回路を構成するシ
フトレジスフにより駆動可能であるため簡単な回路を追
加するのみで本発明は実施できる。
フトレジスフにより駆動可能であるため簡単な回路を追
加するのみで本発明は実施できる。
（従来の技術〕
従来、第３図に示す様に受光素子と受光素子で得られた
電気信号を時系列変換する読み取り回路及び受光素子を
基準となる電圧まで放電する放電回路により、半導体受
光装置が構成されていた。
電気信号を時系列変換する読み取り回路及び受光素子を
基準となる電圧まで放電する放電回路により、半導体受
光装置が構成されていた。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、第３図のような回路構成の場合、全回路を同一
半導体基板上に集積回路として作成するとき、金属配線
の形成が行なわれた後、ＳｉＯｘ等の絶縁膜で全面を覆
うために、受光素子ｌの出力端子には、放電トランジス
タを駆動するためのＧａｔｅ電圧を与える配線との間に
、容量Ｃ１、Ｃ１が接続された等価回路となる。また第
３図の回路の状態遷移図を一第４図に示す、なお、シフ
トレジスタデータ入力信号端子には信号ＳＩが入力し、
シフトレジスタデータ出力端子からは、信号ＳＯが出力
すると共に、コントロール信号入力端子には、コントロ
ール信号ＩＮＨが入力し、映像信号出力端子からは、映
像信号ＳＩＧが出力される。信号ＤＴ１′、ＤＴ２′、
ＤＴ３’ 、・・・ＤＴ（ｎ−１）’及びＤＴｎ′がそ
れぞれスイッチングトランジスタＤＴ１．ＤＴ２、ＤＴ
３、・・ＤＴ（ｎ−１）及びＤＴｎのゲートに印加され
。
半導体基板上に集積回路として作成するとき、金属配線
の形成が行なわれた後、ＳｉＯｘ等の絶縁膜で全面を覆
うために、受光素子ｌの出力端子には、放電トランジス
タを駆動するためのＧａｔｅ電圧を与える配線との間に
、容量Ｃ１、Ｃ１が接続された等価回路となる。また第
３図の回路の状態遷移図を一第４図に示す、なお、シフ
トレジスタデータ入力信号端子には信号ＳＩが入力し、
シフトレジスタデータ出力端子からは、信号ＳＯが出力
すると共に、コントロール信号入力端子には、コントロ
ール信号ＩＮＨが入力し、映像信号出力端子からは、映
像信号ＳＩＧが出力される。信号ＤＴ１′、ＤＴ２′、
ＤＴ３’ 、・・・ＤＴ（ｎ−１）’及びＤＴｎ′がそ
れぞれスイッチングトランジスタＤＴ１．ＤＴ２、ＤＴ
３、・・ＤＴ（ｎ−１）及びＤＴｎのゲートに印加され
。
また信号ＴＧＩ’ 、ＴＧ２′、ＴＧ３’ 、・・・Ｔ
Ｇ（ｎ−１）′及びＴＧｎ′がそれぞれトランスミッシ
ョンゲートＴＧＩ、ＴＧ２、ＴＧ３、・・ＴＧ（ｎ−１
）及びＴＧｎのＮチャネル側のトランジスタのゲートに
印加される。前記容量Ｃ１、Ｃ１が接続された等価回路
のために、受光素子１の信号出力時、すなわちトランス
ミッションゲ−１−ＴＧ３がＯＮするタイミングでスイ
ッチングトランジスタＤＴＩが０ＦＦＬ、スイッチング
トランジスタＤＴ２がＯＮするために、容量ＣＣ２を介
して、ノイズ成分が、受光素子ｌの信号出力に加わるた
め、正確な信号出力の検値が不可能である。またトラン
スミッションゲートＴＧ３がＯＮするタイミングでは、
シフトレジスタＳＲ１、・・・ＳＲ（ｎ＋１）等を含め
ると数十個のトランジスタがスイッチング動作を行なう
ため、電源電圧の変動も生じる。
Ｇ（ｎ−１）′及びＴＧｎ′がそれぞれトランスミッシ
ョンゲートＴＧＩ、ＴＧ２、ＴＧ３、・・ＴＧ（ｎ−１
）及びＴＧｎのＮチャネル側のトランジスタのゲートに
印加される。前記容量Ｃ１、Ｃ１が接続された等価回路
のために、受光素子１の信号出力時、すなわちトランス
ミッションゲ−１−ＴＧ３がＯＮするタイミングでスイ
ッチングトランジスタＤＴＩが０ＦＦＬ、スイッチング
トランジスタＤＴ２がＯＮするために、容量ＣＣ２を介
して、ノイズ成分が、受光素子ｌの信号出力に加わるた
め、正確な信号出力の検値が不可能である。またトラン
スミッションゲートＴＧ３がＯＮするタイミングでは、
シフトレジスタＳＲ１、・・・ＳＲ（ｎ＋１）等を含め
ると数十個のトランジスタがスイッチング動作を行なう
ため、電源電圧の変動も生じる。
更に、トランスミクシ３ンゲートＴＧ３がＯＮするタイ
ミングでは、スイッチングトランジスタＤＴＩが０ＦＦ
Ｌ、スイッチングトランジスタＤＴ２がＯＮする。
ミングでは、スイッチングトランジスタＤＴＩが０ＦＦ
Ｌ、スイッチングトランジスタＤＴ２がＯＮする。
しかしトランスミクシ３ンゲートＴＧｌがＯＮするタイ
ミングでは、放電トランジスタは、どれも駆動していな
い、またトランスミッションゲートＴＧ２がＯＮするタ
イミングでは、スイッチングトランジスタＤＴＩがＯＮ
するのみである６すなわちトランスミッションゲートＴ
ＧＩ、ＴＧ２、ＴＧ３がＯＮするタイミングで各受光素
子の信号出力に加わるノイズ成分が異なることになり、
信号出力間でばらつきが生じる。これは１．暗出力状態
では信号出力が低電圧のために、特に顕著である。
ミングでは、放電トランジスタは、どれも駆動していな
い、またトランスミッションゲートＴＧ２がＯＮするタ
イミングでは、スイッチングトランジスタＤＴＩがＯＮ
するのみである６すなわちトランスミッションゲートＴ
ＧＩ、ＴＧ２、ＴＧ３がＯＮするタイミングで各受光素
子の信号出力に加わるノイズ成分が異なることになり、
信号出力間でばらつきが生じる。これは１．暗出力状態
では信号出力が低電圧のために、特に顕著である。
上記課題を解決するために本発明は、全受光素子の光電
変換が終了した後に、前記受光素子を基準となる電位ま
で時系列に放電する回路で構成したものである。すなわ
ち、第２図の状態遷移図に示す様に、受光素子が出力さ
れる期間は、放電トランジスタは、駆動せず、全受光素
子の光電変換が終了した後、放電トランジスタが順次Ｏ
Ｎされるために、光電変換時は、放電トランジスタはＯ
ＦＦした状態であり、信号出力にノイズ成分は加わらな
く、各トランスミッションゲートがＯＮするタイミング
で駆動される回路は、すべて同様となる。
変換が終了した後に、前記受光素子を基準となる電位ま
で時系列に放電する回路で構成したものである。すなわ
ち、第２図の状態遷移図に示す様に、受光素子が出力さ
れる期間は、放電トランジスタは、駆動せず、全受光素
子の光電変換が終了した後、放電トランジスタが順次Ｏ
Ｎされるために、光電変換時は、放電トランジスタはＯ
ＦＦした状態であり、信号出力にノイズ成分は加わらな
く、各トランスミッションゲートがＯＮするタイミング
で駆動される回路は、すべて同様となる。
〔実施例］
以下に本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第１図は、本発明の半導体受光装置の等価回路図である
。第２図は、本発明の半導体受光装置の状態遷移図であ
る。なお、第２図において、たとえばトランスミッショ
ンゲートＴＧＩに入力される信号はＴＧｌ′で示される
。第１図において、トランジスタＴＧｎは、各受光素子
を基準となる電位に放電するものである。トランスミッ
ションゲートＴＧｎは、シフトレジスタＳＲｎの信号を
受けて、順次導通状態となり、各受光素子の信号を出力
していくものである。トランジスタＤＧｎが駆動するの
は、全受光素子の信号が出力を終えてからである。この
ために、第１図に示した様に、トランスミッションゲー
）ＴＧ３とスイッチングトランジスタＤＧｌ及びＤＧ２
との間に容量Ｃ１、Ｃ８が存在した場合でも、トランス
ミッションゲートＴＧ３にノイズ成分が加わるのは、受
光素子の信号を出力した後であり１問題とならない、ま
た、各トランスミッションゲートがＯＮするタイミング
では、駆動する回路はすべて同様となるために、信号出
力にばらつきを生じることはない。
。第２図は、本発明の半導体受光装置の状態遷移図であ
る。なお、第２図において、たとえばトランスミッショ
ンゲートＴＧＩに入力される信号はＴＧｌ′で示される
。第１図において、トランジスタＴＧｎは、各受光素子
を基準となる電位に放電するものである。トランスミッ
ションゲートＴＧｎは、シフトレジスタＳＲｎの信号を
受けて、順次導通状態となり、各受光素子の信号を出力
していくものである。トランジスタＤＧｎが駆動するの
は、全受光素子の信号が出力を終えてからである。この
ために、第１図に示した様に、トランスミッションゲー
）ＴＧ３とスイッチングトランジスタＤＧｌ及びＤＧ２
との間に容量Ｃ１、Ｃ８が存在した場合でも、トランス
ミッションゲートＴＧ３にノイズ成分が加わるのは、受
光素子の信号を出力した後であり１問題とならない、ま
た、各トランスミッションゲートがＯＮするタイミング
では、駆動する回路はすべて同様となるために、信号出
力にばらつきを生じることはない。
また本発明を実施するために、使用する回路は特別な回
路を必要とせず、簡単に構成できるものである。第１図
では、シフトレジスタを、最初は、各受光素子を順次出
力させるため駆動しており１次に放電トランジスタを駆
動するためにも使われており、素子数の低減を図る回路
構成となっている３本発明は、受光素子の信号を出力さ
れる場合に加わるノイズ成分の低減を実施するものであ
り、第１図以外の回路構成により、実施可能なことは明
白であろう。
路を必要とせず、簡単に構成できるものである。第１図
では、シフトレジスタを、最初は、各受光素子を順次出
力させるため駆動しており１次に放電トランジスタを駆
動するためにも使われており、素子数の低減を図る回路
構成となっている３本発明は、受光素子の信号を出力さ
れる場合に加わるノイズ成分の低減を実施するものであ
り、第１図以外の回路構成により、実施可能なことは明
白であろう。
以上の説明された回路により、本発明の半導体受光装置
が形成され、光電変換された信号出力にノイズ成分の加
わらない明瞭な信号の検出が可能である。
が形成され、光電変換された信号出力にノイズ成分の加
わらない明瞭な信号の検出が可能である。
〔発明の効果］
本発明は、以上説明したように、簡単な回路で構成され
ており、受光素子の信号を出力するトランスミッション
ゲートと受光素子を基準となる電圧へ放電するトランジ
スタの駆動するタイミングをずらし、信号出力に生じる
ノイズ成分を減少させるという効果がある。この様に、
本発明を用いると原稿、図面等の読み取り用の装置の信
号が精度良く出力され、かつ安価な半導体受光装置を提
供するという効果がある。
ており、受光素子の信号を出力するトランスミッション
ゲートと受光素子を基準となる電圧へ放電するトランジ
スタの駆動するタイミングをずらし、信号出力に生じる
ノイズ成分を減少させるという効果がある。この様に、
本発明を用いると原稿、図面等の読み取り用の装置の信
号が精度良く出力され、かつ安価な半導体受光装置を提
供するという効果がある。
第１図は、本発明の半導体受光装置の等価回路図、第２
図は、本発明の半導体受光装置のタイミングチャート、
第３図は、従来の半導体受光装置の等価回路図、第４図
は、従来の半導体受光装置のタイミングチャートである
。 ｌ・・・・受光素子 ｔ、・・・ＴＧＩのＯＮするタイミングｔ、・・・ＴＧ
２のＯＮするタイミングｔ、・・・ＴＧ３のＯＮするタ
イミング以上
図は、本発明の半導体受光装置のタイミングチャート、
第３図は、従来の半導体受光装置の等価回路図、第４図
は、従来の半導体受光装置のタイミングチャートである
。 ｌ・・・・受光素子 ｔ、・・・ＴＧＩのＯＮするタイミングｔ、・・・ＴＧ
２のＯＮするタイミングｔ、・・・ＴＧ３のＯＮするタ
イミング以上
Claims (1)
- 光電変換素子と前記光電変換素子の出力信号を順次読み
出す読み取り回路と前記光電変換素子を基準となる電位
にリセットする放電回路とがそれぞれ複数個含まれる半
導体装置であって、前記読み取り回路が前記光電変換素
子の出力信号をすべて読み出した後に前記放電回路が駆
動することを特徴とする半導体受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63170135A JP2852929B2 (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63170135A JP2852929B2 (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0219080A true JPH0219080A (ja) | 1990-01-23 |
| JP2852929B2 JP2852929B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=15899310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63170135A Expired - Lifetime JP2852929B2 (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2852929B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8822073B2 (en) | 2006-07-19 | 2014-09-02 | Lg Chem, Ltd. | Electrode with organic/inorganic composite and electrochemical device comprising the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5418619A (en) * | 1977-07-13 | 1979-02-10 | Hitachi Ltd | Solid state pickup device |
| JPS63144666A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-16 | Canon Inc | 光電変換装置 |
-
1988
- 1988-07-07 JP JP63170135A patent/JP2852929B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5418619A (en) * | 1977-07-13 | 1979-02-10 | Hitachi Ltd | Solid state pickup device |
| JPS63144666A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-16 | Canon Inc | 光電変換装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8822073B2 (en) | 2006-07-19 | 2014-09-02 | Lg Chem, Ltd. | Electrode with organic/inorganic composite and electrochemical device comprising the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2852929B2 (ja) | 1999-02-03 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071120 Year of fee payment: 9 |
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