JPH02191365A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH02191365A JPH02191365A JP1048594A JP4859489A JPH02191365A JP H02191365 A JPH02191365 A JP H02191365A JP 1048594 A JP1048594 A JP 1048594A JP 4859489 A JP4859489 A JP 4859489A JP H02191365 A JPH02191365 A JP H02191365A
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- resin
- mold
- semiconductor element
- gate
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体素子が樹脂封止されてなる半導体装置
およびその製造方法に関するものである。
およびその製造方法に関するものである。
第７図はリードフレーム上に搭載された半導体素子を樹
脂封止する際の金型とリードフレームとの関係を示す平
面図である。この第７図において、リードフレーム（８
）のほぼ中央部に位置するグイパッド（３）上に長方形
状の半導体素子（１）が搭載されている。ダイパッド（
３）は、互いに平行に配設されるリードフレーム（８）
の外枠（２）にそれぞれ吊りリード（７）により連接さ
れ支持されている。
脂封止する際の金型とリードフレームとの関係を示す平
面図である。この第７図において、リードフレーム（８
）のほぼ中央部に位置するグイパッド（３）上に長方形
状の半導体素子（１）が搭載されている。ダイパッド（
３）は、互いに平行に配設されるリードフレーム（８）
の外枠（２）にそれぞれ吊りリード（７）により連接さ
れ支持されている。
（４）は半導体素子（１）に対向配設されるリードであ
り、この場合、半導体素子（１）の長辺側の両側に複数
配設されており、それぞれ半導体素子（１）に対向する
インナーリード（４ａ）とその反対側に延伸するアウタ
ーリード（４ｂ）とからなる、（５）は各リード（４）
のほぼ中央部で、その直角方向に連接されてリード（４
）を支持するタイバー、（６）は半導体素子（１）の表
面上に形成された電極パッド（図示せず）と各リード（
４）のインナルリード（４ａ）とを電気的に接続させる
、例えば金よりなるワイヤである。
り、この場合、半導体素子（１）の長辺側の両側に複数
配設されており、それぞれ半導体素子（１）に対向する
インナーリード（４ａ）とその反対側に延伸するアウタ
ーリード（４ｂ）とからなる、（５）は各リード（４）
のほぼ中央部で、その直角方向に連接されてリード（４
）を支持するタイバー、（６）は半導体素子（１）の表
面上に形成された電極パッド（図示せず）と各リード（
４）のインナルリード（４ａ）とを電気的に接続させる
、例えば金よりなるワイヤである。
このようなリードフレーム（８）に搭載された半導体素
子（１）を樹脂封止するための金型（１ｏ）は第８図に
示すように上金型（１０ａ）及び下金型（１０ｂ）から
なっている、これら上金型（１０ａ）及び下金型（１０
ｂ）には、それぞれ半導体素子（１）を収容するための
矩形状のキャビティハーフ（ｌ１ｍ＞及び（ｌｌｂ＞が
形成されると共に、キャビティハーフ（ｌｌａ）及び（
１１１＋）に導通される溝形状のゲートハーフ（１２ａ
）及び（１２ｂ）が形成されている。これらゲートハー
フ（１２ａ）及び（１２ｂ）のキャビティハーフ（ｌｌ
ａ）及び（ｌｌｂ）への入り口となるゲート口（１３ａ
）及び（１３ｂ）はそれぞれ例えば断面矩形状を有して
いる。
子（１）を樹脂封止するための金型（１ｏ）は第８図に
示すように上金型（１０ａ）及び下金型（１０ｂ）から
なっている、これら上金型（１０ａ）及び下金型（１０
ｂ）には、それぞれ半導体素子（１）を収容するための
矩形状のキャビティハーフ（ｌ１ｍ＞及び（ｌｌｂ＞が
形成されると共に、キャビティハーフ（ｌｌａ）及び（
１１１＋）に導通される溝形状のゲートハーフ（１２ａ
）及び（１２ｂ）が形成されている。これらゲートハー
フ（１２ａ）及び（１２ｂ）のキャビティハーフ（ｌｌ
ａ）及び（ｌｌｂ）への入り口となるゲート口（１３ａ
）及び（１３ｂ）はそれぞれ例えば断面矩形状を有して
いる。
次に、樹脂封止の方法を説明する。まず、半導体素子（
１）がリードフレーム（８）のダイパッド（３）上に載
置された後、このリードフレーム（８）は開状態となっ
ている金型（１ｏ）の上金型（１０ａ）と下金型（１０
ｂ）との間に撮入され、第７図に示すように所定位置に
位置決めされる。その後、上金型（１０ａ）及び下金型
（１０ｂ）がそれぞれ下降及び上昇してきて、第８図の
ようにリードフレーム（８）を挟み込む、このとき、上
金型（１０ａ）及び下金型（１０ｂ）は、リードフレー
ム（８）の各外枠（２）、リード（４）、吊りリード（
７）の一部に当接した状態となる。また、金型（１ｏ）
内には互いに対向するキャビティハーフ（ｌｌａ）及び
（ｌｌｂ）によりキャビティ（１１）が形成され、この
キャビティ（１１）内に半導体素子（１）及びダイパッ
ド（３）が内在することとなる。さらに、一対のゲート
ハーフ（１２ａ）及び（１２ｂ）により管形状のゲート
（１２）が形成され、一対のゲート口（１３ａ）及び（
１３ｂ）よりなるゲート口（１３）を介してキャビティ
（１１）に導通する。
１）がリードフレーム（８）のダイパッド（３）上に載
置された後、このリードフレーム（８）は開状態となっ
ている金型（１ｏ）の上金型（１０ａ）と下金型（１０
ｂ）との間に撮入され、第７図に示すように所定位置に
位置決めされる。その後、上金型（１０ａ）及び下金型
（１０ｂ）がそれぞれ下降及び上昇してきて、第８図の
ようにリードフレーム（８）を挟み込む、このとき、上
金型（１０ａ）及び下金型（１０ｂ）は、リードフレー
ム（８）の各外枠（２）、リード（４）、吊りリード（
７）の一部に当接した状態となる。また、金型（１ｏ）
内には互いに対向するキャビティハーフ（ｌｌａ）及び
（ｌｌｂ）によりキャビティ（１１）が形成され、この
キャビティ（１１）内に半導体素子（１）及びダイパッ
ド（３）が内在することとなる。さらに、一対のゲート
ハーフ（１２ａ）及び（１２ｂ）により管形状のゲート
（１２）が形成され、一対のゲート口（１３ａ）及び（
１３ｂ）よりなるゲート口（１３）を介してキャビティ
（１１）に導通する。
次いで、金型（１０）に形成されたゲート（１２）から
キャビティ（１１）内に向けて熱硬化性の樹脂（１４）
が溶融状悪で所定圧で注入される。この樹脂（１４）は
、ゲー１−（１２）内の一部を上下に分離するように配
置されているリードフレーム（８）の外枠（２）によっ
て、その上側と下側とから、ゲート口（１３）に向けて
進行する。キャビティ（１１）内の空間の多くの領域は
、半導体素子（１）が載置されるダイパッド（３）によ
って上下に分離された空間となっているが、ゲート口（
１３）近傍では。
キャビティ（１１）内に向けて熱硬化性の樹脂（１４）
が溶融状悪で所定圧で注入される。この樹脂（１４）は
、ゲー１−（１２）内の一部を上下に分離するように配
置されているリードフレーム（８）の外枠（２）によっ
て、その上側と下側とから、ゲート口（１３）に向けて
進行する。キャビティ（１１）内の空間の多くの領域は
、半導体素子（１）が載置されるダイパッド（３）によ
って上下に分離された空間となっているが、ゲート口（
１３）近傍では。
外枠（２）がないために外枠（２）の上下をそれぞれ進
行してきた樹脂（１４）はここで再び合流する。
行してきた樹脂（１４）はここで再び合流する。
そして、第９図に示す矢印のように樹脂（１４）が注入
され、キャビティ〈１１）は完全に樹脂（１４）で充満
される。
され、キャビティ〈１１）は完全に樹脂（１４）で充満
される。
この状態で、キャビティ（１１）内の熱硬化性樹脂（１
４）は所定温度に加熱され、硬化される。その後、上金
型（１０ａ）及び下金型（１０ｂ）がそれぞれ上昇及び
下降し、リードフレーム（８）が金型（１０）内より搬
出される。さらに、次工程でタイバー（５）の切断及び
リード（４）の曲げ等の処理が施され、半導体装置が完
成する。
４）は所定温度に加熱され、硬化される。その後、上金
型（１０ａ）及び下金型（１０ｂ）がそれぞれ上昇及び
下降し、リードフレーム（８）が金型（１０）内より搬
出される。さらに、次工程でタイバー（５）の切断及び
リード（４）の曲げ等の処理が施され、半導体装置が完
成する。
しかしながら、上述したように、キャビティく１１）内
に注入される樹脂（１４）はゲート（１２）内では外枠
（２）によって上下に分離された状態となっているが、
ゲート口（１３）の近傍では合流してしまう、従って、
ゲート口（１３）の上部と下部とを通過する樹脂（１４
）が、それぞれキャビティ（１１）内の半導体素子（１
）及びグイパッド（３）の上部と下部とに均等に注入さ
れるように制御することは困難であった。このため、リ
ードフレーム（８）の吊りリード（７）の支持強度が小
さかったり、樹脂（１４）の粘度が大きい場合には、第
９図に示すように樹脂（１４）の注入圧によるグイパッ
ド（３）の変形や、半導体素子（１）の位置ずれが生ず
ることがあった。この場合、樹脂封止が完了した段階で
は、半導体素子（１）の電極部とインナーリード（４ａ
）とを接続するワイヤ（６）が断線してしまったり、あ
るいは半導体素子（１）の上部側と下部側とで封止厚に
大きな差を生じて耐湿性の劣化を招いてしまい、半導体
装置の信頼性が低下するという問題点があった。
に注入される樹脂（１４）はゲート（１２）内では外枠
（２）によって上下に分離された状態となっているが、
ゲート口（１３）の近傍では合流してしまう、従って、
ゲート口（１３）の上部と下部とを通過する樹脂（１４
）が、それぞれキャビティ（１１）内の半導体素子（１
）及びグイパッド（３）の上部と下部とに均等に注入さ
れるように制御することは困難であった。このため、リ
ードフレーム（８）の吊りリード（７）の支持強度が小
さかったり、樹脂（１４）の粘度が大きい場合には、第
９図に示すように樹脂（１４）の注入圧によるグイパッ
ド（３）の変形や、半導体素子（１）の位置ずれが生ず
ることがあった。この場合、樹脂封止が完了した段階で
は、半導体素子（１）の電極部とインナーリード（４ａ
）とを接続するワイヤ（６）が断線してしまったり、あ
るいは半導体素子（１）の上部側と下部側とで封止厚に
大きな差を生じて耐湿性の劣化を招いてしまい、半導体
装置の信頼性が低下するという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、信頼性の高い半導体装置およびその製造方法
を得ることを目的とする。
たもので、信頼性の高い半導体装置およびその製造方法
を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、電極部を有する半導体素
子と、この半導体素子の電極部に電気的に接続されるリ
ードと、金型内に注入された樹脂からなると共に半導体
素子及びリードの一部を封止するパッケージ本体と、こ
のパッケージ本体内に埋設されると共に樹脂封止が行わ
れる際に金型内の半導体素子の上面側及び下面側にそれ
ぞれ樹脂を案内導入させるための樹脂案内部とを備えた
ものである。
子と、この半導体素子の電極部に電気的に接続されるリ
ードと、金型内に注入された樹脂からなると共に半導体
素子及びリードの一部を封止するパッケージ本体と、こ
のパッケージ本体内に埋設されると共に樹脂封止が行わ
れる際に金型内の半導体素子の上面側及び下面側にそれ
ぞれ樹脂を案内導入させるための樹脂案内部とを備えた
ものである。
また、この発明に係る半導体装置の製造方法は、樹脂封
止時に半導体素子の上面側及び下面側にそれぞれ樹脂を
案内導入させるための樹脂案内部が連接されると共にリ
ードを備えた基体の上に、電極部を有する前記半導体素
子を搭載し、基体のリードと半導体素子の電極部とを電
気的に接続し、基体上に搭載された半導体素子を、半導
体素子が金型のキャビティハーフに対応し且つ基体の樹
脂案内部が金型のゲートハーフに対応するように、一対
の金型の間に位置合わせし、基体の樹脂案内部が金型の
ゲートハーフ間にはさまれてこれらゲートハーフにより
形成されるゲートを上部及び下部に分離すると共に樹脂
案内部の先端部が金型のキャビティハーフにより形成さ
れるキャビティ内に突き出るように、金型を閉じて基体
を金型のパーティング面の間にはさみ、ゲートの上部及
び下部を通して金型内に樹脂を注入する方法である。
止時に半導体素子の上面側及び下面側にそれぞれ樹脂を
案内導入させるための樹脂案内部が連接されると共にリ
ードを備えた基体の上に、電極部を有する前記半導体素
子を搭載し、基体のリードと半導体素子の電極部とを電
気的に接続し、基体上に搭載された半導体素子を、半導
体素子が金型のキャビティハーフに対応し且つ基体の樹
脂案内部が金型のゲートハーフに対応するように、一対
の金型の間に位置合わせし、基体の樹脂案内部が金型の
ゲートハーフ間にはさまれてこれらゲートハーフにより
形成されるゲートを上部及び下部に分離すると共に樹脂
案内部の先端部が金型のキャビティハーフにより形成さ
れるキャビティ内に突き出るように、金型を閉じて基体
を金型のパーティング面の間にはさみ、ゲートの上部及
び下部を通して金型内に樹脂を注入する方法である。
この発明においては、樹脂封止時に、基体に設けられた
樹脂案内部が金型のゲートからキャビティ内にわたって
挿設され、これによりゲート及びキャビティの入り口付
近の空間が上下に分離される。
樹脂案内部が金型のゲートからキャビティ内にわたって
挿設され、これによりゲート及びキャビティの入り口付
近の空間が上下に分離される。
このため、樹脂は上下に二分された状態でキャビティ内
に入り、そのまま半導体素子の上面側及び下面側に導入
される。
に入り、そのまま半導体素子の上面側及び下面側に導入
される。
以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて説明する
。
。
第１図〜第３図によりこの発明の第１の実施例を説明す
る。第１図はこの発明の第１の実施例に係る半導体装置
の樹脂封止の際の金型とリードフレームとの間係を示す
平面図である。リードフレーム（８）のほぼ中央部に位
置するグイパッド（３）上に長方形状の半導体素子（１
）が搭載されている。
る。第１図はこの発明の第１の実施例に係る半導体装置
の樹脂封止の際の金型とリードフレームとの間係を示す
平面図である。リードフレーム（８）のほぼ中央部に位
置するグイパッド（３）上に長方形状の半導体素子（１
）が搭載されている。
グイパッド（３）は、互いに平行に配設されるリードフ
レーム（８）の外枠（２）にそれぞれ吊りリード〈７）
により連接され支持されている。半導体素子（１）の長
辺側の両側には複数のリード（４）が配設されており、
それぞれ半導体素子（１）に対向するインナーリード（
４＆）とその反対側に延伸するアウターリード（４ｂ）
とからなる、各リード（４）はそのほぼ中央部でタイバ
ー（５）により互いに連接され支持されている。半導体
素子（１）の表面上に形成された電極パッド（図示せず
）と各リード（４）のインナーリード（４ａ）とは例え
ば金よりなるワイヤ（６）によって電気的に接続されて
いる。また、このリードフレーム（８）の外枠（２）の
一部はダイパッド（３）に向かって突出しており、この
突出部が樹脂案内部（１５）を形成している。
レーム（８）の外枠（２）にそれぞれ吊りリード〈７）
により連接され支持されている。半導体素子（１）の長
辺側の両側には複数のリード（４）が配設されており、
それぞれ半導体素子（１）に対向するインナーリード（
４＆）とその反対側に延伸するアウターリード（４ｂ）
とからなる、各リード（４）はそのほぼ中央部でタイバ
ー（５）により互いに連接され支持されている。半導体
素子（１）の表面上に形成された電極パッド（図示せず
）と各リード（４）のインナーリード（４ａ）とは例え
ば金よりなるワイヤ（６）によって電気的に接続されて
いる。また、このリードフレーム（８）の外枠（２）の
一部はダイパッド（３）に向かって突出しており、この
突出部が樹脂案内部（１５）を形成している。
このようなリードフレーム（８）に搭載された半導体素
子（１）を樹脂封止するための金型（１０）は第７図〜
第９図に示した従来のものと同様の上金型（１０ｍ）及
び下金型（１０ｂ）からなっている、すなわち、上金型
（１０ｍ）及び下金型（１０ｂ）には、それぞれ半導体
素子（１）を収容するための矩形状のキャビティハーフ
（ｌ１ｍ）及び（ｌｌｂ）が形成されると共に、キャビ
ティハーフ（ｌ１ｍ＞及び（ｌｌｂ）に導通される溝形
状のゲートハーフ（１２ａ）及び（１２ｂ）が形成され
ている。これらゲートハーフ（１２ａ）及び（１２ｂ）
のキャビティハーフ（ｌｌａ）及び（ｌｌｂ＞への入り
口となるゲート口（１３ｍ）及び（１３ｂ）はそれぞれ
例えば断面矩形状を有している。
子（１）を樹脂封止するための金型（１０）は第７図〜
第９図に示した従来のものと同様の上金型（１０ｍ）及
び下金型（１０ｂ）からなっている、すなわち、上金型
（１０ｍ）及び下金型（１０ｂ）には、それぞれ半導体
素子（１）を収容するための矩形状のキャビティハーフ
（ｌ１ｍ）及び（ｌｌｂ）が形成されると共に、キャビ
ティハーフ（ｌ１ｍ＞及び（ｌｌｂ）に導通される溝形
状のゲートハーフ（１２ａ）及び（１２ｂ）が形成され
ている。これらゲートハーフ（１２ａ）及び（１２ｂ）
のキャビティハーフ（ｌｌａ）及び（ｌｌｂ＞への入り
口となるゲート口（１３ｍ）及び（１３ｂ）はそれぞれ
例えば断面矩形状を有している。
次に、樹脂封止の方法を説明する。まず、半導体素子（
１）がリードフレーム（８）のグイパッド（３）上に載
置された後、このリードフレーム（８）は開状態となっ
ている金型（１０）の上金型（１０ａ）と下金型（１０
ｂ）との間に搬入され、第１図に示すように所定位置に
位置決めされる。このとき、リードフレーム（８）の樹
脂案内部（１５）は、下金型（１０ｂ）のゲートハーフ
（１２ｂ）及びゲート口（１３ｂ）の上に位置してこれ
らを覆うと共に樹脂案内部（１５）の先端部は下金型（
１０ｂ）のキャビティハーフ（ｌｌｂ）の上にまで延出
する。
１）がリードフレーム（８）のグイパッド（３）上に載
置された後、このリードフレーム（８）は開状態となっ
ている金型（１０）の上金型（１０ａ）と下金型（１０
ｂ）との間に搬入され、第１図に示すように所定位置に
位置決めされる。このとき、リードフレーム（８）の樹
脂案内部（１５）は、下金型（１０ｂ）のゲートハーフ
（１２ｂ）及びゲート口（１３ｂ）の上に位置してこれ
らを覆うと共に樹脂案内部（１５）の先端部は下金型（
１０ｂ）のキャビティハーフ（ｌｌｂ）の上にまで延出
する。
その後、上金型（１０ｍ）及び下金型（１０ｂ）がそれ
ぞれ下降及び上昇してきて、第２図のようにリードフレ
ーム（８）を挟み込む、このとき、上金型（１０ｍ）及
び下金型（１０ｂ）は、リードフレーム（８）の各外枠
（２）、リード（４）、吊りリード（７）の一部に当接
した状態となる。また、金型（１０）内には互いに対向
するキャビティハーフ（ｌｌａ）及び（ｌｌｂ）により
キャビティ（１１）が形成され、このキャビティ（１１
）内に半導体素子（１）及びグイパッド（３）が内在す
ることとなる。さらに、−対のゲートハーフ（１２ａ）
及び（１２ｂ）により管形状のゲート（１２）が形成さ
れ、一対のゲート口（１３ｍ＞及び（１３ｂ）よりなる
ゲート口（１３）を介してキャビティ（１１）に導通す
る。さらに、キャビティ（１１）の一部にリードフレー
ムく８）の樹脂案内部（１５）の先端部が挿入され、こ
の樹脂案内部（１５）がゲート口（１３）を介してゲー
ト（１２）の一部にわたって配設される状態となる。こ
れにより、ゲート口（１３）の近傍の空間が上下に分離
される状態となる。
ぞれ下降及び上昇してきて、第２図のようにリードフレ
ーム（８）を挟み込む、このとき、上金型（１０ｍ）及
び下金型（１０ｂ）は、リードフレーム（８）の各外枠
（２）、リード（４）、吊りリード（７）の一部に当接
した状態となる。また、金型（１０）内には互いに対向
するキャビティハーフ（ｌｌａ）及び（ｌｌｂ）により
キャビティ（１１）が形成され、このキャビティ（１１
）内に半導体素子（１）及びグイパッド（３）が内在す
ることとなる。さらに、−対のゲートハーフ（１２ａ）
及び（１２ｂ）により管形状のゲート（１２）が形成さ
れ、一対のゲート口（１３ｍ＞及び（１３ｂ）よりなる
ゲート口（１３）を介してキャビティ（１１）に導通す
る。さらに、キャビティ（１１）の一部にリードフレー
ムく８）の樹脂案内部（１５）の先端部が挿入され、こ
の樹脂案内部（１５）がゲート口（１３）を介してゲー
ト（１２）の一部にわたって配設される状態となる。こ
れにより、ゲート口（１３）の近傍の空間が上下に分離
される状態となる。
次いで、金型（１０）に形成されたゲート（１２）から
キャビティ（１１）内に向けて熱硬化性の樹脂（１４）
が溶融状態で所定圧で注入される。この樹脂（１４）は
、ゲート（１２）の途中からリードフレーム（８）の外
枠（２）及び樹脂案内部（１５）によって上下に分離さ
れつつゲート口（１３）に向けて進行する。ゲート口（
１３）からキャビティ（１１）内に注入された樹脂（１
４）はさらに樹脂案内部（１５）によって上下に分離し
つつ進行し、第３図に示す矢印方向の流れのように、上
金型（１０ｍ）のゲートハーフ（１２ｍ）及びゲート口
（１３ｍ）を通過した樹脂（１４）はキャビティ（１１
）内の半導体素子（１）の上部に導入され、一方下金型
（１０ｂ）のゲートハーフ（１２ｂ）及びゲート口（１
３ｂ）を通過した樹脂（１４）はキャビティ（１１）内
の半導体素子（１）の下部へと導入される。このように
樹脂案内部（１５）はキャビティ（１１）内への樹脂（
１４）の流れを制御するよう働き、樹脂（１４）は半導
体素子（１）の上部及び下部にほぼ均等に配分されて注
入される。
キャビティ（１１）内に向けて熱硬化性の樹脂（１４）
が溶融状態で所定圧で注入される。この樹脂（１４）は
、ゲート（１２）の途中からリードフレーム（８）の外
枠（２）及び樹脂案内部（１５）によって上下に分離さ
れつつゲート口（１３）に向けて進行する。ゲート口（
１３）からキャビティ（１１）内に注入された樹脂（１
４）はさらに樹脂案内部（１５）によって上下に分離し
つつ進行し、第３図に示す矢印方向の流れのように、上
金型（１０ｍ）のゲートハーフ（１２ｍ）及びゲート口
（１３ｍ）を通過した樹脂（１４）はキャビティ（１１
）内の半導体素子（１）の上部に導入され、一方下金型
（１０ｂ）のゲートハーフ（１２ｂ）及びゲート口（１
３ｂ）を通過した樹脂（１４）はキャビティ（１１）内
の半導体素子（１）の下部へと導入される。このように
樹脂案内部（１５）はキャビティ（１１）内への樹脂（
１４）の流れを制御するよう働き、樹脂（１４）は半導
体素子（１）の上部及び下部にほぼ均等に配分されて注
入される。
そして、キャビティく１１）内が完全に樹脂（１４）で
充満されると、キャビティ（１１）内の熱硬化性樹脂（
１４）は所定温度に加熱されて硬化される。その後、上
金型（１０ａ）及び下金型（１０ｂ）がそれぞれ上昇及
び下降し、リードフレーム（８）が金型（１０）内より
搬出される。さらに、次工程でタイバー（５）の切断、
樹脂案内部（１５）の切断及びリード（４）の曲げ等の
処理が施され、半導体装置が完成する。
充満されると、キャビティ（１１）内の熱硬化性樹脂（
１４）は所定温度に加熱されて硬化される。その後、上
金型（１０ａ）及び下金型（１０ｂ）がそれぞれ上昇及
び下降し、リードフレーム（８）が金型（１０）内より
搬出される。さらに、次工程でタイバー（５）の切断、
樹脂案内部（１５）の切断及びリード（４）の曲げ等の
処理が施され、半導体装置が完成する。
このようにして形成された半導体装置は、樹脂（１４）
が半導体素子（１）の上側と下側とに均等に注入される
ため、この樹脂封止時に半導体素子（１）の位置ずれや
リードフレーム（８）の変形が生することがない、その
ため、半導体素子（１）の上側と下側とで封止用樹脂（
１４）の厚みに差を生じたり、ワイヤ（６）が断線した
りすることが抑制され、好適な封止が行われることにな
る。従って、信頼性の高い半導体装置が得られる効果が
ある。
が半導体素子（１）の上側と下側とに均等に注入される
ため、この樹脂封止時に半導体素子（１）の位置ずれや
リードフレーム（８）の変形が生することがない、その
ため、半導体素子（１）の上側と下側とで封止用樹脂（
１４）の厚みに差を生じたり、ワイヤ（６）が断線した
りすることが抑制され、好適な封止が行われることにな
る。従って、信頼性の高い半導体装置が得られる効果が
ある。
尚、金型（１０）のゲート（１２）及びゲート口（１３
）を上下に分離させるためにリードフレーム（８）の樹
脂案内部（１５）はゲート（１２）の平面寸法より大き
な寸法に形成されるが、その形状は第１図に示した矩形
に限るものではない。
）を上下に分離させるためにリードフレーム（８）の樹
脂案内部（１５）はゲート（１２）の平面寸法より大き
な寸法に形成されるが、その形状は第１図に示した矩形
に限るものではない。
さらに、第４図に示すように、下金型（１０ｂ）のゲー
トハーフ（１２ｂ）の上に位置するリードフレーム（８
）の外枠（２）の幅をグイパッド（３）側に広くして下
金型（１０ｂ）のキャビティハーフ（１１１Ｉ）の上に
まで延出させ、この外枠（２）の部分を樹脂案内部（１
５ａ）とすることもできる、このようにすれば、金型（
１０）のキャビティ（１１）のより大きな部分が樹脂案
内部（１５ｍ）によって上下に分層されることとなるの
で、樹脂封止時における樹脂（１４）の流れの制御がさ
らに正確に行なわれる。
トハーフ（１２ｂ）の上に位置するリードフレーム（８
）の外枠（２）の幅をグイパッド（３）側に広くして下
金型（１０ｂ）のキャビティハーフ（１１１Ｉ）の上に
まで延出させ、この外枠（２）の部分を樹脂案内部（１
５ａ）とすることもできる、このようにすれば、金型（
１０）のキャビティ（１１）のより大きな部分が樹脂案
内部（１５ｍ）によって上下に分層されることとなるの
で、樹脂封止時における樹脂（１４）の流れの制御がさ
らに正確に行なわれる。
第５図はこの発明の他の実施例による樹脂封止の状態を
示す断面図である。この半導体装置では、半導体素子（
１）の電極がバンプ電極で形成されており、その電極が
例えばポリイミド等よりなり可撓性を有する絶縁フィル
ム（１７）上に形成されるリード（４）のインナーリー
ド部（４ａ）に直接、電気的に接続されるようになされ
ている。フィルム（１７）の中央部に半導体素子（１）
を収容するための矩形状の開口部（１８）が設けられ、
この開口部（１８）の外周部に複数のアウターリードホ
ール（１９）が設けられている。各リード（４）は開口
部（１８）とアウターリードホール（１９）との間のサ
ポート部（２０）により支持されている。また、サポー
ト部（２０）は互いに隣接するアウターリードホール〈
１９）の間に位置するブリッジング部（２１）によりこ
のフィルム（１７）に支持されている。
示す断面図である。この半導体装置では、半導体素子（
１）の電極がバンプ電極で形成されており、その電極が
例えばポリイミド等よりなり可撓性を有する絶縁フィル
ム（１７）上に形成されるリード（４）のインナーリー
ド部（４ａ）に直接、電気的に接続されるようになされ
ている。フィルム（１７）の中央部に半導体素子（１）
を収容するための矩形状の開口部（１８）が設けられ、
この開口部（１８）の外周部に複数のアウターリードホ
ール（１９）が設けられている。各リード（４）は開口
部（１８）とアウターリードホール（１９）との間のサ
ポート部（２０）により支持されている。また、サポー
ト部（２０）は互いに隣接するアウターリードホール〈
１９）の間に位置するブリッジング部（２１）によりこ
のフィルム（１７）に支持されている。
このようなフィルム（１７）が載置される下金型（１０
ｂ）のゲートハーフ（１２ｂ）はフィルム（１７）のブ
リッジング部（２１）のうちの一つの下に位置するよう
に形成されている。そして、このゲートハーフ（１２ｂ
）の上に位置するブリッジング部（２１）はゲートハー
フ（１２ｂ）を覆うように他のブリッジング部（２１）
より幅広く形成され、この幅広いブリッジング部（２１
）とこれに接続されるサポート部（２０）とによりこの
実施例の樹脂案内部（１５ｂ）を構成している。
ｂ）のゲートハーフ（１２ｂ）はフィルム（１７）のブ
リッジング部（２１）のうちの一つの下に位置するよう
に形成されている。そして、このゲートハーフ（１２ｂ
）の上に位置するブリッジング部（２１）はゲートハー
フ（１２ｂ）を覆うように他のブリッジング部（２１）
より幅広く形成され、この幅広いブリッジング部（２１
）とこれに接続されるサポート部（２０）とによりこの
実施例の樹脂案内部（１５ｂ）を構成している。
樹脂封止時には、第６図に示すように、半導体素子（１
）が装着されたフィルム（１７）が金型（１０）の上金
型（１０ｍ）と下金型（１０ｂ）との間に設置され、上
金型（１０ｍ）のゲートハーフ（１２ａ）及び下金型（
１０ｂ）のゲートハーフ（１２ｂ）により形成されるゲ
ート（１２）からキャビティ（１１）内に樹脂（１４）
が注入される。
）が装着されたフィルム（１７）が金型（１０）の上金
型（１０ｍ）と下金型（１０ｂ）との間に設置され、上
金型（１０ｍ）のゲートハーフ（１２ａ）及び下金型（
１０ｂ）のゲートハーフ（１２ｂ）により形成されるゲ
ート（１２）からキャビティ（１１）内に樹脂（１４）
が注入される。
この場合、樹脂〈１４）は樹脂案内部（１５ｂ）により
金型（１０）のゲー）（１２）内を上下に分離されつつ
キャビティ（１１）内に導入される。従って、半導体素
子（１）の上側と下側とに均等に樹脂（１４）が注入さ
れ、信頼性の高い半導体装置が得られることになる。
金型（１０）のゲー）（１２）内を上下に分離されつつ
キャビティ（１１）内に導入される。従って、半導体素
子（１）の上側と下側とに均等に樹脂（１４）が注入さ
れ、信頼性の高い半導体装置が得られることになる。
以上のようにこの発明によれば、樹脂が金型のゲートに
注入されると、樹脂案内部で上下に分離され、キャビテ
ィ内で半導体素子の上側と下側とに均等に注入されるこ
とになる。従って、半導体素子及びリードフレームやフ
ィルムが不均等な力を受けることがない。
注入されると、樹脂案内部で上下に分離され、キャビテ
ィ内で半導体素子の上側と下側とに均等に注入されるこ
とになる。従って、半導体素子及びリードフレームやフ
ィルムが不均等な力を受けることがない。
なお、上記の各実施例においては、上金型（１０８）の
ゲート口（１３ａ）及び下金型（１０ｂ）のゲート口（
１３ｂ）が互いに断面矩形状を呈して対向し、これらが
樹脂案内部（１５）、（１５ａ）あるいは（１５ｂ）に
より上下に分離されるような構成の金型（１０）を用い
たが、これに限定されるものではなく、キャビティ（１
１）の上部及び下部に均等に樹脂（１４）が導入されれ
ば、金型（１０）におけるゲート口（１３）の断面、平
面形状及び寸法等は適宜設定することができる。
ゲート口（１３ａ）及び下金型（１０ｂ）のゲート口（
１３ｂ）が互いに断面矩形状を呈して対向し、これらが
樹脂案内部（１５）、（１５ａ）あるいは（１５ｂ）に
より上下に分離されるような構成の金型（１０）を用い
たが、これに限定されるものではなく、キャビティ（１
１）の上部及び下部に均等に樹脂（１４）が導入されれ
ば、金型（１０）におけるゲート口（１３）の断面、平
面形状及び寸法等は適宜設定することができる。
以上説明したようにこの発明に係る半導体装置は、電極
部を有する半導体素子と、この半導体素子の電極部に電
気的に接続されるリードと、金型内に注入された樹脂か
らなると共に半導体素子及びリードの一部を封止するパ
ッケージ本体と、このバラゲージ本体内に埋設されると
共に樹脂封止が行われる際に金型内の半導体素子の上面
側及び下面側にそれぞれ樹脂を案内導入させるための樹
脂案内部とを備えているので、金型内における樹脂封止
時に樹脂が半導体素子の上面側と下面側とに均等に注入
され、半導体装置としての信頼性の向上が図られている
。
部を有する半導体素子と、この半導体素子の電極部に電
気的に接続されるリードと、金型内に注入された樹脂か
らなると共に半導体素子及びリードの一部を封止するパ
ッケージ本体と、このバラゲージ本体内に埋設されると
共に樹脂封止が行われる際に金型内の半導体素子の上面
側及び下面側にそれぞれ樹脂を案内導入させるための樹
脂案内部とを備えているので、金型内における樹脂封止
時に樹脂が半導体素子の上面側と下面側とに均等に注入
され、半導体装置としての信頼性の向上が図られている
。
また、この発明に係る半導体装置の製造方法は、樹脂封
止時に半導体素子の上面側及び下面側にそれぞれ樹脂を
案内導入させるための樹脂案内部が連接されると共にリ
ードを備えた基体の上に、電極部を有する前記半導体素
子を搭載し、基体のリードと半導体素子の電極部とを電
気的に接続し、基体上に搭載された半導体素子を、半導
体素子が金型のキャビティハーフに対応し且つ基体の樹
脂案内部が金型のゲートハーフに対応するように、一対
の金型の間に位置合わせし、基体の樹脂案内部が金型の
ゲートハーフ間にはさまれてこれらゲートハーフにより
形成されるゲートを上部及び下部に分離すると共に樹脂
案内部の先端部が金型のキャビティハーフにより形成さ
れるキャビティ内に突き出るように、金型を関して基体
を金型のパーティング面の間にはさみ、ゲートの上部及
び下部を通して金型内に樹脂を注入する方法であるので
、樹脂封止時に金型内に注入された樹脂によって半導体
素子が悪影響を受けることが防止され、信頼性の高い半
導体装置を製造することが可能となる。
止時に半導体素子の上面側及び下面側にそれぞれ樹脂を
案内導入させるための樹脂案内部が連接されると共にリ
ードを備えた基体の上に、電極部を有する前記半導体素
子を搭載し、基体のリードと半導体素子の電極部とを電
気的に接続し、基体上に搭載された半導体素子を、半導
体素子が金型のキャビティハーフに対応し且つ基体の樹
脂案内部が金型のゲートハーフに対応するように、一対
の金型の間に位置合わせし、基体の樹脂案内部が金型の
ゲートハーフ間にはさまれてこれらゲートハーフにより
形成されるゲートを上部及び下部に分離すると共に樹脂
案内部の先端部が金型のキャビティハーフにより形成さ
れるキャビティ内に突き出るように、金型を関して基体
を金型のパーティング面の間にはさみ、ゲートの上部及
び下部を通して金型内に樹脂を注入する方法であるので
、樹脂封止時に金型内に注入された樹脂によって半導体
素子が悪影響を受けることが防止され、信頼性の高い半
導体装置を製造することが可能となる。
第１図はこの発明の第１の実施例に係る半導体装置の樹
脂封止の際の金型どリードフレームとの関係を示す平面
図、 第２図及び第３図はそれぞれ樹脂封止工程時における第
１図の１−１線断面図、 第４図はこの発明の第２の実施例に係る半導体装置の樹
脂封止の際の金型とリードフレームとの関係を示す平面
図、 第５図はこの発明の第３の実施例に係る半導体装置の樹
脂封止の際の金型とフィルムとの関係を示す平面図、 第６図は樹脂封止工程時における第５図のｎ−■線断面
図、 第７図は従来の半導体装置における樹脂封止時の金型と
リードフレームとの関係を示す平面図、第８図及び第９
図はそれぞれ樹脂封止工程時における第７図のト］線断
面図である。 図において、（１）は半導体素子、（２）は外枠、（３
）はダイパッド、（４）はリード、（６）はワイヤ、（
８）はリードフレーム、（１０）は金型、（１１）はキ
ャビティ、（１２）はゲート、（１４）は樹脂、（１５
）、（１５ａ）及び（１５ｂ）は樹脂案内部、（１７）
はフィルムである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 １゛牛聯休宗子 ４ リード ６ ワイヤ ８、リードフレーム ｒ５ ａ１脂’Ｘ’ｎｉ
脂封止の際の金型どリードフレームとの関係を示す平面
図、 第２図及び第３図はそれぞれ樹脂封止工程時における第
１図の１−１線断面図、 第４図はこの発明の第２の実施例に係る半導体装置の樹
脂封止の際の金型とリードフレームとの関係を示す平面
図、 第５図はこの発明の第３の実施例に係る半導体装置の樹
脂封止の際の金型とフィルムとの関係を示す平面図、 第６図は樹脂封止工程時における第５図のｎ−■線断面
図、 第７図は従来の半導体装置における樹脂封止時の金型と
リードフレームとの関係を示す平面図、第８図及び第９
図はそれぞれ樹脂封止工程時における第７図のト］線断
面図である。 図において、（１）は半導体素子、（２）は外枠、（３
）はダイパッド、（４）はリード、（６）はワイヤ、（
８）はリードフレーム、（１０）は金型、（１１）はキ
ャビティ、（１２）はゲート、（１４）は樹脂、（１５
）、（１５ａ）及び（１５ｂ）は樹脂案内部、（１７）
はフィルムである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 １゛牛聯休宗子 ４ リード ６ ワイヤ ８、リードフレーム ｒ５ ａ１脂’Ｘ’ｎｉ
Claims (2)
- （１）電極部を有する半導体素子と、 前記半導体素子の電極部に電気的に接続されるリードと
、 金型内に注入された樹脂からなると共に前記半導体素子
及び前記リードの一部を封止するパッケージ本体と、 前記パッケージ本体内に埋設されると共に樹脂封止が行
われる際に前記金型内の前記半導体素子の上面側及び下
面側にそれぞれ前記樹脂を案内導入させるための樹脂案
内部と を備えたことを特徴とする半導体装置。 - （２）互いに対向するパーティング面にそれぞれキャビ
ティハーフとこのキャビティハーフに接続されたゲート
ハーフとが形成された一対の金型を用いて半導体装置を
製造する方法であって、樹脂封止時に半導体素子の上面
側及び下面側にそれぞれ樹脂を案内導入させるための樹
脂案内部が連接されると共にリードを備えた基体の上に
、電極部を有する前記半導体素子を搭載し、 前記基体のリードと前記半導体素子の電極部とを電気的
に接続し、 前記基体上に搭載された前記半導体素子を、前記半導体
素子が前記金型のキャビティハーフに対応し且つ前記基
体の樹脂案内部が前記金型のゲートハーフに対応するよ
うに、前記一対の金型の間に位置合わせし、 前記基体の前記樹脂案内部が前記金型のゲートハーフ間
にはさまれてこれらゲートハーフにより形成されるゲー
トを上部及び下部に分離すると共に前記樹脂案内部の先
端部が前記金型のキャビティハーフにより形成されるキ
ャビティ内に突き出るように、前記金型を閉じて前記基
体を前記金型のパーティング面の間にはさみ、 前記ゲートの上部及び下部を通して前記金型内に樹脂を
注入する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1048594A JP2505569B2 (ja) | 1988-10-20 | 1989-03-02 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26547388 | 1988-10-20 | ||
| JP63-265473 | 1988-10-20 | ||
| JP1048594A JP2505569B2 (ja) | 1988-10-20 | 1989-03-02 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02191365A true JPH02191365A (ja) | 1990-07-27 |
| JP2505569B2 JP2505569B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=26388894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1048594A Expired - Fee Related JP2505569B2 (ja) | 1988-10-20 | 1989-03-02 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2505569B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5268532A (en) * | 1991-07-25 | 1993-12-07 | Sony Corporation | Semiconductor device |
| US5437095A (en) * | 1993-05-07 | 1995-08-01 | National Semiconductor Corporation | Method of making plastic encapsulated integrated circuit package |
| US5982625A (en) * | 1998-03-19 | 1999-11-09 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor packaging device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5643854A (en) * | 1979-09-18 | 1981-04-22 | Nec Corp | Control system of received carrier detecting circuit |
-
1989
- 1989-03-02 JP JP1048594A patent/JP2505569B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5643854A (en) * | 1979-09-18 | 1981-04-22 | Nec Corp | Control system of received carrier detecting circuit |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5268532A (en) * | 1991-07-25 | 1993-12-07 | Sony Corporation | Semiconductor device |
| US5437095A (en) * | 1993-05-07 | 1995-08-01 | National Semiconductor Corporation | Method of making plastic encapsulated integrated circuit package |
| US5982625A (en) * | 1998-03-19 | 1999-11-09 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor packaging device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2505569B2 (ja) | 1996-06-12 |
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