JPH02186647A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02186647A JPH02186647A JP700289A JP700289A JPH02186647A JP H02186647 A JPH02186647 A JP H02186647A JP 700289 A JP700289 A JP 700289A JP 700289 A JP700289 A JP 700289A JP H02186647 A JPH02186647 A JP H02186647A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead frame
- gate
- cavity
- molding
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
リードフレームを樹脂成形の下型及び上型で挟持し、上
記二つの型のキャビティが形成する成形空間に樹脂を注
入する半導体装置の製造方法に関し、 樹脂成形を安定させた状態で成形樹脂内におけるリード
フレームの変形を防止させるために、成形空間に対する
樹脂注入口の大きさを適切に設定しながらリードフレー
ムを挟む上記二つのキャビティに対する樹脂注入のバラ
ンスがとれるようにすることを目的とし、 上記二つの型の一方の型にはランナから分岐しリードフ
レームの外枠の片面に接して酸型のキャビティに開口す
る第１ゲートを、他方の型には第１ゲートと対向し該外
枠の反対面に接して酸型のキャビティに開口する該外枠
部分に限られた第２ゲートを設けると共に、リードフレ
ームの外枠の上記第１及び第２ゲートで挾まれる領域に
は両ゲートを連通させる孔または内縁開口の切欠を設け
て、上記ランナからの樹脂が、第１ゲートと共に上記孔
または切欠を通して第２ゲートからも上記成形空間に注
入されるように構成する。
記二つの型のキャビティが形成する成形空間に樹脂を注
入する半導体装置の製造方法に関し、 樹脂成形を安定させた状態で成形樹脂内におけるリード
フレームの変形を防止させるために、成形空間に対する
樹脂注入口の大きさを適切に設定しながらリードフレー
ムを挟む上記二つのキャビティに対する樹脂注入のバラ
ンスがとれるようにすることを目的とし、 上記二つの型の一方の型にはランナから分岐しリードフ
レームの外枠の片面に接して酸型のキャビティに開口す
る第１ゲートを、他方の型には第１ゲートと対向し該外
枠の反対面に接して酸型のキャビティに開口する該外枠
部分に限られた第２ゲートを設けると共に、リードフレ
ームの外枠の上記第１及び第２ゲートで挾まれる領域に
は両ゲートを連通させる孔または内縁開口の切欠を設け
て、上記ランナからの樹脂が、第１ゲートと共に上記孔
または切欠を通して第２ゲートからも上記成形空間に注
入されるように構成する。
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、リード
フレームを樹脂成形の下型及び上型で挟持し、上記二つ
の型のキャビティが形成する成形空間に樹脂を注入する
半導体装置の封止方法に関する。
フレームを樹脂成形の下型及び上型で挟持し、上記二つ
の型のキャビティが形成する成形空間に樹脂を注入する
半導体装置の封止方法に関する。
上記の封止方法は、樹脂封止半導体装置の封止に適用さ
れるものであり、封止体となる成形樹脂内でリードフレ
ームが変形しないようにすることが重要である。
れるものであり、封止体となる成形樹脂内でリードフレ
ームが変形しないようにすることが重要である。
周知のように、樹脂封止半導体装置は、リードフレーム
に半導体チップを取付け、半導体チップとリードフレー
ムとの間をワイヤで配線してから、上記の封止方法によ
る樹脂封止を行い、後加工を施して製造される。
に半導体チップを取付け、半導体チップとリードフレー
ムとの間をワイヤで配線してから、上記の封止方法によ
る樹脂封止を行い、後加工を施して製造される。
第３図（ａ）（ｂ）は、その封止方法の従来例を説明す
る側断面図とリードフレームの模式平面図である。
る側断面図とリードフレームの模式平面図である。
第３図（ａ）において、１０及び２０は第３図（ｂ）に
示すリードフレームＩＡを挟持する下型及び上型であり
、下型１０には、成形空間を形成するキャビティ１１と
、樹脂注入時の樹脂流路となるランナ１３と、ランナ１
３から分岐しリードフレームＩＡの外枠１ａ （クレー
ドルと通称し第３図（ｂ）に図示）の片面に接してキャ
ビティ１１に開口するゲート１２とを設け、上型２０に
は、リードフレーム１八を挾んでキャビティ１１と共に
成形空間を形成するキャビティ２１を設けである。
示すリードフレームＩＡを挟持する下型及び上型であり
、下型１０には、成形空間を形成するキャビティ１１と
、樹脂注入時の樹脂流路となるランナ１３と、ランナ１
３から分岐しリードフレームＩＡの外枠１ａ （クレー
ドルと通称し第３図（ｂ）に図示）の片面に接してキャ
ビティ１１に開口するゲート１２とを設け、上型２０に
は、リードフレーム１八を挾んでキャビティ１１と共に
成形空間を形成するキャビティ２１を設けである。
樹脂は、不図示のポット部からランナ１３及びゲート１
２を通って先ずキャビティ１１に注入され、更にキャビ
ティ１１からリードフレーム１Δの隙間を通ってキャビ
ティ２１にも流れ込み、キャビティ１１及び２１が形成
する成形空間を充填して成形樹脂となり半導体装置の封
止体（パッケージ）を形成する。
２を通って先ずキャビティ１１に注入され、更にキャビ
ティ１１からリードフレーム１Δの隙間を通ってキャビ
ティ２１にも流れ込み、キャビティ１１及び２１が形成
する成形空間を充填して成形樹脂となり半導体装置の封
止体（パッケージ）を形成する。
しかしながらこの封止方法では、リードフレームＩＡが
その上下でアンバランスになる樹脂流に押されて変形し
、リードフレーム１への上側及び下側における成形樹脂
の厚さが所定と異なるものとなる。この現象は、近年の
半導体装置に見られるようにリードフレームの厚さが薄
い場合に特に顕著である。
その上下でアンバランスになる樹脂流に押されて変形し
、リードフレーム１への上側及び下側における成形樹脂
の厚さが所定と異なるものとなる。この現象は、近年の
半導体装置に見られるようにリードフレームの厚さが薄
い場合に特に顕著である。
そしてこのことは、半導体装置を実装基板に実装する際
に成形樹脂にクラックを発生し易くするなど、当該半導
体装置の品質を低下させる問題となる。
に成形樹脂にクラックを発生し易くするなど、当該半導
体装置の品質を低下させる問題となる。
この問題は、リードフレームを挟む二つのキャビティに
対する樹脂注入のバランスをとることによって解決され
る。
対する樹脂注入のバランスをとることによって解決され
る。
そしてそれを意図した提案として、特開昭５２１４３６
０号公報または特公昭５９−９６９号公報に開示された
方策がある。
０号公報または特公昭５９−９６９号公報に開示された
方策がある。
前者は、下型及び上型のそれぞれにランナから分岐して
キャビティに開口するゲートを設け、その際、その開口
部を相互に重ねて上記バランスがとれるようにすると共
に、上記分岐する位置を相互に離してランナと成形部と
の分離が容易になるようにしたものである。しかしなが
らこの方策は、成形空間に注入されるまでの樹脂流が両
ゲートにより部分されて注入直前に合流するため、注入
時の樹脂状態がゲート相互間で不揃いになり易く樹脂成
形が不安定になる恐れがある。
キャビティに開口するゲートを設け、その際、その開口
部を相互に重ねて上記バランスがとれるようにすると共
に、上記分岐する位置を相互に離してランナと成形部と
の分離が容易になるようにしたものである。しかしなが
らこの方策は、成形空間に注入されるまでの樹脂流が両
ゲートにより部分されて注入直前に合流するため、注入
時の樹脂状態がゲート相互間で不揃いになり易く樹脂成
形が不安定になる恐れがある。
また後者は、下型（または上型）におけるランナから分
岐したゲートのキャビティに開口する部分を塞ぎ、リー
ドフレーム外枠にこのゲートと連通ずる内縁開口の切欠
きを設けて、リードフレームと同じレベルとなるこの切
欠きの開口を成形空間に対する樹脂注入口とすることに
より、上記バランスがとれるようにしたものである。し
かしながらこの方策は、上記樹脂注入口の大きさがリー
ドフレームの厚さに影響されて、その大きさを適切に設
定し得なくなる場合が生じ樹脂成形が不安定になる恐れ
がある。
岐したゲートのキャビティに開口する部分を塞ぎ、リー
ドフレーム外枠にこのゲートと連通ずる内縁開口の切欠
きを設けて、リードフレームと同じレベルとなるこの切
欠きの開口を成形空間に対する樹脂注入口とすることに
より、上記バランスがとれるようにしたものである。し
かしながらこの方策は、上記樹脂注入口の大きさがリー
ドフレームの厚さに影響されて、その大きさを適切に設
定し得なくなる場合が生じ樹脂成形が不安定になる恐れ
がある。
即ち、周知のように、成形空間に対する樹脂注入口の大
きさは、樹脂成形の安定性に影響を与えることから、経
験などを通して適切に設定される必要があるものである
。
きさは、樹脂成形の安定性に影響を与えることから、経
験などを通して適切に設定される必要があるものである
。
そこで本発明は、リードフレームを樹脂成形の上型及び
下型で挟持し、上記二つの型のキャビティが形成する成
形空間に樹脂を注入する半導体装置の製造方法において
、樹脂成形を安定させた状態で成形樹脂内におけるリー
ドフレームの変形を防止させるために、成形空間に対す
る樹脂注入口の大きさを適切に設定しながらリードフレ
ームを挟む上記二つのキャビティに対する樹脂注入のバ
ランスがとれるようにすることを目的とする。
下型で挟持し、上記二つの型のキャビティが形成する成
形空間に樹脂を注入する半導体装置の製造方法において
、樹脂成形を安定させた状態で成形樹脂内におけるリー
ドフレームの変形を防止させるために、成形空間に対す
る樹脂注入口の大きさを適切に設定しながらリードフレ
ームを挟む上記二つのキャビティに対する樹脂注入のバ
ランスがとれるようにすることを目的とする。
上記目的は、上記二つの型の一方の型にはランナから分
岐しリードフレームの外枠の片面に接して酸型のキャビ
ティに開口する第１ゲートを、他方の型には第１ゲート
と対向し該外枠の反対面に接して酸型のキャビティに開
口する該外枠部分に限られた第２ゲートを設けると共に
、リードフレームの外枠の上記第１及び第２ゲートで挟
まれる領域には両ゲートを連通させる孔または内縁開口
の切欠を設けて、上記ランナからの樹脂が、第１ゲート
と共に上記孔または切欠を通して第２ゲートからも上記
成形空間に注入されるようにした本発明の製造方法によ
って解決される。
岐しリードフレームの外枠の片面に接して酸型のキャビ
ティに開口する第１ゲートを、他方の型には第１ゲート
と対向し該外枠の反対面に接して酸型のキャビティに開
口する該外枠部分に限られた第２ゲートを設けると共に
、リードフレームの外枠の上記第１及び第２ゲートで挟
まれる領域には両ゲートを連通させる孔または内縁開口
の切欠を設けて、上記ランナからの樹脂が、第１ゲート
と共に上記孔または切欠を通して第２ゲートからも上記
成形空間に注入されるようにした本発明の製造方法によ
って解決される。
この製造方法では、上記一方の型のキャビティが第１ゲ
ートから樹脂を注、入されると同時に、リードフレーム
に対して反対側である上記他方の型のキャビティが第２
ゲートから樹脂を注入される。
ートから樹脂を注、入されると同時に、リードフレーム
に対して反対側である上記他方の型のキャビティが第２
ゲートから樹脂を注入される。
このことから、リードフレームを挟む上記二つのキャビ
ティに対する樹脂注入のバランスがとれるようになり、
成形樹脂内におけるリードフレームの変形が防止される
。
ティに対する樹脂注入のバランスがとれるようになり、
成形樹脂内におけるリードフレームの変形が防止される
。
然も、第１及び第２ゲートそれぞれのキャビティに対す
る開口の大きさを適宜に設定し得ることから、成形空間
に対する樹脂注入口の大きさを適切に設定することが可
能であり、然も樹脂流のランナからの分岐が一つである
ため、樹脂成形を安定したものにすることができる。
る開口の大きさを適宜に設定し得ることから、成形空間
に対する樹脂注入口の大きさを適切に設定することが可
能であり、然も樹脂流のランナからの分岐が一つである
ため、樹脂成形を安定したものにすることができる。
以下本発明の実施例について第１図及び第２図を用いて
説明する。第１図（ａ）（ｂ）は第１実施例を説明する
側断面図とリードフレームの模式平面図、第２図（ａ）
（ハ）は第２実施例を説明する側断面図とリードフレー
ムの模式平面図、である。
説明する。第１図（ａ）（ｂ）は第１実施例を説明する
側断面図とリードフレームの模式平面図、第２図（ａ）
（ハ）は第２実施例を説明する側断面図とリードフレー
ムの模式平面図、である。
第１実施例を説明する第１図（ａ）において、３０及び
４０は第１図（ロ）に示すリードフレームＩＢを挟持す
る下型及び上型である。
４０は第１図（ロ）に示すリードフレームＩＢを挟持す
る下型及び上型である。
下型３０には、従来例の下型１０と同様に、成形空間を
形成するキャビティ３１と、樹脂注入時の樹脂流路とな
るランナ３３と、ランナ３３から分岐しリードフレーム
ＩＢの外枠１ａ （第１図（ｂ）に図示）の片面に接し
てキャビティ３１に開口するゲート３２（前述の第１ゲ
ート）とを設けである。
形成するキャビティ３１と、樹脂注入時の樹脂流路とな
るランナ３３と、ランナ３３から分岐しリードフレーム
ＩＢの外枠１ａ （第１図（ｂ）に図示）の片面に接し
てキャビティ３１に開口するゲート３２（前述の第１ゲ
ート）とを設けである。
また、上型４０には、従来例の上型２０と同様にリード
フレームＩＢを挟んでキャビティ３１と共に成形空間を
形成するキャビティ４１を設けてあり、更に、ゲート３
２と対向し上記外枠１ａの反対面に接してキャビティ４
１に開口する該外枠１ａ部分に限られたゲート４２（前
述の第２ゲート）を設けである。
フレームＩＢを挟んでキャビティ３１と共に成形空間を
形成するキャビティ４１を設けてあり、更に、ゲート３
２と対向し上記外枠１ａの反対面に接してキャビティ４
１に開口する該外枠１ａ部分に限られたゲート４２（前
述の第２ゲート）を設けである。
そして、リードフレームＩＢは、第１図（ハ）に示すよ
うに、従来例の場合のリードフレームＩＡの外枠１ａに
孔１ｂを設けたものである。この孔１ｂは、ゲート３２
及び４２で挟まれる領域に位置してゲート４２のキャビ
ティ４１に対する開口よりも大きくしてあり、リードフ
レームＩＢが下型３０及び上型４０で挟持された際にゲ
ート３２及び４２を連通させる。
うに、従来例の場合のリードフレームＩＡの外枠１ａに
孔１ｂを設けたものである。この孔１ｂは、ゲート３２
及び４２で挟まれる領域に位置してゲート４２のキャビ
ティ４１に対する開口よりも大きくしてあり、リードフ
レームＩＢが下型３０及び上型４０で挟持された際にゲ
ート３２及び４２を連通させる。
このようにしであることから樹脂は、不図示のポット部
からランナ３３及びゲート３２を通ってキャビティ３１
に注入されると同時に、ゲート３２から孔１ｂ及びゲー
ト４２を通ってキャビティ２１にも注入され、キャビテ
ィ３１及び４１が形成する成形空間を充填して成形樹脂
となり、従来例の場合と同様な封正体を形成する。
からランナ３３及びゲート３２を通ってキャビティ３１
に注入されると同時に、ゲート３２から孔１ｂ及びゲー
ト４２を通ってキャビティ２１にも注入され、キャビテ
ィ３１及び４１が形成する成形空間を充填して成形樹脂
となり、従来例の場合と同様な封正体を形成する。
そしてこの封止方法では、樹脂が上述のように注入され
ることから、リードフレームＩＢを挟む一つのキャビテ
ィ３１及び４１に対する樹脂注入のバランスがとれるよ
うになり、成形樹脂内におけるリードフレームＩＢの変
形が防止される。
ることから、リードフレームＩＢを挟む一つのキャビテ
ィ３１及び４１に対する樹脂注入のバランスがとれるよ
うになり、成形樹脂内におけるリードフレームＩＢの変
形が防止される。
但し、先に述べたように、キャビティに対するゲートの
開口の大きさは、樹脂成形を安定させるために適切に設
定される必要があることから、ゲート３２及び４２の開
口それぞれの大きさは、従来例のゲート１２の開口より
も小さくするのが望ましく、またゲート３２と４２の間
でも開口の大きさの配分を適切にするのが望ましい。
開口の大きさは、樹脂成形を安定させるために適切に設
定される必要があることから、ゲート３２及び４２の開
口それぞれの大きさは、従来例のゲート１２の開口より
も小さくするのが望ましく、またゲート３２と４２の間
でも開口の大きさの配分を適切にするのが望ましい。
本発明者は、このようにして樹脂封止した半導体装置を
解体してリードフレームＩＢが変形していないのを確認
し、また、その樹脂成形が安定しているのを確認した。
解体してリードフレームＩＢが変形していないのを確認
し、また、その樹脂成形が安定しているのを確認した。
第２の実施例を説明する第２図（ａ）において、この実
施例は、第２図ら）に示すリードフレームＩＣを下型３
０及び上型４０で挟持して樹脂を注入するものである。
施例は、第２図ら）に示すリードフレームＩＣを下型３
０及び上型４０で挟持して樹脂を注入するものである。
リードフレームＩＣは、先のリードフレームＩＢに設け
た孔１ｂを外枠１ａに対して内縁開口の切欠ＩＣに変え
たものである。この切欠ＩＣは、リードフレームＩＣが
下型３０及び上型４０で挾持された際に、ゲー１〜３２
及び４２を連通させると共に、ゲート３２及び４２と一
緒になってキャビティ３１及び４１が形成する成形空間
に対する樹脂注入口を形成する。
た孔１ｂを外枠１ａに対して内縁開口の切欠ＩＣに変え
たものである。この切欠ＩＣは、リードフレームＩＣが
下型３０及び上型４０で挾持された際に、ゲー１〜３２
及び４２を連通させると共に、ゲート３２及び４２と一
緒になってキャビティ３１及び４１が形成する成形空間
に対する樹脂注入口を形成する。
従って樹脂は、不図示のポット部からランナ３３及びゲ
ート３２の前半を通ってゲート３２の後半、切欠１ｃ及
びゲート４２に入り上記樹脂注入口から上記成形空間に
注入され、その成形空間を充填して成形樹脂となり、先
の実施例と同様な封止体を形成する。
ート３２の前半を通ってゲート３２の後半、切欠１ｃ及
びゲート４２に入り上記樹脂注入口から上記成形空間に
注入され、その成形空間を充填して成形樹脂となり、先
の実施例と同様な封止体を形成する。
その場合、切欠１ｃが上記樹脂注入口の一部を構成する
ことから、ゲート３２及び４２の開口それぞれの大きさ
は、先に述べた理由により、リードフレームＩＣの厚さ
をも勘案して設定するのが望ましい。
ことから、ゲート３２及び４２の開口それぞれの大きさ
は、先に述べた理由により、リードフレームＩＣの厚さ
をも勘案して設定するのが望ましい。
そして、樹脂が上述のように注入されることから、リー
ドフレームＩＣを挟む二つのキャビティ３１及び４１に
対する樹脂注入のバランスがとれるようになり、成形樹
脂内におけるリードフレームＩＣの変形が防止される。
ドフレームＩＣを挟む二つのキャビティ３１及び４１に
対する樹脂注入のバランスがとれるようになり、成形樹
脂内におけるリードフレームＩＣの変形が防止される。
本発明者は、このようにして樹脂封止した半導体装置を
解体してリードフレームＩＣが変形していないのを確認
し、また、その樹脂成形が安定しているのを確認した。
解体してリードフレームＩＣが変形していないのを確認
し、また、その樹脂成形が安定しているのを確認した。
なお、上述した実施例において、下型３０と上型４０の
上下を逆にしても良いことは言うまでもない。
上下を逆にしても良いことは言うまでもない。
以上の説明から判るように、本発明は、下型及び上型そ
れぞれのキャビティに対して個別にゲトを設けてそれぞ
れの開口の大きさを適宜に設定し得ることから、リード
フレームの変形を防止することができる特徴と共に、樹
脂成形が安定するように成形空間に対する樹脂注入口の
大きさを適切に設定することができる特徴を有し、然も
樹脂流のランナからの分岐を一つにして樹脂成形の安定
性を確実なものにしている。
れぞれのキャビティに対して個別にゲトを設けてそれぞ
れの開口の大きさを適宜に設定し得ることから、リード
フレームの変形を防止することができる特徴と共に、樹
脂成形が安定するように成形空間に対する樹脂注入口の
大きさを適切に設定することができる特徴を有し、然も
樹脂流のランナからの分岐を一つにして樹脂成形の安定
性を確実なものにしている。
以上説明したように本発明の構成によれば、リードフレ
ームを樹脂成形の上型及び下型で挟持し、上記二つの型
のキャビティが形成する成形空間に樹脂を注入する半導
体装置の製造方法において、成形空間に対する樹脂注入
口の大きさを適切に設定しながらリードフレームを挟む
上記二つのキャビティに対する樹脂注入のバランスがと
れるようにすることができて、樹脂成形を安定させた状
態で成形樹脂内におけるリードフレームの変形を防止さ
せ、当該半導体装置の品質を向上させる効果がある。
ームを樹脂成形の上型及び下型で挟持し、上記二つの型
のキャビティが形成する成形空間に樹脂を注入する半導
体装置の製造方法において、成形空間に対する樹脂注入
口の大きさを適切に設定しながらリードフレームを挟む
上記二つのキャビティに対する樹脂注入のバランスがと
れるようにすることができて、樹脂成形を安定させた状
態で成形樹脂内におけるリードフレームの変形を防止さ
せ、当該半導体装置の品質を向上させる効果がある。
第１図（ａ）（ｂ）は第１実施例を説明する側断面図と
リードフレームの模式平面図、 第２図（ａ） Ｏ））は第２実施例を説明する側断面図
とリードフレームの模式平面図、 第３図（ａ）（ｂ）は従来例を説明する側断面図とリー
ドフレームの模式平面図、 である。 図において、 １八、ＩＢ、 ＩＣはリードフレーム、１ａは外枠、 １ｂは孔、 １ｃは切欠、 １０．３０は下型、 ２０．４０は上型、 １１．２１．３１．４１はキャビティ、１２はゲート、 ３２はゲート （第１ゲート）、 ４２はゲート（第２ゲート）、 １３．３３はランナ、 である。 り唄
リードフレームの模式平面図、 第２図（ａ） Ｏ））は第２実施例を説明する側断面図
とリードフレームの模式平面図、 第３図（ａ）（ｂ）は従来例を説明する側断面図とリー
ドフレームの模式平面図、 である。 図において、 １八、ＩＢ、 ＩＣはリードフレーム、１ａは外枠、 １ｂは孔、 １ｃは切欠、 １０．３０は下型、 ２０．４０は上型、 １１．２１．３１．４１はキャビティ、１２はゲート、 ３２はゲート （第１ゲート）、 ４２はゲート（第２ゲート）、 １３．３３はランナ、 である。 り唄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 リードフレームを樹脂成形の下型及び上型で挟持し、
上記二つの型のキャビティが形成する成形空間に樹脂を
注入する半導体装置の封止方法において、 上記二つの型の一方の型にはランナから分岐しリードフ
レームの外枠の片面に接して該型のキャビティに開口す
る第１ゲートを、他方の型には第１ゲートと対向し該外
枠の反対面に接して該型のキャビティに開口する該外枠
部分に限られた第２ゲートを設けると共に、リードフレ
ームの外枠の上記第１及び第２ゲートで挟まれる領域に
は両ゲートを連通させる孔または内縁開口の切欠を設け
て、 上記ランナからの樹脂が、第１ゲートと共に上記孔また
は切欠を通して第２ゲートからも上記成形空間に注入さ
れるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1007002A JP2911906B2 (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1007002A JP2911906B2 (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02186647A true JPH02186647A (ja) | 1990-07-20 |
| JP2911906B2 JP2911906B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=11653876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1007002A Expired - Fee Related JP2911906B2 (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2911906B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0582574A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Mitsui High Tec Inc | 極薄型半導体装置の製造方法 |
| FR2685813A1 (fr) * | 1991-12-30 | 1993-07-02 | Fierkens Richard | Dispositif d'encapsulage en matiere plastique d'un cadre de conducteurs de circuit integre et procede d'encapsulage. |
| JPH06232195A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-19 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法およびリードフレーム |
| US5371044A (en) * | 1991-05-27 | 1994-12-06 | Hitachi, Ltd. | Method of uniformly encapsulating a semiconductor device in resin |
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| JP2911906B2 (ja) | 1999-06-28 |
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