JPH02192192A - 混成集積回路およびその製造方法 - Google Patents

混成集積回路およびその製造方法

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、ハイブリッド集積回路およびその製造方法に
関し、更に詳しくは回路の発熱量が多く高温になり易い
回路部分から発生する熱を放散する構造を有するハイブ
リッド集積回路構造体およびその製造方法に関するもの
である。
［従来の技術］ 従来、ハイブリッド集積回路構造体はセラミック基板、
特にアルミナ基板上に回路部品（又は電子部品という。
）やハイブリッド集積回路が実装されているものである
が、この回路部品やハイブリッド集積回路には発熱量が
多く高温になり易いものがあるにもかかわらず、従来の
セラミック基板は、０．４ｍｍ〜１．０ｍｍの均一の厚
さを有するものが使用されており、特に放熱性について
考慮されていない。
またアルミナ基板の１部分を薄い構造にする場合、例え
ば切削技術を用いることも案として考えられた。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、従来のセラミック基板は０．４ｍｍ〜１
．０ｍｍの均一の厚さを有するため、このような厚いセ
ラミック基板は、熱を遮断してしまい回路ないし回路部
品から発生する熱を十分放散しなく、所謂、放熱性が悪
く回路ないし回路部品の特性を低下させるという問題が
ある。
またこのような発熱量が多く高温となる回路ないし回路
部品の近傍には、熱に影響され易い回路部品を配置する
ことができないので、ハイブリッド集積回路全体の高集
積化、小型化等を妨げるという問題もある。
さらにアルミナ基板等のセラミック基板の１部分を薄い
構造にする案においても、切削により行うことは実質的
に不可能であり、加工方法において適当な方法がないど
うのが実状である。
そこで、本発明者は、前記の問題点に鑑みて、種々研究
を続けた結果、特定の構造又はその製造方法を用いるこ
とによって、前記の問題が解決されることを見出し、本
発明はこれに基づいて発明されたものである。
したがって、本発明の目的は、回路の発熱量が多く高温
になり易い回路部分から発生する熱を放散する構造を有
する優れたハイブリッド集積回路構造体およびその製造
方法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ したがって、本発明の前記目的は、 １）発熱量が多く高温になり易い回路部分を含むハイブ
リッド集積回路を有するセラミック基板において、前記
発熱量が多く高温になり易い回路部分を有する箇所のセ
ラミック基板の厚さを分別的に薄くしたことを特徴とす
るハイブリッド集積回路構造体。
２）前記セラミック基板の厚さの薄い箇所の裏面に放熱
装置または冷却装置を取り付けたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のハイブリッド集積回路構造体。
３）下記の（ａ）〜（ｄ）の工程、すなわち（ａ）複数
枚の薄いセラミック基板を準備し、（ｂ）これらのセラ
ミック基板の少なくとも一つを残して、他のセラミック
基板の前記発熱量が多く高温になり易い回路部分を有す
る箇所に対応する箇所を除去して欠除部を形成し、また
セラミック基板に対する回路の印刷は、前記の欠除部を
形成する前又は後に形成され、ついて （ｃ）前記欠除部を有しない少なくとも一枚のセラミッ
ク基板と欠除部を有するセラミック基板とを接合材料で
接着してハイブリッド集積回路板を形成し、 （ｄ）前記ハイブリッド集積回路板の薄い箇所には発熱
量が多く高温になり易い回路部品を実装し、前記ハイブ
リッド集積回路板の厚い箇所には発熱しない回路部品を
実装してハイブリッド集積回路を形成することを特徴と
するハイブリッド集積回路構造体の製造方法よって達成
された。
［発明の詳細な説明］ 次に本発明を更に具体的に説明する。
本発明において、「発熱量が多く高温になり易い回路部
分」とは、ハイブリッド集積回路の動作時に多量の発熱
を伴なう回路の配線部分および／又は搭載された回路部
品等をいい、また「分別的に薄くした」とは、セラミッ
ク基板の厚さが所望に応じて厚さが異なる意味に用いて
いる。
前記の回路部品や厚膜技術は従来慣用されているものを
使用することができる。
本発明に用いられるセラミック基板は、複数枚重ねて多
層基板を形成するが、この−枚のセラミツク基板の厚さ
ばてきるだけ薄いものであることが必要で、０．０５ｍ
ｍ　〜０．２ｍｍの厚さにされる。
張り合せるセラミック基板の枚数は、０．０５ｍｍのと
きは８〜１０枚、０．２ｍｍのときは４〜５枚程度重ね
るのが好ましい。
このセラミック基板の一部除去は、レーザーまたは金型
、あるいは両者の併用によって行われ所定の大きさ、位
置および数の打ち抜き部分が形成されており、これらの
セラミック基板を複数枚重ねて所望の厚さの基板を形成
する場合には、前記の如く除去されたセラミック基板が
相互に所定位置に配置され、これと回路を形成したセラ
ミック基板とを一体に張り合せることにより、厚さの厚
い部分と薄い部分とを有するセラミック基板が得られる
。
本発明において、回路の形成はセラミック基板に欠除部
を形成する前又は後のいずれでもよいが、好ましくはセ
ラミック基板に欠除部を形成した後がよい。
また、前記の如く得られたセラミック基板の他の実施態
様としては、このセラミック基板の表裏両面及び内部に
回路が形成されていてもよい。
セラミック基板としては、アルミナ基板が好ましいが、
通常用いられるこの種の基板ならば他のものでも用いる
ことができる。
本発明に用いられるセラミック基板は、薄いセラミック
基板を張り合せたものであるが、その張り合せは、薄い
セラミック基板に必要に応じ各種の厚膜印刷を施した後
、焼成する。ついて得られた基板に接合用のガラスペー
ストを印刷し、これらの各層を重ねた後、５００℃〜９
００℃の範囲で焼成することにより基板中に所望の厚膜
部品を内蔵した配線基板が得られる。
接合用のガラスペーストの印刷は、基板面の全面または
部分的に施されるが、好ましくは接合用のガラスペース
トは全面に設けられる。
この１妾合川のガラスペーストとしては、例えばホウ珪
酸ガラス、結晶化ガラス等が挙げられる。
こうようにして得られた配線基板の表面露出部分の凹み
、即ち薄い基板の部分には、ＩＣペアデツプ等の回路部
品（作動時に発熱する。）を実装する。その後、蓋で密
封してもよい。
更にこの部品を搭載したハイブリッド集積回路は、この
ままでもよいが、この裏面には、放熱装置又は冷却装置
を設置する。またこれらの放熱装置又は冷却装置は、蓋
に設けてもよく、蓋と兼用したものでもよいことは明ら
かである。これにより一層の放熱又は冷却効果を得るこ
とができる。
［作用］ 本発明は、セラミック基板の一部を薄く形成し、そこに
回路部品として発熱量が多く高温になり易い電子部品を
設けたのて、この電子部品から発生する熱は蓄積される
ことなく薄いセラミック基板を通して放熱され、さらに
この箇所の裏面に放熱装置又は冷却装置を設けることに
より一層冷却効果を促進する。
［実施例］ 次に、本発明を図面を参照しながら実施例によフて、さ
らに詳しく説明するが、これは本発明の好ましい実施態
様の例を示したもので、本発明はこれに限定されない。
実施例 このうちの２枚に厚膜技術による導体配線２を設ける。
この厚膜技術による導体配線２の印刷は、２枚に限らず
必要な数たけ印刷することができる。
図面は、本発明のハイブリット集積回路構造体の断面図
である。
図面において、１はハイブリッド集積回路構造体であり
、まず０．０５ｍｍの薄いアルミナ基板１１を１枚用意
する。また別に１ｍｍの厚いアルミナ基板１２を用意し
、これは電子部品（例えばＩＣ部品）５を搭載する部分
に対応する箇所のアルミナ基板をレーザー切断装置を用
いて除去し欠除部１０を形成する。
ついで最下部に配置される欠除を有しない１枚と最上部
に配置される欠除を有するアルミナ基板上にそれぞれ厚
膜技術によって導体配線２を設ける。この厚膜技術によ
る導体配線２の印刷は、２枚に限らず必要な数だけ印刷
することができる。
次に、導体配線２を有する薄いアルミナ基板１１上に前
記の欠除部１０を有する薄いアルミナ基板を、欠除部１
０を有しかつ導体配線を有する薄いアルミナ基板を最上
部に重ねて、ガラス接着剤からなるガラス接合剤８を用
いて接着することにより薄いアルミナ基板部分１１と厚
いアルミナ基板部分１２とを有するアルミナ配線基板が
形成される。
３は各配線間を接続するためのスルーホール、である。
こうようにして得られたアルミナ配線基板の厚みのある
アルミナ配線基板部分には、熱を発生しない回路部品４
を搭載し、また薄いアルミナ配線基板部分には、発熱量
が多く高温になり易いＩＣ等の電子部品５を実装してい
る。このＩＣ等の電子部品５を有する部分には蓋が設け
られている。
以上のように構成されたハイブリッド集積回路構造体は
、このままでも放熱効果が得られるが、本発明は、更に
前記のＩＣ等の電子部品５を有する薄いアルミナ基板の
裏面に放熱装置６が設けられており、これにより一層の
放熱効果が得られるものである。この放熱装置６は耐熱
性接着剤を用いて接着される。またこの放熱装置にかえ
て、冷却装置を用いることもでき、特に放熱装置の放熱
容量を超えた電子部品を用いる場合には、この冷却装置
を用いるのが好都谷である。
［発明の効果コ 以上述べた説明から明らかなように、本発明においては
、セラミック基板に薄い部分を形成し、この部分に発熱
量が多く高温になり易い電子部品を設けたので、十分な
放熱効果を有し、それにより回路の発熱部分を高温化す
る事態を防ぎ、低温に維持することが可能となり、した
がって高温化による回路又は回路部品の特性の低下を防
止することができる。また発熱回路部分に近接した場合
、他の熱の影響を受は易く特性の低下を生し易い回路又
は回路部品等を該発熱回路部分に配置することができる
ようになり、これによりハイブリッド集積回路全体の高
集積化、小型化が可能となる。更に全体的な回路の長さ
も短縮することがてきるので、ハイブリッド集積回路の
高速動作を可能とすることができる。
本発明のハイブリッド集積回路構造体は、前述の如く薄
いセラミック基板の裏面に放熱装置にかえて冷却装置を
設けた場合には、更に一層の効果を奏する。
また、本発明の製造方法によれば、−枚の薄し１セラミ
ツク基板をレーザー等の切断器具を用し１て切除し、こ
の複数を張り合せることにより、基板に厚さの厚い部分
と薄い部分とを有するセラミック基板を容易に形成する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
図面は、本発明のハイブリ・ンド集積回路構造体の断面
図である。 符号の説明 １・・・ハイブリッド集積回路構造体 １１・・・薄いアルミナ基板 １２・・・厚いアルミナ基板 ２・・・導体配線 ３・・・スルーホール ４　・　・ ５　・　・ ６　・　・ ７　・　・ ８　・　・ ９　・　・ １０　・ ・回路部品 ・発熱性回路部品 ・放熱又は冷却装置 ・蓋 ・接合材料 ・接着材料 ・・欠除部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）発熱量が多く高温になり易い回路部分を含むハイブ
    リッド集積回路を有するセラミック基板において、前記
    発熱量が多く高温になり易い回路部分を有する箇所のセ
    ラミック基板の厚さを分別的に薄くしたことを特徴とす
    るハイブリッド集積回路構造体。 ２）前記セラミック基板の厚さの薄い箇所の裏面に放熱
    装置または冷却装置を取り付けたことを特徴とする特許
    請求の範囲第１項記載のハイブリッド集積回路構造体。 ３）下記の（ａ）〜（ｄ）の工程、すなわち（ａ）複数
    枚の薄いセラミック基板を準備し、（ｂ）これらのセラ
    ミック基板の少なくとも一つを残して、他のセラミック
    基板の前記発熱量が多く高温になり易い回路部分を有す
    る箇所に対応する箇所を除去して欠除部を形成し、また
    セラミック基板に対する回路の印刷は、前記の欠除部を
    形成する前又は後に形成され、ついで （ｃ）前記欠除部を有しない少なくとも一枚のセラミッ
    ク基板と欠除部を有するセラミック基板とを接合材料で
    接着してハイブリッド集積回路板を形成し、 （ｄ）前記ハイブリッド集積回路板の薄い箇所には発熱
    量が多く高温になり易い回路部品を実装し、前記ハイブ
    リッド集積回路板の厚い箇所には発熱しない回路部品を
    実装してハイブリッド集積回路を形成することを特徴と
    するハイブリッド集積回路構造体の製造方法。
JP1009885A 1989-01-20 1989-01-20 混成集積回路およびその製造方法 Expired - Lifetime JPH0650790B2 (ja)

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