JPH02192496A - 結晶物品及びその形成方法 - Google Patents
結晶物品及びその形成方法Info
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- JPH02192496A JPH02192496A JP1255525A JP25552589A JPH02192496A JP H02192496 A JPH02192496 A JP H02192496A JP 1255525 A JP1255525 A JP 1255525A JP 25552589 A JP25552589 A JP 25552589A JP H02192496 A JPH02192496 A JP H02192496A
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、結晶物品、及び、その形成方法に係り、特に
、複数の単結晶体を堆積面上にその位置が制御されて形
成され、該単結晶体同志の接した部分に形成される粒界
の位置、及び、該単結晶体の大きさが制御された結晶物
品及びその形成方法に関する。
、複数の単結晶体を堆積面上にその位置が制御されて形
成され、該単結晶体同志の接した部分に形成される粒界
の位置、及び、該単結晶体の大きさが制御された結晶物
品及びその形成方法に関する。
本発明は、例えば、半導体集積回路、磁気回路等の電子
素子、光素子、磁気素子、圧電素子、或は、表面音響素
子等の製造に利用される単結晶体に適用される。
素子、光素子、磁気素子、圧電素子、或は、表面音響素
子等の製造に利用される単結晶体に適用される。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕絶縁物
基体上に複数の単結晶体を成長させるＳＯＩ技術の分野
においては、例えば、表面材料間の核形成密度の差によ
る選択核形成に基づいた方法が提案されている（Ｔ、Ｙ
ｏｎｅｈａｒａ ｅｔ ａｌ、（１９８７）Ｅｘｔ
ｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ １
９ｔｈ ＳＳＤＭ。
基体上に複数の単結晶体を成長させるＳＯＩ技術の分野
においては、例えば、表面材料間の核形成密度の差によ
る選択核形成に基づいた方法が提案されている（Ｔ、Ｙ
ｏｎｅｈａｒａ ｅｔ ａｌ、（１９８７）Ｅｘｔ
ｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ １
９ｔｈ ＳＳＤＭ。
１９１）。この結晶形成方法を第３図（Ａ）乃至（Ｃ）
を用いて説明する。まず第３図（Ａ）に示すように核形
成密度の小さい表面３０２をもつ下地材料３０１上に、
表面３０３よりも核形成密度の大きＣ１表面をもつ領域
３０３ａ、３０３ｂを直径ａ９間隔すで配した基体を形
成する。この基体に所定の結晶形成処理を施すなら、領
域３０３ａ、 ３０３ｂの表面にのみ堆積物の結晶核３
０４ａ、３０４ｂが発生し表面３０２の上には起こらな
い（第３図（Ｂ）参照）。そこで領域３０３ａ、 ３０
３ｂの表面を核形成面（Ｓ ＮＤＬ ） ｅ表面３０２
を非核形成面（Ｓ ＮＤＳ ）と呼ぶ。核形成面３０３
ａ、 ３０３ｂに発生した核３０４ａ、３０４ｂをさら
に成長させれば単結晶体３０５ａ、 ３０５ｂとなり（
第３図（Ｃ）参照）、核形成面３０３ａの領域を越えて
非核形成面３０２の上にまで成長し、やがて隣の核形成
面３０３ｂから成長してきた単結晶体３０３ｂと接して
粒界３０６が形成される。従来この結晶形成方法におい
ては、核形成面３０４ａ、３０４ｂに非晶質Ｓｉ３Ｎ４
、非核形成面３０２ ニ８１０２を用イ、ＣＶＤ法によ
ッテＳｌ単結晶体を複数個形成した例（上記論文参照）
、及び、ＳＩＯ□を非核形成面とし、集束イオンビーム
によりＳｉイオンを非核形成面に注入した核形成面とな
る領域を形成し、次いでＣＶＤ法によりＳｔ単結晶体を
複数個形成した例（１９８８年第３５回応用物理学関係
連合講演会２８ ｐ −Ｍ −９）が報告されている。
を用いて説明する。まず第３図（Ａ）に示すように核形
成密度の小さい表面３０２をもつ下地材料３０１上に、
表面３０３よりも核形成密度の大きＣ１表面をもつ領域
３０３ａ、３０３ｂを直径ａ９間隔すで配した基体を形
成する。この基体に所定の結晶形成処理を施すなら、領
域３０３ａ、 ３０３ｂの表面にのみ堆積物の結晶核３
０４ａ、３０４ｂが発生し表面３０２の上には起こらな
い（第３図（Ｂ）参照）。そこで領域３０３ａ、 ３０
３ｂの表面を核形成面（Ｓ ＮＤＬ ） ｅ表面３０２
を非核形成面（Ｓ ＮＤＳ ）と呼ぶ。核形成面３０３
ａ、 ３０３ｂに発生した核３０４ａ、３０４ｂをさら
に成長させれば単結晶体３０５ａ、 ３０５ｂとなり（
第３図（Ｃ）参照）、核形成面３０３ａの領域を越えて
非核形成面３０２の上にまで成長し、やがて隣の核形成
面３０３ｂから成長してきた単結晶体３０３ｂと接して
粒界３０６が形成される。従来この結晶形成方法におい
ては、核形成面３０４ａ、３０４ｂに非晶質Ｓｉ３Ｎ４
、非核形成面３０２ ニ８１０２を用イ、ＣＶＤ法によ
ッテＳｌ単結晶体を複数個形成した例（上記論文参照）
、及び、ＳＩＯ□を非核形成面とし、集束イオンビーム
によりＳｉイオンを非核形成面に注入した核形成面とな
る領域を形成し、次いでＣＶＤ法によりＳｔ単結晶体を
複数個形成した例（１９８８年第３５回応用物理学関係
連合講演会２８ ｐ −Ｍ −９）が報告されている。
しかしながら、これらの単結晶体をその形成位置を制御
して形成する結晶形成法により、単結晶体を複数個、格
子点状に形成した場合には、以下に示すような問題が生
じる場合があり、その際には半導体集積回路、或は、そ
の他の電子的、光学的素子を形成する際に問題が発生す
ることがあった。
して形成する結晶形成法により、単結晶体を複数個、格
子点状に形成した場合には、以下に示すような問題が生
じる場合があり、その際には半導体集積回路、或は、そ
の他の電子的、光学的素子を形成する際に問題が発生す
ることがあった。
第３図（Ａ）乃至（Ｃ）において示した核形成面を非核
形成面上に第４図（Ａ）に示すが如く、格子点状に配し
、結晶成長処理を施すと、例えば核形成面４０３ｅの最
近接核形成面である核形成面４０３ｂから成長した単結
晶体４０４ｂと単結晶体４０４ａが接し、粒界４０５が
形成される。しかし、核形成面４０３ａに対して第２最
近接核形成面４０３ｃとの間隔の中央部の非核形成面４
０２では、単結晶体同志が完全に接することができず、
空隙４０６が生じてしまうことがあった［第４図（Ｂ）
参照］。この空隙４０６は結晶成長処理時間を長くする
ことで、単結晶体の上部が密接し、見掛は上消滅するこ
とはあるが、この単結晶体に半導体集積回路或は、その
他の電子的、光学的素子等を形成すべく単結晶体上部を
エツチング或は、ポリッシング等により除去し、平担化
すると、この空隙４０６が現われることが観察された。
形成面上に第４図（Ａ）に示すが如く、格子点状に配し
、結晶成長処理を施すと、例えば核形成面４０３ｅの最
近接核形成面である核形成面４０３ｂから成長した単結
晶体４０４ｂと単結晶体４０４ａが接し、粒界４０５が
形成される。しかし、核形成面４０３ａに対して第２最
近接核形成面４０３ｃとの間隔の中央部の非核形成面４
０２では、単結晶体同志が完全に接することができず、
空隙４０６が生じてしまうことがあった［第４図（Ｂ）
参照］。この空隙４０６は結晶成長処理時間を長くする
ことで、単結晶体の上部が密接し、見掛は上消滅するこ
とはあるが、この単結晶体に半導体集積回路或は、その
他の電子的、光学的素子等を形成すべく単結晶体上部を
エツチング或は、ポリッシング等により除去し、平担化
すると、この空隙４０６が現われることが観察された。
この空隙４０６には、ＭＯＳトランジスタ、ダイオード
など単結晶体の特質を利用した素子の形成は不可能であ
る。さらに、配線を目的とした薄膜を空隙４０６上に形
成しようとする場合には、平担化後の単結晶体の膜厚が
素子の形成上の要請、及び平担化の制御性の点から数百
λ以上、−膜内には、１μｍ前後であるために、空隙４
０６における非核形成面４０２と単結晶体４０４ａ、
４０４ｂ、 ４０４ｃとの段差部での断線という問題が
生じることがあった。
など単結晶体の特質を利用した素子の形成は不可能であ
る。さらに、配線を目的とした薄膜を空隙４０６上に形
成しようとする場合には、平担化後の単結晶体の膜厚が
素子の形成上の要請、及び平担化の制御性の点から数百
λ以上、−膜内には、１μｍ前後であるために、空隙４
０６における非核形成面４０２と単結晶体４０４ａ、
４０４ｂ、 ４０４ｃとの段差部での断線という問題が
生じることがあった。
したがって、これらの単結晶体をその形成位置を制御し
て形成する結晶形成法により形成した複数の単結晶体を
平担化して、そのうえに半導体集積回路或はその他の素
子等を形成する場合には、核空隙４０６を避けて形成す
る為に回路構成や素子構成が制約され設計上の自由度を
低下させ、或は、素子の小型化にさいし、障害となる場
合があつた。
て形成する結晶形成法により形成した複数の単結晶体を
平担化して、そのうえに半導体集積回路或はその他の素
子等を形成する場合には、核空隙４０６を避けて形成す
る為に回路構成や素子構成が制約され設計上の自由度を
低下させ、或は、素子の小型化にさいし、障害となる場
合があつた。
本発明は上記の諸点に鑑み成されたものであって、その
目的とするところは、半導体集積回路装置やその他の電
子的、光学的素子を設計の自由度の大きさを確保して容
易に作成することが出来ると共に全体を小型化高集積化
することが出来る、位置及び大きさが所望に応じて制御
された状態で基体上に形成された複数の単結晶体を有す
る結晶物品及びその形成方法を提供することである。
目的とするところは、半導体集積回路装置やその他の電
子的、光学的素子を設計の自由度の大きさを確保して容
易に作成することが出来ると共に全体を小型化高集積化
することが出来る、位置及び大きさが所望に応じて制御
された状態で基体上に形成された複数の単結晶体を有す
る結晶物品及びその形成方法を提供することである。
本発明の別の目的は、単結晶体の占有すべき基体上の領
域の形状がｎ角形（ｎ≧５）になるよう単結晶体の発生
位置を制御するために必要な処理を基体に施した後、結
晶成長処理を施し、単結晶体を成長させることにより、
空隙の発生を抑え、上記従来の問題点を解決した結晶物
品及びその形成方法を提供することである。
域の形状がｎ角形（ｎ≧５）になるよう単結晶体の発生
位置を制御するために必要な処理を基体に施した後、結
晶成長処理を施し、単結晶体を成長させることにより、
空隙の発生を抑え、上記従来の問題点を解決した結晶物
品及びその形成方法を提供することである。
本発明の結晶物品は基体と該基体上に設けられている単
結晶体とを有し、該単結晶体の前記基体との接触面の形
状がｎ角形（但しｎ≧５）又は円形であることを特徴と
する。
結晶体とを有し、該単結晶体の前記基体との接触面の形
状がｎ角形（但しｎ≧５）又は円形であることを特徴と
する。
又、本発明の結晶物品の形成方法は表面に凹部が形成さ
れている基体の前記凹部に単結晶体を形成する結晶物品
の形成方法において、前記凹部の上面から見た形状がｎ
角形（但しｎ≧５）又は円形である事を特徴とする。
れている基体の前記凹部に単結晶体を形成する結晶物品
の形成方法において、前記凹部の上面から見た形状がｎ
角形（但しｎ≧５）又は円形である事を特徴とする。
又、本発明の結晶物品の形成方法は、結晶の成長起点を
有する基体に結晶成長処理を施して単結晶体を形成する
結晶物品の形成方法において、前記結晶の成長起点を基
体上の六回対称の位置に配することを特徴とする。
有する基体に結晶成長処理を施して単結晶体を形成する
結晶物品の形成方法において、前記結晶の成長起点を基
体上の六回対称の位置に配することを特徴とする。
基体表面を複数の単結晶体によって埋めようとした場合
、それぞれの単結晶体の占める領域の平均的な形状は、
核形成面を格子点と考えたときに形成されるＷｉｇｎｅ
ｒ−８ｅｉｔｚセル（１つの格子点を中心として、隣接
する格子点との線分の垂直二等分線により囲まれて構成
され、中心の格子点を含む最小区画。）である。
、それぞれの単結晶体の占める領域の平均的な形状は、
核形成面を格子点と考えたときに形成されるＷｉｇｎｅ
ｒ−８ｅｉｔｚセル（１つの格子点を中心として、隣接
する格子点との線分の垂直二等分線により囲まれて構成
され、中心の格子点を含む最小区画。）である。
すなわち、例えば核形成面が４回対象の位置、５回対象
の位置及び６回対象の位置に配された場合、前記セルの
形状はそれぞれ、四角形、五角形及び六角形となる。
の位置及び６回対象の位置に配された場合、前記セルの
形状はそれぞれ、四角形、五角形及び六角形となる。
本発明は核形成面を下地材料表面に設けた凹部の中央に
配し、凹部の上面から見た形状を例えば第３図に示す様
に正方形、正五角形、正六角形など多くの正ｎ角形（ｎ
≧５）に加工して単結晶体が横方向に成長できる領域の
大きさと形状を変えて、結晶成長工程を施したところ、
凹部の上面からみた形状が、正五角形、正六角形等の正
ｎ角形（ｎ≧５）或は、ｎを無限大とした極限状態に相
当する「円」形の場合に、空隙の面積の割合が凹部の形
状を正方形とした場合の空隙の面積の割合の十分の一以
下に減少し、実用上問題ない程度の大きさになることを
知見するに至ったことに基づいている。
配し、凹部の上面から見た形状を例えば第３図に示す様
に正方形、正五角形、正六角形など多くの正ｎ角形（ｎ
≧５）に加工して単結晶体が横方向に成長できる領域の
大きさと形状を変えて、結晶成長工程を施したところ、
凹部の上面からみた形状が、正五角形、正六角形等の正
ｎ角形（ｎ≧５）或は、ｎを無限大とした極限状態に相
当する「円」形の場合に、空隙の面積の割合が凹部の形
状を正方形とした場合の空隙の面積の割合の十分の一以
下に減少し、実用上問題ない程度の大きさになることを
知見するに至ったことに基づいている。
また、本発明は、下地材料の表面に凹部を形成せず平面
の下地材料表面上に核形成面を配して選択成長を行う場
合であっても、成長した結晶体の形状がほぼ前記Ｗｉｇ
ｎｅｒ−８ｅｉｔｚセルの形状であるｎ角形（但し、ｎ
≧５）であれば、結晶体間に形成される空隙の割合が実
用上問題ない程度の大きさにすることができる。
の下地材料表面上に核形成面を配して選択成長を行う場
合であっても、成長した結晶体の形状がほぼ前記Ｗｉｇ
ｎｅｒ−８ｅｉｔｚセルの形状であるｎ角形（但し、ｎ
≧５）であれば、結晶体間に形成される空隙の割合が実
用上問題ない程度の大きさにすることができる。
選択成長法により、成長させる結晶体は、その大きさ、
粒界の位置を制御できるので結晶体を上面から見た形状
がほぼ前述したＷ ｉ ｇ ｎ ｅ ｒ −Ｓ ｅ ｔ
、ｔ ｚセルとなる。
粒界の位置を制御できるので結晶体を上面から見た形状
がほぼ前述したＷ ｉ ｇ ｎ ｅ ｒ −Ｓ ｅ ｔ
、ｔ ｚセルとなる。
ここで前記セルの占有する面積（結晶体の占有すべき面
積）に対する成長した結晶体間の空隙の面積の割合の、
多角形の内角に対する割合を第６図に示す。
積）に対する成長した結晶体間の空隙の面積の割合の、
多角形の内角に対する割合を第６図に示す。
第６図からも明らかなように、多角形の内角が１０００
を越えた付近から空隙の面積が急激に減少することが
わかる。
を越えた付近から空隙の面積が急激に減少することが
わかる。
本発明に於いては基体上に複数の単結晶体をその空隙の
発生を防止すべ（、上記のような単結晶体の埋めるべき
領域の形状を制御するに必要な処理を施した基体に、結
晶形成処理を施せば、空隙の大きさは従来と比べると劇
的に小さ（なり、配線等の際にも断線等の問題がほとん
どなくなる。
発生を防止すべ（、上記のような単結晶体の埋めるべき
領域の形状を制御するに必要な処理を施した基体に、結
晶形成処理を施せば、空隙の大きさは従来と比べると劇
的に小さ（なり、配線等の際にも断線等の問題がほとん
どなくなる。
さらに、本発明によれば、単結晶体が粒界をもって接し
て形成した段差のない平担な単結晶体群が得られるので
、単結晶体に、トランジスタなどの能動素子を形成し、
高速化を図ったうえに粒界を横切る部分にもキャパシタ
、抵抗等の受動素子などを形成し、更なる高密度化を図
ることが出来る。
て形成した段差のない平担な単結晶体群が得られるので
、単結晶体に、トランジスタなどの能動素子を形成し、
高速化を図ったうえに粒界を横切る部分にもキャパシタ
、抵抗等の受動素子などを形成し、更なる高密度化を図
ることが出来る。
以下、第１図及び第２図を用いて本発明による結晶物品
及びその形成方法を説明する。基体上に、結晶の形成さ
れる位置を制御するのに必要な処理を施す。この方法は
、例えば、基体上に非核形成面及び、結晶成長して単結
晶体となる核が唯一形成され得るに十分小さ（、前記非
核形成面より大きな核形成密度を有する核形成面を複数
個所望の位置に配することによってもよい。
及びその形成方法を説明する。基体上に、結晶の形成さ
れる位置を制御するのに必要な処理を施す。この方法は
、例えば、基体上に非核形成面及び、結晶成長して単結
晶体となる核が唯一形成され得るに十分小さ（、前記非
核形成面より大きな核形成密度を有する核形成面を複数
個所望の位置に配することによってもよい。
ここで前記核形成面の核形成密度は前記非核形成面の核
形成裕度より好ましくは１０”倍量上、より好ましくは
１０”倍量上あることが望ましい。
形成裕度より好ましくは１０”倍量上、より好ましくは
１０”倍量上あることが望ましい。
又、基体上に非核形成面及び、微小な単結晶を核非核形
成面上に複数個所望の位置に配する方法であっても良い
。或は、単結晶体の位置制御の方法は本発明の目的が効
果的に達成されるのであれば上記した方法以外の如何な
る方法であっても構わない。いずれの場合においても、
本発明において重要な点は、表面が非核形成面でその上
面からみた形状がｎ角形（ｎ≧５．より望ましくはｎ≧
６）、ダ円形、或は、円形である四部に単結晶体を形成
されるように該単結晶体の位置制御に必要な処理を施す
か、或は、基体に凹部を設けることなく単結晶体をその
Ｗｉｇｎｅｒ−Ｓｅｉｔｚセルがｎ角形成は、円になる
ようにすることにある。
成面上に複数個所望の位置に配する方法であっても良い
。或は、単結晶体の位置制御の方法は本発明の目的が効
果的に達成されるのであれば上記した方法以外の如何な
る方法であっても構わない。いずれの場合においても、
本発明において重要な点は、表面が非核形成面でその上
面からみた形状がｎ角形（ｎ≧５．より望ましくはｎ≧
６）、ダ円形、或は、円形である四部に単結晶体を形成
されるように該単結晶体の位置制御に必要な処理を施す
か、或は、基体に凹部を設けることなく単結晶体をその
Ｗｉｇｎｅｒ−Ｓｅｉｔｚセルがｎ角形成は、円になる
ようにすることにある。
本発明に於いては、前記した様に基体上に凹部を形成し
て、そこに単結晶体を形成する場合に、その凹部の上面
からみた形状を、ｎ角形（ｎ≧５、より望ましくは、ｎ
≧６）、ダ円形、或は、円形等の曲線を有する形状とさ
れる。或は、基体表面に凹部を形成することなしに該基
体表面を複数の単結晶体によって埋めようとした場合に
は、それぞれの単結晶体の占める領域の平均的な形状、
すなわちＷｉｇｎｅｒ−８ｅｉｔｚセルの形状をｎ角形
（ｎ≧５、より望ましくはｎ≧６）、或は、円形等の曲
線を有する形状とする。特に、Ｗｉｇｎｅｒ−３ｅｉｔ
ｚセルの形状を正六角形とすると、蜂の巣構造となり、
単結晶体を空隙の大きさを小さ（して効率よ（結晶体を
基体上に並べることができて望ましい。
て、そこに単結晶体を形成する場合に、その凹部の上面
からみた形状を、ｎ角形（ｎ≧５、より望ましくは、ｎ
≧６）、ダ円形、或は、円形等の曲線を有する形状とさ
れる。或は、基体表面に凹部を形成することなしに該基
体表面を複数の単結晶体によって埋めようとした場合に
は、それぞれの単結晶体の占める領域の平均的な形状、
すなわちＷｉｇｎｅｒ−８ｅｉｔｚセルの形状をｎ角形
（ｎ≧５、より望ましくはｎ≧６）、或は、円形等の曲
線を有する形状とする。特に、Ｗｉｇｎｅｒ−３ｅｉｔ
ｚセルの形状を正六角形とすると、蜂の巣構造となり、
単結晶体を空隙の大きさを小さ（して効率よ（結晶体を
基体上に並べることができて望ましい。
第７図（Ａ）、（Ｂ）にＷｉｇｎｅｒ−３ｅｉｔｚセル
の形状を正六角形とした場合の結晶物品の形成方法の一
例を模式的に示す。
の形状を正六角形とした場合の結晶物品の形成方法の一
例を模式的に示す。
第７図（Ａ）は非核形成面５０１上に核形成面５０２ａ
・・・５０２ｋを配した基体を上面から見た図である。
・・・５０２ｋを配した基体を上面から見た図である。
この基体に結晶成長処理として、熱ＣＶＤ、プラズマＣ
ＶＤ、光ＣＶＤ、スパッタリング等の気相成長法、及び
徐冷法、温度勾配法等の液相成長法を施すことにより、
前記核形成面５０２ａ・・・５０２ｋを結晶成長の起点
として結晶体５０３ａ・・・５０３ｋが選択的に成長す
る。
ＶＤ、光ＣＶＤ、スパッタリング等の気相成長法、及び
徐冷法、温度勾配法等の液相成長法を施すことにより、
前記核形成面５０２ａ・・・５０２ｋを結晶成長の起点
として結晶体５０３ａ・・・５０３ｋが選択的に成長す
る。
このとき形成される結晶体５０３ａ、 ５０３ｂ、 １
５０３ｃ間の空隙５０４の面積は結晶体の占有すべき面
積に対して非常に小さなものとなる。
５０３ｃ間の空隙５０４の面積は結晶体の占有すべき面
積に対して非常に小さなものとなる。
本発明に於いて上記の様に基体表面に設けられた凹部の
形・状がｎ角形（ｎ≧５）又は円形等の曲線を有する形
状とされる理由は第６図に示すごとく、ｎが５を越え、
内角が１８０°を越える直前で（１つの空隙の面積／単
結晶体の占有すべき面積）の値が急激に減少することに
ある。これは、単結晶体の占有すべき形状が単結晶体の
実際の形状に近づくためと考えられる。
形・状がｎ角形（ｎ≧５）又は円形等の曲線を有する形
状とされる理由は第６図に示すごとく、ｎが５を越え、
内角が１８０°を越える直前で（１つの空隙の面積／単
結晶体の占有すべき面積）の値が急激に減少することに
ある。これは、単結晶体の占有すべき形状が単結晶体の
実際の形状に近づくためと考えられる。
第１図（Ａ）、（Ｂ）には、凹部形状が正八角形の場合
の結晶物品の形成方法の一例が示される。
の結晶物品の形成方法の一例が示される。
１０１は基体であり、該基体１０１には、非核形成面１
０２を与える正八角形の平面形状を有する凹部が設けて
あり、その中央には、結晶成長の起点となる核形成面１
０３が設けである。この様な加工処理が施されている基
体に、例えばＣＶＤ法などの気相法や徐冷法等の液相法
等によって結晶成長処理を所定時間所定の条件で施すと
第１図（Ｂ）に示す様に、基体との接触面が略々正八角
形の単結晶体１０４が成長する。
０２を与える正八角形の平面形状を有する凹部が設けて
あり、その中央には、結晶成長の起点となる核形成面１
０３が設けである。この様な加工処理が施されている基
体に、例えばＣＶＤ法などの気相法や徐冷法等の液相法
等によって結晶成長処理を所定時間所定の条件で施すと
第１図（Ｂ）に示す様に、基体との接触面が略々正八角
形の単結晶体１０４が成長する。
第２図（Ａ）、（Ｂ）には、複数の単結晶体を形成する
場合の一例が示される。基体２０２の所定位置には、先
ず所望の深さに正六角形底面形状の凹部２０１ａ、 ２
０１ｂ・・・が図示の如（複数設けられる。
場合の一例が示される。基体２０２の所定位置には、先
ず所望の深さに正六角形底面形状の凹部２０１ａ、 ２
０１ｂ・・・が図示の如（複数設けられる。
凹部２０１ａ、 ２０１ｂの底面、及び基体２０２の
凹部以外の部分は非核形成面となるべ（核形成面よりも
核形成密度が低い材料が選択される。凹部２０１ａ。
凹部以外の部分は非核形成面となるべ（核形成面よりも
核形成密度が低い材料が選択される。凹部２０１ａ。
２０１ｂ・・・の夫々には、核形成面２０３ａ、 ２０
３ｂ・・・が夫々設けられている。
３ｂ・・・が夫々設けられている。
この様に加工して複数の凹部が設けられた基体に、例え
ばＣＶＤ法などの気相法や液相法等によって結晶成長処
理を所定時間所定の条件で施すと第２図（Ｂ）に示す様
に基体との接触面が略々正六角形の単結晶体２０４ａが
成長する。単結晶体２０４ａは、成長時間のコントロー
ルにより、隣り合う同志が互いに接触するまで成長させ
ることも出来る（第２図（Ｂ）参照）し、その途中で結
晶成長処理を止めて各凹部に形成される単結晶体の隣り
合う同志が接触しない状態、即ち、各単結晶体が孤立し
た状態とすることも出来る。
ばＣＶＤ法などの気相法や液相法等によって結晶成長処
理を所定時間所定の条件で施すと第２図（Ｂ）に示す様
に基体との接触面が略々正六角形の単結晶体２０４ａが
成長する。単結晶体２０４ａは、成長時間のコントロー
ルにより、隣り合う同志が互いに接触するまで成長させ
ることも出来る（第２図（Ｂ）参照）し、その途中で結
晶成長処理を止めて各凹部に形成される単結晶体の隣り
合う同志が接触しない状態、即ち、各単結晶体が孤立し
た状態とすることも出来る。
下地材料は、Ｓｉウェハ、石英ガラス、セラミックス基
板等、以降の処理にたいして、適していれば何でも良い
。
板等、以降の処理にたいして、適していれば何でも良い
。
成長させる単結晶体としては、Ｓ ｉ＊ Ｇ ｅ ＋
Ｇ ａ Ａ ｓ ＋ＴｎＰ等の結晶のほか、如何なるも
のでも構わない。
Ｇ ａ Ａ ｓ ＋ＴｎＰ等の結晶のほか、如何なるも
のでも構わない。
核形成面の材料としては例えば、非晶質ＳｉＮ。
非結晶５ｉＯＮ等の核形成密度の高い材料が用いられる
。
。
また下地材料上に結晶成長の起点として熱処理により形
成した単結晶性の種子を配する場合には所望に応じて、
例えばＰ、 Ｂ、 Ａｓ等のドーパントを好ましくはｌ
Ｘｌ０”原子／ｃｒｔ？以上、より好ましくは５Ｘ１０
”原子／ｃｒｄ以上含有する材料を用いてもよい。
成した単結晶性の種子を配する場合には所望に応じて、
例えばＰ、 Ｂ、 Ａｓ等のドーパントを好ましくはｌ
Ｘｌ０”原子／ｃｒｔ？以上、より好ましくは５Ｘ１０
”原子／ｃｒｄ以上含有する材料を用いてもよい。
〔実施例１〕
以下、本発明に基づき複数のＳｉ単結晶体を形成した例
を示す。
を示す。
（１）先ず、Ｓｔ （１００）ウェハ基板を下地材料と
し、熱酸化法により、膜厚１０００人程度０第１の非晶
質酸化シリコン膜を形成した。次にＳｉＨ２Ｃｌ ２と
ＮＨ３を用いた減圧ＣＶＤ法により、非晶質窒化シリコ
ン膜を３００人はど堆積した。次に通常のレジストプロ
セスにより、窒化シリコン膜を１辺２μｍの正方形でこ
れが間隔８０μｍの六方格子点状に配し、その他の領域
には、第１の酸化シリコン膜の表面を露出させるように
パターニング処理した。これを、ＲＩＥ法（反応性イオ
ンエツチング）によりエツチング処理を施し、窒化シリ
コン膜の不要な部分を除去し、核形成面を形成した（第
２図（Ａ）参照）。
し、熱酸化法により、膜厚１０００人程度０第１の非晶
質酸化シリコン膜を形成した。次にＳｉＨ２Ｃｌ ２と
ＮＨ３を用いた減圧ＣＶＤ法により、非晶質窒化シリコ
ン膜を３００人はど堆積した。次に通常のレジストプロ
セスにより、窒化シリコン膜を１辺２μｍの正方形でこ
れが間隔８０μｍの六方格子点状に配し、その他の領域
には、第１の酸化シリコン膜の表面を露出させるように
パターニング処理した。これを、ＲＩＥ法（反応性イオ
ンエツチング）によりエツチング処理を施し、窒化シリ
コン膜の不要な部分を除去し、核形成面を形成した（第
２図（Ａ）参照）。
上記の様にして表面の所定位置に微小な窒化シリコン膜
体からなる核形成面の多数を形成した基体上に通常のＣ
ＶＤ法によって第２の酸化シリコン膜を７０００人厚に
堆積した。この第２の酸化シリコン膜を通常のレジスト
プロセスにより、微小な窒化シリコン膜体を中心にして
、−辺の長さが３０μｍの正六角形の部分だけ第２の酸
化シリコン膜を除去し、前記核形成面が露出するように
パターニング処理した。これに通常のＲＩＥ法によるエ
ツチング処理を施し、第２の酸化シリコン膜の上記不要
部分を除去した（第１図（Ａ）参照）。
体からなる核形成面の多数を形成した基体上に通常のＣ
ＶＤ法によって第２の酸化シリコン膜を７０００人厚に
堆積した。この第２の酸化シリコン膜を通常のレジスト
プロセスにより、微小な窒化シリコン膜体を中心にして
、−辺の長さが３０μｍの正六角形の部分だけ第２の酸
化シリコン膜を除去し、前記核形成面が露出するように
パターニング処理した。これに通常のＲＩＥ法によるエ
ツチング処理を施し、第２の酸化シリコン膜の上記不要
部分を除去した（第１図（Ａ）参照）。
（２）この基体にＣＶＤ法でＳｔの堆積を行った。堆積
条件は下記の通りである。
条件は下記の通りである。
使用ガス（流量比） ： ＳｉＨ２ＣＩ！２ ／ＨＣｌ
／Ｈ２＝０．５３／１．６／１００．０ （ｓ ｌ
ｍ）基体温度、圧カニ １０００℃、１５０Ｔｏｒｒ堆
積時間：９０ｍ１ｎ その結果、格子点状に配した殆ど全ての核形成面を中心
にして、粒径８０μｍのＳｉ単結晶体が成長し、隣の核
形成面から成長したＳｉ単結晶体と接し、粒界を形成し
ていた。しかも、角の部分に形成された空隙の大きさは
全て、０．５μｍ径以下であった。
／Ｈ２＝０．５３／１．６／１００．０ （ｓ ｌ
ｍ）基体温度、圧カニ １０００℃、１５０Ｔｏｒｒ堆
積時間：９０ｍ１ｎ その結果、格子点状に配した殆ど全ての核形成面を中心
にして、粒径８０μｍのＳｉ単結晶体が成長し、隣の核
形成面から成長したＳｉ単結晶体と接し、粒界を形成し
ていた。しかも、角の部分に形成された空隙の大きさは
全て、０．５μｍ径以下であった。
さらに、ＲＩＥ法により、Ｓｉ単結晶体の上部を削り、
平担化した際の空隙の大きさを観察したところ空隙の大
きさは、やはり、全て０．５μｍ径以下であった。
平担化した際の空隙の大きさを観察したところ空隙の大
きさは、やはり、全て０．５μｍ径以下であった。
〔実施例２〕
先ず、Ｓｉ （１００）ウェハ基板を下地材料とし、熱
酸化法により、膜厚１０００人程人程酸化シリコン膜を
形成した。
酸化法により、膜厚１０００人程人程酸化シリコン膜を
形成した。
前記酸化シリコン膜上に非晶質シリコン（以下、ａ−８
ｉと略す。）膜を減圧ＣＶＤ法により、ＳｉＨ４を用い
て、基体温度５６０℃、圧力０．３Ｔｏｒｒで１０００
人厚に堆積した。この堆積膜をＸ線回折で調べたところ
、完全な非晶質であることを確認した。このあと、ａ−
Ｓｉ膜にＰＯＣｌｓを用いた熱拡散により、不純物とし
て燐を７．５Ｘ１０”原子／ｃｒｒｒの漢文でドーピン
グした。
ｉと略す。）膜を減圧ＣＶＤ法により、ＳｉＨ４を用い
て、基体温度５６０℃、圧力０．３Ｔｏｒｒで１０００
人厚に堆積した。この堆積膜をＸ線回折で調べたところ
、完全な非晶質であることを確認した。このあと、ａ−
Ｓｉ膜にＰＯＣｌｓを用いた熱拡散により、不純物とし
て燐を７．５Ｘ１０”原子／ｃｒｒｒの漢文でドーピン
グした。
次に通常のレジストプロセスにより、前記ドーピングさ
れたａ−３ｔ膜（ｒａ−３ｉ （Ｐ）膜」と記す）を１
辺２μｍの正方形でこれが間隔８０μｍの格子点状に配
し、その他の領域には、酸化シリコン膜の表面を露出さ
せるようにパターニング処理した。
れたａ−３ｔ膜（ｒａ−３ｉ （Ｐ）膜」と記す）を１
辺２μｍの正方形でこれが間隔８０μｍの格子点状に配
し、その他の領域には、酸化シリコン膜の表面を露出さ
せるようにパターニング処理した。
これを、通常のＲＩＥ法（反応性イオンエツチング）に
よりエツチング処理を施し、ａ −Ｓ ｉ膜の不要な部
分を除去した。
よりエツチング処理を施し、ａ −Ｓ ｉ膜の不要な部
分を除去した。
さらに、この微小に形成したａ−３ｔ （Ｐ）膜体をア
ニールした。その際の条件は、Ｎ２雰囲気中ア二ル温度
９５０℃、アニール時間２０分とした。尚アニール温度
は、８００℃以上であれば十分である。アニール後、Ｘ
線回折法で調べたところ、上記ａ−８ｉ （Ｐ）膜体の
全てが＜１１１＞方向に基体上面から見た面方位が揃っ
て単結晶化していた（単結晶Ｓｉ （Ｐ）膜体）。尚、
この現象は、Ｙ、Ｗａｄａ ａｎｄ Ｓ、ＮｉｓｈｉＮ
１５ｈｉ。
ニールした。その際の条件は、Ｎ２雰囲気中ア二ル温度
９５０℃、アニール時間２０分とした。尚アニール温度
は、８００℃以上であれば十分である。アニール後、Ｘ
線回折法で調べたところ、上記ａ−８ｉ （Ｐ）膜体の
全てが＜１１１＞方向に基体上面から見た面方位が揃っ
て単結晶化していた（単結晶Ｓｉ （Ｐ）膜体）。尚、
この現象は、Ｙ、Ｗａｄａ ａｎｄ Ｓ、ＮｉｓｈｉＮ
１５ｈｉ。
Ｊ、Ｅｌｅｓｃｔｒｏｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、１２５． １
４９９ （１９７８）ほかでも良（知られているもので
Ａｂｎｏｒｍａｌｑｒａｉｎ ｇｒｏｗｔｈ’ （異
常粒成長）と呼ばれている。
４９９ （１９７８）ほかでも良（知られているもので
Ａｂｎｏｒｍａｌｑｒａｉｎ ｇｒｏｗｔｈ’ （異
常粒成長）と呼ばれている。
上記の様にして表面の所定位置に単結晶Ｓｉ （Ｐ）膜
体からなる核形成面の多数を形成した基体上に通常のＣ
ＶＤ法によって第２の酸化シリコン膜を７０００人堆積
した。この酸化シリコン膜を通常のレジストプロセスに
より、微小な単結晶Ｓｉ （Ｐ）膜体を中心にし、−辺
の長さが３０μｍの正八角形の部分だけ第２の酸化シリ
コン膜を除去し、前記核形成面を露出するようにパター
ニング処理した。これに、ＲＩＥ法によるエツチング処
理を施し、第２の酸化シリコン膜の上記不要な部分を除
去した。
体からなる核形成面の多数を形成した基体上に通常のＣ
ＶＤ法によって第２の酸化シリコン膜を７０００人堆積
した。この酸化シリコン膜を通常のレジストプロセスに
より、微小な単結晶Ｓｉ （Ｐ）膜体を中心にし、−辺
の長さが３０μｍの正八角形の部分だけ第２の酸化シリ
コン膜を除去し、前記核形成面を露出するようにパター
ニング処理した。これに、ＲＩＥ法によるエツチング処
理を施し、第２の酸化シリコン膜の上記不要な部分を除
去した。
この基体にＣＶＤ法でＳｔの堆積を行った。堆積条件は
下記の通りとした。
下記の通りとした。
使用ガス（流量比） ： ５ｉＨ２Ｃ４！ ２／ＨＣＪ
？／Ｈ２＝０．５３／１．７／１００．０ （１７ｍ１
ｎ）基体温度、圧力、 １０００℃、 １５０Ｔｏｒ
ｒ堆積時間：８０ｍ１ｎ その結果、微小な単結晶Ｓｔ （Ｐ）膜体はその結晶性
を保ちながらエピタキシャル成長して、粒径７０μｍは
どのＳｉ単結晶体が成長し、第２の酸化シリコン膜の側
面と接し、第２の酸化シリコン膜の表面を覆った。光学
顕微鏡で観察した結果、空隙の大きさは全て０．５μｍ
径以下であった。
？／Ｈ２＝０．５３／１．７／１００．０ （１７ｍ１
ｎ）基体温度、圧力、 １０００℃、 １５０Ｔｏｒ
ｒ堆積時間：８０ｍ１ｎ その結果、微小な単結晶Ｓｔ （Ｐ）膜体はその結晶性
を保ちながらエピタキシャル成長して、粒径７０μｍは
どのＳｉ単結晶体が成長し、第２の酸化シリコン膜の側
面と接し、第２の酸化シリコン膜の表面を覆った。光学
顕微鏡で観察した結果、空隙の大きさは全て０．５μｍ
径以下であった。
これをアミン水溶液を供給しつつ基体表面にポリッシン
グ布をあて、該ポリッシング布と基体表面とをすり合わ
せてＳｉをエツチングするが酸化シリコンをエツチング
しない選択ポリッシング法により、Ｓｉ単結晶体のポリ
ッシングを行ったところ、第２の酸化シリコン膜をスト
ッパとして、ポリッシングが終了した。この様に処理し
た基体を再び光学顕微鏡で観察したところ、やはり、空
隙の太きさは全て０．５μｍ径以下であった。
グ布をあて、該ポリッシング布と基体表面とをすり合わ
せてＳｉをエツチングするが酸化シリコンをエツチング
しない選択ポリッシング法により、Ｓｉ単結晶体のポリ
ッシングを行ったところ、第２の酸化シリコン膜をスト
ッパとして、ポリッシングが終了した。この様に処理し
た基体を再び光学顕微鏡で観察したところ、やはり、空
隙の太きさは全て０．５μｍ径以下であった。
〔実施例３〕
石英基板を下地材料とし、該石英基板上に直径８０μｍ
、深さ５０００人の円形の凹部が形成されるように通常
のレジストプロセス、及びＲＩＥ法を用いてエツチング
処理を施した。
、深さ５０００人の円形の凹部が形成されるように通常
のレジストプロセス、及びＲＩＥ法を用いてエツチング
処理を施した。
次Ｌ Ｓ ｉ Ｈ２Ｃｌ ２ ＋ Ｎ Ｈ３’；；；
用イた減圧ＣＶＤ法により、窒化シリコン膜を３００人
程堆積した。次に通常のレジストプロセス、及びＲＩＥ
法を用いて窒化シリコン膜を１辺２μｍの正方形で前記
円形の凹部中央に配されるようにエツチング処理し、核
形成面とした基体を形成した。
用イた減圧ＣＶＤ法により、窒化シリコン膜を３００人
程堆積した。次に通常のレジストプロセス、及びＲＩＥ
法を用いて窒化シリコン膜を１辺２μｍの正方形で前記
円形の凹部中央に配されるようにエツチング処理し、核
形成面とした基体を形成した。
この基体にＣＶＤ法によりＳｉの堆積を次の条件で行っ
た。
た。
ガス（流量比） ： ＳｉＨ２Ｃ１２／ＨＣｊ！／Ｈ２
＝０．５３／１．６／１００ （１’／ｍ１ｎ）基板温
度、圧カニ１０００℃、 １５０Ｔｏｒｒ堆積時間：
９０ｍ１ｎ その結果、殆んど全ての核形成面を中心とし、粒径８０
μｍのＳｉ結晶粒が成長し、円形の凹部を埋めつくして
いた。光学顕微鏡により観察したところ凹部側壁近傍に
は、空隙が観察されたが、その大きさは全て０．３μｍ
径以下、中には、光学顕微鏡では空隙の観察されない凹
部もあった。
＝０．５３／１．６／１００ （１’／ｍ１ｎ）基板温
度、圧カニ１０００℃、 １５０Ｔｏｒｒ堆積時間：
９０ｍ１ｎ その結果、殆んど全ての核形成面を中心とし、粒径８０
μｍのＳｉ結晶粒が成長し、円形の凹部を埋めつくして
いた。光学顕微鏡により観察したところ凹部側壁近傍に
は、空隙が観察されたが、その大きさは全て０．３μｍ
径以下、中には、光学顕微鏡では空隙の観察されない凹
部もあった。
さらに、通常のＳｔウェハ研磨工程を用いて、Ｓｉ結晶
粒を研磨した。Ｓｉ結晶粒の上面が石英基板上面と同じ
高さになったところで、研磨を終了し、再び光学顕微鏡
で観察すると、やはり空隙の大きさは全て０．３μｍ径
以下であった。
粒を研磨した。Ｓｉ結晶粒の上面が石英基板上面と同じ
高さになったところで、研磨を終了し、再び光学顕微鏡
で観察すると、やはり空隙の大きさは全て０．３μｍ径
以下であった。
〔実施例４〕
まずＳｔ （１００）ウェハを下地材料として熱酸化法
により膜厚１０００人の非晶質酸化シリコン膜をその表
面に形成した。
により膜厚１０００人の非晶質酸化シリコン膜をその表
面に形成した。
次に、ＳｉＨ２Ｃ１ｌ ２とＮＨ３とを用いた通常の減
圧ＣＶＤ法により窒化シリコン膜を３００人堆積させた
。
圧ＣＶＤ法により窒化シリコン膜を３００人堆積させた
。
これに通常のレジストプロセスにより窒化シリコン膜を
１辺２μｍの正方形で、間隔８０μｍの六方格子点状に
核形成面５０２ａ、 ５０２ｂ・・・として配し、その
他の領域は前記非晶質酸化シリコン膜が露出し、非核形
成面５０１となるようにパターニング処理をした基体を
形成した（第７図（Ａ））。
１辺２μｍの正方形で、間隔８０μｍの六方格子点状に
核形成面５０２ａ、 ５０２ｂ・・・として配し、その
他の領域は前記非晶質酸化シリコン膜が露出し、非核形
成面５０１となるようにパターニング処理をした基体を
形成した（第７図（Ａ））。
この基体に実施例１と同様の条件で結晶成長処理したと
ころ六方格子点状に配した核形成面を中心として粒径８
０μｍのＳｌ単結晶体５０３ａが成長し、隣の核形成面
から成長したＳｉ単結晶体５０３ｂと接し、粒界を形成
していた。角の部分に形成された空隙５０４の大きさは
全て０．５μｍμｍ下であった。
ころ六方格子点状に配した核形成面を中心として粒径８
０μｍのＳｌ単結晶体５０３ａが成長し、隣の核形成面
から成長したＳｉ単結晶体５０３ｂと接し、粒界を形成
していた。角の部分に形成された空隙５０４の大きさは
全て０．５μｍμｍ下であった。
本発明によれば、結晶成長処理に先立ち、基体表面に正
ｎ角形又か円形の凹部を設けておくことで該凹部に形成
した単結晶体の表面の平担化処理後単結晶体に半導体集
積回路、或は、その他の電子的、光学的素子の形成にあ
たり、配線の段切れ等の問題をなくし、その回路構成、
或は、歩留まりを著しく向上させることが可能となった
。
ｎ角形又か円形の凹部を設けておくことで該凹部に形成
した単結晶体の表面の平担化処理後単結晶体に半導体集
積回路、或は、その他の電子的、光学的素子の形成にあ
たり、配線の段切れ等の問題をなくし、その回路構成、
或は、歩留まりを著しく向上させることが可能となった
。
また、本発明による結晶物品は、従来の構成では避ける
ことが不可能でありた空隙がないので、半導体集積回路
或は、その他の素子の形成にあたり、その構成上の自由
度を高くすることにより、さら第１図（Ａ）、（Ｂ）は
本発明の基本的な結晶物品の形成工程の一例を説明する
模式的説明図、第２図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の他の結
晶物品の形成工程の一例を説明する模式的説明図である
。
ことが不可能でありた空隙がないので、半導体集積回路
或は、その他の素子の形成にあたり、その構成上の自由
度を高くすることにより、さら第１図（Ａ）、（Ｂ）は
本発明の基本的な結晶物品の形成工程の一例を説明する
模式的説明図、第２図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の他の結
晶物品の形成工程の一例を説明する模式的説明図である
。
第３図は従来技術による結晶物品の形成方法を説明する
模式的説明図である。
模式的説明図である。
第４図は従来技術による結晶物品の形成方法を上面より
見た場合の説明の模式的説明図である。
見た場合の説明の模式的説明図である。
第５図は本発明に於ける基体に設ける凹部形成の一例を
説明する模式的説明図である。
説明する模式的説明図である。
第６図は（１つの空隙の面積／単結晶体の占有すべき面
積）と正多角形の内角の大きさの関係を示す図である。
積）と正多角形の内角の大きさの関係を示す図である。
第７図は本発明の詳細な説明するための図である。
１０１ ・・・・・・・・・・・・・・・・・基体１０
２・・・・・・・・・・・・・・非核形成面１０３・・
・・・・・・・・・・・・・核形成面０１ａ ０３ａ ０３ａ ０４ａ ０５ａ 単結晶体 凹部 基体 核形成面 ・・・・・・・・・・・・・・・・・基体非核形成面 核形成面 核 単結晶体 ０４Ｌ π シ ル ♂ρ ｈで ／Ｕ θ・ ９１角形の内角 第７区
２・・・・・・・・・・・・・・非核形成面１０３・・
・・・・・・・・・・・・・核形成面０１ａ ０３ａ ０３ａ ０４ａ ０５ａ 単結晶体 凹部 基体 核形成面 ・・・・・・・・・・・・・・・・・基体非核形成面 核形成面 核 単結晶体 ０４Ｌ π シ ル ♂ρ ｈで ／Ｕ θ・ ９１角形の内角 第７区
Claims (5)
- （１）基体と該基体上に設けられている単結晶体とを有
し、該単結晶体の前記基体との接触面の形状がｎ角形（
但しｎ≧５）又は円形である事を特徴とする結晶物品。 - （２）前記ｎが６である請求項１に記載の結晶物品。
- （３）表面に凹部が形成されている基体の前記凹部に単
結晶体を形成する結晶物品の形成方法に於いて、前記凹
部の上面からみた形状がｎ角形（但しｎ≧５）又は円形
である事を特徴とする結晶物品の形成方法。 - （４）前記ｎが６である請求項３に記載の結晶物品の形
成方法。 - （５）結晶の成長起点を有する基体に結晶成長処理を施
して単結晶体を形成する結晶物品の形成方法において、
前記結晶の成長起点を基体上の六回対称の位置に配する
ことを特徴とする結晶物品の形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE68913257T DE68913257T2 (de) | 1988-10-02 | 1989-09-29 | Gegenstand aus Kristall und Verfahren zu seiner Herstellung. |
| EP89309980A EP0365166B1 (en) | 1988-10-02 | 1989-09-29 | Crystal article and method for forming same |
| JP1255525A JP2603342B2 (ja) | 1988-10-02 | 1989-09-29 | 結晶物品及びその形成方法 |
| US08/445,555 US5582641A (en) | 1988-10-02 | 1995-05-22 | Crystal article and method for forming same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24781688 | 1988-10-02 | ||
| JP63-247816 | 1988-10-02 | ||
| JP1255525A JP2603342B2 (ja) | 1988-10-02 | 1989-09-29 | 結晶物品及びその形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02192496A true JPH02192496A (ja) | 1990-07-30 |
| JP2603342B2 JP2603342B2 (ja) | 1997-04-23 |
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ID=26538435
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1255525A Expired - Fee Related JP2603342B2 (ja) | 1988-10-02 | 1989-09-29 | 結晶物品及びその形成方法 |
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|---|---|
| US (1) | US5582641A (ja) |
| EP (1) | EP0365166B1 (ja) |
| JP (1) | JP2603342B2 (ja) |
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