JPH02192781A - ホール素子および磁気センサシステム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明はホール素子および磁気センサシステムに関す
るものであり、特に、装置の規模を小さくすることがで
きるように改良されたホール素子および磁気センサシス
テムに関するものである。

［従来の技術］ 従来の磁気センサシステムの説明に入る前に、ホール効
果について説明しておく。第１３図はホール効果を説明
するための概念図である。第１３図を参照して、Ｘ軸方
向に−様な電流Ｉｘが流れている細長い導体の板に、垂
直な磁場Ｈｚを加えると、Ｈ２，Ｉ。に垂直な方向ｙに
起電力Ｅｙが生じ、外部で接続された導体ＡＣＢに電流
が流れる。この現象をホール効果といい、簡易磁場検出
器、方位検出器等に利用されている。

第１４図は、従来のホール素子を用いた磁気センサシス
テムの概念図である。ホール素子１０がＸ−Ｙ平面、Ｙ
−Ｘ平面およびＺ−Ｘ平面に配置されている。それぞれ
のホール素子の出力端子は、切換スイッチ１１を介して
、Ａ／Ｄ変換器１２に電気的接続され、Ａ／Ｄ変換変換
器１２はディジタル信号処理回路１３に電気的接続され
ている。

次に、従来のホール素子１０の構造について説明する。

第１５図は、従来のホール素子の斜視図であり、第１６
図は第１５図における矢印ＸＶＩの方向から見た矢視図
であり、第１７図は第１５図における矢印Ｘ■の方向か
ら見た矢視図であり、第１８図は第１５図における矢印
Ｘ■の方向から見た矢視図である。これらの図を参照し
て、ホール素子１０はＰ型半導体基板１４を備えている
。Ｐ型半導体基板１４は、表面１４ａと裏面１４ｂと側
面１４ｃを有している。Ｐ型半導体基板１４内にはＮ型
半導体領域７が設けられている。Ｎ型半導体領域７を側
方から挾むように１対の電流電極９，９が設けられてい
る。さらに、Ｎ型半導体領域７を、上記１対の電流電極
９．９の配置された方向に対して直交する方向から挾む
ように１対のホール電圧検知電極８．８が設けられてい
る。次に、これらの図を参照して、ホール素子１０の動
作について説明する。１対の電流電極９，９間に電流を
流し、矢印Ｘ■の方向（すなわち、基板に対して垂直な
方向）からＮ型半導体領域７に磁束成分Ｂを導入すると
、ホール効果によって、ホール電圧検知電極８８間にホ
ール起電力が、生じる。

第１４図に戻って、従来の磁気センサシステムは、上述
のようなホール素子１０をＸ−Ｙ平面。

Ｙ−Ｚ平面およびＺ−Ｘ平面に配置することにより、構
成されている。Ｘ−Ｙ平面に配置されたホール素子１０
は、磁束のＺ軸方向の成分Ｂ２を検出し、Ｙ−Ｘ平面に
配置されたホール素子１０は磁束のＸ軸方向の成分Ｂｘ
を検出し、Ｚ−Ｘ平面に配置されたホール素子１０は磁
束のＹ軸方向の成分ＢＹを検出する。そして、切換スイ
ッチ１１によって、各方向の磁束成分を別々にＡ／Ｄ変
換器１２に入力し、その後、ディジタル信号処理回路１
３によって、その大きさ、方向などが計算される。

次に、従来のホール素子の製造方法について説明する。

第１９Ａ図〜第１９Ｆ図は、従来のホール素子の製造工
程を斜視図で示したものである。第１９Ａ図を参照して
、Ｐ型半導体基板１４の上にレジスト１５を塗布する。

次に、第１９Ｂ図を参照して、電流電極およびホール電
圧検知電極を形成する部分のレジスト１５を開口する。

次に、第１９Ｃ図を参照して、レジスト１５をマスクに
して、Ｎ十型不純物イオン１６を注入し、その後、該Ｎ
＋型不純物イオンをＰ型半導体基板１４内に拡散させる
。次にレジスト１５を除去する。これによって、電流電
極およびホール電圧検知電極が形成される。次に、第１
９Ｄ図を参照して、Ｐ型半導体基板１４の全面にレジス
ト１７を塗布し、レジスト１７の電流電極およびホール
電圧の検知電極に挾まれた部分を開口する。次に、第１
９Ｅ図を参照して、レジスト１７をマスクにしてＮ型不
純物イオン１８をイオン注入し、その後、該Ｎ＋型不純
物イオンをＰ型半導体基板１４内に拡散させる。こうし
て、第１９Ｆ図を参照して、Ｐ型半導体基板１４内に、
１対の電流電極９．つと、１対のホール電圧検知電圧８
．８と、これら１対の電流電極９，９および１対のホー
ル電圧検知電極８゜８によって挾まれたＮ型半導体領域
７とが形成される。

［発明が解決しようとする課題］ 従来のホール素子および磁気センサステムは以上のよう
に構成されており、第１４図を参照して、ホール素子１
０を３方向に配置する必要があり、その結果、装置の規
模が大きくなるという問題点があった。装置の規模が大
きくなると、消費電力も大きくなり、問題であった。

それゆえに、この発明の目的は、装置の規模の小型化が
図れるホール素子を提供することを目的とする。

この発明の他の目的は、消費電力を少なくできる磁気セ
ンサシステムを提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ この発明にかかるホール素子は、表面、裏面および該表
面と裏面を接続する側面を有する基板と、上記基板内に
設けられた半導体領域と、上記基板内に設けられ、上記
半導体領域を表面側および裏面側から挾むように設けら
れた１対の電流電極と、上記基板内に設けられ、上記半
導体領域を側面側から挾むように設けられた１対のホー
ル電圧検知電極と、を備えている。

この発明にかかる磁気センサは、第１の基板と、該第１
の基板の上に設けられた第２の基板とを備え、上記第１
の基板は、該第１の基板に対して垂直な方向の磁束成分
を検出する第１のホール素子を含み、上記第２の基板は
、上記第１のホール素子の検出する磁束成分の磁界方向
に対して垂直な方向の磁束成分を検出する第２のホール
素子を含んでいる。

また、当該磁気センサシステムの好ましい実施態様によ
れば、上記第２の基板の上に設けられた第３の基板をさ
らに備え、上記第３の基板は、上記第１のホール素子お
よび上記第２のホール素子が検出する磁束成分の磁界方
向と直交する方向の磁束成分を検出する第３のホール素
子を含む。

さらに、当該磁気センサシステムは、上記第３の基板の
上に設けられた第４の基板をさらに備え、上記第４の基
板にはＡ／Ｄ変換器と、該Ａ／Ｄ変換器に電気的接続さ
れたディジタル信号処理回路が形成され、上記第１のホ
ール素子、上記第２のホール素子および上記第３のホー
ル素子の出力端は上記Ａ／Ｄ変換器に電気的接続されて
いるのが好ましい。

［作用］ この発明にかかるホール素子によれば、基板内に設けら
れた半導体領域を、基板の表面側および裏面側から挾む
ように１対の電流電極が設けられ、さらに、上記半導体
領域を側面側から挾むように設けられた１対のホール電
圧検知電極が設けられているので、基板を水平面内に置
いたときに、基板に対して平行な方向の磁束成分を検出
できる。

したがって、第１５図に示す従来のホール素子の上にこ
のホール素子を積上げて、磁気センサシステムを構成す
ることが可能となり、磁気センサシステムの装置の規模
の小型化が図れるようになる。

また、この発明にかかる磁気センサシステムによれば、
第１の基板と、該第１の基板の上に設けられた第２の基
板とを備え、上記第１の基板は、該第１の基板に対して
垂直な方向の磁束成分を検出する第１のホール素子を含
み、上記第２の基板は、上記第１のホール素子の検出す
る磁束成分の磁界方向に対して垂直な方向の磁束成分を
検出する第２のホール素子を含んでいる。これにより２
方向の磁束成分を検出できる。そして、１１の基板の上
に第２の基板を積上げるという構成であるので、ホール
素子間の距離が短くなる。その結果、従来の磁気センサ
システムと比べて、消費電力が少なくなる。

また、上記第２の基板の上に第３の基板をさらにＭ重ね
、この第３の基板内に、上記第１のホール素子および上
記第２のホール素子が検出する磁束成分の磁界方向と直
交する方向の磁束成分を検出する第３のホール素子を含
ませると、３方向の磁束成分を検出できるようになる。

この場合にも、ホール素子間の距離が従来の磁気センサ
システムに比べて短くなり、消費電力が少なくなる。

さらに、上記第３の基板の上に第４の基板を積重ね、こ
の第４の基板にＡ／Ｄ変換器と、該Ａ／Ｄ変換器に電気
的接続されたディジタル信号処理回路を形成し、上記第
１のホール素子、第２のホール素子および第３のホール
素子を上記Ａ／Ｄ変換器に電気的接続すると、磁束成分
の大きさ、方向などが計算される。この場合にも、各素
子間の距離は従来の磁気センサシステムに比べて短くな
り、消費電力が少なくなる。

［実施例］ 以下、この発明の実施例を図について説明する。

第１図は、この発明にかかる磁気センサシステムの概念
図である。

第１図を参照して、第１の基板１の上に絶縁膜５ａを介
して第２の基板２が設けられ、第２の基板２の上に絶縁
膜５ｂを介して第３の基板３が設けられ、第３の基板３
の上に絶縁膜５ｃを介して第４の基板４が設けられてい
る。第１の基板１は、該第１の基板１に対して垂直な方
向の磁束成分Ｂ２を検出する第１のホール素子、たとえ
ば第１５図に示すホール素子を含んでいる。第２の基板
２は、上記第１のホール素子の検出する磁束成分の磁界
方向に対して垂直な方向の磁束成分を検出する第２のホ
ール素子を含む。第３の基板３は、上記第１のホール素
子および上記第２のホール素子が検出する磁束成分の磁
界成分と直交する方向の磁束成分を検出する第３のホー
ル素子を含む。第４の基板にはＡ／Ｄ変換器と、該Ａ／
Ｄ変換器に電気的に接続されたディジタル信号処理回路
が形成されている。・そして、第１のホール素子、第２
のホール素子および第３のホール素子は、スルホール（
図示せず）により、上記Ａ／Ｄ変換器に電気的接続され
ている。次に、第１図に示す磁気センサシステムの動作
を説明する前に、第２の基板２および第３の基板３に形
成された第２のホール素子および第３のホール素子の構
造について説明する。

第２図は、本発明にかかるホール素子の斜視図である。

第３図は第２図における矢印■方向から見た矢視図であ
り、第４図は第２図における矢印■方向から見た矢視図
であり、第５図は第２図における矢印Ｖ方向から見た矢
視図である。これらの図を参照して、ホール素子１０は
Ｐ型半導体基板１４を備える。Ｐ型半導体基板１４は、
表面１４ａと裏面１４ｂと側面１４ｃを有している。Ｐ
型半導体基板１４内には、Ｎ型半導体領域７が設けられ
ている。Ｎ型半導体領域７を、表面１４ａ側および裏面
１４ｂ側から挾むように１対の電流電極９，９が設けら
れている。さらに、Ｎ型半導体基板７を側面１４Ｃ側か
ら挾むように１対のホール電圧検知電極８，８が設けら
れている。

次に、これらの図を参照して、このホール素子の動作に
ついて説明する。１対の電流電極９，９間に電流を流し
、矢印Ｂの方向からＮ型半導体領域７に磁束成分を導入
すると、ホール効果によって、ホール電圧検知電極８，
８間にホール起電力が生じる。

さて、再び第１図に戻って、第２の基板２として、第２
図に示すホール素子を、Ｙ軸方向の磁束成分Ｂｙを検出
できるように、すなわち、矢印Ｖ方向とＹ軸方向を揃え
るように配置する（これを、以下第２のホール素子とい
う）。第３の基板３として、第２図に示すようなホール
素子を、Ｘ軸方向の磁束成分Ｂｘを検出できるように、
すなわち、矢印Ｖ方向とＸ軸方向を揃えるように配置す
る（これを、以下、第３のホール素子という）。

次に、第１図に示す磁気センサシステムの動作について
説明する。

第１の基板１に含まれる第１のホール素子は、Ｚ軸方向
の磁束成分を検出する。第２の基板２に含まれる第２の
ホール素子はＹ軸方向の磁束成分を検出する。第３の基
板３に含まれる第３のホール素子はＸ軸方向の磁束成分
を検出する。こうして、３方向の磁束成分が検出され、
その信号は第４の基板４に形成されたＡ／Ｄ変換器およ
びディジタル信号処理回路に送られ、磁束成分の大きさ
、方向などが計算される。

この実施例によれば、第１の基板１、第２の基板２、第
３の基板３および第４の基板４は１つのチップにまとめ
られるので、装置の規模は小さくなり、小型化が図れる
。また、素子間の距離が従来の磁気センサシステムと比
較して、短くなるので、消費電力が少なくなる。

なお、第１図に示す磁気センサシステムは、第１の基板
１、第２の基板２、第３の基板３および第４の基板４を
絶縁膜５ａ、５ｂ、５ｃを介して貼り合わせることによ
って作成されてもよいし、たとえばシリコンのデポジシ
ョンを繰返し行なうことによって作成されてもよい。

次に、第２図に示すホール素子の製造方法について説明
する。第６Ａ図〜第６Ｆ図は、第２図に示すホール素子
の製造工程を示した図である。

第６Ａ図を参照して、Ｐ型半導体基板１４の上にレジス
ト１５を塗布する。次に、第６Ｂ図を参照して、レジス
ト１５の電流電極を形成する部分を開口する。次に、第
６Ｃ図を参照して、レジスト１５をマスクにして、高い
エネルギでＮ＋型不純物イオン１６を注入し、さらにも
う１回、低いエネルギでＮ＋型不純物イオン１６を注入
する。

すると、第６Ｄ図（第６Ｃ図におけるＤ−Ｄ線に沿う断
面図）を参照して、Ｎ型半導体領域７と、Ｎ型半導体領
域７を表面側および裏面側から挾むように形成された１
対の電流電極９，９が形成される。その理由を第７図を
参照して説明する。第７図を参照して、横軸は表面から
の距離を表わしており、縦軸は不純物濃度を表わしてい
る。曲線１９は、高いエネルギでＮ＋型不純物イオン１
６を注入したときの、Ｎ型不純物の濃度分布曲線を表わ
している。曲線２０は、低いエネルギでＮ十型不純物イ
オン１６を注入したときの、Ｎ型不純物の濃度分布曲線
を表わしている。第７図のようにＮ型不純物が分布する
ので、第６Ｃ図を参照して、レジスト１５をマスクにし
て、高いエネルギでＮ＋不純物イオン１６を注入し、さ
らにもう１回、低いエネルギでＮ＋型不純物イオン１６
を注入すると、Ｎ型半導体領域７が形成され、さらにＮ
型半導体領域７を表面側および裏面側から挾むように１
対の電流電極９，９が形成される。

次に、レジスト１５を除去する。

その後、第６Ｅ図を参照して、Ｐ型半導体基板１４の全
面にレジスト１７を塗布し、レジスト１７のホール電圧
検知電極を形成する部分を開口する。次に、レジスト１
７をマスクにして、Ｎ＋型不純物イオン１６をイオン注
入し、該不純物イオン１６をＰ型半導体基板１４内に拡
散させる。そして、レジスト１７を除去する。

こうして、第６Ｆ図を参照して、表面、裏面および該表
面と該裏面を接続する側面を有する半導体基板１４と、
上記半導体基板内に設けられた半導体領域７と、上記半
導体基板１４内に設けられ、上記半導体領域を表面側お
よび裏面側から挾むように設けられた１対の電流電極９
，９と、上記半導体基板１４内に設けられ、上記半導体
領域７を側面側から挾むように設けられた１対のホール
電圧検知電極８．８とを備えるホール素子が形成される
。

なお、上記実施例では、電流電極、Ｎ型半導体基板およ
びホール電圧検知電極を、ＰＮ接合により、半導体基板
から分離した場合を例示したが、この発明はこれに限ら
れない。

すなわち、第８図に示すような、表面１９ａと裏面１９
ｂと表面１９ａと裏面１９ｂを接続する側方面１９ｃを
有する５ｉ０２基板１９と、上記５ｉ０２基板１９内に
設けられた半導体領域７と、上記５Ｌ０２基板１９内に
設けられ、上記半導体領域７を側方から挾むように設け
られた１対の電流電極９，９と、上記５Ｌ０２基板］９
内に設けられ、上記半導体領域７を、上記１対の電流電
極９．９の配置された方向に対して垂直な方向から挾む
ように設けられた１対のホール電圧検知電極８．８とを
備えたホール素子も、上述の第１のホール素子として使
用できる。この場合には、素子が５ｉ０２で分離されて
いるので、リーク電流の発生は完全に阻止される。

また、第９図に示すような、表面１９ａ１裏面１９ｂお
よび該表面と裏面を接続する側面を有する５ｉ０２基板
１９と、上記５ｉ０２基板内に設けられた半導体領域７
と、上記５ｉ０２基板内に設けられ、上記半導体領域７
を表面１９ａ側および裏面１９ｂ側から挾むように設け
られた１対の電流電極９，９と、上記５ｉ０２基板内に
設けられ、上記半導体領域７を側面側から挾むように設
けられた１対のホール電圧検知電極８，８とを備えたホ
ール素子を、第２のホール素子または第３のホール素子
として利用してもよい。この場合にも、素子が５ｉ０２
で分離されているので、リーク電流の発生は完全に阻止
される。

第１０図は、第８図に示すホール素子の形成方法を説明
するための斜視図である。すなわち、第１０図を参照し
て、シリコン半導体基板２０を準備し、ホール素子を形
成したい部分だけに半導体層２１を形成し、その他の部
分をＬＯＣＯ３法によって酸化する。次いで、第１９Ａ
図〜第１９Ｆ図に示す工程を経由することによって、第
８図に示すホール素子が形成される。

第１１図は、第９図に示すホール素子の形成方法を説明
するための斜視図である。すなわち、第１１図を参照し
て、シリコン半導体基板２０を準備し、ホール素子を形
成したい部分だけに半導体層２１を形成し、その他の部
分をＬＯＣＯ５法によって酸化する。次いで、第６Ａ図
〜第６Ｆ図に示す工程を経由することによって、第９図
に示すホール素子が形成される。

第１２図は、この発明にかかる磁気センサシステムに使
用されるホール素子の他の実施例の平面図（第１６図に
対応するもの）である。第１２図を参照して、Ｎ型半導
体基板２２内に複数個のＰ型頭域２３が形成されている
。Ｐ型頭域２３のそれぞれにはＮ型半導体領域７が形成
されている。

また、Ｐ型頭域２３のそれぞれには、Ｎ型半導体領域７
を側方から挾むように１対の電流電極９゜９が形成され
ている。また、Ｐ型頭域２３のそれぞれには、Ｎ型半導
体領域７を、上記１対の電流電極９，９の配置された方
向に対して垂直な方向から挾むように設けられた１対の
ホール電圧検知電極８．８が設けられている。第１２図
に示すような、基板に対して垂直な方向の磁束成分を検
出するホール素子を複数個含む基板を、第１図に示す磁
気センサシステムに取入れると、チップ内での磁束成分
の変化をも検出できるようになる。なお、複数個のホー
ル素子は、５ｉｎ２基板内に設けられてもよい。

なお、上記実施例では、第１図を参照して、Ｚ軸方向の
磁束成分Ｂ２を検出する第１の基板１と、Ｙ軸方向の磁
束成分ＢＹを検出する第２の基板、Ｘ軸方向の磁束成分
Ｂｘを検出する第３の基板を備えた磁気センサシステム
を例示したが、この発明はこのものに限定されるもので
なく、Ｚ軸方向の磁束成分とＹ軸方向の磁束成分のみを
検出できればよいという磁気センサシステムにおいては
、第３の基板を除去してもよい。

以上、具体的な実施例を挙げて、この発明のホール素子
および磁気センサシステムについて説明したが、本発明
は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、
他の色々な形で実施することができる。それゆえ、前述
の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に
解釈してはならない。本発明の範囲は、特許請求の範囲
によって示すものであって、明細書本文には何ら拘束さ
れない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変
形や変更は、すべて本発明の範囲内のものである。

［発明の効果コ 以上説明したとおり、この発明にかかるホール素子によ
れば、表面、裏面および該表面と裏面を接続する側面を
有する基板と、上記基板内に設けられた半導体領域と、
上記基板内に設けられ、上記半導体領域を表面側および
裏面側から挾むように設けられた１対の電流電極と、上
記基板内に設けられ、上記半導体領域を側面側から挾む
ように設けられた１対のホール電圧検知電極を備えてい
るので、基板を水平面内に置いたときに、基板に対して
平行な方向の磁束成分を検出できる。したがって、従来
のホール素子の上に当該ホール素子を積上げて磁気セン
サシステムを構成することが可能となり、磁気センサシ
ステムの装置の規模の小型化が図れるようになる。

また、この発明にかかる磁気センサシステムによれば、
第１の基板と、該第１の基板の上に設けられた第２の基
板とを備え、上記第１の基板は、該第１の基板に対して
垂直な方向の磁束成分を検出する第１のホール素子を含
み、上記第２の基板内は、上記第１のホール素子の検出
する磁束成分の磁界方向に対して垂直な方向の磁束成分
を検出する第２のホール素子を含んでいる。このように
、第１の基板の上に第２の基板を積上げるという構成を
とっているので、ホール素子間の距離が短くなる結果、
従来の磁気センサシステムと比べて消費電力が少なくな
る。

また、上記第２の基板の上に第３の基板をさらに積重ね
、この第３の基板内に、上記第１のホール素子および上
記第２のホール素子が検出する磁束成分の磁界方向と直
交する方向磁束成分を検出する第３のホール素子を含ま
せると、３方向の磁束成分を検出できるようになる。こ
の場合にも、ホール素子間の距離が従来の磁気センサシ
ステムに比べて短くなり、消費電力が少なくなる。

さらに、上記第３の基板の上に第４の基板を積重ね、こ
の第４の基板にＡ／Ｄ変換器と、該Ａ／Ｄ変換器に電気
的に接続されたディジタル信号処理回路を形成し、上記
第１のホール素子、第２のホール素子および第３のホー
ル素子の出力端を上記Ａ／Ｄ変換器に電気的に接続する
と、磁束成分の大きさ、方向などが計算される。この場
合にも、各素子間の距離は従来の磁気センサシステムに
比べて短くなり、消費電力が少なくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明にかかる磁気センサシステムの概念
図である。第２図は、本発明にかかるホール素子の斜視
・図である。第３図は第２図における矢印■方向から見
た矢視図であり、第４図は第２図における矢印■方向か
ら見た矢視図であり、第５図は第２図における矢印Ｖ方
向から見た矢視図である。第６Ａ図〜第６Ｆ図は、第２
図に示すホール素子の製造工程を示した図である。第７
図は第２図に示すホール素子の製造の原理を説明するた
めの図である。第８図は、この発明にかかるホール素子
の他の実施例の斜視図である。第９図は、この発明にか
かるホール素子のさらに他の実施例の斜視図である。第
１０図は第８図に示すホール素子の製造方法を説明する
ための図である。 第１１図は第１０図に示すホール素子の製造方法を説明
するための図である。第１２図は、この発明にかかるホ
ール素子のさらに他の実施例の斜視図である。第１３図
はホール効果を説明するための図である。第１４図は従
来の磁気センサシステムの概念図である。第１５図は従
来の磁気センサシステムに使用されている従来のホール
素子の斜視図である。第１６図は第１５図における矢印
Ｘ■力方向ら見た矢視図であり、第１７図は第１５図に
おける矢印Ｘ■力方向ら見た矢視図であり、第１８図は
第１５図における矢印Ｘ■力方向ら見た矢視図である。 第１９Ａ図〜第１９Ｆ図は第１５図に示すホール素子の
製造工程を示した図である。 図において、１は第１の基板、２は第２の基板、３は第
３の基板、７はＮ型半導体領域、８はホール電圧検知電
極、９は電流電極、１０はホール素子、１４はＰ型半導
体基板である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）表面、裏面および該表面と該裏面を接続する側面
   を有する基板と、 前記基板内に設けられた半導体領域と、 前記基板内に設けられ、前記半導体領域を表面側および
   裏面側から挾むように設けられた１対の電流電極と、 前記基板内に設けられ、前記半導体領域を側面側から挾
   むように設けられた１対のホール電圧検知電極と、 を備えたホール素子。
2. （２）第１の基板と、該第１の基板の上に設けられた第
   ２の基板とを備え、 前記第１の基板は、該第１の基板に対して垂直の方向の
   磁束成分を検出する第１のホール素子を含み、 前記第２の基板は、前記第１のホール素子の検出する磁
   束成分の磁界方向に対して垂直な方向の磁束成分を検出
   する第２のホール素子を含む、磁気センサシステム。
3. （３）前記第２の基板の上に設けられた第３の基板をさ
   らに備え、 前記第３の基板は、前記第１のホール素子および前記第
   ２のホール素子が検出する磁束成分の磁界方向と直交す
   る方向の磁束成分を検出する第３のホール素子を含む、
   請求項２記載 の磁気センサシステム。
4. （４）前記第３の基板の上に設けられた第４の基板をさ
   らに備え、 前記第４の基板にはＡ／Ｄ変換器と、該Ａ／Ｄ変換器に
   電気的接続されたディジタル信号処理回路が形成され、 前記第１のホール素子、第２のホール素子および第３の
   ホール素子は前記Ａ／Ｄ変換器に電気的接続されている
   、請求項３記載の磁 気センサシステム。