JPH0219461A - スパッタ装置 - Google Patents
スパッタ装置Info
- Publication number
- JPH0219461A JPH0219461A JP63169424A JP16942488A JPH0219461A JP H0219461 A JPH0219461 A JP H0219461A JP 63169424 A JP63169424 A JP 63169424A JP 16942488 A JP16942488 A JP 16942488A JP H0219461 A JPH0219461 A JP H0219461A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering
- shield member
- particles
- spattered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はスパッタ装置に関し、特にスパッタ用ターゲッ
ト、カソードの構造に関するものである。
ト、カソードの構造に関するものである。
従来の技術
金属や絶縁物の成膜方法として、ＤＣスパッタ、ＲＦス
パッタ法は公知である。このような従来のスパッタ用カ
ソードの構造を第２図で説明する。
パッタ法は公知である。このような従来のスパッタ用カ
ソードの構造を第２図で説明する。
１はスパッタ用ターゲット、２はシールド部材、３はバ
ッキングプレート、４は永久磁石Ｎ極、５は永久磁石Ｓ
極、６はＯリング、７はスパッタ用ターゲットを接合し
ているバッキングプレート３の支持台、８はバッキング
プレートを支持台に固定するためのネジ、９はスパッタ
領域、１０はシールド部材の開口部、１１はスパッタ用
電源である。
ッキングプレート、４は永久磁石Ｎ極、５は永久磁石Ｓ
極、６はＯリング、７はスパッタ用ターゲットを接合し
ているバッキングプレート３の支持台、８はバッキング
プレートを支持台に固定するためのネジ、９はスパッタ
領域、１０はシールド部材の開口部、１１はスパッタ用
電源である。
第２図の構成において実際にスパッタする方法を説明す
る。スパッタ装置のチャンバー内を不活性ガス例えばＡ
ｒガスの雰囲気にし、ターゲットの上面は永久磁石４，
５によって磁界をかけておき、スパッタ用ターゲットに
負の電圧、パワーを印加すると、ターゲット上面よりタ
ーゲットの粒子が飛び出し、スパッタが成される。その
飛び出した粒子が、ターゲット１の上方に設置しである
基板に付着し、成膜が成される。
る。スパッタ装置のチャンバー内を不活性ガス例えばＡ
ｒガスの雰囲気にし、ターゲットの上面は永久磁石４，
５によって磁界をかけておき、スパッタ用ターゲットに
負の電圧、パワーを印加すると、ターゲット上面よりタ
ーゲットの粒子が飛び出し、スパッタが成される。その
飛び出した粒子が、ターゲット１の上方に設置しである
基板に付着し、成膜が成される。
発明が解決しようとする課題
ところが、従来のスパッタ用ターゲット１とシールド部
材２の配置を用いた場合、ターゲット１から飛び出した
粒子がシールド部材の開口部１０付近に付着することに
なる。
材２の配置を用いた場合、ターゲット１から飛び出した
粒子がシールド部材の開口部１０付近に付着することに
なる。
この場合、シールド部材の開口部１０付近への粒子の付
着が進めば、付着した粒子がシールド部材２より脱落し
、ターゲツト面に落ち良質なスパッタ膜が得られなくな
る。あるいは、金属材料のスパッタ用ターゲットであれ
ば、ターゲット上面とターゲット上面を覆っている部分
のシールド部材の下面に飛び出した粒子の屑が介在し、
前記飛び出した粒子の屑がターゲットとシールド部材の
両方に接触すれば異常放電が生じるという問題点があっ
た。
着が進めば、付着した粒子がシールド部材２より脱落し
、ターゲツト面に落ち良質なスパッタ膜が得られなくな
る。あるいは、金属材料のスパッタ用ターゲットであれ
ば、ターゲット上面とターゲット上面を覆っている部分
のシールド部材の下面に飛び出した粒子の屑が介在し、
前記飛び出した粒子の屑がターゲットとシールド部材の
両方に接触すれば異常放電が生じるという問題点があっ
た。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、シールド
部材開口部１０への飛び出した粒子の付着を防止、もし
くは極力少なくし、良質な膜、及び異常放電が発生しな
いスパッタ用ターゲット、カソードを提供することを目
的としている。
部材開口部１０への飛び出した粒子の付着を防止、もし
くは極力少なくし、良質な膜、及び異常放電が発生しな
いスパッタ用ターゲット、カソードを提供することを目
的としている。
課題を解決する為の手段
本発明は、上記課題を解決する為、スパッタ用ターゲッ
トの上面の外周全周にわたって段差を設けたターゲット
の段差部に、一定の間隔をもって係合するようシールド
部材を設け、前記シールド部材の上面が、前記ターゲッ
トの上面と面一あるいは前記ターゲットの上面より低く
構成するものである。
トの上面の外周全周にわたって段差を設けたターゲット
の段差部に、一定の間隔をもって係合するようシールド
部材を設け、前記シールド部材の上面が、前記ターゲッ
トの上面と面一あるいは前記ターゲットの上面より低く
構成するものである。
作用
この技術的手段による作用は次の様になる。
シールド部材がターゲット上面を覆わず、かつ、シール
ド部材の上面がターゲットの上面と面一あるいはターゲ
ットの上面より低く構成している為、ターゲットから飛
び出した粒子のシールド部材への付着は防止、あるいは
極めて少なくすることができるので、ターゲット上への
膜層の落下がなくなり、又、異常放電の発生もなくなり
、長期間良質で安定な成膜が可能となる。
ド部材の上面がターゲットの上面と面一あるいはターゲ
ットの上面より低く構成している為、ターゲットから飛
び出した粒子のシールド部材への付着は防止、あるいは
極めて少なくすることができるので、ターゲット上への
膜層の落下がなくなり、又、異常放電の発生もなくなり
、長期間良質で安定な成膜が可能となる。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。第
１図は、本発明の一実施例におけるスパッタ装置の断正
面図である。
１図は、本発明の一実施例におけるスパッタ装置の断正
面図である。
第１図において、３バツキングプレート上にスパッタタ
ーゲット１に接合されており、このバッキングプレート
３はＯリング６を介して支持台１にネジ８で固定されて
いる。また、スパッタ領域を限定するためのシールド部
材２がスパッタ用ターゲット１の上面の外周全周にわた
って段差を設けたターゲットの段差部に約２１１ＩＩｌ
の一定の間隔をもって係合しており、シールド部材２の
上面が、スパッタ用ターゲット１の上面と面一あるいは
スパッタ用ターゲット１の上面より低く構成しである。
ーゲット１に接合されており、このバッキングプレート
３はＯリング６を介して支持台１にネジ８で固定されて
いる。また、スパッタ領域を限定するためのシールド部
材２がスパッタ用ターゲット１の上面の外周全周にわた
って段差を設けたターゲットの段差部に約２１１ＩＩｌ
の一定の間隔をもって係合しており、シールド部材２の
上面が、スパッタ用ターゲット１の上面と面一あるいは
スパッタ用ターゲット１の上面より低く構成しである。
４．５は永久磁石のＮ極とＳ橿であり、スパッタ用ター
ゲット１の上面に磁界を発生させるものである。９はス
パッタ領域で１０はシールド部材の開口部である。１１
はスパッタ用の電源である。
ゲット１の上面に磁界を発生させるものである。９はス
パッタ領域で１０はシールド部材の開口部である。１１
はスパッタ用の電源である。
上記の構成において、スパッタ装置のチャンバー内を不
活性ガス例えばＡｒガスの雰囲気にし、スパッタ用ター
ゲット１の上面を４．５の永久磁石で磁界をかけ、スパ
ッタ用ターゲット１に１１のスパッタ用電源によって負
の電圧、パワーを印加すると、スパッタ用ターゲットｌ
の上面よりターゲットの粒子が飛び出したスパッタが成
される。
活性ガス例えばＡｒガスの雰囲気にし、スパッタ用ター
ゲット１の上面を４．５の永久磁石で磁界をかけ、スパ
ッタ用ターゲット１に１１のスパッタ用電源によって負
の電圧、パワーを印加すると、スパッタ用ターゲットｌ
の上面よりターゲットの粒子が飛び出したスパッタが成
される。
ターゲット上面から飛び出した粒子は放射状に上方に向
かって飛び出すがシールド部材２の上面が、スパッタ用
ターゲット１の上面と面一あるいはスパッタ用ターゲッ
ト１の上面より低く構成しである為、飛び出した粒子が
シールド部材２に付着することはない、あるいは付着し
ても極めて少量である。
かって飛び出すがシールド部材２の上面が、スパッタ用
ターゲット１の上面と面一あるいはスパッタ用ターゲッ
ト１の上面より低く構成しである為、飛び出した粒子が
シールド部材２に付着することはない、あるいは付着し
ても極めて少量である。
例えば、ターゲットの材料によっては、付着力の強いも
の、弱いものがあるが、例えば付着力の弱い５ｉｎｔや
ＺｎＳ等の誘電体は、量産時に大きな問題となるが本発
明の構成を導入する時により容易に解決することができ
る。
の、弱いものがあるが、例えば付着力の弱い５ｉｎｔや
ＺｎＳ等の誘電体は、量産時に大きな問題となるが本発
明の構成を導入する時により容易に解決することができ
る。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、簡易な構成で
シールド部材へのスパッタ粒子の付着がな（なるもしく
は、極めて少なくなるのでシールド部材開口部から膜層
が脱落しターゲット上に乗ることがなく、金属物のター
ゲットの場合、膜層でターゲットとシールド部材が接触
する事による異常放電がなくなる。つまり、膜質が良好
で長時間安定な成膜を行うことができるターゲット、カ
ソードを提供することができる。
シールド部材へのスパッタ粒子の付着がな（なるもしく
は、極めて少なくなるのでシールド部材開口部から膜層
が脱落しターゲット上に乗ることがなく、金属物のター
ゲットの場合、膜層でターゲットとシールド部材が接触
する事による異常放電がなくなる。つまり、膜質が良好
で長時間安定な成膜を行うことができるターゲット、カ
ソードを提供することができる。
第１図は、本発明の一実施例におけるスパッタ装置の断
正面図、第２図は従来のスパッタ装置の断正面図である
。 ■・・・・・・スパッタ用ターゲット、２・旧・・シー
ルド部材、３・・・・・・バッキングプレート。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名○ 永久≧石Ｓｉ
正面図、第２図は従来のスパッタ装置の断正面図である
。 ■・・・・・・スパッタ用ターゲット、２・旧・・シー
ルド部材、３・・・・・・バッキングプレート。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名○ 永久≧石Ｓｉ
Claims (2)
- （１）スパッタ用ターゲットの上面の外周全周にわたっ
て中央部が凸になるような段差を設けたターゲットの段
差部に、一定の間隔をもって係合するようシールド部材
を設けてなるスパッタ装置。 - （２）シールド部材の上面が、ターゲットの上面と面一
、あるいは前記ターゲットの上面より低く構成してなる
請求項１記載のスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63169424A JPH0219461A (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63169424A JPH0219461A (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | スパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0219461A true JPH0219461A (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=15886337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63169424A Pending JPH0219461A (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0219461A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03274265A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-05 | Anelva Corp | スパッタリング装置用カソード及びターゲット |
| US5167789A (en) * | 1991-03-20 | 1992-12-01 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus for coating a substrate |
| US6045670A (en) * | 1997-01-08 | 2000-04-04 | Applied Materials, Inc. | Back sputtering shield |
| JP2013007109A (ja) * | 2011-06-27 | 2013-01-10 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング用のターゲット及びこれを用いたスパッタリング方法 |
-
1988
- 1988-07-07 JP JP63169424A patent/JPH0219461A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03274265A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-05 | Anelva Corp | スパッタリング装置用カソード及びターゲット |
| US5167789A (en) * | 1991-03-20 | 1992-12-01 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus for coating a substrate |
| US6045670A (en) * | 1997-01-08 | 2000-04-04 | Applied Materials, Inc. | Back sputtering shield |
| JP2013007109A (ja) * | 2011-06-27 | 2013-01-10 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング用のターゲット及びこれを用いたスパッタリング方法 |
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