JPH0219620B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0219620B2 JPH0219620B2 JP58166539A JP16653983A JPH0219620B2 JP H0219620 B2 JPH0219620 B2 JP H0219620B2 JP 58166539 A JP58166539 A JP 58166539A JP 16653983 A JP16653983 A JP 16653983A JP H0219620 B2 JPH0219620 B2 JP H0219620B2
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- JP
- Japan
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- growth
- pattern
- growth layer
- substrate
- layer
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- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
- H10P14/263—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition using melted materials
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は基板に対する液相エピタキシヤル成
長法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] This invention relates to a liquid phase epitaxial growth method for a substrate.
従来、第１図に示すように、基板１上に液相エ
ピタキシヤル成長法により第１回目の成長層２を
成長させ、かつこの第１回目の成長層２上に第１
回目のパターン３を形成したのち、さらにこの上
に同じ成長装置により第２回目の成長層４を形成
させた場合には、前記第１回目のパターン３が第
２回目の成長層４により埋められてしまつて、第
２回目の成長層４上に第１回目のパターン３に合
致する第２回目のパターンを形成することが困難
になるものであつた。
Conventionally, as shown in FIG. 1, a first growth layer 2 is grown on a substrate 1 by a liquid phase epitaxial growth method, and a first growth layer 2 is grown on the first growth layer 2.
After forming the pattern 3 for the first time, if a second growth layer 4 is further formed thereon using the same growth apparatus, the first pattern 3 is filled with the second growth layer 4. This makes it difficult to form a second pattern on the second growth layer 4 that matches the first pattern 3.
この発明は従来のこのような欠点に鑑み、第１
回目の成長層上に第１回目のパターンを形成させ
たのち、第２回目の成長層の成長に際して、第１
回目の成長層の一部をカーボンなどにより覆うと
共に、覆われていない部分に選択的にエピタキシ
ヤル成長をなし、この第２回目の成長層上に覆わ
れた部分に残されている第１回目のパターンを基
準にして、第２回目のパターンを容易に形成可能
にしたものである。
In view of these conventional drawbacks, this invention has the first
After forming the first pattern on the second growth layer, the first pattern is formed on the second growth layer.
A part of the second growth layer is covered with carbon, etc., and epitaxial growth is selectively performed on the uncovered part, and the first growth layer remaining on the covered part is grown on the second growth layer. This makes it possible to easily form a second pattern based on the pattern shown in FIG.
以下、この発明方法の一実施例につき、第２図
ないし第５図を参照して詳細に説明する。
Hereinafter, one embodiment of the method of this invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 5.
第２図はこの発明方法によつて得られるエピタ
キシヤル層の構成を第１図対応に示したものであ
り、実施例方法では、基板１上に液相エピタキシ
成長方法により第１回目の成長層２を成長させ、
かつこの第１回目の成長層２上に第１回目のパタ
ーン３を形成させたのち、さらにこの上に同じ成
長装置により第２回目の成長をなすに際して、第
１回目の成長層２の一部をその第１回目のパター
ン３の一部をも含めて覆つておき、この状態で第
２回目の成長層４を成長させ、ついで覆われた部
分に残されている第１回目のパターン３を基準に
して、第２回目のパターン５を形成させるように
したものである。 FIG. 2 shows the structure of the epitaxial layer obtained by the method of the present invention, corresponding to FIG. grow 2,
After forming the first pattern 3 on this first growth layer 2, when performing a second growth on this using the same growth device, a part of the first growth layer 2 is formed. , including a part of the first pattern 3, and grow the second growth layer 4 in this state, and then grow the first pattern 3 remaining in the covered part. A second pattern 5 is formed using this as a reference.
第３図および第４図ａ，ｂはこの実施例方法に
適用するためのプツシユアウト式液相エピタキシ
ヤル成長装置を示していて、第３図は装置の縦断
面図、第４図ａは第１回目成長時での基板部の横
断面図、同図ｂは第２回目成長時での同上横断面
図である。 3 and 4a and 4b show a push-out type liquid phase epitaxial growth apparatus to be applied to this embodiment method, FIG. 3 is a longitudinal cross-sectional view of the apparatus, and FIG. 4a is a first Figure b is a cross-sectional view of the substrate portion during the second growth.
第３図において、符号６は静止部、７は溶液溜
７ａをもつ可動部、８は溶液溜７ａに載せられる
ピストン、９はブリツジ、１０および１１はそれ
ぞれに押え部１０ａ，１１ａをもつ第１回目およ
び第２回目成長用の基板押え、１２は成長対象と
なる基板である。 In FIG. 3, numeral 6 is a stationary part, 7 is a movable part having a solution reservoir 7a, 8 is a piston placed on the solution reservoir 7a, 9 is a bridge, and 10 and 11 are first parts having holding parts 10a and 11a, respectively. A substrate holder 12 for the second and second growth is a substrate to be grown.
この成長装置の場合、溶液溜７ａにソース結晶
を含む溶媒１３を入れ、かつ第１回目成長用の基
板押え１０をまず使用し、基板１２をその押え部
１０ａにより押止してセツトする。ついでこの状
態で全体を加熱炉に挿入させて、ソース結晶を溶
媒中に溶かし込んだ上で、炉内を冷却させ乍ら溶
液を過飽和状態にし、その後、可動部７を操作棒
により固定部６上でスライドさせることにより、
ピストン８がブリツジ９に押え付けられて溶液溜
７内の溶液を押し出す。しかしてこの押し出され
る溶液は、基板押え１０内の隙間を通つて基板１
２の表面に接触してエピタキシヤル成長され、前
記第２図での第１回目の成長層２が得られる。こ
のとき、基板押え１０の押え部１０ａは基板縁部
を僅かに押える程度であるので、基板１２の全表
面部にエピタキシヤル成長がなされる。続いてこ
のように第１回目の成長層２を得たのち、これを
一旦炉から取出してその成長層２の表面パターン
３を形成させ、今度は第２回目成長用の基板押え
１１を使用して前記と同様に第２回目のエピタキ
シヤル成長を行ない、第１回目の成長層２上に第
２回目の成長層４を形成させる。そしてこのとき
は、基板押え１１の押え部１１ａの突出長さは、
基板１０の押え部１０ａの突出長さよりも長くさ
れているために、第１回目の成長層２の一部が第
１回目のパターン３の一部を含んで被覆され、こ
の被覆部分に成長層２が形成されることがなく、
その後、この被覆部に残された第１回目のパター
ン３を基準にして第２回目のパターン５を容易に
形成し得るのである。 In this growth apparatus, a solvent 13 containing a source crystal is placed in a solution reservoir 7a, and a substrate holder 10 for the first growth is first used to hold and set the substrate 12 by the holder 10a. Next, in this state, the whole is inserted into a heating furnace, the source crystals are dissolved in the solvent, and the solution is brought to a supersaturated state while the inside of the furnace is cooled.Then, the movable part 7 is moved to the fixed part 6 by the operation rod. By sliding the
The piston 8 is pressed against the bridge 9 and pushes out the solution in the solution reservoir 7. However, the solution pushed out by the lever passes through the gap in the substrate holder 10 and passes through the substrate 1.
2, the first grown layer 2 shown in FIG. 2 is obtained. At this time, since the holding portion 10a of the substrate holding member 10 only slightly presses the edge of the substrate, epitaxial growth is performed on the entire surface of the substrate 12. Subsequently, after obtaining the first growth layer 2 in this manner, it is taken out of the furnace and the surface pattern 3 of the growth layer 2 is formed, and then the substrate holder 11 for the second growth is used. Then, a second epitaxial growth is performed in the same manner as described above, and a second growth layer 4 is formed on the first growth layer 2. At this time, the protruding length of the holding part 11a of the board holding member 11 is
Since the length is longer than the protruding length of the holding part 10a of the substrate 10, a part of the first growth layer 2 is covered including a part of the first pattern 3, and the growth layer is applied to this covered part. 2 is not formed,
Thereafter, the second pattern 5 can be easily formed based on the first pattern 3 left on this covering portion.
また第５図ａ，ｂはこの実施例方法に適用する
ためのスライドボード式液相エピタキシヤル成長
装置を示しており、同図ａは第１回目成長時、同
図ｂは第２回目成長時の各々平面図である。この
第５図ａ，ｂにおいて、符号１４は静止部、１５
および１６はスライド方向に直交する幅がＤおよ
びＤ−ΔDとされた溶液溜１５ａ，１６ａをもつ
第１回目および第２回目成長用の可動部であり、
この場合にあつても前例と同様の工程により第１
回目のエピタキシヤル成長を可動部１５で、第２
回目のそれを可動部１６でそれぞれに行なわせる
ことにより、基板１２の両側、つまりスライド方
向に沿う両側に第１回目のパターン３の一部を残
して第２回目の成長層４を形成でき、これによつ
て同様に第２回目のパターン５を容易に形成でき
るのである。 Figures 5a and 5b show a slide board type liquid phase epitaxial growth apparatus to be applied to this embodiment method, with Figure 5a showing the first growth and Figure 5b showing the second growth. FIG. In FIGS. 5a and 5b, reference numeral 14 indicates a stationary part; 15
and 16 are movable parts for the first and second growth that have solution reservoirs 15a and 16a whose widths perpendicular to the slide direction are D and D-ΔD,
In this case as well, the first
The second epitaxial growth is performed using the movable part 15.
By making the movable part 16 perform the second growth separately, it is possible to form the second growth layer 4 while leaving a part of the first pattern 3 on both sides of the substrate 12, that is, on both sides along the sliding direction. As a result, the second pattern 5 can be easily formed in the same manner.
以上詳述したようにこの発明方法によるとき
は、基板上に第１回目のエピタキシヤル成長層を
形成したのち、この第１回目成長層上に第１回目
のパターンを形成させ、ついで第２回目の成長層
を形成させる場合に、第１回目成長層の一部をそ
の第１回目パターンの一部も含めて被覆させてか
ら行なうようにしたから、第２回目成長層の形成
後に第１回目のパターンの一部を露出させること
ができ、この露出された第１回目パターンを基準
として、第２回目成長層上に第１回目パターンに
対応した第２回目パターンを容易に形成し得る特
徴がある。
As detailed above, when using the method of the present invention, a first epitaxial growth layer is formed on a substrate, a first pattern is formed on this first growth layer, and then a second pattern is formed on the first epitaxial growth layer. When forming a second growth layer, this is done after covering a part of the first growth layer, including a part of the first pattern, so the first growth layer is formed after the second growth layer is formed. A part of the pattern can be exposed, and a second pattern corresponding to the first pattern can be easily formed on the second growth layer based on the exposed first pattern. be.
第１図は従来方法によつて２回のエピタキシヤ
ル成長とパターン形成とをなした場合の成長層を
示す断面図、第２図はこの発明の一実施例方法に
よつて同様に２回のエピタキシヤル成長とパター
ン形成とをなした場合の成長層を示す断面図、第
３図はこの実施例方法をプツシユアウト式液相エ
ピタキシヤル成長装置に適用する場合の概要を示
す縦断面図、第４図ａ，ｂは同上装置での第１回
目、第２回目の成長に用いるそれぞれ基板押え部
分の横断面図、第５図ａ，ｂはこの実施例方法を
スライドボート式液相エピタキシヤル成長装置に
適用する場合の第１回目、第２回目の成長時の概
要を示す平面図である。
１……基板、２および４……第１回目および第
２回目のエピタキシヤル成長層、３および５……
第１回目および第２回目のパターン、６，１４…
…静止部、７および１５，１６……可動部、７ａ
および１５ａ，１６ａ……溶液溜、１０，１１…
…基板押え、１０ａ，１１ａ……押え部。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a grown layer when epitaxial growth and pattern formation are performed twice by a conventional method, and FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a grown layer when epitaxial growth and pattern formation are performed; FIG. Figures a and b are cross-sectional views of the substrate holding parts used for the first and second growth using the same device, and Figures 5 a and b show this example method in a slide boat type liquid phase epitaxial growth device. FIG. 3 is a plan view showing an outline of the first and second growth when applied to the present invention. 1... Substrate, 2 and 4... First and second epitaxial growth layers, 3 and 5...
1st and 2nd patterns, 6, 14...
...Stationary part, 7 and 15, 16...Movable part, 7a
and 15a, 16a... solution reservoir, 10, 11...
...Substrate holding part, 10a, 11a... Holding part.
Claims (1)
したのち、この最初の成長層上に最初のパターン
を形成させ、ついでこの最初の成長層上に次の成
長層を形成させる場合、最初の成長層の一部をそ
の上の最初のパターンの一部をも含んで被覆させ
た状態で次の成長層を形成させ、その後被覆部に
残された最初のパターンを基準として、次の成長
層上に最初のパターンに対応した次のパターンを
形成し得るようにしたことを特徴とする液相エピ
タキシヤル成長法。1 After forming a first epitaxial growth layer on a substrate, forming a first pattern on this first growth layer, and then forming a next growth layer on this first growth layer, the first growth layer The next growth layer is formed with a part of the first pattern on it covered, and then the next growth layer is formed using the first pattern left in the covered area as a reference. A liquid phase epitaxial growth method characterized in that a next pattern corresponding to the first pattern can be formed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58166539A JPS6058619A (en) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | Liquid phase epitaxial growth |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58166539A JPS6058619A (en) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | Liquid phase epitaxial growth |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6058619A JPS6058619A (en) | 1985-04-04 |
| JPH0219620B2 true JPH0219620B2 (en) | 1990-05-02 |
Family
ID=15833154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58166539A Granted JPS6058619A (en) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | Liquid phase epitaxial growth |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6058619A (en) |
-
1983
- 1983-09-12 JP JP58166539A patent/JPS6058619A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6058619A (en) | 1985-04-04 |
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