JPH0219620B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0219620B2 JPH0219620B2 JP58166539A JP16653983A JPH0219620B2 JP H0219620 B2 JPH0219620 B2 JP H0219620B2 JP 58166539 A JP58166539 A JP 58166539A JP 16653983 A JP16653983 A JP 16653983A JP H0219620 B2 JPH0219620 B2 JP H0219620B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- growth
- pattern
- growth layer
- substrate
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
- H10P14/263—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition using melted materials
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は基板に対する液相エピタキシヤル成
長法に関するものである。
長法に関するものである。
従来、第１図に示すように、基板１上に液相エ
ピタキシヤル成長法により第１回目の成長層２を
成長させ、かつこの第１回目の成長層２上に第１
回目のパターン３を形成したのち、さらにこの上
に同じ成長装置により第２回目の成長層４を形成
させた場合には、前記第１回目のパターン３が第
２回目の成長層４により埋められてしまつて、第
２回目の成長層４上に第１回目のパターン３に合
致する第２回目のパターンを形成することが困難
になるものであつた。
ピタキシヤル成長法により第１回目の成長層２を
成長させ、かつこの第１回目の成長層２上に第１
回目のパターン３を形成したのち、さらにこの上
に同じ成長装置により第２回目の成長層４を形成
させた場合には、前記第１回目のパターン３が第
２回目の成長層４により埋められてしまつて、第
２回目の成長層４上に第１回目のパターン３に合
致する第２回目のパターンを形成することが困難
になるものであつた。
この発明は従来のこのような欠点に鑑み、第１
回目の成長層上に第１回目のパターンを形成させ
たのち、第２回目の成長層の成長に際して、第１
回目の成長層の一部をカーボンなどにより覆うと
共に、覆われていない部分に選択的にエピタキシ
ヤル成長をなし、この第２回目の成長層上に覆わ
れた部分に残されている第１回目のパターンを基
準にして、第２回目のパターンを容易に形成可能
にしたものである。
回目の成長層上に第１回目のパターンを形成させ
たのち、第２回目の成長層の成長に際して、第１
回目の成長層の一部をカーボンなどにより覆うと
共に、覆われていない部分に選択的にエピタキシ
ヤル成長をなし、この第２回目の成長層上に覆わ
れた部分に残されている第１回目のパターンを基
準にして、第２回目のパターンを容易に形成可能
にしたものである。
以下、この発明方法の一実施例につき、第２図
ないし第５図を参照して詳細に説明する。
ないし第５図を参照して詳細に説明する。
第２図はこの発明方法によつて得られるエピタ
キシヤル層の構成を第１図対応に示したものであ
り、実施例方法では、基板１上に液相エピタキシ
成長方法により第１回目の成長層２を成長させ、
かつこの第１回目の成長層２上に第１回目のパタ
ーン３を形成させたのち、さらにこの上に同じ成
長装置により第２回目の成長をなすに際して、第
１回目の成長層２の一部をその第１回目のパター
ン３の一部をも含めて覆つておき、この状態で第
２回目の成長層４を成長させ、ついで覆われた部
分に残されている第１回目のパターン３を基準に
して、第２回目のパターン５を形成させるように
したものである。
キシヤル層の構成を第１図対応に示したものであ
り、実施例方法では、基板１上に液相エピタキシ
成長方法により第１回目の成長層２を成長させ、
かつこの第１回目の成長層２上に第１回目のパタ
ーン３を形成させたのち、さらにこの上に同じ成
長装置により第２回目の成長をなすに際して、第
１回目の成長層２の一部をその第１回目のパター
ン３の一部をも含めて覆つておき、この状態で第
２回目の成長層４を成長させ、ついで覆われた部
分に残されている第１回目のパターン３を基準に
して、第２回目のパターン５を形成させるように
したものである。
第３図および第４図ａ，ｂはこの実施例方法に
適用するためのプツシユアウト式液相エピタキシ
ヤル成長装置を示していて、第３図は装置の縦断
面図、第４図ａは第１回目成長時での基板部の横
断面図、同図ｂは第２回目成長時での同上横断面
図である。
適用するためのプツシユアウト式液相エピタキシ
ヤル成長装置を示していて、第３図は装置の縦断
面図、第４図ａは第１回目成長時での基板部の横
断面図、同図ｂは第２回目成長時での同上横断面
図である。
第３図において、符号６は静止部、７は溶液溜
７ａをもつ可動部、８は溶液溜７ａに載せられる
ピストン、９はブリツジ、１０および１１はそれ
ぞれに押え部１０ａ，１１ａをもつ第１回目およ
び第２回目成長用の基板押え、１２は成長対象と
なる基板である。
７ａをもつ可動部、８は溶液溜７ａに載せられる
ピストン、９はブリツジ、１０および１１はそれ
ぞれに押え部１０ａ，１１ａをもつ第１回目およ
び第２回目成長用の基板押え、１２は成長対象と
なる基板である。
この成長装置の場合、溶液溜７ａにソース結晶
を含む溶媒１３を入れ、かつ第１回目成長用の基
板押え１０をまず使用し、基板１２をその押え部
１０ａにより押止してセツトする。ついでこの状
態で全体を加熱炉に挿入させて、ソース結晶を溶
媒中に溶かし込んだ上で、炉内を冷却させ乍ら溶
液を過飽和状態にし、その後、可動部７を操作棒
により固定部６上でスライドさせることにより、
ピストン８がブリツジ９に押え付けられて溶液溜
７内の溶液を押し出す。しかしてこの押し出され
る溶液は、基板押え１０内の隙間を通つて基板１
２の表面に接触してエピタキシヤル成長され、前
記第２図での第１回目の成長層２が得られる。こ
のとき、基板押え１０の押え部１０ａは基板縁部
を僅かに押える程度であるので、基板１２の全表
面部にエピタキシヤル成長がなされる。続いてこ
のように第１回目の成長層２を得たのち、これを
一旦炉から取出してその成長層２の表面パターン
３を形成させ、今度は第２回目成長用の基板押え
１１を使用して前記と同様に第２回目のエピタキ
シヤル成長を行ない、第１回目の成長層２上に第
２回目の成長層４を形成させる。そしてこのとき
は、基板押え１１の押え部１１ａの突出長さは、
基板１０の押え部１０ａの突出長さよりも長くさ
れているために、第１回目の成長層２の一部が第
１回目のパターン３の一部を含んで被覆され、こ
の被覆部分に成長層２が形成されることがなく、
その後、この被覆部に残された第１回目のパター
ン３を基準にして第２回目のパターン５を容易に
形成し得るのである。
を含む溶媒１３を入れ、かつ第１回目成長用の基
板押え１０をまず使用し、基板１２をその押え部
１０ａにより押止してセツトする。ついでこの状
態で全体を加熱炉に挿入させて、ソース結晶を溶
媒中に溶かし込んだ上で、炉内を冷却させ乍ら溶
液を過飽和状態にし、その後、可動部７を操作棒
により固定部６上でスライドさせることにより、
ピストン８がブリツジ９に押え付けられて溶液溜
７内の溶液を押し出す。しかしてこの押し出され
る溶液は、基板押え１０内の隙間を通つて基板１
２の表面に接触してエピタキシヤル成長され、前
記第２図での第１回目の成長層２が得られる。こ
のとき、基板押え１０の押え部１０ａは基板縁部
を僅かに押える程度であるので、基板１２の全表
面部にエピタキシヤル成長がなされる。続いてこ
のように第１回目の成長層２を得たのち、これを
一旦炉から取出してその成長層２の表面パターン
３を形成させ、今度は第２回目成長用の基板押え
１１を使用して前記と同様に第２回目のエピタキ
シヤル成長を行ない、第１回目の成長層２上に第
２回目の成長層４を形成させる。そしてこのとき
は、基板押え１１の押え部１１ａの突出長さは、
基板１０の押え部１０ａの突出長さよりも長くさ
れているために、第１回目の成長層２の一部が第
１回目のパターン３の一部を含んで被覆され、こ
の被覆部分に成長層２が形成されることがなく、
その後、この被覆部に残された第１回目のパター
ン３を基準にして第２回目のパターン５を容易に
形成し得るのである。
また第５図ａ，ｂはこの実施例方法に適用する
ためのスライドボード式液相エピタキシヤル成長
装置を示しており、同図ａは第１回目成長時、同
図ｂは第２回目成長時の各々平面図である。この
第５図ａ，ｂにおいて、符号１４は静止部、１５
および１６はスライド方向に直交する幅がＤおよ
びＤ−ΔDとされた溶液溜１５ａ，１６ａをもつ
第１回目および第２回目成長用の可動部であり、
この場合にあつても前例と同様の工程により第１
回目のエピタキシヤル成長を可動部１５で、第２
回目のそれを可動部１６でそれぞれに行なわせる
ことにより、基板１２の両側、つまりスライド方
向に沿う両側に第１回目のパターン３の一部を残
して第２回目の成長層４を形成でき、これによつ
て同様に第２回目のパターン５を容易に形成でき
るのである。
ためのスライドボード式液相エピタキシヤル成長
装置を示しており、同図ａは第１回目成長時、同
図ｂは第２回目成長時の各々平面図である。この
第５図ａ，ｂにおいて、符号１４は静止部、１５
および１６はスライド方向に直交する幅がＤおよ
びＤ−ΔDとされた溶液溜１５ａ，１６ａをもつ
第１回目および第２回目成長用の可動部であり、
この場合にあつても前例と同様の工程により第１
回目のエピタキシヤル成長を可動部１５で、第２
回目のそれを可動部１６でそれぞれに行なわせる
ことにより、基板１２の両側、つまりスライド方
向に沿う両側に第１回目のパターン３の一部を残
して第２回目の成長層４を形成でき、これによつ
て同様に第２回目のパターン５を容易に形成でき
るのである。
以上詳述したようにこの発明方法によるとき
は、基板上に第１回目のエピタキシヤル成長層を
形成したのち、この第１回目成長層上に第１回目
のパターンを形成させ、ついで第２回目の成長層
を形成させる場合に、第１回目成長層の一部をそ
の第１回目パターンの一部も含めて被覆させてか
ら行なうようにしたから、第２回目成長層の形成
後に第１回目のパターンの一部を露出させること
ができ、この露出された第１回目パターンを基準
として、第２回目成長層上に第１回目パターンに
対応した第２回目パターンを容易に形成し得る特
徴がある。
は、基板上に第１回目のエピタキシヤル成長層を
形成したのち、この第１回目成長層上に第１回目
のパターンを形成させ、ついで第２回目の成長層
を形成させる場合に、第１回目成長層の一部をそ
の第１回目パターンの一部も含めて被覆させてか
ら行なうようにしたから、第２回目成長層の形成
後に第１回目のパターンの一部を露出させること
ができ、この露出された第１回目パターンを基準
として、第２回目成長層上に第１回目パターンに
対応した第２回目パターンを容易に形成し得る特
徴がある。
第１図は従来方法によつて２回のエピタキシヤ
ル成長とパターン形成とをなした場合の成長層を
示す断面図、第２図はこの発明の一実施例方法に
よつて同様に２回のエピタキシヤル成長とパター
ン形成とをなした場合の成長層を示す断面図、第
３図はこの実施例方法をプツシユアウト式液相エ
ピタキシヤル成長装置に適用する場合の概要を示
す縦断面図、第４図ａ，ｂは同上装置での第１回
目、第２回目の成長に用いるそれぞれ基板押え部
分の横断面図、第５図ａ，ｂはこの実施例方法を
スライドボート式液相エピタキシヤル成長装置に
適用する場合の第１回目、第２回目の成長時の概
要を示す平面図である。 １……基板、２および４……第１回目および第
２回目のエピタキシヤル成長層、３および５……
第１回目および第２回目のパターン、６，１４…
…静止部、７および１５，１６……可動部、７ａ
および１５ａ，１６ａ……溶液溜、１０，１１…
…基板押え、１０ａ，１１ａ……押え部。
ル成長とパターン形成とをなした場合の成長層を
示す断面図、第２図はこの発明の一実施例方法に
よつて同様に２回のエピタキシヤル成長とパター
ン形成とをなした場合の成長層を示す断面図、第
３図はこの実施例方法をプツシユアウト式液相エ
ピタキシヤル成長装置に適用する場合の概要を示
す縦断面図、第４図ａ，ｂは同上装置での第１回
目、第２回目の成長に用いるそれぞれ基板押え部
分の横断面図、第５図ａ，ｂはこの実施例方法を
スライドボート式液相エピタキシヤル成長装置に
適用する場合の第１回目、第２回目の成長時の概
要を示す平面図である。 １……基板、２および４……第１回目および第
２回目のエピタキシヤル成長層、３および５……
第１回目および第２回目のパターン、６，１４…
…静止部、７および１５，１６……可動部、７ａ
および１５ａ，１６ａ……溶液溜、１０，１１…
…基板押え、１０ａ，１１ａ……押え部。
Claims (1)
- １ 基板上に最初のエピタキシヤル成長層を形成
したのち、この最初の成長層上に最初のパターン
を形成させ、ついでこの最初の成長層上に次の成
長層を形成させる場合、最初の成長層の一部をそ
の上の最初のパターンの一部をも含んで被覆させ
た状態で次の成長層を形成させ、その後被覆部に
残された最初のパターンを基準として、次の成長
層上に最初のパターンに対応した次のパターンを
形成し得るようにしたことを特徴とする液相エピ
タキシヤル成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58166539A JPS6058619A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 液相エピタキシヤル成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58166539A JPS6058619A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 液相エピタキシヤル成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6058619A JPS6058619A (ja) | 1985-04-04 |
| JPH0219620B2 true JPH0219620B2 (ja) | 1990-05-02 |
Family
ID=15833154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58166539A Granted JPS6058619A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 液相エピタキシヤル成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6058619A (ja) |
-
1983
- 1983-09-12 JP JP58166539A patent/JPS6058619A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6058619A (ja) | 1985-04-04 |
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