JPH02196452A - ヒートシンク用加圧治具 - Google Patents
ヒートシンク用加圧治具Info
- Publication number
- JPH02196452A JPH02196452A JP1672789A JP1672789A JPH02196452A JP H02196452 A JPH02196452 A JP H02196452A JP 1672789 A JP1672789 A JP 1672789A JP 1672789 A JP1672789 A JP 1672789A JP H02196452 A JPH02196452 A JP H02196452A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- semiconductor device
- pressure
- adhesive
- chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置のし一■〜シンク取付方法に関し、
特に接着樹脂を用いて取付ける方法に関する。
特に接着樹脂を用いて取付ける方法に関する。
従来、大容量の記憶装置とか電流容量の大きい半導体装
置は、その必要性から、ヒートシンクが収り付けられて
いる。この取付方法に関しては、接着剤による方法ある
いはねじ等による機械的な取付方法などあるが、これら
の方法に種々の改善が施されてきた。
置は、その必要性から、ヒートシンクが収り付けられて
いる。この取付方法に関しては、接着剤による方法ある
いはねじ等による機械的な取付方法などあるが、これら
の方法に種々の改善が施されてきた。
第２図は従来の半導体装置のヒートシンク取付方法の一
例を説明するための工程流れ図、第５図は従来の半導体
装置のヒートシンク取付方法に使用する加圧治具の断面
図である。この取付方法は、第５図に示す加圧治具を用
いて、まず、第２図の〔接着剤塗布〕工程で、下型ホル
ダ３ｂの上にヒートシンク２を乗せる。次に、上型ホル
ダ３ａを下降させて、ヒートシンク２を位置決めする。
例を説明するための工程流れ図、第５図は従来の半導体
装置のヒートシンク取付方法に使用する加圧治具の断面
図である。この取付方法は、第５図に示す加圧治具を用
いて、まず、第２図の〔接着剤塗布〕工程で、下型ホル
ダ３ｂの上にヒートシンク２を乗せる。次に、上型ホル
ダ３ａを下降させて、ヒートシンク２を位置決めする。
次に、ヒートシンク２上に接着剤４を滴下する。次に、
加圧治具の上型ホルダ３ａのいんろう部３ｄに半導体装
置１を挿入する。
加圧治具の上型ホルダ３ａのいんろう部３ｄに半導体装
置１を挿入する。
次に、〔加圧仮組み〕工程で、突き上げユニット７を矢
印９ａの方向に上昇させる。このことにより、下型ホル
ダ３ｂ上のヒートシンク２は半導体装置１の取り付は面
に押し付けられる。次に、突き上げユニット７の固定ア
ーム８を矢印９ｂの方向に動かして、定加圧ユニット５
のプレート５ａに引掛ける。このことにより、半導体装
置１とヒートシンク２の間の加圧力は、例えば、１ｋｇ
程度の定圧力となる。
印９ａの方向に上昇させる。このことにより、下型ホル
ダ３ｂ上のヒートシンク２は半導体装置１の取り付は面
に押し付けられる。次に、突き上げユニット７の固定ア
ーム８を矢印９ｂの方向に動かして、定加圧ユニット５
のプレート５ａに引掛ける。このことにより、半導体装
置１とヒートシンク２の間の加圧力は、例えば、１ｋｇ
程度の定圧力となる。
次に、〔接着剤硬化′〕工程で、キュア装置（図示せず
）のチャンバ内に、ヒートシンクが仮組みされた多数の
半導体装置を、この加圧治具とともに挿入し、数時間加
熱し接着剤を硬化させて、取り付けを完了する。
）のチャンバ内に、ヒートシンクが仮組みされた多数の
半導体装置を、この加圧治具とともに挿入し、数時間加
熱し接着剤を硬化させて、取り付けを完了する。
上述した従来の取付方法では、接着剤を硬化させるため
に、ヒートシンクと半導体装置を一つずつ仮組みする加
圧治具が必要となるだけではなく、接着剤を硬化する際
に、この加圧治具に仮組みされた半導体装置及びヒート
シンクの構成体をキュア装置のチャンバ内に入れるので
、この加圧治具の大きさのため、チャンバの内容積によ
り収納する個数に制限があり、また、加熱不要な加圧治
具も加熱するという欠点がある。更に、このような加圧
治具が一対の半導体装置及びヒートシンクとに対して一
個ずつ必要とする決意がある。これらの欠点は、いずれ
も、製品のコスト高を招く恐れがある。
に、ヒートシンクと半導体装置を一つずつ仮組みする加
圧治具が必要となるだけではなく、接着剤を硬化する際
に、この加圧治具に仮組みされた半導体装置及びヒート
シンクの構成体をキュア装置のチャンバ内に入れるので
、この加圧治具の大きさのため、チャンバの内容積によ
り収納する個数に制限があり、また、加熱不要な加圧治
具も加熱するという欠点がある。更に、このような加圧
治具が一対の半導体装置及びヒートシンクとに対して一
個ずつ必要とする決意がある。これらの欠点は、いずれ
も、製品のコスト高を招く恐れがある。
本発明の目的は、一対の半導体装置及びヒートシンクに
対応する加圧治具を必要と°することがないとともに大
型チャンバや大型のヒータをもつキュア装置を必要とし
ない低コストの半導体装置のヒートシンク取付方法を提
供することにある。
対応する加圧治具を必要と°することがないとともに大
型チャンバや大型のヒータをもつキュア装置を必要とし
ない低コストの半導体装置のヒートシンク取付方法を提
供することにある。
本発明の半導体装置のヒートシンク取付方法は、ヒート
シンクと半導体装置との間に接着剤を塗布し加圧治具に
て所定の時間加圧し仮接着する工程と、仮接着された前
記半導体装置と前記ヒートシンクとを前記加圧治具から
離脱させてこのヒートシンクと半導体装置とを無加圧状
態にした後に前記接着剤を硬化させる工程とを含んで構
成される。
シンクと半導体装置との間に接着剤を塗布し加圧治具に
て所定の時間加圧し仮接着する工程と、仮接着された前
記半導体装置と前記ヒートシンクとを前記加圧治具から
離脱させてこのヒートシンクと半導体装置とを無加圧状
態にした後に前記接着剤を硬化させる工程とを含んで構
成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の半導体装置のヒートシンク取付方法の
一例を説明するための工程流れ図である。
一例を説明するための工程流れ図である。
この取付方法は、従来の〔加圧仮組み〕の工程を〔仮接
着〕の工程に変更したことである。
着〕の工程に変更したことである。
第３図は本実施例の取付方法に使用した加圧治具の一例
を示す断面図である。この加圧治具の従来の加圧治具と
異なる点は、ヒートシンクを保持する下型ホルダ６と、
半導体装置１を保持する真空チャ・ツク１１とに分離さ
れていることである。
を示す断面図である。この加圧治具の従来の加圧治具と
異なる点は、ヒートシンクを保持する下型ホルダ６と、
半導体装置１を保持する真空チャ・ツク１１とに分離さ
れていることである。
次に、半導体装置にヒートシンクを取り付ける方法を説
明する。まず、〔接着剤塗布〕の工程で、円形インデッ
クステーブル（図示せず）に取り付けられた下型ホルダ
６の窪み６ａに、例えば、ハンドラ等により自動的にヒ
ートシンク２を装填する。次に、デイスペンサ（図示せ
ず）により、例えば、シリコン樹脂の接着剤４を滴下す
る。
明する。まず、〔接着剤塗布〕の工程で、円形インデッ
クステーブル（図示せず）に取り付けられた下型ホルダ
６の窪み６ａに、例えば、ハンドラ等により自動的にヒ
ートシンク２を装填する。次に、デイスペンサ（図示せ
ず）により、例えば、シリコン樹脂の接着剤４を滴下す
る。
次に、〔仮接着〕の工程で、真空チャック１１により、
収納トレー（図示せず）からピックアップした半導体装
置ｌをヒートシンク２上に位置決めする。次に、定加圧
ユニット５を矢印１０ａの方向に下降させ、半導体装置
１をヒー１ヘシク２に、定圧力、例えば、１ｋｇ程度で
、２〜３分間押し付ける。
収納トレー（図示せず）からピックアップした半導体装
置ｌをヒートシンク２上に位置決めする。次に、定加圧
ユニット５を矢印１０ａの方向に下降させ、半導体装置
１をヒー１ヘシク２に、定圧力、例えば、１ｋｇ程度で
、２〜３分間押し付ける。
次に、〔接着剤硬化〕の工程で、定加圧ユニツ１−５を
上昇させ、真空チャック１１により、ヒートシンク２が
仮接着された半導体装置１をキュア装置のチャンバ内の
搬送ベルト（図示せず）に載置する。次に、あらかじめ
所定の温度、例えば、１００℃程度に熱せられたチャン
バ内を搬送ベルトにより所定の時間ヒートシンクが仮接
着された半導体装置を送り、接着剤を硬化させ完了する
。
上昇させ、真空チャック１１により、ヒートシンク２が
仮接着された半導体装置１をキュア装置のチャンバ内の
搬送ベルト（図示せず）に載置する。次に、あらかじめ
所定の温度、例えば、１００℃程度に熱せられたチャン
バ内を搬送ベルトにより所定の時間ヒートシンクが仮接
着された半導体装置を送り、接着剤を硬化させ完了する
。
この操作を順次行ない、連続的に半導体装置にヒートシ
ンクを取り付けることが出来る。
ンクを取り付けることが出来る。
第４図は本実施例の取付方法に使用した加圧治具のもう
一つの他の例を示す断面図である。この加圧治具は、前
述の実施例、と異なり、ヒートシンク２を上昇させ、あ
らかじめ載置された半導体装置１に押し付けることであ
る。
一つの他の例を示す断面図である。この加圧治具は、前
述の実施例、と異なり、ヒートシンク２を上昇させ、あ
らかじめ載置された半導体装置１に押し付けることであ
る。
次に、この加圧治具による取付方法を説明する。
まず、〔接着剤塗布〕の工程で、半導体装置１を他の収
納トレー（図示せず）から上型ホルダ１２の窪み１２ａ
に移載する。次に、突き上げユニット７ａに移載された
ヒートシンク上に接着剤を滴下する。
納トレー（図示せず）から上型ホルダ１２の窪み１２ａ
に移載する。次に、突き上げユニット７ａに移載された
ヒートシンク上に接着剤を滴下する。
次に、〔仮接着〕の工程で、突き上げユニット７ａを矢
印１０ｅの方向に上昇させ、ガイドブレート１３が矢印
１０ｂの方向に移動し、ヒートシンク２が上型ホルダ１
２の穴１２ｂに案内されて、半導体装置１に接触する。
印１０ｅの方向に上昇させ、ガイドブレート１３が矢印
１０ｂの方向に移動し、ヒートシンク２が上型ホルダ１
２の穴１２ｂに案内されて、半導体装置１に接触する。
次に、定加圧ユニットに、あらかじめ、加圧力９例えば
、１ｋｇに設定しであるので、この加圧力で、２〜３分
程度ヒートシンク２を半導体装置１に押しつずける。
、１ｋｇに設定しであるので、この加圧力で、２〜３分
程度ヒートシンク２を半導体装置１に押しつずける。
次に、〔接着剤硬化〕の工程で、押圧時間が過ると、突
き上げユニット７ａが下降し、前述の実施例と同様に、
キュア装置で、ヒートシフ２が仮接着された半導体装置
１の接着剤を硬化させ取り付けを完了する。
き上げユニット７ａが下降し、前述の実施例と同様に、
キュア装置で、ヒートシフ２が仮接着された半導体装置
１の接着剤を硬化させ取り付けを完了する。
この加圧用治具は、前述の治具に比べ、半導体装置より
ヒートシンクの方を移動して仮接着するので、半導体装
置の外郭体である脆いセラミックの欠け、割れ等を引起
す恐れが少ない点で有利である。
ヒートシンクの方を移動して仮接着するので、半導体装
置の外郭体である脆いセラミックの欠け、割れ等を引起
す恐れが少ない点で有利である。
以上説明したように本発明は、ヒートシンクを半導体装
置に接着する工程を仮接着工程と接着剤硬化工程とに分
離し、多数のヒートシンク及び半導体装置対に対して、
一つの加圧治具により仮接着出来る。また、ヒートシン
クが仮接着された半導体装置のみをキュア装置のチャン
バに挿入し接着剤を硬化出来るので、大きいチャンバと
大きい加熱容量のヒータをもつキュア装置が不要になる
ばかりか、高価な加圧治具を多数必要としない半導体装
置のヒートシンク取付方法が得られるという効果がある
。
置に接着する工程を仮接着工程と接着剤硬化工程とに分
離し、多数のヒートシンク及び半導体装置対に対して、
一つの加圧治具により仮接着出来る。また、ヒートシン
クが仮接着された半導体装置のみをキュア装置のチャン
バに挿入し接着剤を硬化出来るので、大きいチャンバと
大きい加熱容量のヒータをもつキュア装置が不要になる
ばかりか、高価な加圧治具を多数必要としない半導体装
置のヒートシンク取付方法が得られるという効果がある
。
第１図は本発明の半導体装置のヒートシンク取付方法の
一例を説明するための工程流れ図、第２図は従来の半導
体装置のヒートシンク取付方法の一例を説明するための
工程流れ図、第３図は本実施例の取付方法に使用した加
圧治具の一例を示す断面図、第４図は本実施例の取付方
法に使用した加圧治具のもう一つの他の例を示す断面図
、第５図は従来の半導体装置のヒートシンク取付方法に
使用する加圧治具の断面図である。 １・・・半導体装置、２・・・ヒートシンク、３ａ、１
２・・上型ホルダ、３ｂ、６・・・下型ホルダ、３ｄ・
・・いんろう部、４・・・接着剤、５・・・定加圧ユニ
ット、５ａ・・・プレート、６ａ、１２ａ・・・窪み、
７．７ａ・・・突き上げユニット、８・・・固定アーム
、９ａ、９ｂ、１０ａ、１０ｂ、１０ ｃ−・・矢印、
１１−・・真空チャック、１２ｂ・・・穴。 第１図 第２図
一例を説明するための工程流れ図、第２図は従来の半導
体装置のヒートシンク取付方法の一例を説明するための
工程流れ図、第３図は本実施例の取付方法に使用した加
圧治具の一例を示す断面図、第４図は本実施例の取付方
法に使用した加圧治具のもう一つの他の例を示す断面図
、第５図は従来の半導体装置のヒートシンク取付方法に
使用する加圧治具の断面図である。 １・・・半導体装置、２・・・ヒートシンク、３ａ、１
２・・上型ホルダ、３ｂ、６・・・下型ホルダ、３ｄ・
・・いんろう部、４・・・接着剤、５・・・定加圧ユニ
ット、５ａ・・・プレート、６ａ、１２ａ・・・窪み、
７．７ａ・・・突き上げユニット、８・・・固定アーム
、９ａ、９ｂ、１０ａ、１０ｂ、１０ ｃ−・・矢印、
１１−・・真空チャック、１２ｂ・・・穴。 第１図 第２図
Claims (1)
- ヒートシンクと半導体装置との間に接着剤を塗布し加圧
治具にて所定の時間加圧し仮接着する工程と、仮接着さ
れた前記半導体装置と前記ヒートシンクとを前記加圧治
具から離脱させてこのヒートシンクと半導体装置とを無
加圧状態にした後に前記接着剤を硬化させる工程とを含
むことを特徴とする半導体装置のヒートシンク取付方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1016727A JP2569781B2 (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | ヒートシンク用加圧治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1016727A JP2569781B2 (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | ヒートシンク用加圧治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02196452A true JPH02196452A (ja) | 1990-08-03 |
| JP2569781B2 JP2569781B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=11924297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1016727A Expired - Lifetime JP2569781B2 (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | ヒートシンク用加圧治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2569781B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6755229B2 (en) * | 2001-07-27 | 2004-06-29 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method for preparing high performance ball grid array board and jig applicable to said method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6459897A (en) * | 1987-08-29 | 1989-03-07 | Niles Parts Co Ltd | Fixing of heat generating element |
-
1989
- 1989-01-25 JP JP1016727A patent/JP2569781B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6459897A (en) * | 1987-08-29 | 1989-03-07 | Niles Parts Co Ltd | Fixing of heat generating element |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6755229B2 (en) * | 2001-07-27 | 2004-06-29 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method for preparing high performance ball grid array board and jig applicable to said method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2569781B2 (ja) | 1997-01-08 |
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