JPH01199440A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH01199440A
JPH01199440A JP63024219A JP2421988A JPH01199440A JP H01199440 A JPH01199440 A JP H01199440A JP 63024219 A JP63024219 A JP 63024219A JP 2421988 A JP2421988 A JP 2421988A JP H01199440 A JPH01199440 A JP H01199440A
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semiconductor
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知彦 鈴木
Izumi Okamoto
岡本　泉
Shinsuke Nakamoto
中本　伸介
Masayoshi Mihata
御幡　正芳
Kenzo Hatada
畑田　賢造
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、各種電子機器に利用される半導体装置の製造
方法に関するものである。
従来の技術 従来の技術を第２図ａ−ｃとともに説明する。まず第２
図ａに示すように、セラミック、ガラス、ガラスエポキ
ン等よりなる配線基板１の導体配線２を有する面に絶縁
性の樹脂６を塗布する。導体配線２は０ｒ−Ａｕ、ム（
１，Ｃｕ、ｉｔｏ等であり、樹脂５は熱硬化型又は紫外
線硬化型のエボキン、シリコーン、アクリル等である。
次に第２図すに示すように半導体素子３の電極４と導体
配線２とを一致させ半導体素子３に加圧し、配線基板１
に押し当てる。電極４はＡｅ、ムｕ、Ｃｕ等である。こ
の時。
導体配線２上の樹脂６は周囲に押し出され、半導体素子
３の電極４と導体配線２は電気的に接触する。次に半導
体素子３を加圧した状態で上部より紫外線８を照射する
ことにより、半導体素子３周縁の樹脂５を硬化させ仮固
定する。更に第２図Ｇに示すように半導体素子３をＦ６
．Ａｅ等よりなる加圧治具９にて加圧しながら加熱する
ことにより。
樹脂５全体を硬化させ、この時半導体素子３の電極４の
導体配線２は樹脂５の接着力により電気的接続がなされ
、同時に半導体素子３を配線基板１に固着することがで
きる。
発明が解決しようとする課題 以上のように従来の技術では、半導体素子３の電極４を
配線基板１の導体配線２に直接接触させる方法であるた
め、多端子、狭ピンチの半導体素子３のパッケージング
に有利な方法であるが半導体素子３を加圧しなから熱硬
化する時において。
高温時にいったん樹脂５の接着力が低下するため、配線
基板１上に仮固定された複数個の半導体素子３全てに対
し均等に加圧し、電気的に接触した状態を保持する必要
がある。そのため加圧を治具化すると、全ての半導体素
子３をひずみ等が生じないようにするため、治具９は第
２図Ｃに示すごとく犬がかりなものとなる。よって熱容
量が大きくなることより、熱硬化時での昇温時間及び冷
却時間も長くなり生産性が悪くなる。
課題を解決するだめの手段 上記課題を解決するために本発明は、半導体素子固着用
の樹脂を熱硬化する際、真空包装装置を用いることによ
り、工法を簡易化し複数個の半導体素子全てを同時に均
一に加圧する方法としたものである。
作用 上記方法により真空包装状態で作用する大気圧の力で半
導体素子を加圧することができ量産性に優れ、半導体素
子にひずみを与えることがなくなる。
実施例 以下、本発明の一実施例を第１図ａ　−ａとともに説明
する。
１ず第１図ａに示すように、セラミック、ガラス、エポ
キシ等よりなる配線基板１１の後に半導体素子１３を固
着する部分に（導体配線１２上を含ンテ）エポキシ、シ
リコーン、アクリル等よりなる絶縁性樹脂１５を塗布す
る。導体配線１２は０ｒ−Ａｕ、Ａｅ、ｉｔｏ等よりな
る。次に第１図すに示すように、半導体素子１３の突起
状の電極１４と導体配線１２を一致させ半導体素子１３
を配線基板１１に加圧ツール１６により加圧する。電極
１４はＡｅ、ムｕ、Ｃｕ等である。この時、導体配線１
２上の樹脂１５は周囲に押し出され、上部より紫外線１
８を照射することによって半導体素子１３の周縁部の樹
脂１６を硬化させ仮固定する。上記の方法で複数個の半
導体素子１３が仮固定された配線基板１１を第１図Ｃに
示すように、ナイロン。
ポリプロピレン等からなる真空袋１７に入れ、真　　。
空包装し、複数個の半導体素子１３全てに大気圧による
均等な圧力を加える。この状態のまま加熱することによ
って樹脂１６全体を硬化させ、その接着力により半導体
素子１３の電極１４と導体配線１２の電気的接続と半導
体素子１３の機械的保持が完了される。
なお、真空包装後に圧力容器等に入れ、大気圧以上もし
くは以下の圧力を加えることが可能なのも明らかである
。
発明の効果 本発明の効果を以下に示す。
（１）複数個の半導体素子を簡易に加圧することができ
るため、量産性に優れる。また、大気圧を利用するため
、圧力が均等に加わり、半導体素子に与えるひずみをな
くすることができ、高品質を得ることができる。
（２）真空包装材の熱容量が小さいため、熱硬化時の昇
温時間、冷却時間を短かくでき、生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
第１図ａ−ｃは、本発明の半導体装置の製造方法の一実
施例を示す各工程の断面図、第２図ａ〜Ｃは従来の技術
を示す各工程の断面図である。 １１・・・・・・配線基板、１２・・・・・・導体配線
、１３・・・・・・半導体素子、１４・・・・・・半導
体素子の電極、１５・・・・・・絶縁性の樹脂、１６・
・・・・・加圧ツール、１７・・・・・・真空袋、１８
・・・・・紫外線。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 ノ、夕 第２図 １　　　　　＼

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）導体配線を有した配線基板上に樹脂により半導体
    素子が固着され、かつ前記半導体素子の電極と前記配線
    基板の導体配線が圧接させ、前記半導体素子を前記配線
    基板に真空包装による気圧を用いて加圧した状態で前記
    樹脂の硬化を行なう半導体装置の製造方法。
  2. （２）半導体素子の電極が突起電極である請求項１記載
    の半導体装置の製造方法。
JP63024219A 1988-02-04 1988-02-04 半導体装置の製造方法 Granted JPH01199440A (ja)

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JPH0519306B2 JPH0519306B2 (ja) 1993-03-16

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6058021A (en) * 1996-07-25 2000-05-02 Sharp Kabushiki Kaisha Structure of mounting a semiconductor element onto a substrate
JP2002359264A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Sony Corp フリップチップ実装方法及び装置、半導体装置
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JP2007184653A (ja) * 2007-04-09 2007-07-19 Hitachi Chem Co Ltd マルチチップモジュールの実装方法
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