JPH02198837A - 回路基板の製造方法 - Google Patents
回路基板の製造方法Info
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- JPH02198837A JPH02198837A JP1623589A JP1623589A JPH02198837A JP H02198837 A JPH02198837 A JP H02198837A JP 1623589 A JP1623589 A JP 1623589A JP 1623589 A JP1623589 A JP 1623589A JP H02198837 A JPH02198837 A JP H02198837A
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
〈産業上の利用分野）
本発明は、金属板や金属箔にポリイミド樹脂フィルムを
直接接着した、耐熱性、接着性に優れた回路基板の製造
方法に関する。
直接接着した、耐熱性、接着性に優れた回路基板の製造
方法に関する。
（従来の技術）
従来使用されている回路基板は、（１）金属箔または金
属板上に接着剤を介して基材を接着したもの、（２）金
属箔または金属板をエポキシ樹脂系接着剤或いはエポキ
シ樹脂含浸ガラスクロスで１５０℃以上の高温で加熱加
圧一体化したもの、（３）金属箔または金属板上にポリ
アミド酸樹脂溶液を直接塗布し、少なくとも３００℃以
上の高温でイミド化させたものである。
属板上に接着剤を介して基材を接着したもの、（２）金
属箔または金属板をエポキシ樹脂系接着剤或いはエポキ
シ樹脂含浸ガラスクロスで１５０℃以上の高温で加熱加
圧一体化したもの、（３）金属箔または金属板上にポリ
アミド酸樹脂溶液を直接塗布し、少なくとも３００℃以
上の高温でイミド化させたものである。
しかし、（１）の回路基板は接着剤の耐熱性が低く回路
基板として不適当である。 （２）の回路基板は、使
用するエポキシ樹脂系接着剤またはエポキシ樹脂含浸ガ
ラスクロスが可撓性、低誘電特性に劣る欠点がある。
また（３）ではポリイミド前駆体の組成によって生成ポ
リイミド膜と金属箔または金属板との接着力が不十分と
なり、回路パターン形成時に剥離現象を生じ不良の原因
どなる欠点がある。
基板として不適当である。 （２）の回路基板は、使
用するエポキシ樹脂系接着剤またはエポキシ樹脂含浸ガ
ラスクロスが可撓性、低誘電特性に劣る欠点がある。
また（３）ではポリイミド前駆体の組成によって生成ポ
リイミド膜と金属箔または金属板との接着力が不十分と
なり、回路パターン形成時に剥離現象を生じ不良の原因
どなる欠点がある。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、上記の欠点を解消するためになされたもので
、接着剤層の介在がなく、耐熱性、接着性、可撓性に優
れたもので回路パターン形成時に剥離現象を生じない回
路基板の製造方法を提供しようとするものである。
、接着剤層の介在がなく、耐熱性、接着性、可撓性に優
れたもので回路パターン形成時に剥離現象を生じない回
路基板の製造方法を提供しようとするものである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明者は、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重ね
た結果、接着剤を介在させることなく、特定のポリイミ
ド樹脂フィルムを直接に金属箔や金属板に接着すれば上
記目的が達成されることを見いだし、本発明を完成した
ものである。
た結果、接着剤を介在させることなく、特定のポリイミ
ド樹脂フィルムを直接に金属箔や金属板に接着すれば上
記目的が達成されることを見いだし、本発明を完成した
ものである。
すなわち、本発明は、
＜Ａ＞ ３．３′，４， ４．４’−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸（その無水物及び低級アルキルエステ
ルを含む）を９５モル％以上の主成分として含む芳香族
テトラカルボン酸と、 （Ｂ）−数式（Ｉ）又は（ｎ） （但し、式中Ｘは、ＣＨ，、Ｏ，ＳＯ２゜Ｃ，（ＣＨ３
） ２ 、 Ｃ（ＣＦ３ ） ２又はＳを、Ｒ１Ｒ２は
ＣＨ，、Ｃ２Ｈ，、ＯＣＨ３又はＱＣ２Ｈ５を、Ｒ３、
Ｒ４はＣ２Ｈ１１を、Ｒ５はフェニル基又はシクロヘキ
サン基を表し、Ｒ１−Ｒ４はいずれもＲ５に関しアミノ
基のオルソ位に置換されている）で示される芳香族ジア
ミンを９０モル％以上の主成分として含むジアミンとを
反応させてなるポリイミド樹脂フィルムを、金属箔又は
金属板に対して直接に接着することを特徴とする回路基
板の製造方法である。
テトラカルボン酸（その無水物及び低級アルキルエステ
ルを含む）を９５モル％以上の主成分として含む芳香族
テトラカルボン酸と、 （Ｂ）−数式（Ｉ）又は（ｎ） （但し、式中Ｘは、ＣＨ，、Ｏ，ＳＯ２゜Ｃ，（ＣＨ３
） ２ 、 Ｃ（ＣＦ３ ） ２又はＳを、Ｒ１Ｒ２は
ＣＨ，、Ｃ２Ｈ，、ＯＣＨ３又はＱＣ２Ｈ５を、Ｒ３、
Ｒ４はＣ２Ｈ１１を、Ｒ５はフェニル基又はシクロヘキ
サン基を表し、Ｒ１−Ｒ４はいずれもＲ５に関しアミノ
基のオルソ位に置換されている）で示される芳香族ジア
ミンを９０モル％以上の主成分として含むジアミンとを
反応させてなるポリイミド樹脂フィルムを、金属箔又は
金属板に対して直接に接着することを特徴とする回路基
板の製造方法である。
本発明に用いる（Ａ）芳香族テトラカルボン酸に含まれ
る３、３′、 ４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸は、３．３”、 ４．４’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸並びにその無水物及び低級アルキルエステル
を意味する。 （Ａ）芳香族テトラカルボン酸は３．
３′、 ４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸が
全量であることが望ましいが、それ以外の芳香族テトラ
カルボン酸を５モル％未満含んでもよい。
る３、３′、 ４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸は、３．３”、 ４．４’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸並びにその無水物及び低級アルキルエステル
を意味する。 （Ａ）芳香族テトラカルボン酸は３．
３′、 ４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸が
全量であることが望ましいが、それ以外の芳香族テトラ
カルボン酸を５モル％未満含んでもよい。
本発明に用いる（Ｂ）ジアミンは、次の一蝦式％式％（
） （但し、式中Ｘは、ＣＨ２，Ｏ，ＳＯ２゜Ｃ（ＣＨ３）
２ 、 Ｃ（ＣＦ３ ） ２又はＳを、Ｒ′Ｒ２はＣ
Ｈ，、Ｃ２Ｈ，、ＯＣＨ，又はＱＣ２Ｈ５を、Ｒ３，Ｒ
’はＣ２Ｈｓを、Ｒ６はフェニル基又はシクロヘキサン
基を表し′、そしてＲ１−Ｒ４はいずれもＲｓに関しア
ミノ基のオルソ位に置換されている）で示される芳香族
ジアミンを含んでいる。 この構造式（Ｉ）又は（ＩＩ
）の芳香族ジアミンとしては、３．３′−ジメチル−５
□５′−ジエチル−４，４′−ジアミノジフェニルメタ
ン、３．３ ′，４， ５．５’−テトラエチル−４，
４′−ジアミノジフェニルメタン、３．３′−ジメチル
−４，４′−ジアミノジシクロヘキシルメタン、３，３
′−ジメトキシ−４，４′−ジアミノジフェニルメタン
、３．３′−ジェトキシ−４゜４′−ジアミノジフェニ
ルメタン、３．３′−ジエチル−４，４’−ジアミノジ
フェニルエーテル、３．３′−ジメトキシ−４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル、３゜３′−メチル−４，
４′−ジアミノジフェニルスルホン、３．３′−ジエチ
ル−４，４′−ジアミノジフェニルスルホン、３．３′
−ジメトキシ−４，４′−ジアミノジフェニルスルホン
、３．３−ジェトキシ−４，４′−ジアミノジフェニル
スルホン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノジ
フェニルプロパン、３．３′−ジエチル−４，４′−ジ
アミノジフェニルプロパン、３，３′−ジメトキシ−４
４′〜ジアミノジフエニルプロパン、３．３′−ジェト
キシ−４，４′−ジアミノジフェニルプロパン、３．３
’−ジメチル−４，４′−ジアミノジフェニルスルファ
イド、３．３′−ジエチル−４，４′−ジアミノジフェ
ニルスルファイド、３，３′−ジメトキシ−４，４′−
ジアミノジフェニルスルファイド、３．３′−ジェトキ
シ−４，４′−ジアミノジフェニルスルファイド、４．
４′−ジメチル−５，５′〜ジアミノジフエニルへキサ
フルオロプロパン等が挙げられ、これらは単独又は２種
以上混合して用いることができる。
） （但し、式中Ｘは、ＣＨ２，Ｏ，ＳＯ２゜Ｃ（ＣＨ３）
２ 、 Ｃ（ＣＦ３ ） ２又はＳを、Ｒ′Ｒ２はＣ
Ｈ，、Ｃ２Ｈ，、ＯＣＨ，又はＱＣ２Ｈ５を、Ｒ３，Ｒ
’はＣ２Ｈｓを、Ｒ６はフェニル基又はシクロヘキサン
基を表し′、そしてＲ１−Ｒ４はいずれもＲｓに関しア
ミノ基のオルソ位に置換されている）で示される芳香族
ジアミンを含んでいる。 この構造式（Ｉ）又は（ＩＩ
）の芳香族ジアミンとしては、３．３′−ジメチル−５
□５′−ジエチル−４，４′−ジアミノジフェニルメタ
ン、３．３ ′，４， ５．５’−テトラエチル−４，
４′−ジアミノジフェニルメタン、３．３′−ジメチル
−４，４′−ジアミノジシクロヘキシルメタン、３，３
′−ジメトキシ−４，４′−ジアミノジフェニルメタン
、３．３′−ジェトキシ−４゜４′−ジアミノジフェニ
ルメタン、３．３′−ジエチル−４，４’−ジアミノジ
フェニルエーテル、３．３′−ジメトキシ−４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル、３゜３′−メチル−４，
４′−ジアミノジフェニルスルホン、３．３′−ジエチ
ル−４，４′−ジアミノジフェニルスルホン、３．３′
−ジメトキシ−４，４′−ジアミノジフェニルスルホン
、３．３−ジェトキシ−４，４′−ジアミノジフェニル
スルホン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノジ
フェニルプロパン、３．３′−ジエチル−４，４′−ジ
アミノジフェニルプロパン、３，３′−ジメトキシ−４
４′〜ジアミノジフエニルプロパン、３．３′−ジェト
キシ−４，４′−ジアミノジフェニルプロパン、３．３
’−ジメチル−４，４′−ジアミノジフェニルスルファ
イド、３．３′−ジエチル−４，４′−ジアミノジフェ
ニルスルファイド、３，３′−ジメトキシ−４，４′−
ジアミノジフェニルスルファイド、３．３′−ジェトキ
シ−４，４′−ジアミノジフェニルスルファイド、４．
４′−ジメチル−５，５′〜ジアミノジフエニルへキサ
フルオロプロパン等が挙げられ、これらは単独又は２種
以上混合して用いることができる。
また、この芳香族ジアミンの他に１０モル％未満の他の
ジアミンを配合することもできる。
ジアミンを配合することもできる。
（Ａ＞の芳香族テトラカルボン酸と（Ｂ）ジアミンの反
応は、はぼ等モルを有機溶媒中で３０℃以下、好ましく
は０℃以下の反応温度下に３〜１２時間付加反応させた
後、脱水剤を加えて１００℃で脱水環化して次の構造式
（ＩＩＩ）あるいは（ＩＶ）のポリイミド樹脂が得られ
る。
応は、はぼ等モルを有機溶媒中で３０℃以下、好ましく
は０℃以下の反応温度下に３〜１２時間付加反応させた
後、脱水剤を加えて１００℃で脱水環化して次の構造式
（ＩＩＩ）あるいは（ＩＶ）のポリイミド樹脂が得られ
る。
・・・・・・＜Ｉ［）
・・・・・・（ＩＶ）
（但し、式中Ｘは、ＣＨ２，Ｏ，Ｓｏ、。
Ｃ（ＣＨ３）２．Ｃ（ＣＦ□）２又はＳを、Ｒ′Ｒ２は
、ＣＨ，、Ｃ，Ｈ，、ＯＣＨ，又はＱＣ，Ｈ，を、Ｒ３
，Ｒ’はＣｚ Ｈｓを、ａｌｌは、Ｃ６Ｈ，又はシクロ
ヘキサン基を、ｎは整数をそれぞれ表し、そしてＲ１−
Ｒ４はいずれもＲ５に関しアミノ基のオルソ位に置換さ
れている）この付加重合反応において用いる有機溶媒と
しては、例えばジメチルスルホオキシド、Ｎ、Ｎ−ジメ
チルボルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ
、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチルアセト
アミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ヘキサメチレン
ホスホアミド等が用いられる。
、ＣＨ，、Ｃ，Ｈ，、ＯＣＨ，又はＱＣ，Ｈ，を、Ｒ３
，Ｒ’はＣｚ Ｈｓを、ａｌｌは、Ｃ６Ｈ，又はシクロ
ヘキサン基を、ｎは整数をそれぞれ表し、そしてＲ１−
Ｒ４はいずれもＲ５に関しアミノ基のオルソ位に置換さ
れている）この付加重合反応において用いる有機溶媒と
しては、例えばジメチルスルホオキシド、Ｎ、Ｎ−ジメ
チルボルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ
、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチルアセト
アミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ヘキサメチレン
ホスホアミド等が用いられる。
ポリイミド樹脂からフィルムを製造する場合は、ポリイ
ミド溶液を離型紙またはフィルムにコーティングしてつ
くる。 この場合、ポリイミド溶液はポリイミド樹脂５
〜４０重量％、好ましくは１０〜３０重量％溶液とし、
かつ固有粘度が０．５〜６旧／Ｑ、特に０．１〜４ ｔ
ｉ＋／ｇである溶液を用いることがポリイミドの物性及
び塗布・乾燥工程での経済性から好ましい、 ポリイミ
ド樹脂溶液を離型紙またはフィルムにコーティングする
操作は流延塗布して行われるが、具体的には次のような
方法で行われる。 離型紙又はフィルムにポリイミド樹
脂溶液を製膜用スリットから吐出させて均一な厚さ（−
数的には１０〜３００μｌとなるように調節される）の
塗膜層が形成される。 他のコーティング手段としては
、ロールコータ−、ナイフコーター、コンマコーター
ドクターブレード、フローコーターなどの他の公知の手
段を利用することも可能である。
ミド溶液を離型紙またはフィルムにコーティングしてつ
くる。 この場合、ポリイミド溶液はポリイミド樹脂５
〜４０重量％、好ましくは１０〜３０重量％溶液とし、
かつ固有粘度が０．５〜６旧／Ｑ、特に０．１〜４ ｔ
ｉ＋／ｇである溶液を用いることがポリイミドの物性及
び塗布・乾燥工程での経済性から好ましい、 ポリイミ
ド樹脂溶液を離型紙またはフィルムにコーティングする
操作は流延塗布して行われるが、具体的には次のような
方法で行われる。 離型紙又はフィルムにポリイミド樹
脂溶液を製膜用スリットから吐出させて均一な厚さ（−
数的には１０〜３００μｌとなるように調節される）の
塗膜層が形成される。 他のコーティング手段としては
、ロールコータ−、ナイフコーター、コンマコーター
ドクターブレード、フローコーターなどの他の公知の手
段を利用することも可能である。
このようにして調製されたポリイミド塗布層を加熱して
脱溶媒を行う、 加熱温度は一般的には１００〜２００
℃で、好ましくは１００〜１８０℃である。
脱溶媒を行う、 加熱温度は一般的には１００〜２００
℃で、好ましくは１００〜１８０℃である。
こうして離型紙又はフィルム上にポリイミド樹脂フィル
ムを形成し、その後、離型紙やフィルムを剥がしてポリ
イミド樹脂フィルムを得る。
ムを形成し、その後、離型紙やフィルムを剥がしてポリ
イミド樹脂フィルムを得る。
このポリイミド樹脂のフィルムは、銅箔、アルミニウム
箔、ニッケル箔、その他金属板等に加熱加圧接着する。
箔、ニッケル箔、その他金属板等に加熱加圧接着する。
加熱加圧接着する方法は、金属箔や金属板上にフィル
ムを直接重ねた後、加熱加圧してポリイミドフィルムを
融着させる。 この時の温度は２００〜３００℃、好ま
しくは１５０〜２９０℃の範囲である。 金属箔や金属
板はポリイミドフィルムを間に介して多層化することも
できる。
ムを直接重ねた後、加熱加圧してポリイミドフィルムを
融着させる。 この時の温度は２００〜３００℃、好ま
しくは１５０〜２９０℃の範囲である。 金属箔や金属
板はポリイミドフィルムを間に介して多層化することも
できる。
（作用）
本発明の回路基板の製造方法は、新規なポリイミド樹脂
フィルムを直接に銅箔などと接着させることによって、
その効果を奏するものである。
フィルムを直接に銅箔などと接着させることによって、
その効果を奏するものである。
この新規なポリイミド樹脂はフィルム形成能力に優れて
おり、このフィルムを接着剤の介在なしで金属板や金属
箔に融着させることができる。 かかる製造方法によっ
てポリイミド樹脂本来の耐熱性は保持される。
おり、このフィルムを接着剤の介在なしで金属板や金属
箔に融着させることができる。 かかる製造方法によっ
てポリイミド樹脂本来の耐熱性は保持される。
（実施例）
次に本発明を実施例によって説明する。
実施例 １
三ロフラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内を窒素で置
換した後、３．３′，４， ５．５’−テトラエチル−
４，４′−ジアミノジフェニルメタン３１０ｇを入れ、
これにＮ−メチル−２−ピロリドン（Ｎ Ｍ Ｐ ）
２５３０１を加え溶解した。 溶解後、０°Ｃに冷却し
て撹拌しながら３．３′，４， ４．４’−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸無水物３２２ｇを加えた。 反応
熱を氷水中で抑えながら６時間攪拌を続けて反応させた
。
換した後、３．３′，４， ５．５’−テトラエチル−
４，４′−ジアミノジフェニルメタン３１０ｇを入れ、
これにＮ−メチル−２−ピロリドン（Ｎ Ｍ Ｐ ）
２５３０１を加え溶解した。 溶解後、０°Ｃに冷却し
て撹拌しながら３．３′，４， ４．４’−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸無水物３２２ｇを加えた。 反応
熱を氷水中で抑えながら６時間攪拌を続けて反応させた
。
次いで反応溶液に脱水剤である無水酢酸４０８１、およ
びピリジン４０１１を加え、１００℃で酢酸を留出させ
ながら３時間の閉環反応を行った。 その後、無水酢酸
／ピリジンを減圧下で留出除去させてイミド化を完結さ
せた。 イミド化反応後、反応溶液をメタノールと水の
混合溶液に投入してポリイミド樹脂を析出させ、析出物
を乾燥して黄色のポリイミド樹脂粉末（固有粘度２．５
６１／ｇ）５９０９を得た。 得られたポリイミド樹脂
粉末１５０ｇをシクロヘキサノン８５０１に溶解して、
離型フィルム上に流延塗布によって厚さ３５μｍに均一
にコーティングし、１５０℃で加熱乾燥してポリイミド
フィルムを得た。 このフィルムを厚さ３５μｌの銅箔
に重ね、２９０℃で１０分間加圧してポリイミド樹脂フ
ィルムを絶縁層とする回路基板を製造した。
びピリジン４０１１を加え、１００℃で酢酸を留出させ
ながら３時間の閉環反応を行った。 その後、無水酢酸
／ピリジンを減圧下で留出除去させてイミド化を完結さ
せた。 イミド化反応後、反応溶液をメタノールと水の
混合溶液に投入してポリイミド樹脂を析出させ、析出物
を乾燥して黄色のポリイミド樹脂粉末（固有粘度２．５
６１／ｇ）５９０９を得た。 得られたポリイミド樹脂
粉末１５０ｇをシクロヘキサノン８５０１に溶解して、
離型フィルム上に流延塗布によって厚さ３５μｍに均一
にコーティングし、１５０℃で加熱乾燥してポリイミド
フィルムを得た。 このフィルムを厚さ３５μｌの銅箔
に重ね、２９０℃で１０分間加圧してポリイミド樹脂フ
ィルムを絶縁層とする回路基板を製造した。
実施例 ２
三ロフラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内を窒素で置
換した後、４，４′−ジメチル−５，５′−ジアミノジ
フェニルへキサフルオロプロパン３６２ｇを入れ、これ
にＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）３４２０１を
加えて溶解した。 溶解後０℃に冷却して攪拌しながら
３．３′，４， ４．４’−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸無水物３２２ｇを加えた。 反応熱を氷水中で抑
えながら６時間攪拌を続は反応させた。
換した後、４，４′−ジメチル−５，５′−ジアミノジ
フェニルへキサフルオロプロパン３６２ｇを入れ、これ
にＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）３４２０１を
加えて溶解した。 溶解後０℃に冷却して攪拌しながら
３．３′，４， ４．４’−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸無水物３２２ｇを加えた。 反応熱を氷水中で抑
えながら６時間攪拌を続は反応させた。
次いで反応溶液に脱水剤である無水酢酸４０８１、およ
びピリジン４０１加え、１００℃で酢酸を留出させなが
ら３時間の閉環反応を行った。 その後無水酢酸／ピリ
ジンを減圧下で留出除去させてイミド化を完結させた。
びピリジン４０１加え、１００℃で酢酸を留出させなが
ら３時間の閉環反応を行った。 その後無水酢酸／ピリ
ジンを減圧下で留出除去させてイミド化を完結させた。
イミド化反応後、反応溶液をメタノールと水の混合溶
液に投入してポリイミド樹脂を析出させ、析出物を乾燥
して黄色のポリイミド樹脂粉末（固有粘度３．４４ ｃ
＋＋／ｇ ） ６４０ｇを得な、 得られたポリイミ
ド樹脂粉末１５０ｇをシクロヘキサノン８５０１に溶解
し、離型フィルム上に流延塗布して厚さ３５μｌに均一
にコーティングし、１５０℃で加熱乾燥してポリイミド
フィルムを得た。 このフィルムを厚さ３５μ椙の銅箔
に重ね、２９０℃で１０分間加圧してポリイミド樹脂を
絶縁層とする回路基板を製造した。
液に投入してポリイミド樹脂を析出させ、析出物を乾燥
して黄色のポリイミド樹脂粉末（固有粘度３．４４ ｃ
＋＋／ｇ ） ６４０ｇを得な、 得られたポリイミ
ド樹脂粉末１５０ｇをシクロヘキサノン８５０１に溶解
し、離型フィルム上に流延塗布して厚さ３５μｌに均一
にコーティングし、１５０℃で加熱乾燥してポリイミド
フィルムを得た。 このフィルムを厚さ３５μ椙の銅箔
に重ね、２９０℃で１０分間加圧してポリイミド樹脂を
絶縁層とする回路基板を製造した。
実施例 ３
三ロフラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内を窒素で置
換した後、３．３′−ジメチル−５，５′−ジエチル−
４，４′−ジアミノジフェニルメタン２８２ｇを入れ、
これにＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）２４２０
１を加え溶解した。 溶解後、０℃に冷却し撹拌しなが
ら３．３′，４， ４．４’−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸無水物３２２ｇを加えた。 反応熱を氷水中で
抑えながら６時間撹拌を続けて反応させた。
換した後、３．３′−ジメチル−５，５′−ジエチル−
４，４′−ジアミノジフェニルメタン２８２ｇを入れ、
これにＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）２４２０
１を加え溶解した。 溶解後、０℃に冷却し撹拌しなが
ら３．３′，４， ４．４’−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸無水物３２２ｇを加えた。 反応熱を氷水中で
抑えながら６時間撹拌を続けて反応させた。
次いで、反応溶液に脱水剤である無水酢酸４０８１、お
よびピリジン４０１１＋を加え、１００℃で酢酸を留出
させながら３時間の閉環反応を行った。 その後無水酢
酸／ピリジンを減圧下で留出除去させてイミド化を完結
させた。 イミド化反応後、反応溶液をメタノールと水
の混合溶液に投入してポリイミド樹脂を析出させ、析出
物を乾燥して黄色のポリイミド樹脂粉末（固有粘度２．
３３ ｄｌ／Ｑ ”）５６４ｇを得た。 得られたポリ
イミド樹脂１５０ｇをシクロヘキサノン８５０１に溶解
して、離型フィルム上に流延塗布し厚さ３５μ僅に均一
にコーティングし、１５０℃で加熱乾燥してポリイミド
フィルムを得た。 このフィルムを厚さ３５μｍの銅箔
に重ね、２９０℃で１０分間加圧してポリイミド樹脂を
絶縁層とする回路基板を製造した。
よびピリジン４０１１＋を加え、１００℃で酢酸を留出
させながら３時間の閉環反応を行った。 その後無水酢
酸／ピリジンを減圧下で留出除去させてイミド化を完結
させた。 イミド化反応後、反応溶液をメタノールと水
の混合溶液に投入してポリイミド樹脂を析出させ、析出
物を乾燥して黄色のポリイミド樹脂粉末（固有粘度２．
３３ ｄｌ／Ｑ ”）５６４ｇを得た。 得られたポリ
イミド樹脂１５０ｇをシクロヘキサノン８５０１に溶解
して、離型フィルム上に流延塗布し厚さ３５μ僅に均一
にコーティングし、１５０℃で加熱乾燥してポリイミド
フィルムを得た。 このフィルムを厚さ３５μｍの銅箔
に重ね、２９０℃で１０分間加圧してポリイミド樹脂を
絶縁層とする回路基板を製造した。
比較例
市販の厚さ２５μｌのポリイミドフィルムと実施例で用
いた銅箔とをアクリルゴム系接着剤を用いて室温で０．
７ｋｇ／ ｃｎ’の条件で加圧して回路基板を製造しな
。
いた銅箔とをアクリルゴム系接着剤を用いて室温で０．
７ｋｇ／ ｃｎ’の条件で加圧して回路基板を製造しな
。
実施例１〜３及び比較例で得られた回路基板のポリイミ
ドフィルムと銅箔との接着力（ＡＳＴＭ−Ｄ−１８７５
に準じて測定）、耐はんだ性〈ＪＩｓ−Ｃ−６４８１に
準じて測定）を試験しなので、その結果を第１表に示し
た。 本発明の回路基板は外観の異常がなく、接着力も
優れており、本発明の効果が認められた。
ドフィルムと銅箔との接着力（ＡＳＴＭ−Ｄ−１８７５
に準じて測定）、耐はんだ性〈ＪＩｓ−Ｃ−６４８１に
準じて測定）を試験しなので、その結果を第１表に示し
た。 本発明の回路基板は外観の異常がなく、接着力も
優れており、本発明の効果が認められた。
第
表
（単位）
［発明の効果〕
以上の説明および第１表から明らかなように、本発明の
回路基板の製造方法によれば、耐熱性、接着力、可視性
に優れており、接着剤の介在がなくても剥離現象を生じ
ない回路基板を得ることができる。
回路基板の製造方法によれば、耐熱性、接着力、可視性
に優れており、接着剤の介在がなくても剥離現象を生じ
ない回路基板を得ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ （Ａ）３，３′，４，４−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸（その無水物及び低級アルキルエステルを含む
）を９５モル％以上の主成分として含む芳香族テトラカ
ルボン酸と、 （Ｂ）一般式（ I ）又は（II） ▲数式、化学式、表等があります▼ ・・・・・・（
I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ ・・・・・・（I
I） （但し、式中Ｘは、ＣＨ＿２，Ｏ，ＳＯ＿２，Ｃ（ＣＨ
＿３）＿２，Ｃ（ＣＦ＿３）＿２又はＳを、Ｒ＾１，Ｒ
＾２はＣＨ＿３，Ｃ＿２Ｈ＿５，ＯＣＨ＿３又はＯＣ＿
２Ｈ＿５を、Ｒ＾３，Ｒ＾４はＣ＾２Ｈ＾５を、Ｒ＾５
はフェニル基又はシクロヘキサン基を表し、Ｒ＾１〜Ｒ
＾４はいずれもＲ＾５に関しアミノ基のオルソ位に置換
されている）で示される芳香族ジアミンを９０モル％以
上の主成分として含むジアミンとを反応させてなるポリ
イミド樹脂フィルムを、金属箔又は金属板に対して直接
に接着することを特徴とする回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1016235A JP2712082B2 (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1016235A JP2712082B2 (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02198837A true JPH02198837A (ja) | 1990-08-07 |
| JP2712082B2 JP2712082B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=11910893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1016235A Expired - Lifetime JP2712082B2 (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2712082B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04299885A (ja) * | 1990-12-17 | 1992-10-23 | E I Du Pont De Nemours & Co | ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物を含有するテトラポリイミドフィルム |
| JP2002368393A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Toray Eng Co Ltd | 金属配線回路基板の製造方法 |
| JP2022062795A (ja) * | 2020-10-09 | 2022-04-21 | 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 | 電子材料 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6115825A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-23 | Lion Corp | 練歯磨組成物 |
| JPS62208690A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-09-12 | 三井東圧化学株式会社 | フレキシブルプリント回路基板及びその製法 |
-
1989
- 1989-01-27 JP JP1016235A patent/JP2712082B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6115825A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-23 | Lion Corp | 練歯磨組成物 |
| JPS62208690A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-09-12 | 三井東圧化学株式会社 | フレキシブルプリント回路基板及びその製法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04299885A (ja) * | 1990-12-17 | 1992-10-23 | E I Du Pont De Nemours & Co | ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物を含有するテトラポリイミドフィルム |
| JP2002368393A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Toray Eng Co Ltd | 金属配線回路基板の製造方法 |
| JP2022062795A (ja) * | 2020-10-09 | 2022-04-21 | 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 | 電子材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2712082B2 (ja) | 1998-02-10 |
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