JPH02199854A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH02199854A JPH02199854A JP1911189A JP1911189A JPH02199854A JP H02199854 A JPH02199854 A JP H02199854A JP 1911189 A JP1911189 A JP 1911189A JP 1911189 A JP1911189 A JP 1911189A JP H02199854 A JPH02199854 A JP H02199854A
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- resin
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- Pending
Links
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に半導体装置
のリードフレームに関スる。
のリードフレームに関スる。
従来、この種の半導体装置は、ニッケルと鉄の合金や鋼
材等の薄板をプレスによる打ち抜き又はエツチングによ
り所定の形状のリードフレームを得、アイランドに所定
の集積回路（以下ＩＣと略記する）チップを搭載し、ポ
ンディングワイヤで、リードフレームのステッチ部とＩ
Ｃチップとを接続した後、樹脂封止を行なっていた。
材等の薄板をプレスによる打ち抜き又はエツチングによ
り所定の形状のリードフレームを得、アイランドに所定
の集積回路（以下ＩＣと略記する）チップを搭載し、ポ
ンディングワイヤで、リードフレームのステッチ部とＩ
Ｃチップとを接続した後、樹脂封止を行なっていた。
上述した半導体装置は、リードフレームの表面にＩＣチ
ップを搭載し、リードフレームとＩＣチップをポンディ
ングワイヤで接続した後、４００℃程度の溶融した樹脂
で封止する。この場合、リードフレームと封止樹脂の熱
膨張率の違いにより封止樹脂に応力がかかり、封止樹脂
にクラックが入るという欠点がある。そのため、クラッ
ク発生による回路素子の損傷、および半導体装置内部へ
水分が浸入することによる金属部材の腐食、短絡等の問
題が発生していた。
ップを搭載し、リードフレームとＩＣチップをポンディ
ングワイヤで接続した後、４００℃程度の溶融した樹脂
で封止する。この場合、リードフレームと封止樹脂の熱
膨張率の違いにより封止樹脂に応力がかかり、封止樹脂
にクラックが入るという欠点がある。そのため、クラッ
ク発生による回路素子の損傷、および半導体装置内部へ
水分が浸入することによる金属部材の腐食、短絡等の問
題が発生していた。
本発明の目的は、上記問題を解決し、樹脂封止時に封止
樹脂に加わるストレスの発生を緩和できる半導体装置を
提供することにある。
樹脂に加わるストレスの発生を緩和できる半導体装置を
提供することにある。
本発明の半導体装置のリードフレームは、少なくとも集
積回路チップ搭載面およびポンディングの施されるステ
ッチ部を除く、樹脂封止領域内の少なくともリードフレ
ームの表面にポリイミド樹脂膜等の応力緩衝膜を有して
いる。そのため、樹脂封止時にリードフレームと封止樹
脂間の熱膨張率の違いにより生じる応力を緩和すること
ができるものである。
積回路チップ搭載面およびポンディングの施されるステ
ッチ部を除く、樹脂封止領域内の少なくともリードフレ
ームの表面にポリイミド樹脂膜等の応力緩衝膜を有して
いる。そのため、樹脂封止時にリードフレームと封止樹
脂間の熱膨張率の違いにより生じる応力を緩和すること
ができるものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例の平面図であり、
第１図（ｂ）はＡ−Ａ’線における断面図である。二、
ケルと鉄の合金又は鋼材等の薄板をプレスによる打ち抜
き又はエツチングにより所定の形状にバターニングした
リードフレーム１において、ＩＣチップの搭載されるア
イランド２のチップ搭載面およびＩＣチップとボンディ
ングされるステッチ３を除く樹脂封止領域４内の少なく
ともリードフレーム１０表面にポリイミド樹脂膜５が設
けられている。このような構成により樹脂封止時にリー
ドフレームと封止樹脂間の熱膨張率の違いにより生じる
応力がポリイミド樹脂膜により緩和され、直接封止樹脂
に応力が加わることはない。
第１図（ｂ）はＡ−Ａ’線における断面図である。二、
ケルと鉄の合金又は鋼材等の薄板をプレスによる打ち抜
き又はエツチングにより所定の形状にバターニングした
リードフレーム１において、ＩＣチップの搭載されるア
イランド２のチップ搭載面およびＩＣチップとボンディ
ングされるステッチ３を除く樹脂封止領域４内の少なく
ともリードフレーム１０表面にポリイミド樹脂膜５が設
けられている。このような構成により樹脂封止時にリー
ドフレームと封止樹脂間の熱膨張率の違いにより生じる
応力がポリイミド樹脂膜により緩和され、直接封止樹脂
に応力が加わることはない。
本実施例に示した半導体装置は、例えばリードフレーム
用薄板を所定の形状にバターニングした後、溶融したポ
リイミド樹脂を滴下し、ポリイミドの薄膜を形成し、そ
の後、公知のエツチング技術を用いて、アイランド部２
とステッチ部３を除くリードフレーム形状にバターニン
グすることにより形成される。
用薄板を所定の形状にバターニングした後、溶融したポ
リイミド樹脂を滴下し、ポリイミドの薄膜を形成し、そ
の後、公知のエツチング技術を用いて、アイランド部２
とステッチ部３を除くリードフレーム形状にバターニン
グすることにより形成される。
また、バターニングされていないリードフレーム用薄板
にポリイミド薄膜を形成した後、エツチングによりポリ
イミド薄膜とリードフレーム用薄板を所定の形状にバタ
ーニングしても良い。
にポリイミド薄膜を形成した後、エツチングによりポリ
イミド薄膜とリードフレーム用薄板を所定の形状にバタ
ーニングしても良い。
次に第２図に本発明の第２の実施例を示す。第１の実施
例ではリードフレームの上下面のみ、あるいは上下およ
び側面がポリイミド樹脂膜により被覆されているだけで
あったが本実施例では、アイランド部２およびステッチ
部３を除く樹脂封止領域内全域にポリイミド樹脂膜５′
が形成されている。そのためＩＣチップとのワイヤ接続
のためにリードフレーム１から突出して設けられている
内部リード１′間の応力が緩和され封止樹脂のクラック
発生の危険性を抑えることができる。
例ではリードフレームの上下面のみ、あるいは上下およ
び側面がポリイミド樹脂膜により被覆されているだけで
あったが本実施例では、アイランド部２およびステッチ
部３を除く樹脂封止領域内全域にポリイミド樹脂膜５′
が形成されている。そのためＩＣチップとのワイヤ接続
のためにリードフレーム１から突出して設けられている
内部リード１′間の応力が緩和され封止樹脂のクラック
発生の危険性を抑えることができる。
本実施例の製造方法は、リードフレーム用薄板をバター
ニングした後、溶融したポリイミド樹脂を滴下し、エツ
チングによりアイランド部２．ステッチ部３．および樹
脂封止領域外のポリイミド樹脂膜を除去すれば良い。
ニングした後、溶融したポリイミド樹脂を滴下し、エツ
チングによりアイランド部２．ステッチ部３．および樹
脂封止領域外のポリイミド樹脂膜を除去すれば良い。
以上説明したように本発明は、アイランドおよびステッ
チを除く、少なくとも樹脂封止領域内のリードフレーム
表面にポリイミド樹脂膜を形成することによりリードフ
レームと封止樹脂の熱膨張率の違いによる封止樹脂のス
トレスがポリイミド樹脂膜により緩和されクラックの発
生を防止でき、信頼性の高い半導体装置を提供できる。
チを除く、少なくとも樹脂封止領域内のリードフレーム
表面にポリイミド樹脂膜を形成することによりリードフ
レームと封止樹脂の熱膨張率の違いによる封止樹脂のス
トレスがポリイミド樹脂膜により緩和されクラックの発
生を防止でき、信頼性の高い半導体装置を提供できる。
第１図（ａ）のＡ−Ａ’の断面図、第２図は本発明の第
２の実施例を示す平面図である。
２の実施例を示す平面図である。
１・・・・・・リードフレーム、１′・・・・・・内部
リード、２・・・・・・アイランド、３・・・・・・ス
テッチ、４・・印・樹脂封止領域、５，５′・・・・・
・ポリイミド樹脂膜。
リード、２・・・・・・アイランド、３・・・・・・ス
テッチ、４・・印・樹脂封止領域、５，５′・・・・・
・ポリイミド樹脂膜。
代理人 弁理士 内 原 晋
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例を示す半導体装置
のリードフレームの平面図、第１図（ｂ）は（１）ノ 茅 凹 茅 閏
のリードフレームの平面図、第１図（ｂ）は（１）ノ 茅 凹 茅 閏
Claims (1)
- 樹脂封止型半導体装置において、集積回路チップ搭載面
およびステッチ部を除く樹脂封止領域内の少なくともリ
ードフレームの表面に応力緩衝膜を設けたことを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1911189A JPH02199854A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1911189A JPH02199854A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02199854A true JPH02199854A (ja) | 1990-08-08 |
Family
ID=11990370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1911189A Pending JPH02199854A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02199854A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04106964A (ja) * | 1990-08-27 | 1992-04-08 | Nec Corp | 半導体装置 |
| WO2025084109A1 (ja) * | 2023-10-18 | 2025-04-24 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-01-27 JP JP1911189A patent/JPH02199854A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04106964A (ja) * | 1990-08-27 | 1992-04-08 | Nec Corp | 半導体装置 |
| WO2025084109A1 (ja) * | 2023-10-18 | 2025-04-24 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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