JPH0220043A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0220043A JPH0220043A JP17005888A JP17005888A JPH0220043A JP H0220043 A JPH0220043 A JP H0220043A JP 17005888 A JP17005888 A JP 17005888A JP 17005888 A JP17005888 A JP 17005888A JP H0220043 A JPH0220043 A JP H0220043A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、コンタクトホールの形成方法に関する。
［従来の技術］
従来、絶縁膜にコンタクトホールを形成しようとする場
合には、フォトレジストをマスクとして絶縁膜をドライ
エツチングしていたが、この場合にはコンタクトホール
の形状が重置であるため。
合には、フォトレジストをマスクとして絶縁膜をドライ
エツチングしていたが、この場合にはコンタクトホール
の形状が重置であるため。
微細化、高集積化が進むにともない、コンタクトホール
部分における配線の被覆性が問題となり。
部分における配線の被覆性が問題となり。
テーパー角を有するコンタクトホールの形成が要求され
るようになってきているが、この要求を満たすための手
段としては＊ −ｆＩＸに第２図（ａ）〜（Ｃ）に示し
たようなフォトレジストの後退を利用する方法が用いら
れるようになってきている。
るようになってきているが、この要求を満たすための手
段としては＊ −ｆＩＸに第２図（ａ）〜（Ｃ）に示し
たようなフォトレジストの後退を利用する方法が用いら
れるようになってきている。
すなわち、半導体基板２０１上方リンガラス２０４上に
フォトレジスト２０５でコンタクトホールのパターンを
形成した後、１５０′Ｃ〜２００°Ｃでベークしてフォ
トレジスト２０５をフローした俊に、フォトレジスト２
０５とリンガラス２０４０）エツチング速度が等しくな
るようなエツチング条（牛で、フォトレジスト２０５と
リンガラス２０４を同時にエツチングしていくことによ
り、テーパー角を有するコンタクトホールを形成してい
た。
フォトレジスト２０５でコンタクトホールのパターンを
形成した後、１５０′Ｃ〜２００°Ｃでベークしてフォ
トレジスト２０５をフローした俊に、フォトレジスト２
０５とリンガラス２０４０）エツチング速度が等しくな
るようなエツチング条（牛で、フォトレジスト２０５と
リンガラス２０４を同時にエツチングしていくことによ
り、テーパー角を有するコンタクトホールを形成してい
た。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、前述の技術では、フォトレジストを回転
塗布しているために、半導体基板の表面に凹凸がある場
合には、フォトレジストの膜厚は凹の部分では厚く、凸
の部分では薄くなるために。
塗布しているために、半導体基板の表面に凹凸がある場
合には、フォトレジストの膜厚は凹の部分では厚く、凸
の部分では薄くなるために。
高温ベークによりフローした陵のそれぞれの部分におけ
るフォトレジストの形状が異なり、特に膜厚の１ブい部
分ては大きなテーパーがつきに＜＜。
るフォトレジストの形状が異なり、特に膜厚の１ブい部
分ては大きなテーパーがつきに＜＜。
従って、エツチング後においても、コンタクトホールの
形状は均一ではなく、シかも開部分でテーパーをつける
ことは非常に困難であった。
形状は均一ではなく、シかも開部分でテーパーをつける
ことは非常に困難であった。
そこで本発明はこのような課題を解決するもので、その
目的とするところは半導体基板上の絶縁膜に、テーパー
を有するコンタクトホールを均一に形成する方法を提供
するところにある。
目的とするところは半導体基板上の絶縁膜に、テーパー
を有するコンタクトホールを均一に形成する方法を提供
するところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に形
成されている絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程
において。
成されている絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程
において。
（ａ）前記絶縁膜上に第１のマスク材を、半導体基板表
面の凹凸に関係なく均一な膜厚で形成する工程。
面の凹凸に関係なく均一な膜厚で形成する工程。
（ｂ）前記第１のマスク材上に、第２のマスク材として
フォ］・レシスｌ−によりコンタクトホールのパターン
を形成する工程。
フォ］・レシスｌ−によりコンタクトホールのパターン
を形成する工程。
（Ｃ）前記第２のマスク材をマスクとして、前記第１の
マスク材を等方的にエツチングしたｒ＆、 前記第２
のマスク材を除去する工程。
マスク材を等方的にエツチングしたｒ＆、 前記第２
のマスク材を除去する工程。
（ｄ）前記第１のマスク材をマスクとして、前記絶縁膜
をエツチングすることによりコンタクトホールを開孔す
る工程。
をエツチングすることによりコンタクトホールを開孔す
る工程。
よりなることを特徴とする。
［実施例］
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の実施例を示す工程断面
図である。以下、工程順にしたがって説明をする。
図である。以下、工程順にしたがって説明をする。
すなわち、まず第１図（ａ）に示したように、半導体基
板１０１上方には絶縁膜としてリンガラス膜１０４が５
０００人形成されており、前記リンガラス膜１０４上に
第１のマスク材として窒化珪素膜１０５を６０００人形
成した後、第２のマスク材としてフォトレジスト１０６
を１００００人形成し、コンタクトホールのパターンを
形成する。この時フォトレジスト１０６は回転塗布して
いるために半導体基板表面の凹凸によりその膜厚は均一
ではないが、窒化珪素膜１０５は気相成長法により形成
しているために、半導体基板表面の凹凸に関係なく均一
に形成されている。次に、第１図（ｂ）のように、前記
フォトレジスト１０６をマスクとして前記窒化珪素膜１
０５を等方的にエツチングした後、前記フォトレジスト
１０６を除去する。このとき、窒化珪素膜の開孔形状は
半導体基板表面の凹凸に関係なく均一に形成されている
。最後に、第１図（Ｃ）のように、前記窒化珪素膜１０
５をマスクとして、前記リンガラス膜１０４をエツチン
グする。このとき、エツチング条件は、窒化珪素膜とリ
ンガラス膜のエツチング速度が等しくなるように設定し
ており、実際にはＣＨＦ３＝５０ｓｅｃｍ、 ０２＝２
０ｓｅｃｍ、ガス圧力＝８Ｐａ、ＲＦ電力＝７００Ｗで
行い、このときのエツチング速度は５００人／ ｍ ｉ
ｎであった。前記窒化珪素膜１０５はオーバーエッチ
することにより完全に除去している。このようにして、
テーパー角を有するコンタクトホールが、半導体基板表
面の凹凸に関係なく均一な形状でに形成される。
板１０１上方には絶縁膜としてリンガラス膜１０４が５
０００人形成されており、前記リンガラス膜１０４上に
第１のマスク材として窒化珪素膜１０５を６０００人形
成した後、第２のマスク材としてフォトレジスト１０６
を１００００人形成し、コンタクトホールのパターンを
形成する。この時フォトレジスト１０６は回転塗布して
いるために半導体基板表面の凹凸によりその膜厚は均一
ではないが、窒化珪素膜１０５は気相成長法により形成
しているために、半導体基板表面の凹凸に関係なく均一
に形成されている。次に、第１図（ｂ）のように、前記
フォトレジスト１０６をマスクとして前記窒化珪素膜１
０５を等方的にエツチングした後、前記フォトレジスト
１０６を除去する。このとき、窒化珪素膜の開孔形状は
半導体基板表面の凹凸に関係なく均一に形成されている
。最後に、第１図（Ｃ）のように、前記窒化珪素膜１０
５をマスクとして、前記リンガラス膜１０４をエツチン
グする。このとき、エツチング条件は、窒化珪素膜とリ
ンガラス膜のエツチング速度が等しくなるように設定し
ており、実際にはＣＨＦ３＝５０ｓｅｃｍ、 ０２＝２
０ｓｅｃｍ、ガス圧力＝８Ｐａ、ＲＦ電力＝７００Ｗで
行い、このときのエツチング速度は５００人／ ｍ ｉ
ｎであった。前記窒化珪素膜１０５はオーバーエッチ
することにより完全に除去している。このようにして、
テーパー角を有するコンタクトホールが、半導体基板表
面の凹凸に関係なく均一な形状でに形成される。
なお１本実施例においては、絶縁膜としてリンガラス、
第１のマスク材として窒化珪素膜を用いているが、絶縁
膜としては例えばノンドープの二酸化珪素膜、ホウ素リ
ンガラスなどの絶縁性薄膜であればよく、さらにまた第
１のマスク材とじてはフォトレジストをマスク材として
容易に等方的にエツチングできる材料であればよく、た
とえば多結晶シリコンなどを用いても同様の効果が得ら
れる。
第１のマスク材として窒化珪素膜を用いているが、絶縁
膜としては例えばノンドープの二酸化珪素膜、ホウ素リ
ンガラスなどの絶縁性薄膜であればよく、さらにまた第
１のマスク材とじてはフォトレジストをマスク材として
容易に等方的にエツチングできる材料であればよく、た
とえば多結晶シリコンなどを用いても同様の効果が得ら
れる。
［発明の効果］
以上述べたように９本発明によれば、コンタクトホール
を形成する場合に、半導体基板上方にその表面の凹凸に
関係なく均一に形成でき、しかもその開孔形状がテーパ
ーを有するマスク材をマスクとして用いてエツチングす
ることにより、テーパーを有するコンタクトホールを、
半導体基板表面の凹凸に関係なく均一に形成できるとい
う効果を有し、これにより、これらの部分における配線
の被覆性を飛躍的の向上させることができ２歩留まり、
信頼性に向上を図ることが出来た。
を形成する場合に、半導体基板上方にその表面の凹凸に
関係なく均一に形成でき、しかもその開孔形状がテーパ
ーを有するマスク材をマスクとして用いてエツチングす
ることにより、テーパーを有するコンタクトホールを、
半導体基板表面の凹凸に関係なく均一に形成できるとい
う効果を有し、これにより、これらの部分における配線
の被覆性を飛躍的の向上させることができ２歩留まり、
信頼性に向上を図ることが出来た。
１０１゜
１０２゜
１０３゜
１０４゜
１０６、 ２０５
半導体基板
下地絶縁膜
配線
リンガラス膜
窒化珪素膜
フォトレジスト
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
代理人 弁理士−上柳雅誉 他１名
第１図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の半導体装置の製造方
法の実施例を示す工程断面図。
法の実施例を示す工程断面図。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板上方に形成されている絶縁膜にコンタクトホ
ールを形成する工程において、 （ａ）前記絶縁膜上に第１のマスク材を、半導体基板表
面の凹凸に関係なく均一な膜厚で形成する工程、 （ｂ）前記第１のマスク材上に、第２のマスク材として
フォトレジストによりコンタクトホールのパターンを形
成する工程、 （ｃ）前記第２のマスク材をマスクとして、前記第１の
マスク材を等方的にエッチングした後、前記第２のマス
ク材を除去する工程、 （ｄ）前記第１のマスク材をマスクとして、前記絶縁膜
をエッチングすることによりコンタクトホールを開孔す
る工程。 よりなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17005888A JPH0220043A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17005888A JPH0220043A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0220043A true JPH0220043A (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=15897844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17005888A Pending JPH0220043A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0220043A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040035160A (ko) * | 2002-10-18 | 2004-04-29 | 현대모비스 주식회사 | 에어벤트의 개폐장치 |
| JP2009018634A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Howa Kasei Kk | 空気吹出調整用レジスタ |
-
1988
- 1988-07-08 JP JP17005888A patent/JPH0220043A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040035160A (ko) * | 2002-10-18 | 2004-04-29 | 현대모비스 주식회사 | 에어벤트의 개폐장치 |
| JP2009018634A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Howa Kasei Kk | 空気吹出調整用レジスタ |
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