JPH02202056A - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH02202056A JPH02202056A JP1022823A JP2282389A JPH02202056A JP H02202056 A JPH02202056 A JP H02202056A JP 1022823 A JP1022823 A JP 1022823A JP 2282389 A JP2282389 A JP 2282389A JP H02202056 A JPH02202056 A JP H02202056A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- image sensor
- contact type
- type image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はファクシミリなどに用いられる密着型イメージ
センサに関するものである。
センサに関するものである。
密着型イメージセンサを従来周知のCODに変えてファ
クシミリ用センサに用いた場合、ファクシミリ自体が小
型化になり、そのため、近時、その実用化が急速に広め
られている。
クシミリ用センサに用いた場合、ファクシミリ自体が小
型化になり、そのため、近時、その実用化が急速に広め
られている。
長尺状の密着型イメージセンサは原稿の主走査方向に配
置され、そして、原稿の移動方向(副走査方向)ととも
に上記主走査方向に読取り、これにより、原稿の二次元
的な画像の読取りが可能となる。
置され、そして、原稿の移動方向(副走査方向)ととも
に上記主走査方向に読取り、これにより、原稿の二次元
的な画像の読取りが可能となる。
第2図は公知の密着型イメージセンサの横断面である。
1はガラスなどの透明基板であり、この基板1の上には
各受光素子の共通電極2、光電変換膜3並びに各素子ご
との個別電極4が順次形成され、しかも、各素子に対応
して光通過孔5が形成され、これによって受光素子アレ
イが主走査方向に形成される。そして、この素子アレイ
を保護するための保護膜6が形成され、この保護膜6の
上には読取るべき原稿7が配置される。
各受光素子の共通電極2、光電変換膜3並びに各素子ご
との個別電極4が順次形成され、しかも、各素子に対応
して光通過孔5が形成され、これによって受光素子アレ
イが主走査方向に形成される。そして、この素子アレイ
を保護するための保護膜6が形成され、この保護膜6の
上には読取るべき原稿7が配置される。
また、基板1の他方の面には、光源が内設された光源支
持部材8が設けられており、この支持部材8の長尺状凹
部9には複数個の発光素子10が適当な間隔に配列され
、これにより、その発光素子10より照射した光は光通
過孔5を通り、原稿7を投光し、その反射光が各々の受
光素子により受光される。
持部材8が設けられており、この支持部材8の長尺状凹
部9には複数個の発光素子10が適当な間隔に配列され
、これにより、その発光素子10より照射した光は光通
過孔5を通り、原稿7を投光し、その反射光が各々の受
光素子により受光される。
しかしながら、上記構成の密着型イメージセンサによれ
ば、透明基板1の両方の主面上にそれぞれ発光素子及び
受光素子が配列され、これにより、センサ自体の厚みが
大きくなり、未だ満足し得るような小型化が達成されて
いないという問題点があった。
ば、透明基板1の両方の主面上にそれぞれ発光素子及び
受光素子が配列され、これにより、センサ自体の厚みが
大きくなり、未だ満足し得るような小型化が達成されて
いないという問題点があった。
また、光通過孔5が各々の受光素子に対応して形成され
、その微細な形状により製造歩留りが低下するという問
題点もあった。
、その微細な形状により製造歩留りが低下するという問
題点もあった。
したがって本発明の目的は更に小型化を達成した密着型
イメージセンサを提供することにある。
イメージセンサを提供することにある。
本発明の他の目的は製造歩留りを高め、製造コストが低
減した密着型イメージセンサを提供することにある。
減した密着型イメージセンサを提供することにある。
本発明の密着型イメージセンサは、発光素子アレイを形
成する発光部材並びに該発光素子アレイと実質上平行に
なるように受光素子アレイを形成する受光部材が基板の
一主面上に搭載されていることを特徴とする。
成する発光部材並びに該発光素子アレイと実質上平行に
なるように受光素子アレイを形成する受光部材が基板の
一主面上に搭載されていることを特徴とする。
〔作 用〕
上記構成の密着型イメージセンサによれば、基板の一方
の主面上に発光及び受光素子アレイが形成されるために
更に小型化となり、しかも、前述したような光通過孔が
ないために製造歩留りが高まる。
の主面上に発光及び受光素子アレイが形成されるために
更に小型化となり、しかも、前述したような光通過孔が
ないために製造歩留りが高まる。
本発明を第1図により詳細に説明する。
第1図は本発明密着型イメージセンサの横断面であり、
11はガラス、セラミックス、金属などから成るベース
板であり、このベース板11の上には発光部材12及び
受光部材13が搭載される。発光部材12は長尺状の絶
縁基板14の上に下部電極15、発光層16及び上部電
極17が順次形成され、その長尺方向に亘って発光でき
、例えばLED、EL、半導体レーザなどに相当する。
11はガラス、セラミックス、金属などから成るベース
板であり、このベース板11の上には発光部材12及び
受光部材13が搭載される。発光部材12は長尺状の絶
縁基板14の上に下部電極15、発光層16及び上部電
極17が順次形成され、その長尺方向に亘って発光でき
、例えばLED、EL、半導体レーザなどに相当する。
一方、受光部材13によれば、長尺状の絶縁基板18の
上に各受光素子共通の共通電極19、アモルファスシリ
コンから成るPIN接合構造やヘテロ接合構造の光電変
換膜20及び各素子ごとの個別電極21が長尺方向に亘
って順次形成される。
上に各受光素子共通の共通電極19、アモルファスシリ
コンから成るPIN接合構造やヘテロ接合構造の光電変
換膜20及び各素子ごとの個別電極21が長尺方向に亘
って順次形成される。
前記絶縁基板14.18はガラス基板、石英基板また高
熱伝導率のセラミック基板から成り、そして・発光部材
12及び受光部材13をベース板11の上に搭載する場
合、接着剤を用いて各部材12.13の絶縁基板14.
18を接着する。
熱伝導率のセラミック基板から成り、そして・発光部材
12及び受光部材13をベース板11の上に搭載する場
合、接着剤を用いて各部材12.13の絶縁基板14.
18を接着する。
そして、各部材12.13の上には素子を保護するため
に保護膜22が形成される。この保護膜22は510g
、SiN、5iCs樹脂、〔樹脂+ガラス〕などにより
形成する。
に保護膜22が形成される。この保護膜22は510g
、SiN、5iCs樹脂、〔樹脂+ガラス〕などにより
形成する。
上記構成の密着型イメージセンサによれば、発光部材1
2より照射した光が保護膜22を介して原稿23を投光
し、その反射光が受光部材13により受光される。
2より照射した光が保護膜22を介して原稿23を投光
し、その反射光が受光部材13により受光される。
以上の実施例より明らかな通り、本発明の密着型イメー
ジセンサは発光・受光素子アレイの搭載用基板の一方の
主面側だけに素子形成されているために更に一層の小型
化ができた。
ジセンサは発光・受光素子アレイの搭載用基板の一方の
主面側だけに素子形成されているために更に一層の小型
化ができた。
また、受光部材に光通過孔を形成する必要がないために
製造工程が減り、しかも、発光部材と受光部材を別個の
製造プロセスにより形成できるという点でも余分な製造
工程がなくなり、その結果、製造歩留り及び製造コスト
の改善ができた。
製造工程が減り、しかも、発光部材と受光部材を別個の
製造プロセスにより形成できるという点でも余分な製造
工程がなくなり、その結果、製造歩留り及び製造コスト
の改善ができた。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更、
改善などは何等差支えない。
本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更、
改善などは何等差支えない。
第1図は本発明密着型イメージセンサの横断面図、第2
図は従来の密着型イメージセンサの横断面図である。 11 ・ 12 ・ 13 ・ 14.18 22 ・ 23 ・ ・ベース板 ・発光部材 ・受光部材 ・絶縁基板 ・保護膜 ・原稿 特許出願人 (663)京セラ株式会社代表者安城欽寿
図は従来の密着型イメージセンサの横断面図である。 11 ・ 12 ・ 13 ・ 14.18 22 ・ 23 ・ ・ベース板 ・発光部材 ・受光部材 ・絶縁基板 ・保護膜 ・原稿 特許出願人 (663)京セラ株式会社代表者安城欽寿
Claims (1)
- 発光素子アレイを形成する発光部材並びに該発光素子ア
レイと実質上平行になるように受光素子アレイを形成す
る受光部材が基板の一主面上に搭載されていることを特
徴とする密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1022823A JPH02202056A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1022823A JPH02202056A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 密着型イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02202056A true JPH02202056A (ja) | 1990-08-10 |
Family
ID=12093412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1022823A Pending JPH02202056A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02202056A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5229596A (en) * | 1991-08-06 | 1993-07-20 | Tohoku Pioneer Electronic Corp. | Image sensor having specific detector structure |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP1022823A patent/JPH02202056A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5229596A (en) * | 1991-08-06 | 1993-07-20 | Tohoku Pioneer Electronic Corp. | Image sensor having specific detector structure |
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