JPH02203446A - 光磁気ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は書換え可能な光磁気ディスクに関し、より詳細
にはプラスチックディスク基板の複屈折が低減して再生
性能が向上した光磁気ディスクに関するものである。

〔従来技術及びその問題点〕

近時、希土類金属と遷移金属の非晶質合金を用いた光磁
気記録が盛んに研究されており、この磁性媒体を用いた
記録方式によれば、書き込み及び読み出しに加え、書き
換えも行うことができる。

このような記録方式の光磁気ディスクにおいては、量産
性及びコスト面などの利点からプラスチックディスク基
板が採用されている。

このプラスチック基板はポリカーボネート（以下、ＰＣ
と略す）、アクリル（以下、ＰＭＭＡと略す）、エポキ
シなどの樹脂により作製され、今日、ＰＣ基板が熱変形
温度°が高く、吸湿に伴う膨張率が小さいという点で有
効であると認められている。

ところで、光磁気ディスクはマグネットクランプ方式に
より回転駆動し、そのためにハブをプラスチック基板の
センターホールに取付ける必要がある。その取付は方法
には接着剤を用いたり、あるいは超音波や高周波により
ハブ及び基板のそれぞれの一部を溶融し、両者を溶着す
る方法が提案されている。

前者の方法はコスト面及び作業性の点で十分でなく、ま
た、接着剤の硬化収縮により接合部に歪みが生じ、その
ためにＣ／Ｎなどの特性が劣化し、再生誤り率が増加す
るという問題点がある。

また、後者の方法はコスト面及び作業性の点で優れてい
るが、基板の一部が溶融し、その溶融部が冷却固化する
に伴い、内部歪みが生じ、同様にディスク内周部のＣ／
Ｎなどの電気的特性が劣化するという問題点があった。

本発明者等は上記問題点に鑑み、鋭意研究に努力した結
果、プラスチック基板にハブを接着するに伴い基板内部
に残留応力が生じ、これが複屈折を高める原因であるこ
とに着目し、基板の適当な部位に切り込みを設けること
によって上記残留応力が分断及び解放できることを見い
出した。

したがって、本発明は上記知見により完成されたもので
あり、その目的はプラスチック基板内部の残留応力を小
さくし、その複屈折を低下させ、これによってＣ／Ｎを
高めた光磁気ディスクを提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の光磁気ディスクは、円環状光磁気記録磁性体層
が成膜形成され且つセンターホールにハブが接着された
プラスチックディスク基板の該円環内側の非成膜領域に
深さ０．１〜０．６ｎ＋＋ａの環状の切り込みが形成さ
れたことを特徴とする。

〔作　用〕

上記の環状切り込みを形成した場合、プラスチックディ
スク基板の残留応力が分断及び解放されて基板自体の複
屈折が小さくなり、特にその内周部で顕著に小さくなり
、これにより、Ｃ／Ｎが一層向上する。

〔実施例〕

前記光磁気記録磁性体層には希土類金属−遷移金属の非
晶質合金やガーネット、ＰｔＭｎＳｂ合金などがあるが
、非晶質合金を例に挙げて説明する。

第１図は本発明光磁気ディスクの一例であり、第２図は
前記環状切り込みを形成する前の光磁気ディスクである
。なお、両図ともに同一箇所には同一符号が付しである
。

第１図及び第２図によれば、ディスク状のＰＣ基板１に
はセンターホール２及び第２ゲー）３（ｒ−１７，６〜
１８．６ｍｍ、深さ０．４ｍｍ）が形成されており、そ
の基板ｌの上に円環状の記録膜４が形成され、また、セ
ンターホール２にはハブ５（外径２５ｍｍ）が接着剤に
より、あるいは超音波や高周波による溶着によって形成
される。

また第１図によれば、更に両面に環状の切り込み部６が
形成される。

本実施例においては、上記記録膜４を次の通りに形成す
る。

案内溝付きｐｃ基板ｌ（外径φ１３０■■、内径φ１５
ｍ１１１％厚み１　、２ｍｎ＋）を多源高周波マグネト
ロンスパッタリング装置に配置し、主に窒化シリコンか
ら成る誘電体層、ＧｄＤｙＰｅ垂直磁化膜及び酸化チタ
ン層を順次形成し、この積層体の上に紫外線硬化型樹脂
層をオーバーコートし、光磁気ディスクを作製した。

そして、第１表に示す通り、環状切り込み部６が形成さ
れない光磁気ディスクＡ並びに環状切り込み部６（深さ
０．４１１ＩＩＩ＋、表面開口幅約０．３ｍｍ）をカー
ター歯を備えたサークルカッタで形成した光磁気ディス
クＢを作製した。

次いで、この２種類のディスクのＣ／Ｎを測定しところ
、第１表に示す通りの結果が得られた。なお、このＣ／
Ｎ測定条件はｒ　＝　３０１１８１％回転数２４００ｒ
ｐ醜、記録周波数４−９Ｍ）１２％　ハ’ｆ　７　大磁
界３０００ｅ、記録パワー６．０ｎＩＷ、再生パワー１
．５ｍＷである。

第１表に示す結果より明らかな通り、本発明の光磁気デ
ィスクＢはＣ／Ｎの増加傾向が認められた。

本発明者等は上記光磁気ディスクＢについて、更に切り
込み部の数が多くなった場合、その数が多くなるに伴っ
てＣ／Ｎの増加傾向が顕著になることを実験上確認した
。更に本発明者等は上記光磁気ディスクＢの切り込み部
の深さを変えたところ、０．１ｍｍ未満の場合にはＣ／
Ｎの増加傾向が認められず、また、０．６ｍｍを超えた
場合には基板自体の強度が低下することを確認し、好適
には０．３〜０゜５５ｎ＋＋＋＋の深さがよいことも実
験上確かめた。

更にまた、本発明者等は上記実施例のなかでＰＣ基板に
変えてＰＭＭＡ基板、エポキシ樹脂基板を用いても同様
な効果が得られると考える。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明によれば、プラスチックディスク基
板が有する残留応力が分断及び解放されたため、Ｃ／Ｎ
比が一層向上した光磁気ディスクを提供することができ
た。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明光磁気ディスクの一例を示す断面図、第
２図は環状切り込み形成前の光磁気ディスクを示す断面
図である。 ４・・・記録膜 ６・・・切り込み部 ・ハブ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）円環状光磁気記録磁性体層が成膜形成され且つセ
   ンターホールにハブが接着されたプラスチックディスク
   基板の該円環内側の非成膜領域に深さ０．１〜０．６ｍ
   ｍの環状の切り込みが形成されたことを特徴とする光磁
   気ディスク。
2. （２）ハブ接着後のプラスチックディスク基板に前記環
   状の切り込みが形成された請求項（１）記載の光磁気デ
   ィスク。