JPH02252151A - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
- Publication number
- JPH02252151A JPH02252151A JP1073262A JP7326289A JPH02252151A JP H02252151 A JPH02252151 A JP H02252151A JP 1073262 A JP1073262 A JP 1073262A JP 7326289 A JP7326289 A JP 7326289A JP H02252151 A JPH02252151 A JP H02252151A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- annular
- magneto
- hub
- grooves
- Prior art date
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- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は書換え可能な光磁気ディスクに関し、より詳細
にはプラスチックディスク基板の複屈折が低減して再生
性能が向上した光磁気ディスクに関するものである。
にはプラスチックディスク基板の複屈折が低減して再生
性能が向上した光磁気ディスクに関するものである。
近時、希土類金属と遷移金属の非晶質合金を用いた光磁
気記録が盛んに研究されており、この磁性媒体を用いた
記録方式によれば、書き込み及び読み出しに加え、書き
換えも行うことができる。
気記録が盛んに研究されており、この磁性媒体を用いた
記録方式によれば、書き込み及び読み出しに加え、書き
換えも行うことができる。
このような記録方式の光磁気ディスクにおいては量産性
及びコスト面などの利点からプラスチックディスク基板
が採用されている。
及びコスト面などの利点からプラスチックディスク基板
が採用されている。
このプラスチック基板はポリカーボネート（以下、ＰＣ
と略す）、アクリル（以下、ＰＭＭＡと略す）、エポキ
シなどの樹脂により作製され、今日、ＰＣ基板が熱変形
温度が高く、吸湿に伴う膨張率が小さいという点で有効
であると認められている。
と略す）、アクリル（以下、ＰＭＭＡと略す）、エポキ
シなどの樹脂により作製され、今日、ＰＣ基板が熱変形
温度が高く、吸湿に伴う膨張率が小さいという点で有効
であると認められている。
ところで、光磁気ディスクはマグネットクランプ方式に
より回転駆動し、そのためにハブをプラスチック基板の
センターに取付ける必要がある。
より回転駆動し、そのためにハブをプラスチック基板の
センターに取付ける必要がある。
その取付は方法として接着剤を用いたり、あるいは超音
波や高周波によりハブ及び基板のそれぞれの一部を溶融
し、両者を溶着する方法が提案されている。
波や高周波によりハブ及び基板のそれぞれの一部を溶融
し、両者を溶着する方法が提案されている。
前者の方法はコスト面及び作業性の点で十分でなく、ま
た、接着剤の硬化収縮により接合部に歪みが生し、その
ためにＣ／Ｎなどの特性が劣化し、再生誤り率が増加す
るという問題点がある。
た、接着剤の硬化収縮により接合部に歪みが生し、その
ためにＣ／Ｎなどの特性が劣化し、再生誤り率が増加す
るという問題点がある。
また、後者の方法はコスト面及び作業性の点で優れてい
るが、その反面、基板の一部が溶融し、その溶融部が冷
却固化するに伴い内部歪みが生じ、ディスク内周部のＣ
／Ｎなどの電気的特性が劣化するという問題点があった
。
るが、その反面、基板の一部が溶融し、その溶融部が冷
却固化するに伴い内部歪みが生じ、ディスク内周部のＣ
／Ｎなどの電気的特性が劣化するという問題点があった
。
本発明者等は上記問題点に鑑み、鋭意研究に努めた結果
、プラスチック基板にハブを接着した場合基板内部に残
留応力が生じ、これが複屈折を高める原因であることに
着目し、基板の適当な部位に溝を設けることによって上
記残留応力を分断及び吸収できることを見い出した。
、プラスチック基板にハブを接着した場合基板内部に残
留応力が生じ、これが複屈折を高める原因であることに
着目し、基板の適当な部位に溝を設けることによって上
記残留応力を分断及び吸収できることを見い出した。
したがって本発明は上記知見により完成されたものであ
り、その目的はプラスチック基板内部の半径方向に亘る
残留応力を小さくし、その複屈折を低下させ、これによ
ってＣ／Ｎを高めた光磁気ディスクを提供することにあ
る。
り、その目的はプラスチック基板内部の半径方向に亘る
残留応力を小さくし、その複屈折を低下させ、これによ
ってＣ／Ｎを高めた光磁気ディスクを提供することにあ
る。
本発明の光磁気ディスクは、円環状光磁気記録層が成膜
形成され且つセンターにハブが接着されたプラスチック
ディスク基板の該円環記録領域内側の非記録領域に深さ
が基板厚みに対して５分の１以上である環状溝を基板両
主面の実質上同一部位にそれぞれ形成したことを特徴と
する。
形成され且つセンターにハブが接着されたプラスチック
ディスク基板の該円環記録領域内側の非記録領域に深さ
が基板厚みに対して５分の１以上である環状溝を基板両
主面の実質上同一部位にそれぞれ形成したことを特徴と
する。
上記環状溝を形成した場合、ハブを基板に接着した時に
生じる残留応力が分断及び吸収され、これにより、円環
記録領域に対応した基板領域の複屈折増加量が小さくな
り、しかも、その円環基板領域の内周部では複屈折が顕
著に小さくなり、その結果、ハブの接着に伴うＣ／Ｎの
低下が防止できる。
生じる残留応力が分断及び吸収され、これにより、円環
記録領域に対応した基板領域の複屈折増加量が小さくな
り、しかも、その円環基板領域の内周部では複屈折が顕
著に小さくなり、その結果、ハブの接着に伴うＣ／Ｎの
低下が防止できる。
上記光磁気記録層には希土類金属−遷移金属の非晶質合
金やガーネット、ＰｔＭｎＳｂ合金などがあるが、非晶
質合金を例に挙げて説明する。
金やガーネット、ＰｔＭｎＳｂ合金などがあるが、非晶
質合金を例に挙げて説明する。
第１図は本発明の光磁気ディスクを示し、第２図は環状
溝の一形状を示す。
溝の一形状を示す。
第１図によれば、ディスク状のＰＣ基板１（外径φ１３
０ ｍｍ、内径φ１５ｍｍ、厚み１．２ｍｍ）にはセン
ターホール２並びに断面が概ね矩形状である第２ゲート
３（半径ｒ１７．６〜１８．６ｍｍ、深さ０．３５ｍｍ
）が形成され、この第２ゲート３は本発明における環状
溝に相当し、通常、スクンバー固定治具の転写跡である
。
０ ｍｍ、内径φ１５ｍｍ、厚み１．２ｍｍ）にはセン
ターホール２並びに断面が概ね矩形状である第２ゲート
３（半径ｒ１７．６〜１８．６ｍｍ、深さ０．３５ｍｍ
）が形成され、この第２ゲート３は本発明における環状
溝に相当し、通常、スクンバー固定治具の転写跡である
。
また、基板の他方の主面上にも第２ゲート３と実質上同
じ部位に断面が概ね矩形状である環状溝４（深さ０．３
５ｍｍ、表面開口幅約１．０ｍｍ）が形成され、この溝
４も射出成形時に形成する。
じ部位に断面が概ね矩形状である環状溝４（深さ０．３
５ｍｍ、表面開口幅約１．０ｍｍ）が形成され、この溝
４も射出成形時に形成する。
このようなＰＣ基板１の上に円環状の記録膜５を形成し
、センターホール２にハブ６（外径２５ｍｍ）を接着剤
により、あるいは超音波や高周波による溶着によって形
成する。７は基板１を固定して回転させるクランプであ
る。
、センターホール２にハブ６（外径２５ｍｍ）を接着剤
により、あるいは超音波や高周波による溶着によって形
成する。７は基板１を固定して回転させるクランプであ
る。
また、上記記録膜５は次の通りに形成する。
案内溝付きｐｃ基板１を多源高周波マグネトロンスパッ
タリング装置に配置し、主に窒化シリコンから成る誘電
体層、ＧｄＤｙＦｅ垂直磁化膜及び酸化チタン層を順次
形成し、この積層体の上に紫外線硬化型樹脂層をオーバ
ーコートシ、光磁気ディスク八を作製した。
タリング装置に配置し、主に窒化シリコンから成る誘電
体層、ＧｄＤｙＦｅ垂直磁化膜及び酸化チタン層を順次
形成し、この積層体の上に紫外線硬化型樹脂層をオーバ
ーコートシ、光磁気ディスク八を作製した。
かくして得られた光磁気ディスク八に超音波溶着法によ
りハブを接着し、その接着前後のＣ／Ｎを測定したとこ
ろ、第１表に示す通りの結果が得られた。なお、このＣ
／Ｎ測定条件は、ｒ ＝ ３０ｍｍ、回転数２４０Ｏｒ
ｐｍ 、記録周波数４．９ＭＪｌｚ、バイアス磁界３０
００ｅ、記録パワー６．０ｍＷ 、再生パワー１ 、５
ｍＷである。
りハブを接着し、その接着前後のＣ／Ｎを測定したとこ
ろ、第１表に示す通りの結果が得られた。なお、このＣ
／Ｎ測定条件は、ｒ ＝ ３０ｍｍ、回転数２４０Ｏｒ
ｐｍ 、記録周波数４．９ＭＪｌｚ、バイアス磁界３０
００ｅ、記録パワー６．０ｍＷ 、再生パワー１ 、５
ｍＷである。
また同表中には比較例として環状ａ４を形成せず、他を
全く本例と同じように作製した光磁気ディスクＢを示す
。
全く本例と同じように作製した光磁気ディスクＢを示す
。
第１表
第１表に示す結果より明らかな通り、本発明の光磁気デ
ィスク八はハブ接着前後のＣ／Ｎ変化量が小さく、ハブ
接着に伴うＣ／Ｎの低下が著しく小さくなったことが判
る。
ィスク八はハブ接着前後のＣ／Ｎ変化量が小さく、ハブ
接着に伴うＣ／Ｎの低下が著しく小さくなったことが判
る。
本発明者等は第２図に示す通り」１記光磁気ディスクへ
の環状溝４の断面が三角形状であり、その深さが０．３
５ｍｍ、表面開口幅が約１．２ｍｍである光磁気ディス
クＣを作製し、そのＣ／Ｎを測定したところ、ハブ接着
前後の差が０．６ｄＢと小さくなったことを実験」二確
認した。
の環状溝４の断面が三角形状であり、その深さが０．３
５ｍｍ、表面開口幅が約１．２ｍｍである光磁気ディス
クＣを作製し、そのＣ／Ｎを測定したところ、ハブ接着
前後の差が０．６ｄＢと小さくなったことを実験」二確
認した。
また本発明者等は光磁気ディスクＡ、Ｃの環状溝４の断
面形状を幾通りにも変え、そのＣ／Ｎ変化量を測定した
ところ、溝４の開口幅に比べ゛（その深さが大きく影響
を及ばずことを実験上確認した。
面形状を幾通りにも変え、そのＣ／Ｎ変化量を測定した
ところ、溝４の開口幅に比べ゛（その深さが大きく影響
を及ばずことを実験上確認した。
そこで、光磁気ディスクＡ、Ｃの環状ａ４の幅をｌ ｍ
ｍに設定し、その深さを幾通りにも変えてＣ／Ｎ変化量
を測定したところ、深さが０．２４ｍｍ未満、即ち基板
の厚みに対する比率が５分の１未満の場合にはＣ／Ｎの
増加傾向が認められず、深さが０．６ｍｍを超えた場合
には基板自体の強度が低下し、成形後撓みが生じた。ま
た、本発明者等は深さが基板厚めに対して５分の１以−
１二かつ２分の１未満であるのが望ましいことも実験上
確認した。
ｍに設定し、その深さを幾通りにも変えてＣ／Ｎ変化量
を測定したところ、深さが０．２４ｍｍ未満、即ち基板
の厚みに対する比率が５分の１未満の場合にはＣ／Ｎの
増加傾向が認められず、深さが０．６ｍｍを超えた場合
には基板自体の強度が低下し、成形後撓みが生じた。ま
た、本発明者等は深さが基板厚めに対して５分の１以−
１二かつ２分の１未満であるのが望ましいことも実験上
確認した。
更にまた上記実施例においてはＩＳＯ規格の標準タイプ
である基板厚み１ 、２ｍｍを例にしたが、本発明者等
はその±４０χの範囲内で厚みが変化しても同様な効果
が得られると考える。しかも、上記実施例のなかでＰＣ
基板に変えてＰＭＭＡ基板、エポキシ樹脂基板を用いて
も、あるいは基板外径がφ８６ｍｍ、φ２００ｍｍでも
同様な効果が得られると考える。
である基板厚み１ 、２ｍｍを例にしたが、本発明者等
はその±４０χの範囲内で厚みが変化しても同様な効果
が得られると考える。しかも、上記実施例のなかでＰＣ
基板に変えてＰＭＭＡ基板、エポキシ樹脂基板を用いて
も、あるいは基板外径がφ８６ｍｍ、φ２００ｍｍでも
同様な効果が得られると考える。
なお、上記実施例以外に貼り合せディスクについても本
発明の効果が得られることは言うまでもない。
発明の効果が得られることは言うまでもない。
以上の通り、本発明によれば、プラスチックディスク基
板が有する残留応力が分断及び吸収され、これによって
Ｃ／Ｎが向上した光磁気ディスクを提供することができ
た。
板が有する残留応力が分断及び吸収され、これによって
Ｃ／Ｎが向上した光磁気ディスクを提供することができ
た。
第１図は本発明光磁気ディスクの一例を示す断面図、第
２図は環状溝の形状を示す断面図である。 ・ポリカーボネート基板 ・環状溝 ・記録膜 ・ハブ 特許出願人 （６６３）京セラ株式会社代表者安城欽寿
２図は環状溝の形状を示す断面図である。 ・ポリカーボネート基板 ・環状溝 ・記録膜 ・ハブ 特許出願人 （６６３）京セラ株式会社代表者安城欽寿
Claims (2)
- （１）円環状光磁気記録層が成膜形成され且つセンター
にハブが接着されたプラスチックディスク基板の該円環
記録領域内側の非記録領域に深さが基板厚みに対して５
分の１以上である環状溝を基板両主面の実質上同一部位
にそれぞれ形成したことを特徴とする光磁気ディスク。 - （２）上記環状溝をプラスチックディスク基板の射出成
形時に形成した請求項（１）記載の光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1073262A JPH02252151A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1073262A JPH02252151A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 光磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02252151A true JPH02252151A (ja) | 1990-10-09 |
Family
ID=13513088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1073262A Pending JPH02252151A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02252151A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07320322A (ja) * | 1994-05-19 | 1995-12-08 | Nec Corp | 光ディスク |
| JP2008140544A (ja) * | 2002-09-05 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光情報記録媒体及びその製造方法、並びに光情報記録媒体の保持方法 |
-
1989
- 1989-03-24 JP JP1073262A patent/JPH02252151A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07320322A (ja) * | 1994-05-19 | 1995-12-08 | Nec Corp | 光ディスク |
| JP2008140544A (ja) * | 2002-09-05 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光情報記録媒体及びその製造方法、並びに光情報記録媒体の保持方法 |
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