JPH0220682Y2 - - Google Patents
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- JPH0220682Y2 JPH0220682Y2 JP18795083U JP18795083U JPH0220682Y2 JP H0220682 Y2 JPH0220682 Y2 JP H0220682Y2 JP 18795083 U JP18795083 U JP 18795083U JP 18795083 U JP18795083 U JP 18795083U JP H0220682 Y2 JPH0220682 Y2 JP H0220682Y2
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- JP
- Japan
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- signal
- gas sensor
- gas
- low
- circuit
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Emergency Alarm Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、SnO2ガスセンサを用いたCOガス
検出装置の改良に関する。
検出装置の改良に関する。
特公昭53−43320号は、金属酸化物半導体の抵
抗値の変化を利用したガスセンサの加熱温度を周
期的に変化させ、高温加熱時にセンサをヒートク
リーニングし、低温加熱時のセンサの抵抗値から
COガスを検出する技術を開示している。この技
術は、COガスと他のガスとの相対感度を飛躍的
に改善するもので、COガスの検出に当つての先
駆的なものである。
抗値の変化を利用したガスセンサの加熱温度を周
期的に変化させ、高温加熱時にセンサをヒートク
リーニングし、低温加熱時のセンサの抵抗値から
COガスを検出する技術を開示している。この技
術は、COガスと他のガスとの相対感度を飛躍的
に改善するもので、COガスの検出に当つての先
駆的なものである。
考案者は、SnO2に少量に貴金属触媒を添加し
たガスセンサをもとに、この技術の実用化を試み
た。この過程で、以下の5つの問題点が明らかに
なつた。
たガスセンサをもとに、この技術の実用化を試み
た。この過程で、以下の5つの問題点が明らかに
なつた。
(1) COガスとエタノール蒸気間の相対感度が不
充分で、エタノールによる誤報が生ずる。
充分で、エタノールによる誤報が生ずる。
(2) 主要なCOガスの発生源である燃焼機器は、
NOXガスをも発生させる。NOXへの感度はセ
ンサの加熱温度を下げる程大きくなるので、セ
ンサの温度を周期的に変化させるだけでは、
NOXへの感度を除くことができない。
NOXガスをも発生させる。NOXへの感度はセ
ンサの加熱温度を下げる程大きくなるので、セ
ンサの温度を周期的に変化させるだけでは、
NOXへの感度を除くことができない。
(3) センサの加熱周期と加熱温度とは、センサの
特性に著しい影響を与える。従つて、加熱温度
と周期とを精密に決定せねばならない。
特性に著しい影響を与える。従つて、加熱温度
と周期とを精密に決定せねばならない。
(4) 通常の居住空間では、正常な条件でも、1時
的に50〜100ppm程度のCOが存在することが有
る。このような低濃度のCOでも長時間存在す
ると、人体に悪影響を及ぼす。そこで低濃度の
COに対して、一時的なものと、長時間存在す
るものとを区別する必要が有る。
的に50〜100ppm程度のCOが存在することが有
る。このような低濃度のCOでも長時間存在す
ると、人体に悪影響を及ぼす。そこで低濃度の
COに対して、一時的なものと、長時間存在す
るものとを区別する必要が有る。
(5) ガスセンサは、周期的にヒートクリーニング
され、COの検出は間欠的にしか行えない。CO
の発生時には、検出と検出の間のデツドタイム
を短かくせねばならない。
され、COの検出は間欠的にしか行えない。CO
の発生時には、検出と検出の間のデツドタイム
を短かくせねばならない。
この考案は、エタノール蒸気やNOXによる影
響を抑制するとともに、COの検出に適した加熱
周期と加熱温度とを定めることを課題とする。こ
の考案では、SnO21g当り1〜15mgの貴金属触媒
(Pt、Pd、Rh、Ir、Os、Ru、Au、Agの少くと
も一員、なお添加量は金属換算で示す。)を添加
したSnO2ペレツトをガス感応部に用い、加熱用
のヒータと、エタノール及びNOX除去用の活性
炭フイルターとを一体化してガスセンサとする。
活性炭は、SnO2ペレツト一個当り、0.5〜5gを
用い、好ましくは0.8〜3gを用いる。このよう
にして、エタノールとNOXのない条件でCOガス
を検出する。活性炭に関する0.5〜5gとの条件
は、現在市販されているガスセンサのサイズを基
準に求めたもので、この考案のガスセンサでも現
在市販されているガスセンサと同等の大きさのも
のを用いることを前提としている。0.5gとの下
限は高濃度のエタノール中でもエタノールの破過
が生じないように、経験的に定めたものである。
即ち0.5g以上の活性炭を用いれば、日常的に生
じ得る範囲のエタノール濃度に対しては、エタノ
ールに対する出力はCO100ppm以下となり誤報の
恐れは小さい。一方活性炭の量を増すと、ガスセ
ンサの通気性が低下し、COへの応答速度が低下
する。活性炭による応答速度の低下が顕著になら
ない範囲は、通常の大きさのガスセンサの場合、
活性炭量を5g以下とすることである。そこでエ
タノールの破過を防止しながら、応答速度の低下
が大きくならない範囲として、活性炭量を0.5〜
5gとした。
響を抑制するとともに、COの検出に適した加熱
周期と加熱温度とを定めることを課題とする。こ
の考案では、SnO21g当り1〜15mgの貴金属触媒
(Pt、Pd、Rh、Ir、Os、Ru、Au、Agの少くと
も一員、なお添加量は金属換算で示す。)を添加
したSnO2ペレツトをガス感応部に用い、加熱用
のヒータと、エタノール及びNOX除去用の活性
炭フイルターとを一体化してガスセンサとする。
活性炭は、SnO2ペレツト一個当り、0.5〜5gを
用い、好ましくは0.8〜3gを用いる。このよう
にして、エタノールとNOXのない条件でCOガス
を検出する。活性炭に関する0.5〜5gとの条件
は、現在市販されているガスセンサのサイズを基
準に求めたもので、この考案のガスセンサでも現
在市販されているガスセンサと同等の大きさのも
のを用いることを前提としている。0.5gとの下
限は高濃度のエタノール中でもエタノールの破過
が生じないように、経験的に定めたものである。
即ち0.5g以上の活性炭を用いれば、日常的に生
じ得る範囲のエタノール濃度に対しては、エタノ
ールに対する出力はCO100ppm以下となり誤報の
恐れは小さい。一方活性炭の量を増すと、ガスセ
ンサの通気性が低下し、COへの応答速度が低下
する。活性炭による応答速度の低下が顕著になら
ない範囲は、通常の大きさのガスセンサの場合、
活性炭量を5g以下とすることである。そこでエ
タノールの破過を防止しながら、応答速度の低下
が大きくならない範囲として、活性炭量を0.5〜
5gとした。
次にタイマー回路を用いて、ガスセンサの加熱
周期と、ガスセンサの抵抗値のサンプリング時期
を制御する。タイマー回路にヒータ電源回路を接
続し、20〜120秒間ガスセンサを250〜400℃に加
熱してヒートクリーニングを行い、ついで30〜
180秒間ガスセンサを60〜100℃に保持する。この
過程を繰り返して、ガスセンサの温度を周期的に
変化させる。ヒートクリーニング温度を250℃以
下に、あるいはヒートクリーニングの時間を20秒
以下にすると、ヒートクリーニングが不充分で
COガスへの応答速度が低下し、COの検出が出来
なくなる。ヒートクリーニング温度を400℃以上
とすると、ガスセンサが経時的に劣化する。ヒー
トクリーニングの時間を120秒以上とすると、ガ
スセンサの加熱周期が長くなり、検出と検出の間
のデツドタイムが増すことになる。ガスセンサの
低温側の温度を60℃以下とすると、COガスへの
応答が遅れ、検出が困難になる。100℃以上では、
H2とCOとの相対感度が低下し、検出精度が低下
する。ガスセンサを低温に保持する時間を30秒以
下とすると、COへの応答が不充分になる。180秒
以上では、ガスセンサの加熱周期が増し、やはり
好ましくない。
周期と、ガスセンサの抵抗値のサンプリング時期
を制御する。タイマー回路にヒータ電源回路を接
続し、20〜120秒間ガスセンサを250〜400℃に加
熱してヒートクリーニングを行い、ついで30〜
180秒間ガスセンサを60〜100℃に保持する。この
過程を繰り返して、ガスセンサの温度を周期的に
変化させる。ヒートクリーニング温度を250℃以
下に、あるいはヒートクリーニングの時間を20秒
以下にすると、ヒートクリーニングが不充分で
COガスへの応答速度が低下し、COの検出が出来
なくなる。ヒートクリーニング温度を400℃以上
とすると、ガスセンサが経時的に劣化する。ヒー
トクリーニングの時間を120秒以上とすると、ガ
スセンサの加熱周期が長くなり、検出と検出の間
のデツドタイムが増すことになる。ガスセンサの
低温側の温度を60℃以下とすると、COガスへの
応答が遅れ、検出が困難になる。100℃以上では、
H2とCOとの相対感度が低下し、検出精度が低下
する。ガスセンサを低温に保持する時間を30秒以
下とすると、COへの応答が不充分になる。180秒
以上では、ガスセンサの加熱周期が増し、やはり
好ましくない。
タイマー回路のサンプリング信号に基づいて、
ガスセンサを低温に保持する期間内にガスセンサ
の出力をサンプリングする。そしてこのサンプリ
ング値からCOを検出する。なおCOの検出には、
高濃度のCOを直ちに検出することと、低濃度の
COが長時間存在することを検出することの2つ
が重要となる。これらのためには、以下のことを
行うのが好ましい。2つのコンパレータ手段を用
い、高濃度のCOが存在する場合と、低濃度のCO
が存在する場合の2つを検出する。高濃度のCO
が存在する場合、あるいは数回続けて低濃度の
COが存在する場合に、フリツプフロツプ要素を
セツトし、ブザー等の第2警報手段を動作させ
る。同時に、センサの加熱温度を低温側にホール
ドし、またサンプリング信号の間隔を縮めて、デ
ツドタイムを小さくする。さらに低濃度のCOが
存在する場合、LED等の第1警報手段を動作さ
せる。
ガスセンサを低温に保持する期間内にガスセンサ
の出力をサンプリングする。そしてこのサンプリ
ング値からCOを検出する。なおCOの検出には、
高濃度のCOを直ちに検出することと、低濃度の
COが長時間存在することを検出することの2つ
が重要となる。これらのためには、以下のことを
行うのが好ましい。2つのコンパレータ手段を用
い、高濃度のCOが存在する場合と、低濃度のCO
が存在する場合の2つを検出する。高濃度のCO
が存在する場合、あるいは数回続けて低濃度の
COが存在する場合に、フリツプフロツプ要素を
セツトし、ブザー等の第2警報手段を動作させ
る。同時に、センサの加熱温度を低温側にホール
ドし、またサンプリング信号の間隔を縮めて、デ
ツドタイムを小さくする。さらに低濃度のCOが
存在する場合、LED等の第1警報手段を動作さ
せる。
以下に図面を基に、この考案の実施例を説明す
る。ガスセンサ2の構造を第1図に示す。このガ
スセンサ2は、SnO2ペレツト4に、一対のコイ
ル状のヒータ兼用電極(その一方を6として示
す。)を埋設し、2つの金網8a,8bで囲つた
活性炭フイルター10を介して外気を導入するよ
うにしたものである。SnO2ペレツト4は、SnO2
に1g当り3mgのPd(金属換算の添加量、以下同
じ)を添加したものの焼結体である。しかし、
Pdに代えてPtや、Rh、Ru、Au、等の貴金属の
一員もしくは複数員を用いても良い。また添加量
は、SnO21g当り1mg〜15mgの範囲で変化させて
も良い。活性炭フイルター10は、エタノール
や、NO、NO2等のNOXを除くためのもので、こ
こでは1gの活性炭顆粒を用いて構成する。なお
活性炭の粒度はフイルター10の特性にほとんど
影響せず、用いる活性炭の量は0.5〜5g、好ま
しくは0.3〜3gとする。
る。ガスセンサ2の構造を第1図に示す。このガ
スセンサ2は、SnO2ペレツト4に、一対のコイ
ル状のヒータ兼用電極(その一方を6として示
す。)を埋設し、2つの金網8a,8bで囲つた
活性炭フイルター10を介して外気を導入するよ
うにしたものである。SnO2ペレツト4は、SnO2
に1g当り3mgのPd(金属換算の添加量、以下同
じ)を添加したものの焼結体である。しかし、
Pdに代えてPtや、Rh、Ru、Au、等の貴金属の
一員もしくは複数員を用いても良い。また添加量
は、SnO21g当り1mg〜15mgの範囲で変化させて
も良い。活性炭フイルター10は、エタノール
や、NO、NO2等のNOXを除くためのもので、こ
こでは1gの活性炭顆粒を用いて構成する。なお
活性炭の粒度はフイルター10の特性にほとんど
影響せず、用いる活性炭の量は0.5〜5g、好ま
しくは0.3〜3gとする。
この装置は、ガスセンサ2を中心とするセンサ
回路、ガスセンサ2のヒータ6等に電力を加える
ためのヒータ電源回路、クロツク信号を発生させ
るためのタイマー回路、およびCOの発生による
危険性を評価するためのアラーム回路等から成つ
ている。
回路、ガスセンサ2のヒータ6等に電力を加える
ためのヒータ電源回路、クロツク信号を発生させ
るためのタイマー回路、およびCOの発生による
危険性を評価するためのアラーム回路等から成つ
ている。
第2図にヒータ電源回路12と、センサ回路2
0とを示す。ヒータ電源回路12では、電池14
の出力をツエナーダイオード16で安定化し、そ
の出力Vccを各回路の電源として用いる。つぎに
安定化電源用Ic,Ic1等により、ステツプ可変安
定化電源を構成する。安定化電源用Ic,Ic1の出
力容量を、2つのブーストトランジスタTr1,
Tr2により増大させる。安定化電源用Ic,Ic1の出
力を抵抗により分割し、電源用Ic,Ic1の誤差増
幅用入力Nにフイードバツクする。ここで第3図
のタイマー回路30に接続したHC端子からの電
流により、スイツチングトランジスタTr3をオン
オフさせ、誤差増幅用入力Nへのフイードバツク
電圧を変化させる。このようにしてスイツチング
トランジスタTr3のオン時に、電源用Ic,Ic1の出
力を増大させる。
0とを示す。ヒータ電源回路12では、電池14
の出力をツエナーダイオード16で安定化し、そ
の出力Vccを各回路の電源として用いる。つぎに
安定化電源用Ic,Ic1等により、ステツプ可変安
定化電源を構成する。安定化電源用Ic,Ic1の出
力容量を、2つのブーストトランジスタTr1,
Tr2により増大させる。安定化電源用Ic,Ic1の出
力を抵抗により分割し、電源用Ic,Ic1の誤差増
幅用入力Nにフイードバツクする。ここで第3図
のタイマー回路30に接続したHC端子からの電
流により、スイツチングトランジスタTr3をオン
オフさせ、誤差増幅用入力Nへのフイードバツク
電圧を変化させる。このようにしてスイツチング
トランジスタTr3のオン時に、電源用Ic,Ic1の出
力を増大させる。
電源用Ic,Ic1の出力を交流に変換し、トラン
ス18を介して、ガスセンサ2の2つのヒータ
6,6′に供給し、ガスセンサ2を均一に加熱す
る。
ス18を介して、ガスセンサ2の2つのヒータ
6,6′に供給し、ガスセンサ2を均一に加熱す
る。
センサ回路20では、ガスセンサ2に負荷抵抗
RLと電源Vccとを直列に接続する。負荷抵抗RL
に並列に負特性サーミスタ22を接続し、ガスセ
ンサ2の周囲温度依存性を補償する。負荷抵抗
RLへの印加電圧VRLをそのまま、あるいは適当に
分割して、第3図のアラーム回路40へ入力す
る。
RLと電源Vccとを直列に接続する。負荷抵抗RL
に並列に負特性サーミスタ22を接続し、ガスセ
ンサ2の周囲温度依存性を補償する。負荷抵抗
RLへの印加電圧VRLをそのまま、あるいは適当に
分割して、第3図のアラーム回路40へ入力す
る。
タイマー回路30では、2つのNAND素子
Ic3,Ic4を用い1.5秒の時定数で発振する発振回路
を設ける。発振回路の出力を2つの10進カウンタ
ーIc5,Ic6へ入力し、100進のカウンター(150秒
周期で作動する。)を設ける。カウンターIc6のQ0
〜Q3の出力を、ダイオードを介して、AND素子
Ic7へ接続する。なおAND素子Ic7の他の入力端子
(HCF)は、アラーム回路40に接続して有り、
ホールド信号がない限り入力端子(HCF)には
ハイの電位が加えられている。AND素子Ic7の出
力(ハイ信号およびロウ信号)を、ヒータ電源回
路12のスイツチングトランジスタTr3に加え、
最初の60秒の間ガスセンサ2を300℃に、次の90
秒の間80℃に加熱する。カウンターIc5,Ic6のク
リア入力に、コンデンサ32、抵抗34からなる
微分回路の出力を接続し、電源投入時にカウンタ
ーIc5,Ic6をクリアさせる。
Ic3,Ic4を用い1.5秒の時定数で発振する発振回路
を設ける。発振回路の出力を2つの10進カウンタ
ーIc5,Ic6へ入力し、100進のカウンター(150秒
周期で作動する。)を設ける。カウンターIc6のQ0
〜Q3の出力を、ダイオードを介して、AND素子
Ic7へ接続する。なおAND素子Ic7の他の入力端子
(HCF)は、アラーム回路40に接続して有り、
ホールド信号がない限り入力端子(HCF)には
ハイの電位が加えられている。AND素子Ic7の出
力(ハイ信号およびロウ信号)を、ヒータ電源回
路12のスイツチングトランジスタTr3に加え、
最初の60秒の間ガスセンサ2を300℃に、次の90
秒の間80℃に加熱する。カウンターIc5,Ic6のク
リア入力に、コンデンサ32、抵抗34からなる
微分回路の出力を接続し、電源投入時にカウンタ
ーIc5,Ic6をクリアさせる。
カウンターIc6のQ9出力と、カウンターIc5のQ8
およびQ9出力とをNAND素子Ic8へ加え、ロウ信
号時の最後の3秒間サンプリング信号を取り出
す。サンプリング信号を、ハイ入力で導通する2
つのアナログスイツチIc9,Ic10を介して、アラー
ム回路40へ加える。またカウンターIc6のQ9出
力とカウンターIc5のQ9入力を、NAND素子Ic11
へ加え、ロウ信号時の最後の1.5秒間にクロツク
パルスCP2を取り出す。
およびQ9出力とをNAND素子Ic8へ加え、ロウ信
号時の最後の3秒間サンプリング信号を取り出
す。サンプリング信号を、ハイ入力で導通する2
つのアナログスイツチIc9,Ic10を介して、アラー
ム回路40へ加える。またカウンターIc6のQ9出
力とカウンターIc5のQ9入力を、NAND素子Ic11
へ加え、ロウ信号時の最後の1.5秒間にクロツク
パルスCP2を取り出す。
アラーム回路40では、センサ回路20の負荷
抵抗RLにバツフアーアンプ42を接続し、入力
容量を増大させる。つぎにアナログスイツチIc10
のスイツチ片S1をサンプリング手段とし、
NAND素子Ic8のサンプリング信号に基づき、サ
ンプリングを行う。
抵抗RLにバツフアーアンプ42を接続し、入力
容量を増大させる。つぎにアナログスイツチIc10
のスイツチ片S1をサンプリング手段とし、
NAND素子Ic8のサンプリング信号に基づき、サ
ンプリングを行う。
スイツチ片S1からの入力を、低濃度用コンパ
レータC1に加え、CO濃度が100ppm以上の際に
信号1を、他の際に信号0を発生させる。同様に
高濃度用コンパレータC2により、CO濃度が
500ppm以上の際に信号1を、他の際に信号0を
発生させる。
レータC1に加え、CO濃度が100ppm以上の際に
信号1を、他の際に信号0を発生させる。同様に
高濃度用コンパレータC2により、CO濃度が
500ppm以上の際に信号1を、他の際に信号0を
発生させる。
クロツクパルスCP2により動作するエツジト
リガー型のシフトレジスターIc13に、低濃度用コ
ンパレータC1からの信号を加え、4回分の結果
をシフトレジスターIc13に記憶させる。シフトレ
ジスターIc13の4つの出力をNAND素子Ic14に加
え、4回続けてCO濃度が100ppm以上である時
に、フリツプフロツプ素子FFをセツトする。ま
た高濃度用コンパレータC2の信号1により単安
定マルチバイブレータIc12を動作させ、フリツプ
フロツプ素子FFをセツトする。低濃度用コンパ
レータC1の0信号をシフトレジスターIc13のA
出力を介して取り出し、フリツプフロツプ素子
FFをリセツトする。さらに抵抗44とコンデン
サ46からなる積分回路により、電源投入時にも
フリツプフロツプ素子FFのリセツトを行う。
リガー型のシフトレジスターIc13に、低濃度用コ
ンパレータC1からの信号を加え、4回分の結果
をシフトレジスターIc13に記憶させる。シフトレ
ジスターIc13の4つの出力をNAND素子Ic14に加
え、4回続けてCO濃度が100ppm以上である時
に、フリツプフロツプ素子FFをセツトする。ま
た高濃度用コンパレータC2の信号1により単安
定マルチバイブレータIc12を動作させ、フリツプ
フロツプ素子FFをセツトする。低濃度用コンパ
レータC1の0信号をシフトレジスターIc13のA
出力を介して取り出し、フリツプフロツプ素子
FFをリセツトする。さらに抵抗44とコンデン
サ46からなる積分回路により、電源投入時にも
フリツプフロツプ素子FFのリセツトを行う。
フリツプフロツプ素子FFのセツト出力を、ダ
イオードを介して取り出し、サンプリング制御信
号とする。この信号を、NAND素子Ic8,Ic11に
加え、セツト時には15秒間隔でサンプリングを行
う様にする。またフリツプフロツプ素子FFのリ
セツト出力(HCF)(セツト時にロウ)をホール
ド信号として用い、セツト時にヒータ電源回路1
2の出力を低電圧側にホールドする。
イオードを介して取り出し、サンプリング制御信
号とする。この信号を、NAND素子Ic8,Ic11に
加え、セツト時には15秒間隔でサンプリングを行
う様にする。またフリツプフロツプ素子FFのリ
セツト出力(HCF)(セツト時にロウ)をホール
ド信号として用い、セツト時にヒータ電源回路1
2の出力を低電圧側にホールドする。
シフトレジスターIc13のA出力により、発光ダ
イオード等の第1警報手段48を動作させ、低濃
度のCOガスの存在を表示させる。フリツプフロ
ツプ素子FFのセツト出力により、ブザー50等
の第2警報手段を動作させ、高濃度のCOの存在、
あるいは長時間の低濃度のCOの存在を表示させ
る。ブザー50に代え、燃焼機器の燃焼停止手段
等を用いても良い。
イオード等の第1警報手段48を動作させ、低濃
度のCOガスの存在を表示させる。フリツプフロ
ツプ素子FFのセツト出力により、ブザー50等
の第2警報手段を動作させ、高濃度のCOの存在、
あるいは長時間の低濃度のCOの存在を表示させ
る。ブザー50に代え、燃焼機器の燃焼停止手段
等を用いても良い。
次にこの装置の動作を、ガスセンサ2の特性と
ともに説明する。実施例では、SnO2ペレツト4
としてSnO2に1g当り3mgのPdを加えたものを
用いた。そしてペレツト4に、300℃で60秒と80
℃で90秒の熱サイクルを加えた。ここで、触媒を
Pd以外の貴金属に代えても、添加量を1g当り
1〜15mgの範囲で代えても、ペレツト4の特性は
ほとんど変らなかつた。高温側の加熱温度を250
℃以下に、あるいは加熱時間を20秒以下にする
と、ペレツト4のCOガスへの応答速度が低下し
た。高温側の加熱温度を400℃以上とすると、低
温側でのCOへの感度が徐々に低下した。また高
温側に保持する時間を不必要に長くすると、サン
プリングの間のデツドタイムが延びる他に、ペレ
ツト4の熱劣化の原因となつた。従つて高温側の
加熱条件を、温度を250〜400℃に、時間を20〜
120秒と定めた。
ともに説明する。実施例では、SnO2ペレツト4
としてSnO2に1g当り3mgのPdを加えたものを
用いた。そしてペレツト4に、300℃で60秒と80
℃で90秒の熱サイクルを加えた。ここで、触媒を
Pd以外の貴金属に代えても、添加量を1g当り
1〜15mgの範囲で代えても、ペレツト4の特性は
ほとんど変らなかつた。高温側の加熱温度を250
℃以下に、あるいは加熱時間を20秒以下にする
と、ペレツト4のCOガスへの応答速度が低下し
た。高温側の加熱温度を400℃以上とすると、低
温側でのCOへの感度が徐々に低下した。また高
温側に保持する時間を不必要に長くすると、サン
プリングの間のデツドタイムが延びる他に、ペレ
ツト4の熱劣化の原因となつた。従つて高温側の
加熱条件を、温度を250〜400℃に、時間を20〜
120秒と定めた。
低温側の加熱温度を60℃以下とすると、COへ
の応答速度が著しく低下し、またペレツト4の抵
抗値の周囲温度依存性も極端に大きくなつた。低
温側の加熱温度を100℃以上とすると、H2とCO
との相対感度が不良となり、H2による誤報が生
じた。つぎに、60〜100℃の温度でのCOへの応答
に要する時間は、30〜120秒程度であつた。従つ
て低温側の保持時間を、応答に要する時間とほぼ
等しい、30〜180秒とした。
の応答速度が著しく低下し、またペレツト4の抵
抗値の周囲温度依存性も極端に大きくなつた。低
温側の加熱温度を100℃以上とすると、H2とCO
との相対感度が不良となり、H2による誤報が生
じた。つぎに、60〜100℃の温度でのCOへの応答
に要する時間は、30〜120秒程度であつた。従つ
て低温側の保持時間を、応答に要する時間とほぼ
等しい、30〜180秒とした。
ペレツト4の加熱条件を変えても、エタノール
やNOXによる検出精度の低下を解消することは
できなかつた。そこで1gの活性炭からなるフイ
ルター10を用いたところ、フイルター10の内
部のエタノール濃度は外部の1/100以下に、NOX
濃度は外部の1/20以下となつた。活性炭フイルタ
ー10のNOX吸着能力は、エタノールへのもの
にくらべて低いが、NOXの発生濃度が一般に低
い(通常は30ppm以下で、多くとも50ppm以下)
ので、問題は生じなかつた。
やNOXによる検出精度の低下を解消することは
できなかつた。そこで1gの活性炭からなるフイ
ルター10を用いたところ、フイルター10の内
部のエタノール濃度は外部の1/100以下に、NOX
濃度は外部の1/20以下となつた。活性炭フイルタ
ー10のNOX吸着能力は、エタノールへのもの
にくらべて低いが、NOXの発生濃度が一般に低
い(通常は30ppm以下で、多くとも50ppm以下)
ので、問題は生じなかつた。
エタノールの吸着が飽和すると、フイルター1
0は作用しなくなる。そこで、ガスセンサ2を10
日の間、毎日4時間ずつ3000ppmのエタノールに
さらした。この条件でガスセンサ2をこの実施例
で述べた熱サイクルで加熱し、センサ2の出力を
測定した。家庭内で発生するエタノールの濃度
は、多くとも1000ppm、通常は200〜300ppm以下
で、その持続時間は2〜3時間以下である。従つ
てこの試験は、実際のエタノールの発生状況より
も苛酷なものである。活性炭はエタノールにふれ
てそれを吸着し、放置されることによりエタノー
ルを放出して再生する。20時間の再生ではエタノ
ールの放出は不充分で、フイルター10の能力は
徐々に低下する。
0は作用しなくなる。そこで、ガスセンサ2を10
日の間、毎日4時間ずつ3000ppmのエタノールに
さらした。この条件でガスセンサ2をこの実施例
で述べた熱サイクルで加熱し、センサ2の出力を
測定した。家庭内で発生するエタノールの濃度
は、多くとも1000ppm、通常は200〜300ppm以下
で、その持続時間は2〜3時間以下である。従つ
てこの試験は、実際のエタノールの発生状況より
も苛酷なものである。活性炭はエタノールにふれ
てそれを吸着し、放置されることによりエタノー
ルを放出して再生する。20時間の再生ではエタノ
ールの放出は不充分で、フイルター10の能力は
徐々に低下する。
0.5gの活性炭を用いたものでは、エタノール
中でのガスセンサ2の出力は10日後に、CO換算
で約80ppmとなつた。0.8g以上の活性炭を用い
たものでは、10日後の出力はCO換算で50ppm以
下となつた。低濃度でのCOの検出は、100ppmを
中心に50〜200ppmの範囲で行う。エタノールへ
の耐久テストの結果から、0.5g以上の活性炭を
用いれば苛酷な条件でのみ誤報が生じ、0.8g以
上の活性炭を用いればほとんど誤報を除けること
がわかつた。活性炭の量を不必要に増すとガスセ
ンサ2の通気性が低下するので、活性炭の量は多
くとも5g、好ましくは3g以下とする。
中でのガスセンサ2の出力は10日後に、CO換算
で約80ppmとなつた。0.8g以上の活性炭を用い
たものでは、10日後の出力はCO換算で50ppm以
下となつた。低濃度でのCOの検出は、100ppmを
中心に50〜200ppmの範囲で行う。エタノールへ
の耐久テストの結果から、0.5g以上の活性炭を
用いれば苛酷な条件でのみ誤報が生じ、0.8g以
上の活性炭を用いればほとんど誤報を除けること
がわかつた。活性炭の量を不必要に増すとガスセ
ンサ2の通気性が低下するので、活性炭の量は多
くとも5g、好ましくは3g以下とする。
第4図のフローチヤートにより、この装置の動
作を説明する。電源を投入すると、フリツプフロ
ツプ素子FFと、カウンターIc6,Ic5がリセツトさ
れる。次にカウンターIc6は60秒の間ハイ信号を
発し、ガスセンサ2が高温側に保たれる。ついで
90秒間ガスセンサ2を低温側に保持し、最後の3
秒間にサンプリングが行われる。CO濃度が
500ppm以上では、フリツプフロツプ素子FFが直
ちにセツトされ、100ppm〜500ppmでは、10分間
100ppm以上のCOが存在する時のみフリツプフロ
ツプ素子FFがセツトされる。
作を説明する。電源を投入すると、フリツプフロ
ツプ素子FFと、カウンターIc6,Ic5がリセツトさ
れる。次にカウンターIc6は60秒の間ハイ信号を
発し、ガスセンサ2が高温側に保たれる。ついで
90秒間ガスセンサ2を低温側に保持し、最後の3
秒間にサンプリングが行われる。CO濃度が
500ppm以上では、フリツプフロツプ素子FFが直
ちにセツトされ、100ppm〜500ppmでは、10分間
100ppm以上のCOが存在する時のみフリツプフロ
ツプ素子FFがセツトされる。
ここで低濃度用コンパレータC1を中心とした
動作を、第5図に示す。COの人体への影響はCO
濃度のみによるのではなく、CO濃度と時間との
両方による。数千ppm程度のCOにふれると、た
とえ1分以下でも、人体に致命的な影響が生じ
る。これに対する安全率を見込んだ濃度として
500ppmを選び、CO濃度がこの値を越えたことを
検出すると、直ちにフリツプフロツプをセツトし
て警報する。実施例での検出周期は2分30秒で、
最大2分30秒の検出遅れが生じるが、安全率を見
込んで500ppmのCOで検出するので、この遅れは
許容できる。一方100ppm程度のCOの人体への影
響は即時には生じず、長時間低濃度のCOに触れ
つづけることで生じる。低濃度のCOへの環境基
準として、職場や工場の平均CO濃度を50ppm以
下とすることが提案されている。そこで実施例で
は、これよりもやや高めのCO濃度100ppm以上が
10分以上続くことを低濃度COへの検出条件とし
た。このためにシフトレジスターIc13を用い、シ
フトレジスターの4個の出力A〜Dがいずれもハ
イにセツトされることを利用して、低濃度のCO
を検出する。A〜Dの4個の出力がセツトされる
には、2分30秒×4の10分間CO濃度が100ppmを
越えていることが条件になる。サンプリング信号
(ここではCD1として示す。)時のコンパレータ
C1からの信度は、クロツクパルスCP2がハイ
からロウに変化した時点で、シフトレジスター
Ic13のA出力に読み込まれ、クロツクパルスCP2
の毎に、AからB,C,Dと送られ、その後にレ
ジスターIc13から排除される。そしてレジスター
Ic13のA〜Dの出力が全てハイの時にのみ、フリ
ツプフロツプ素子FFがセツトされる。
動作を、第5図に示す。COの人体への影響はCO
濃度のみによるのではなく、CO濃度と時間との
両方による。数千ppm程度のCOにふれると、た
とえ1分以下でも、人体に致命的な影響が生じ
る。これに対する安全率を見込んだ濃度として
500ppmを選び、CO濃度がこの値を越えたことを
検出すると、直ちにフリツプフロツプをセツトし
て警報する。実施例での検出周期は2分30秒で、
最大2分30秒の検出遅れが生じるが、安全率を見
込んで500ppmのCOで検出するので、この遅れは
許容できる。一方100ppm程度のCOの人体への影
響は即時には生じず、長時間低濃度のCOに触れ
つづけることで生じる。低濃度のCOへの環境基
準として、職場や工場の平均CO濃度を50ppm以
下とすることが提案されている。そこで実施例で
は、これよりもやや高めのCO濃度100ppm以上が
10分以上続くことを低濃度COへの検出条件とし
た。このためにシフトレジスターIc13を用い、シ
フトレジスターの4個の出力A〜Dがいずれもハ
イにセツトされることを利用して、低濃度のCO
を検出する。A〜Dの4個の出力がセツトされる
には、2分30秒×4の10分間CO濃度が100ppmを
越えていることが条件になる。サンプリング信号
(ここではCD1として示す。)時のコンパレータ
C1からの信度は、クロツクパルスCP2がハイ
からロウに変化した時点で、シフトレジスター
Ic13のA出力に読み込まれ、クロツクパルスCP2
の毎に、AからB,C,Dと送られ、その後にレ
ジスターIc13から排除される。そしてレジスター
Ic13のA〜Dの出力が全てハイの時にのみ、フリ
ツプフロツプ素子FFがセツトされる。
第4図にもどり、フリツプフロツプ素子FFが
セツトされると、第2警報手段としてのブザー5
0が鳴動し、同時にホールド信号によりセンサ2
を低温側にホールドし、またサンプリング制御信
号により15秒間隔でサンプリングが行われる。そ
してCO濃度が100ppm以下となつた時点で、フリ
ツプフロツプ素子FFがリセツトされ、装置は通
常の状態に戻る。
セツトされると、第2警報手段としてのブザー5
0が鳴動し、同時にホールド信号によりセンサ2
を低温側にホールドし、またサンプリング制御信
号により15秒間隔でサンプリングが行われる。そ
してCO濃度が100ppm以下となつた時点で、フリ
ツプフロツプ素子FFがリセツトされ、装置は通
常の状態に戻る。
この考案のCOガス検出装置では、
(1) 活性炭フイルターによりエタノールやNOX
の影響を除き、 (2) COの検出に適した加熱条件を選択してガス
センサの検出精度を向上させる。
の影響を除き、 (2) COの検出に適した加熱条件を選択してガス
センサの検出精度を向上させる。
第1図は実施例に用いたガスセンサの断面図、
第2図、第3図は実施例の装置の部分回路図、第
4図は実施例の装置の動作を示すフローチヤー
ト、第5図は実施例の装置の波形図である。 2……ガスセンサ、4……SnO2ペレツト、6
……ヒータ、10……活性炭フイルター、12…
…ヒータ電源回路、20……センサ回路、30…
…タイマー回路、40……アラーム回路、S1…
…サンプリング手段、C1……低濃度用コンパレ
ータ、C2……高濃度用コンパレータ、Ic13……
シフトレジスター、FF……フリツプフロツプ素
子。
第2図、第3図は実施例の装置の部分回路図、第
4図は実施例の装置の動作を示すフローチヤー
ト、第5図は実施例の装置の波形図である。 2……ガスセンサ、4……SnO2ペレツト、6
……ヒータ、10……活性炭フイルター、12…
…ヒータ電源回路、20……センサ回路、30…
…タイマー回路、40……アラーム回路、S1…
…サンプリング手段、C1……低濃度用コンパレ
ータ、C2……高濃度用コンパレータ、Ic13……
シフトレジスター、FF……フリツプフロツプ素
子。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 SnO2に、SnO21g当たり金属換算で1〜15mg
の貴金属触媒を添加した、SnO2ペレツトと、
SnO2ペレツトを加熱するヒータと、SnO2ペレツ
トに接触するガスからエタノール蒸気とNOXガ
スとを除去するための0.5〜5gの活性炭からな
る活性炭フイルターとを備えたガスセンサに、負
荷抵抗と電源とを直列に接続したセンサ回路と、 20〜120秒間持続するハイ信号と、30〜180秒間
持続するロウ信号とを交互に発し、ロウ信号を発
する期間内にサンプリング信号を発するタイマー
回路と、 タイマー回路のハイ信号とロウ信号とに基づき
前記ガスセンサのヒータに高低2種の電力を印加
し、ハイ信号時のガスセンサの加熱温度を250〜
400℃とし、ロウ信号時のガスセンサの温度を60
〜100℃とするためのヒータ電源回路と、 タイマー回路のサンプリング信号に基づき、セ
ンサ回路の負荷抵抗への印加電圧を入力信号とし
て取り出すサンプリング手段とを設け、サンプリ
ング手段の出力からCOガスを検出するように構
成したとを特徴するCOガス検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18795083U JPS6095551U (ja) | 1983-12-05 | 1983-12-05 | Coガス検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18795083U JPS6095551U (ja) | 1983-12-05 | 1983-12-05 | Coガス検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6095551U JPS6095551U (ja) | 1985-06-29 |
| JPH0220682Y2 true JPH0220682Y2 (ja) | 1990-06-05 |
Family
ID=30405579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18795083U Granted JPS6095551U (ja) | 1983-12-05 | 1983-12-05 | Coガス検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6095551U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW202433054A (zh) * | 2022-12-15 | 2024-08-16 | 日商新宇宙電機股份有限公司 | 氣體感測器及氣體感測器的動作方法 |
-
1983
- 1983-12-05 JP JP18795083U patent/JPS6095551U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6095551U (ja) | 1985-06-29 |
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