JPH02207415A - 超電導線 - Google Patents
超電導線Info
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- JPH02207415A JPH02207415A JP1026095A JP2609589A JPH02207415A JP H02207415 A JPH02207415 A JP H02207415A JP 1026095 A JP1026095 A JP 1026095A JP 2609589 A JP2609589 A JP 2609589A JP H02207415 A JPH02207415 A JP H02207415A
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- Japan
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- superconducting layer
- surface roughness
- average surface
- alloy
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、超電導線に関するものであり、特に基材上
に酸化物超電導層を形成した超電導線に関するものであ
る。
に酸化物超電導層を形成した超電導線に関するものであ
る。
［従来の技術］
従来から超電導体として、金属系のもの、化合物系のも
のおよびセラミックス系のものが知られており、種々の
用途への適用が研究されている。
のおよびセラミックス系のものが知られており、種々の
用途への適用が研究されている。
すなわち、超電導体は、臨界温度以下の温度に保持され
ることにより電気抵抗が零の状態になるのであるが、こ
の特性を利用して高磁界の発生、大容量の電流の高密度
伝送などが試みられている。
ることにより電気抵抗が零の状態になるのであるが、こ
の特性を利用して高磁界の発生、大容量の電流の高密度
伝送などが試みられている。
最近、超電導材料として、セラミックス系のものが超電
導現象を示す臨界温度を高くできる点で脚光を浴びつつ
ある。このような超電導材料は、たとえば、長尺の線状
体とすることによって、送配電、各種機器または素子間
の電気的接続、交流用巻線等の用途に用いることができ
る。
導現象を示す臨界温度を高くできる点で脚光を浴びつつ
ある。このような超電導材料は、たとえば、長尺の線状
体とすることによって、送配電、各種機器または素子間
の電気的接続、交流用巻線等の用途に用いることができ
る。
このような線材化の方法して、従来の化合物系の超電導
材料では、ステンレス等の基材または合金のテープの上
に、スパッタリング法等により超電導材料を形成する方
法が提案されている。また、このようなテープ状の基材
上に超電導層を形成することにより、容易に優れた可撓
性を得ることができる。
材料では、ステンレス等の基材または合金のテープの上
に、スパッタリング法等により超電導材料を形成する方
法が提案されている。また、このようなテープ状の基材
上に超電導層を形成することにより、容易に優れた可撓
性を得ることができる。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、通常の金属テープやセラミックステープ
の上に、セラミックス系超電導材料を形成させた場合、
特に超電導層が１μｍ以下と薄い場合には、優れた超電
導特性を得ることができないという問題があった。
の上に、セラミックス系超電導材料を形成させた場合、
特に超電導層が１μｍ以下と薄い場合には、優れた超電
導特性を得ることができないという問題があった。
この発明はかかる問題を解消するためなされたものであ
り、優れた超電導特性を示す酸化物超電導層を基材上に
形成した超電導線を提供することにある。
り、優れた超電導特性を示す酸化物超電導層を基材上に
形成した超電導線を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明者等は、かかる従来の問題点を解消するため種々
検討を重ねた結果、基材の表面粗さが酸化物超電導層の
超電導特性に影響することを見い出し、この発明をなす
に至ったものである。
検討を重ねた結果、基材の表面粗さが酸化物超電導層の
超電導特性に影響することを見い出し、この発明をなす
に至ったものである。
すなわち、この発明は、平均表面粗さ（Ｒａ）が０．０
５μｍ以下の可撓性を有する基材上に酸化物超電導層を
形成したことを特徴としている。
５μｍ以下の可撓性を有する基材上に酸化物超電導層を
形成したことを特徴としている。
この発明において基材は特に限定されるものではなく、
金属もしくは合金またはセラミックスからなるものを用
いることができる。合金の場合には、Ｎｉ基合金である
ことが好ましい。また、セラミックスである場合には、
イツトリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）であることが好
ましい。
金属もしくは合金またはセラミックスからなるものを用
いることができる。合金の場合には、Ｎｉ基合金である
ことが好ましい。また、セラミックスである場合には、
イツトリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）であることが好
ましい。
さらに、この発明において基材は、セラミックスコーテ
ィング層を有した金属または合金の複数層の構造の基材
であってもよい。
ィング層を有した金属または合金の複数層の構造の基材
であってもよい。
［作用］
第２図は、平均表面粗さの大きい基材上に超電導層を形
成したときの膜厚状態を示す模式図であり、第３図は、
平均表面粗さの小さい基材上に超電導層を形成したとき
の膜厚状態を示す模式図である。第２図に示すように、
平均表面粗さの大きい基材３上に超電導層１を形成する
と、第２図にａで示す超電導層１中の厚みの薄い部分が
多く生じ、この部分での結合が弱くなり、全体としての
臨界温度（Ｔｃ）が低下したり、あるいは臨界電流密度
（Ｊ ｃ）が低下したりする。
成したときの膜厚状態を示す模式図であり、第３図は、
平均表面粗さの小さい基材上に超電導層を形成したとき
の膜厚状態を示す模式図である。第２図に示すように、
平均表面粗さの大きい基材３上に超電導層１を形成する
と、第２図にａで示す超電導層１中の厚みの薄い部分が
多く生じ、この部分での結合が弱くなり、全体としての
臨界温度（Ｔｃ）が低下したり、あるいは臨界電流密度
（Ｊ ｃ）が低下したりする。
これに対し第３図のように、平均表面粗さの小さい基材
２上に超電導層１を形成すると、このような厚みの薄い
ａの部分が発生せず、臨界温度および臨界電流密度を高
めることができる。
２上に超電導層１を形成すると、このような厚みの薄い
ａの部分が発生せず、臨界温度および臨界電流密度を高
めることができる。
第４図は、平均表面粗さの大きい基材上に超電導層を形
成したときの膜面の平滑状態を示す模式図であり、第５
図は、平均表面粗さの小さい基材上に超電導層を形成し
たときの膜面の平滑状態を示す模式図である。第４図に
示、すように、平均表面粗さの大きい基材３上に超電導
層１を形成すると、超電導層１の膜面が平滑でなくなる
。これに対し、第５図に示すように、平均表面粗さの小
さい基材２上に超電導層１を形成すると、超電導層１の
膜面も平滑化することができる。
成したときの膜面の平滑状態を示す模式図であり、第５
図は、平均表面粗さの小さい基材上に超電導層を形成し
たときの膜面の平滑状態を示す模式図である。第４図に
示、すように、平均表面粗さの大きい基材３上に超電導
層１を形成すると、超電導層１の膜面が平滑でなくなる
。これに対し、第５図に示すように、平均表面粗さの小
さい基材２上に超電導層１を形成すると、超電導層１の
膜面も平滑化することができる。
第６図は、平均表面粗さの大きい基材上に超電導層を形
成したときの配向性を示す模式図であり、第７図は、平
均表面粗さの小さい基材上に超電導層を形成したときの
配向性を示す模式図である。
成したときの配向性を示す模式図であり、第７図は、平
均表面粗さの小さい基材上に超電導層を形成したときの
配向性を示す模式図である。
第６図に示すように、平均表面粗さの大きい基材３上に
超電導層１を形成すると、基材表面の凹凸が影響して、
形成された超電導層１の配向性が悪くなる。これに対し
、第７図に示すように、平均表面粗さの小さい基材２上
に超電導層１を形成すると、超電導層１の配向性も良く
なる。
超電導層１を形成すると、基材表面の凹凸が影響して、
形成された超電導層１の配向性が悪くなる。これに対し
、第７図に示すように、平均表面粗さの小さい基材２上
に超電導層１を形成すると、超電導層１の配向性も良く
なる。
この発明では、以上説明したような膜厚平均化効果、膜
面平滑化効果および配向性向上効果により、基材上に形
成された超電導層の超電導特性が向上する。
面平滑化効果および配向性向上効果により、基材上に形
成された超電導層の超電導特性が向上する。
［実施例］
表面粗さ（Ｒａ）が４０人、１００人、４００人、１０
０ＯＡおよび１００００人のイツトリア安定化ジルコニ
ア（ＹＳＺ）を準備した。なお、表面粗さは、米国５Ｌ
ＯＡＮ社製表面計状測定器ＤＥＫＴＡＫ３０３０を使用
し測定した。針圧は３０ｍｇ、測定距離は１００μｍと
した。このＹＳＺのテープの上にＲＦマグネトロンスパ
ッタリング法によりＹｌ Ｂａ２ Ｃｕａ ０７ ａの
超電導膜を形成した。なお、膜厚は０．５μｍおよび１
μｍの２種類のものを作製した。製膜条件は以下のとお
りである。
０ＯＡおよび１００００人のイツトリア安定化ジルコニ
ア（ＹＳＺ）を準備した。なお、表面粗さは、米国５Ｌ
ＯＡＮ社製表面計状測定器ＤＥＫＴＡＫ３０３０を使用
し測定した。針圧は３０ｍｇ、測定距離は１００μｍと
した。このＹＳＺのテープの上にＲＦマグネトロンスパ
ッタリング法によりＹｌ Ｂａ２ Ｃｕａ ０７ ａの
超電導膜を形成した。なお、膜厚は０．５μｍおよび１
μｍの２種類のものを作製した。製膜条件は以下のとお
りである。
ターゲット径：１００ｍｍ
基板温度二５５０℃
ガス圧：５Ｘ１０−２Ｔｏｒｒ
酸素分圧（０２／ （０２＋Ａ ｒ） ） ： ５０
％ＲＦパワー：１００ワット ターゲット−基板間距離：６０ｍｍ スパッタリング後のものを酸素雰囲気中で９００℃１時
間熱処理した後、直流４端子法により、膜厚０． ５μ
ｍのものについてはＴｃを測定し、膜厚１μｍのものに
ついてはＪｃを測定した。
％ＲＦパワー：１００ワット ターゲット−基板間距離：６０ｍｍ スパッタリング後のものを酸素雰囲気中で９００℃１時
間熱処理した後、直流４端子法により、膜厚０． ５μ
ｍのものについてはＴｃを測定し、膜厚１μｍのものに
ついてはＪｃを測定した。
第１図は、膜厚０．５μｍのものについてのＴＣを示し
ている。第１図に示されるように、平均表面粗さ（Ｒａ
）が４０Ａ、１００Ａおよび４００Ａのものは、それぞ
れＴｃが８２に、８１におよび８０にであったが、平均
表面粗さ（Ｒａ）が１０００Ａおよび１００ＯＯＡのも
のは、いずれもＴｃが４５にと低い値であった。
ている。第１図に示されるように、平均表面粗さ（Ｒａ
）が４０Ａ、１００Ａおよび４００Ａのものは、それぞ
れＴｃが８２に、８１におよび８０にであったが、平均
表面粗さ（Ｒａ）が１０００Ａおよび１００ＯＯＡのも
のは、いずれもＴｃが４５にと低い値であった。
膜厚１μｍのものについて７７．３にでＪｃを測定した
ところ、表面粗さが４０Ａ、 １００Ａおよび４００人
に対し、それぞれｌＸ１０’、９Ｘ１０ｓ１およびｌＸ
１０２Ａ／ｃｍ２という値が得られた。
ところ、表面粗さが４０Ａ、 １００Ａおよび４００人
に対し、それぞれｌＸ１０’、９Ｘ１０ｓ１およびｌＸ
１０２Ａ／ｃｍ２という値が得られた。
以上のことから明らかなように、表面粗さが４００Ａ
（−０，０４μｍ）のものは優れたＴｃおよびＪｃを示
すが、１０００人（−０，１μｍ）のものは急激にＴｃ
およびＪｃが低下する。
（−０，０４μｍ）のものは優れたＴｃおよびＪｃを示
すが、１０００人（−０，１μｍ）のものは急激にＴｃ
およびＪｃが低下する。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明では、平均表面粗さが０
．０５μｍ以下の可撓性を有する基材上に、酸化物超電
導層を形成しているので、超電導層の膜厚を平均化し、
また膜面を平滑化するとともに配向性を向上させること
によって、優れた超電導特性が得られる。
．０５μｍ以下の可撓性を有する基材上に、酸化物超電
導層を形成しているので、超電導層の膜厚を平均化し、
また膜面を平滑化するとともに配向性を向上させること
によって、優れた超電導特性が得られる。
第１図は、種々の平均表面粗さの基材の上に形成された
超電導層の臨界温度および臨界電流密度を示す図である
。第２図は、平均表面粗さの大きい基材上に超電導層を
形成したときの膜厚状態を示す模式図である。第３図は
、平均表面粗さの小さい基材上に超電導層を形成したと
きの膜厚状態を示す模式図である。第４図は、平均表面
粗さの大きい基材上に超電導層を形成したときの膜面の
平滑状態を示す模式図である。第５図は、平均表面粗さ
の小さい基材上に超電導層を形成したときの膜面の平滑
状態を示す模式図である。第６図は、平均表面粗さの大
きい基材上に超電導層を形成したときの配向性を示す模
式図である。第７図は、平均表面粗さの小さい基材上に
超電導層を形成したときの配向性を示す模式図である。 図において、１は超電導層、２は平均表面粗さの小さい
基材、３は平均表面粗さの大きい基材を示す。 第１図 千＋味勾相ごＲＡ（パ） 第２図 第３図 １、事件の表示 平成１年特許願第 ２、発明の名称 超電導線 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ７、補正の内容 （１） 明細書第６頁第１９行の「０７８」を「０７□
」に補正する。 （２） 明細書第８頁第３行の「１×１０２Ａ／ｃｍ２
Ｊをｒ５Ｘ１０” Ａ／ｃｍ２Ｊ ｌ：補正する。 ３、補正をする者 名 称 （２１３）住友電気工業株式会社頽者 用上
哲部 （３） 明細書第８頁第６行のｒ（−０，０４μｍ）の
もの」をｒ（−０，０４μｍ）以下のもの」に補正する
。 （４） 明細書第８頁第７行ないし第８行のｒＪｃを示
すが、・・・・・・が低下する。」をｒＪｃを示す。」
に補正する。 ４、代理人 住 所 大阪市北区南森町２丁目１番２９号 住友銀行
南森町ビル以上
超電導層の臨界温度および臨界電流密度を示す図である
。第２図は、平均表面粗さの大きい基材上に超電導層を
形成したときの膜厚状態を示す模式図である。第３図は
、平均表面粗さの小さい基材上に超電導層を形成したと
きの膜厚状態を示す模式図である。第４図は、平均表面
粗さの大きい基材上に超電導層を形成したときの膜面の
平滑状態を示す模式図である。第５図は、平均表面粗さ
の小さい基材上に超電導層を形成したときの膜面の平滑
状態を示す模式図である。第６図は、平均表面粗さの大
きい基材上に超電導層を形成したときの配向性を示す模
式図である。第７図は、平均表面粗さの小さい基材上に
超電導層を形成したときの配向性を示す模式図である。 図において、１は超電導層、２は平均表面粗さの小さい
基材、３は平均表面粗さの大きい基材を示す。 第１図 千＋味勾相ごＲＡ（パ） 第２図 第３図 １、事件の表示 平成１年特許願第 ２、発明の名称 超電導線 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ７、補正の内容 （１） 明細書第６頁第１９行の「０７８」を「０７□
」に補正する。 （２） 明細書第８頁第３行の「１×１０２Ａ／ｃｍ２
Ｊをｒ５Ｘ１０” Ａ／ｃｍ２Ｊ ｌ：補正する。 ３、補正をする者 名 称 （２１３）住友電気工業株式会社頽者 用上
哲部 （３） 明細書第８頁第６行のｒ（−０，０４μｍ）の
もの」をｒ（−０，０４μｍ）以下のもの」に補正する
。 （４） 明細書第８頁第７行ないし第８行のｒＪｃを示
すが、・・・・・・が低下する。」をｒＪｃを示す。」
に補正する。 ４、代理人 住 所 大阪市北区南森町２丁目１番２９号 住友銀行
南森町ビル以上
Claims (6)
- （１）平均表面粗さ０．０５μｍ以下の可撓性を有する
基材上に酸化物超電導層を形成したことを特徴とする、
超電導線。 - （２）前記基材が金属または合金からなることを特徴と
する、請求項１記載の超電導線。 - （３）前記合金がＮｉ基合金であることを特徴とする、
請求項２記載の超電導線。 - （４）前記基材がセラミックスからなることを特徴とす
る、請求項１記載の超電導線。 - （５）前記セラミックスがイットリア安定化ジルコニア
である、請求項４記載の超電導線。 - （６）前記基材がセラミックスコーティング層を有する
金属または合金からなることを特徴とする、請求項１記
載の超電導線。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1026095A JP2803123B2 (ja) | 1989-02-04 | 1989-02-04 | 超電導線 |
| CA002008310A CA2008310C (en) | 1989-02-04 | 1990-02-02 | Superconducting wire |
| DE69019376T DE69019376T2 (de) | 1989-02-04 | 1990-02-05 | Supraleitender Draht. |
| EP92113673A EP0528332B1 (en) | 1989-02-04 | 1990-02-05 | Superconducting wire |
| US07/475,048 US5143898A (en) | 1989-02-04 | 1990-02-05 | Superconducting wire |
| EP90102224A EP0385132A1 (en) | 1989-02-04 | 1990-02-05 | Superconducting wire |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1026095A JP2803123B2 (ja) | 1989-02-04 | 1989-02-04 | 超電導線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02207415A true JPH02207415A (ja) | 1990-08-17 |
| JP2803123B2 JP2803123B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=12184039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1026095A Expired - Lifetime JP2803123B2 (ja) | 1989-02-04 | 1989-02-04 | 超電導線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2803123B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0562533A (ja) * | 1991-09-04 | 1993-03-12 | Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai | 超電導部材 |
| WO2005015575A1 (ja) * | 2003-08-06 | 2005-02-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 超電導線材およびその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6430117A (en) * | 1987-07-24 | 1989-02-01 | Furukawa Electric Co Ltd | Formation of ceramic superconductor membrane |
| JPH01302752A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-06 | Res Dev Corp Of Japan | 集積回路パッケージ |
| JPH035397A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-11 | Toshiba Corp | 酸化物結晶薄膜の気相成長方法 |
-
1989
- 1989-02-04 JP JP1026095A patent/JP2803123B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6430117A (en) * | 1987-07-24 | 1989-02-01 | Furukawa Electric Co Ltd | Formation of ceramic superconductor membrane |
| JPH01302752A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-06 | Res Dev Corp Of Japan | 集積回路パッケージ |
| JPH035397A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-11 | Toshiba Corp | 酸化物結晶薄膜の気相成長方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0562533A (ja) * | 1991-09-04 | 1993-03-12 | Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai | 超電導部材 |
| WO2005015575A1 (ja) * | 2003-08-06 | 2005-02-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 超電導線材およびその製造方法 |
| JP2005056754A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導線材およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2803123B2 (ja) | 1998-09-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
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|
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|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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