JPH035397A - 酸化物結晶薄膜の気相成長方法 - Google Patents
酸化物結晶薄膜の気相成長方法Info
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- JPH035397A JPH035397A JP1138884A JP13888489A JPH035397A JP H035397 A JPH035397 A JP H035397A JP 1138884 A JP1138884 A JP 1138884A JP 13888489 A JP13888489 A JP 13888489A JP H035397 A JPH035397 A JP H035397A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、酸化物結晶薄膜の気相成長方法に関する。
（従来の技術）
最近、高温で超伝導特性を示す酸化物超伝導体が発見さ
れ注目されている。代表的な酸化物超伝導体としては、
ＹＢ ａ２ Ｃｕ３０７−Ｊで表されるもの、或いはそ
のＹの一部をランタン系元素で置換したもの（以下これ
らを、ＹＢａＣｕＯ系という）がよく知られている。ま
た、Ｂｉ２５ｒ２ＣａＣｕ２０８やＢ ｉ２ Ｓ ｒ
２ Ｃａ ２ Ｃｕ ３０ 。
れ注目されている。代表的な酸化物超伝導体としては、
ＹＢ ａ２ Ｃｕ３０７−Ｊで表されるもの、或いはそ
のＹの一部をランタン系元素で置換したもの（以下これ
らを、ＹＢａＣｕＯ系という）がよく知られている。ま
た、Ｂｉ２５ｒ２ＣａＣｕ２０８やＢ ｉ２ Ｓ ｒ
２ Ｃａ ２ Ｃｕ ３０ 。
などのビスマス系材料（以下これらを、Ｂ１５ｒＣａＣ
ｕＯ系という）も有望なものとして注目されている。こ
れらの酸化物超伝導体は臨界温度Ｔｃが１００Ｋを越え
ており、液体窒素温度（７７Ｋ）で動作する超高速論理
デバイスなどへの用途が種々提案されている。
ｕＯ系という）も有望なものとして注目されている。こ
れらの酸化物超伝導体は臨界温度Ｔｃが１００Ｋを越え
ており、液体窒素温度（７７Ｋ）で動作する超高速論理
デバイスなどへの用途が種々提案されている。
これらの酸化物超伝導体が工業的に利用されるためには
、組成の制御された、欠陥の少ない酸化物結晶が再現性
よく作製できることが不可欠である。特に超高速論理デ
バイスへの適用には、平坦な単結晶薄膜が必要不可欠に
なる。
、組成の制御された、欠陥の少ない酸化物結晶が再現性
よく作製できることが不可欠である。特に超高速論理デ
バイスへの適用には、平坦な単結晶薄膜が必要不可欠に
なる。
酸化物超伝導体薄膜の形成法としてこれまで、化−学的
気相成長（ＣＶＤ）法の一種である有機金属を用いたＭ
ＯＣＶ Ｄ法が有望なものとして活発に研究されてい
る。Ｍ ＯＣＶ Ｄ法では、酸化物超伝導体を構成する
各元素原料ガスの供給量を独立に精密制御することがで
きるからである。この場合基板としては、酸化物超伝導
体と比較的良好な格子整合性を示し、また線膨脹係数も
近いＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏ３結晶基板やＭｇＯ結晶基板が
用いられてきた。５ｒＴｉ０３基板上にＹＢａＣｕＯ系
超伝導体薄膜を成長させた場合、成長温度が８００℃以
上の高温において始めて超伝導特性を示すことが報告さ
れている。また得られた薄膜は、（００１）面がＳ ｒ
Ｔ ｉ Ｏ３基板の（００１）面に平行に成長した、
所謂Ｃ軸配向を示すといわれている。
気相成長（ＣＶＤ）法の一種である有機金属を用いたＭ
ＯＣＶ Ｄ法が有望なものとして活発に研究されてい
る。Ｍ ＯＣＶ Ｄ法では、酸化物超伝導体を構成する
各元素原料ガスの供給量を独立に精密制御することがで
きるからである。この場合基板としては、酸化物超伝導
体と比較的良好な格子整合性を示し、また線膨脹係数も
近いＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏ３結晶基板やＭｇＯ結晶基板が
用いられてきた。５ｒＴｉ０３基板上にＹＢａＣｕＯ系
超伝導体薄膜を成長させた場合、成長温度が８００℃以
上の高温において始めて超伝導特性を示すことが報告さ
れている。また得られた薄膜は、（００１）面がＳ ｒ
Ｔ ｉ Ｏ３基板の（００１）面に平行に成長した、
所謂Ｃ軸配向を示すといわれている。
しかしながらこれまでのところ、５ｒＴｉ０３基板を用
いて得られたＹＢａＣｕＯ系酸化物超伝導体薄膜はすべ
て多結晶体である。また薄膜表面の平坦性も非常に悪い
。この原因は、基板表面の凹凸や格子欠陥にあると考え
られる。特に基板の高温加熱によって、膜堆積の前に基
板表面の結晶の分解による酸素の放出などにより、基板
表面の平坦性が損なわれ、欠陥が増加することが大きい
原因と考えられる。したがってこの様な薄膜を用いて実
用的な論理素子などをの形成することはできない。
いて得られたＹＢａＣｕＯ系酸化物超伝導体薄膜はすべ
て多結晶体である。また薄膜表面の平坦性も非常に悪い
。この原因は、基板表面の凹凸や格子欠陥にあると考え
られる。特に基板の高温加熱によって、膜堆積の前に基
板表面の結晶の分解による酸素の放出などにより、基板
表面の平坦性が損なわれ、欠陥が増加することが大きい
原因と考えられる。したがってこの様な薄膜を用いて実
用的な論理素子などをの形成することはできない。
ＭｇＯ基板は、特に酸化物超伝導体との線膨脹係数が近
いことから選ばれているが、ＭｇＯ結晶の（１００）面
上にＢ１５ｒＣａＣｕＯ系酸化物超伝導体薄膜を形成し
た場合も、平坦性が非常に悪く、また多結晶体しか得ら
れていない。
いことから選ばれているが、ＭｇＯ結晶の（１００）面
上にＢ１５ｒＣａＣｕＯ系酸化物超伝導体薄膜を形成し
た場合も、平坦性が非常に悪く、また多結晶体しか得ら
れていない。
以上の他、ＬａＧａＯ３結晶基板を用いてＹＢａＣｕＯ
系酸化物超伝導体薄膜を形成した報告もなされている。
系酸化物超伝導体薄膜を形成した報告もなされている。
この結晶基板もＹＢａＣｕＯとは比較的格子整合性が良
く、また線膨脹係数も近いが、やはり単結晶は得られて
いないし、表面の平坦性も悪い。
く、また線膨脹係数も近いが、やはり単結晶は得られて
いないし、表面の平坦性も悪い。
（発明が解決しようとする課題）
以上のように、酸化物超伝導体の素子応用のため良質の
酸化物超伝導体薄膜が望まれているが、これまで単結晶
てしかも表面の平坦性が優れたものは得られていない。
酸化物超伝導体薄膜が望まれているが、これまで単結晶
てしかも表面の平坦性が優れたものは得られていない。
酸化物超伝導体薄膜に限らず、例えば強誘電体結晶薄膜
の気相成長の場合にも同様の問題がある。
の気相成長の場合にも同様の問題がある。
本発明はこの様な点に鑑みなされたもので、表面の平坦
性が優れた酸化物結晶薄膜を得ることのできる気相成長
方法を提供することを目的とする。
性が優れた酸化物結晶薄膜を得ることのできる気相成長
方法を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は、基板を反応容器内に収容し、この反応容器内
に原料ガスを導入して基板上に酸化物結晶薄膜を気相成
長させる際に、基板上に予め基板と同じ物質からなる結
晶薄膜を下地膜として気相成長させ、引き続き原料ガス
を切り替えて所望の酸化物結晶薄膜を気相成長させるこ
とを特徴とする。
に原料ガスを導入して基板上に酸化物結晶薄膜を気相成
長させる際に、基板上に予め基板と同じ物質からなる結
晶薄膜を下地膜として気相成長させ、引き続き原料ガス
を切り替えて所望の酸化物結晶薄膜を気相成長させるこ
とを特徴とする。
（作用）
本発明によれば、所望の酸化物結晶薄膜の堆積が始まる
直前まで基板表面に下地結晶薄膜の堆積が行われるため
、従来のように膜堆積の行われていない状態で基板が高
温に晒されることがない。
直前まで基板表面に下地結晶薄膜の堆積が行われるため
、従来のように膜堆積の行われていない状態で基板が高
温に晒されることがない。
この結果、所望の酸化物結晶薄膜の堆積が開始するとき
に下地の平坦性が劣化し或いは結晶欠陥が増加している
という事態が防止され、従って、平坦性の良い単結晶の
酸化物結晶薄膜を得ることができる。
に下地の平坦性が劣化し或いは結晶欠陥が増加している
という事態が防止され、従って、平坦性の良い単結晶の
酸化物結晶薄膜を得ることができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は、一実施例による酸化物超伝導体薄膜の堆積状
態を模式的に示す。基板１は、ＭｇＯ単結晶基板であり
、この上にＭＯＣＶＤ法によってまず下地膜としてＭｇ
Ｏ結晶薄膜２が形成され、この上に連続的にＢ１５ｒＣ
ａＣｕＯ系酸化物超伝導体薄膜３が形成されている。
態を模式的に示す。基板１は、ＭｇＯ単結晶基板であり
、この上にＭＯＣＶＤ法によってまず下地膜としてＭｇ
Ｏ結晶薄膜２が形成され、この上に連続的にＢ１５ｒＣ
ａＣｕＯ系酸化物超伝導体薄膜３が形成されている。
第２図は、この実施例に使用したＭＯＣＶＤ装置である
。装置本体は、反応容器２１と電気炉２４により構成さ
れ、反応容器２１内のサセプタ２２上に基板２３が載置
される。サセプタ２２は例えば黒鉛表面をシリコンカー
バイトにより被覆したものである。２５は圧力計、２６
は排気ポンプである。有機金属原料は、それぞれ原料容
器２７１〜２７７に収容されており、必要に応じて原料
ガスが取り出される。すなわちＡｒガスボンべ２８から
のＡｒガスがマスフロー・コントローラー３０．〜３０
７により制御されて各原料容器２７に送られ、これによ
り原料容器２７から送り出された原料ガスが電磁弁によ
り駆動される三方弁３１．〜３１７を介して反応容器２
１に導入されるようになっている。また、０゜ガスは０
２ガスボンベ２９からマスフロー・コントローラー３０
８により流量が調整されて、三方弁３１８を介して反応
容器２１に導入されるようになっている。マスフロー・
コントローラー３０の電磁弁はすべてシーケンスコント
ローラーにより制御されており、三方弁３１の開閉タイ
ミングと保持時間を予めプログラムできるようになって
いる。
。装置本体は、反応容器２１と電気炉２４により構成さ
れ、反応容器２１内のサセプタ２２上に基板２３が載置
される。サセプタ２２は例えば黒鉛表面をシリコンカー
バイトにより被覆したものである。２５は圧力計、２６
は排気ポンプである。有機金属原料は、それぞれ原料容
器２７１〜２７７に収容されており、必要に応じて原料
ガスが取り出される。すなわちＡｒガスボンべ２８から
のＡｒガスがマスフロー・コントローラー３０．〜３０
７により制御されて各原料容器２７に送られ、これによ
り原料容器２７から送り出された原料ガスが電磁弁によ
り駆動される三方弁３１．〜３１７を介して反応容器２
１に導入されるようになっている。また、０゜ガスは０
２ガスボンベ２９からマスフロー・コントローラー３０
８により流量が調整されて、三方弁３１８を介して反応
容器２１に導入されるようになっている。マスフロー・
コントローラー３０の電磁弁はすべてシーケンスコント
ローラーにより制御されており、三方弁３１の開閉タイ
ミングと保持時間を予めプログラムできるようになって
いる。
マグネシウム（Ｍ ｇ ）の有機金属原料はＭｇ（ＤＰ
Ｍ）２であり、ビスマス（Ｂｉ）、ストロンチウム（Ｓ
ｒ） 、カルシウム（Ｃａ）および銅（Ｃｕ）の有機
金属原料はそれぞれ、Ｂｉ （Ｃ，Ｈ６）、Ｓｒ （
ＤＰＭ）２．Ｃａ（ＤＰＭ）２およびＣｕ（ＤＰＭ）２
である。原料容器２７のうち、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｃａおよび
Ｃｕの原料容器はそれぞれ、１５０℃、１２０℃。
Ｍ）２であり、ビスマス（Ｂｉ）、ストロンチウム（Ｓ
ｒ） 、カルシウム（Ｃａ）および銅（Ｃｕ）の有機
金属原料はそれぞれ、Ｂｉ （Ｃ，Ｈ６）、Ｓｒ （
ＤＰＭ）２．Ｃａ（ＤＰＭ）２およびＣｕ（ＤＰＭ）２
である。原料容器２７のうち、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｃａおよび
Ｃｕの原料容器はそれぞれ、１５０℃、１２０℃。
２３０℃および２００℃に加熱した。原料ガスの配管系
はすべてステンレス製であり、原料蒸気が凝結しないよ
うにヒーターによって２６０℃程度に保温される。
はすべてステンレス製であり、原料蒸気が凝結しないよ
うにヒーターによって２６０℃程度に保温される。
具体的に、Ｂ１５ｒＣａＣｕＯ系酸化物薄膜の形成工程
を以下に説明する。基板２３として前述のように（１０
０）方位のＭｇＯ結晶基板を用意し、これを化学エツチ
ングにより表面を清浄化した後反応容器２１内に収容す
る。その後反応容器２１内には、まずＡｒガスボンベ２
８から高純度Ａ「ガスを供給して（このときのガス配管
は第２図には示していない）、反応容器２１内の空気を
Ａｒガスで置換する。次いで排気ポンプ２６を作動させ
、圧力計２５を見ながら反応容器２１内の圧力を５〜７
６ Ｔｏｒｒの範囲に調節する。その後０２ガスボンベ
２９から高純度０２ガスを反応容器２１に供給し、電気
炉２４によってサセプタ２２および基板２３を６００℃
〜８５０℃の範囲の所定温度に加熱して、基板表面の清
浄化を行う。
を以下に説明する。基板２３として前述のように（１０
０）方位のＭｇＯ結晶基板を用意し、これを化学エツチ
ングにより表面を清浄化した後反応容器２１内に収容す
る。その後反応容器２１内には、まずＡｒガスボンベ２
８から高純度Ａ「ガスを供給して（このときのガス配管
は第２図には示していない）、反応容器２１内の空気を
Ａｒガスで置換する。次いで排気ポンプ２６を作動させ
、圧力計２５を見ながら反応容器２１内の圧力を５〜７
６ Ｔｏｒｒの範囲に調節する。その後０２ガスボンベ
２９から高純度０２ガスを反応容器２１に供給し、電気
炉２４によってサセプタ２２および基板２３を６００℃
〜８５０℃の範囲の所定温度に加熱して、基板表面の清
浄化を行う。
０２ガスの供給停止は、三方弁３１８を素早く切り替え
てガスを排気経路側に排出することにより行い、流路遮
断による一時的な流量変動を少なくなるようにした。基
板表面の清浄化を行っている間、Ａｒガスボンベ２８か
らマスフロー・コントローラー３０を経由して流量が調
整されたＡｒガスを、Ｍｇ（ＤＰＭ）２ 、Ｂ ｉ
（Ｃ６Ｈｓ ）３ 。
てガスを排気経路側に排出することにより行い、流路遮
断による一時的な流量変動を少なくなるようにした。基
板表面の清浄化を行っている間、Ａｒガスボンベ２８か
らマスフロー・コントローラー３０を経由して流量が調
整されたＡｒガスを、Ｍｇ（ＤＰＭ）２ 、Ｂ ｉ
（Ｃ６Ｈｓ ）３ 。
Ｓ ｒ （ＤＰＭ）２ 、Ｃａ （ＤＰＭ）２ 、Ｃｕ
（ＤＰＭ）２の各原料容器２７に５０ｃｍ’／分の割合
で送り込み、得られた蒸気を配管系を通して下流側に送
り出す。その際、三方弁３１によってこれらの原料ガス
は反応容器側ではなく、排気経路側に放流しておく。こ
こまでが成長を始める前の予備段階である。
（ＤＰＭ）２の各原料容器２７に５０ｃｍ’／分の割合
で送り込み、得られた蒸気を配管系を通して下流側に送
り出す。その際、三方弁３１によってこれらの原料ガス
は反応容器側ではなく、排気経路側に放流しておく。こ
こまでが成長を始める前の予備段階である。
次に三方弁３１を切り替えて、下地薄膜としてＭｇＯ結
晶薄膜の堆積を行う。堆積条件は次の通りである。基板
は６００℃に加熱し、反応容器２１内の圧力は１０Ｔｏ
ｒｒとし、０□ガスの反応容器２１への流量は５０ｃＩ
Ｔ１３／分とした。堆積時間１時間で約１μｍの堆積膜
が得られる。
晶薄膜の堆積を行う。堆積条件は次の通りである。基板
は６００℃に加熱し、反応容器２１内の圧力は１０Ｔｏ
ｒｒとし、０□ガスの反応容器２１への流量は５０ｃＩ
Ｔ１３／分とした。堆積時間１時間で約１μｍの堆積膜
が得られる。
この後連続的に原料ガスを切り替えて結晶成長を行うが
、試験サンプルとして以上の下地薄膜の形成までで工程
を止めたものを用意して、その下地薄膜の結晶性をＸ線
回折および電子線回折により調べた。その結果格子定数
は基板と同じく、ａ −４，２１２人であり、単結晶薄
膜がエピタキシャル成長していることが確認された。ま
た下地薄膜の表面の凹凸は、５０人程度であり、優れた
平坦性を示している。
、試験サンプルとして以上の下地薄膜の形成までで工程
を止めたものを用意して、その下地薄膜の結晶性をＸ線
回折および電子線回折により調べた。その結果格子定数
は基板と同じく、ａ −４，２１２人であり、単結晶薄
膜がエピタキシャル成長していることが確認された。ま
た下地薄膜の表面の凹凸は、５０人程度であり、優れた
平坦性を示している。
こうして下地薄膜の堆積後、三方弁３１を切り替えて下
地薄膜形成用の原料ガスは排気経路に放流し、代わって
Ｂ ｉ Ｓ ｒｃａｃｕｏ酸化物超伝導体薄膜の原料ガ
スを反応容器２１に供給する。このときの堆積条件は以
下の通りである。基板温度は６００℃、反応容器内圧力
は１０Ｔｏｒｒとし、０２ガスの反応容器への供給量は
５０ｃｍ３／分とした。堆積時間を３０分として、０，
５μｍの薄膜が得られた。
地薄膜形成用の原料ガスは排気経路に放流し、代わって
Ｂ ｉ Ｓ ｒｃａｃｕｏ酸化物超伝導体薄膜の原料ガ
スを反応容器２１に供給する。このときの堆積条件は以
下の通りである。基板温度は６００℃、反応容器内圧力
は１０Ｔｏｒｒとし、０２ガスの反応容器への供給量は
５０ｃｍ３／分とした。堆積時間を３０分として、０，
５μｍの薄膜が得られた。
こうして得られたＢ１５ｒＣａＣｕＯ薄膜は、Ｘ線回折
から全面単結晶であることが確認され、格子定数は、ａ
−５，４人、ｂ−２６人、ｃ−３７人であった。またそ
の薄膜表面の凹凸は１００人程程度あり、平坦性も優れ
たものであった。下地薄膜と酸化物超伝導体薄膜の界面
の拡散反応も認められなかった。
から全面単結晶であることが確認され、格子定数は、ａ
−５，４人、ｂ−２６人、ｃ−３７人であった。またそ
の薄膜表面の凹凸は１００人程程度あり、平坦性も優れ
たものであった。下地薄膜と酸化物超伝導体薄膜の界面
の拡散反応も認められなかった。
また得られたＢ１５ｒＣａＣｕＯ薄膜は、臨界温度１０
０にの超伝導特性を示した。
０にの超伝導特性を示した。
比較例として、ＭｇＯ結晶基板に下地薄膜を形成するこ
となく、他は同様の条件でＢ１５ｒＣａＣｕＯ薄膜を形
成した。基板温度８００’Ｃで形成した膜厚０．５ａｍ
のＢ１５ｒＣａＣｕＯ薄膜は、臨界温度６５にの超伝導
特性を示したが、多結晶であり、表面の凹凸は１０００
人程度程度きいものであった。
となく、他は同様の条件でＢ１５ｒＣａＣｕＯ薄膜を形
成した。基板温度８００’Ｃで形成した膜厚０．５ａｍ
のＢ１５ｒＣａＣｕＯ薄膜は、臨界温度６５にの超伝導
特性を示したが、多結晶であり、表面の凹凸は１０００
人程度程度きいものであった。
次に、ＭｇＯ結晶基板にＹＢａＣｕＯ薄膜を形成した実
施例を説明する。
施例を説明する。
Ｍ ＯＣＶ Ｄ装置は、先の実施例と同様のものを用い
た。Ｙ、ＢａおよびＣｕの有機金属原料にはそれぞれ、
Ｙ （ＤＰＭ）ｓ 、Ｂａ （ＤＰＭ）２およびＣｕ（
ＤＰＭ）２を用い、またそれらの原料容器はそれぞれ、
１４０℃、２５０℃および１５０℃に加熱した。Ｍｇの
有機金属原料は先の実施例と同じである。用いたＭｇＯ
結晶基板は（１００）方位のものであり、先の実施例と
同様に予備段階を経て、ＭｇＯ結晶薄膜を下地薄膜とし
て形成した。
た。Ｙ、ＢａおよびＣｕの有機金属原料にはそれぞれ、
Ｙ （ＤＰＭ）ｓ 、Ｂａ （ＤＰＭ）２およびＣｕ（
ＤＰＭ）２を用い、またそれらの原料容器はそれぞれ、
１４０℃、２５０℃および１５０℃に加熱した。Ｍｇの
有機金属原料は先の実施例と同じである。用いたＭｇＯ
結晶基板は（１００）方位のものであり、先の実施例と
同様に予備段階を経て、ＭｇＯ結晶薄膜を下地薄膜とし
て形成した。
下地薄膜形成後、三方弁を切替えて、ＹＢａＣｕＯ薄膜
の堆積を行った。ＹＢａＣｕＯ薄膜の堆積条件は、基板
温度６００℃、反応容器内圧力１０ Ｔｏｒｒとし、０
２ガスおよびＡｒガスの反応容器への流量は５０ｃｍ３
／分とした。膜堆積時間を１時間として、約１μｍのＹ
ＢａＣｕＯ薄膜が得られた。
の堆積を行った。ＹＢａＣｕＯ薄膜の堆積条件は、基板
温度６００℃、反応容器内圧力１０ Ｔｏｒｒとし、０
２ガスおよびＡｒガスの反応容器への流量は５０ｃｍ３
／分とした。膜堆積時間を１時間として、約１μｍのＹ
ＢａＣｕＯ薄膜が得られた。
こうして得られたＹＢａＣｕＯ薄膜を、Ｘ線回折および
電子線回折により調べた結果、下地薄膜であるＭｇＯ結
晶の（１００）面にＹＢａＣｕＯ薄膜の（１００）面が
平行にエピタキシャル成長しており、基板全面に亘って
単結晶であることが確認された。また表面の凹凸は５０
Å以下と平坦性も良好であった。超伝導臨界温度は８９
にてあった。
電子線回折により調べた結果、下地薄膜であるＭｇＯ結
晶の（１００）面にＹＢａＣｕＯ薄膜の（１００）面が
平行にエピタキシャル成長しており、基板全面に亘って
単結晶であることが確認された。また表面の凹凸は５０
Å以下と平坦性も良好であった。超伝導臨界温度は８９
にてあった。
本発明は上記実施例に限られない。例えば、基板結晶と
して５ｒＴｉＯ，、ＬａＧａＯ３，ＬａＡｇｏ、などを
用いた場合にも同様に、これらの基板材料と同じ結晶薄
膜を下地膜として気相成長させ、連続的に所望の酸化物
超伝導体薄膜を成長させれば良い。Ｂ１５ｒＣａＣｕＯ
薄膜の場合はｐｂ、ｓｂなどを加えたもの、ＹＢａＣｕ
Ｏ薄膜の場合はＹの一部をＬａ等で置換したものなどに
同様に本発明を適用することができる。また本発明は、
超伝導体薄膜に限らず、例えば、ＢａＴｉＯ３，ＬｉＮ
ｂＯ３，ＬｉＴａ０．。
して５ｒＴｉＯ，、ＬａＧａＯ３，ＬａＡｇｏ、などを
用いた場合にも同様に、これらの基板材料と同じ結晶薄
膜を下地膜として気相成長させ、連続的に所望の酸化物
超伝導体薄膜を成長させれば良い。Ｂ１５ｒＣａＣｕＯ
薄膜の場合はｐｂ、ｓｂなどを加えたもの、ＹＢａＣｕ
Ｏ薄膜の場合はＹの一部をＬａ等で置換したものなどに
同様に本発明を適用することができる。また本発明は、
超伝導体薄膜に限らず、例えば、ＢａＴｉＯ３，ＬｉＮ
ｂＯ３，ＬｉＴａ０．。
Ｐ ｂ Ｔ ｉ Ｏ３などの誘電体酸化物結晶薄膜を気
相成長させる場合に有効である。
相成長させる場合に有効である。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、酸化物結晶薄膜を気
相成長法で形成するに当たって、予め基板上に下地膜と
して、基板と同じ物質の結晶薄膜を成長させ、引き続い
て所望の酸化物結晶薄膜を成長させることによって、平
坦性に優れた良質の結晶性の酸化物結晶薄膜を得ること
ができる。
相成長法で形成するに当たって、予め基板上に下地膜と
して、基板と同じ物質の結晶薄膜を成長させ、引き続い
て所望の酸化物結晶薄膜を成長させることによって、平
坦性に優れた良質の結晶性の酸化物結晶薄膜を得ること
ができる。
第１図は、本発明の一実施例にょるＢ１５ｒＣａＣｕＯ
酸化物超伝導体薄膜の堆積状態を示す断面図、 第２図は、その薄膜形成に用いたＭＯＣＶＤ装置の構成
を示す図である。 １１・・・ＭｇＯ結晶基板、１２・・・Ｍ ｇ Ｏ結晶
薄膜、１ Ｂ −−−Ｂ ｉ Ｓ ｒ Ｃａ Ｃｕ Ｏ
薄膜、２１ ＝−反応容器、２２・・・サセプタ、２３
・・・基板、２４・・・電気炉、２５・・・圧力計、２
６・・・排気ポンプ、２７・・・原料容器、２８・・・
Ａｒガスボンベ、２９・・・ｏ２ガスボンベ、３０・・
・マスフロー・コントローラー ３１・・・三方弁。
酸化物超伝導体薄膜の堆積状態を示す断面図、 第２図は、その薄膜形成に用いたＭＯＣＶＤ装置の構成
を示す図である。 １１・・・ＭｇＯ結晶基板、１２・・・Ｍ ｇ Ｏ結晶
薄膜、１ Ｂ −−−Ｂ ｉ Ｓ ｒ Ｃａ Ｃｕ Ｏ
薄膜、２１ ＝−反応容器、２２・・・サセプタ、２３
・・・基板、２４・・・電気炉、２５・・・圧力計、２
６・・・排気ポンプ、２７・・・原料容器、２８・・・
Ａｒガスボンベ、２９・・・ｏ２ガスボンベ、３０・・
・マスフロー・コントローラー ３１・・・三方弁。
Claims (1)
- （１）基板を反応容器内に収容し、この反応容器内に原
料ガスを導入して基板上に酸化物結晶薄膜を気相成長さ
せるに際し、前記基板上に基板と同じ物質からなる結晶
薄膜を下地膜として気相成長させ、引き続き原料ガスを
切り替えて必要な酸化物結晶薄膜を気相成長させること
を特徴とする酸化物結晶薄膜の気相成長方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1138884A JPH035397A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 酸化物結晶薄膜の気相成長方法 |
| EP19900305982 EP0401031A3 (en) | 1989-05-31 | 1990-05-31 | Oxide thin film and method of epitaxially growing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1138884A JPH035397A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 酸化物結晶薄膜の気相成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH035397A true JPH035397A (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=15232369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1138884A Pending JPH035397A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 酸化物結晶薄膜の気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH035397A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02207415A (ja) * | 1989-02-04 | 1990-08-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導線 |
| US7091188B2 (en) | 2001-10-23 | 2006-08-15 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Stabilization of amrubicin hydrochloride |
| US7879327B2 (en) | 2000-07-28 | 2011-02-01 | Dainippon Sumitomo Pharma Co., Ltd. | Medicament for treating cancer |
| US8785406B2 (en) | 2009-05-27 | 2014-07-22 | Dainippon Sumitomo Pharma Co., Ltd. | Stabilized and lyophilized formulation of anthracycline compounds |
-
1989
- 1989-05-31 JP JP1138884A patent/JPH035397A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02207415A (ja) * | 1989-02-04 | 1990-08-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導線 |
| US7879327B2 (en) | 2000-07-28 | 2011-02-01 | Dainippon Sumitomo Pharma Co., Ltd. | Medicament for treating cancer |
| US9139658B2 (en) | 2000-07-28 | 2015-09-22 | Sumitomo Dainippon Pharma Co., Ltd. | Medicament for treatment cancer |
| US7091188B2 (en) | 2001-10-23 | 2006-08-15 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Stabilization of amrubicin hydrochloride |
| US8030283B2 (en) | 2001-10-23 | 2011-10-04 | Dainippon Sumitomo Pharma Co., Ltd. | Stabilization of amrubicin hydrochloride |
| US8785406B2 (en) | 2009-05-27 | 2014-07-22 | Dainippon Sumitomo Pharma Co., Ltd. | Stabilized and lyophilized formulation of anthracycline compounds |
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