JPH01166419A

JPH01166419A - 超電導薄膜の作製方法

Info

Publication number: JPH01166419A
Application number: JP62324704A
Authority: JP
Inventors: Saburo Tanaka; 三郎田中; Hideo Itozaki; 糸崎　秀夫; Kenjiro Higaki; 檜垣　賢次郎; Shuji Yatsu; 矢津　修示; Tetsuji Jodai; 哲司上代
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1987-12-22
Filing date: 1987-12-22
Publication date: 1989-06-30

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は超電導薄膜の製造方法に関するものであり、よ
り詳細には、高い超電導臨界温度を有する複合酸化物超
電導薄膜の臨界電流を大幅に向上させる超電導薄膜の作
製方法に関するものである。

本発明により得られる超電導薄膜は高い臨界電流を持つ
と同時に、平滑性等の他の特性においても優れた特性を
有しており、集積回路を始めとする各種電子部品の配線
材料として特に有用である。

従来の技術電子の相転移であるといわれる超電導現象は、特定の条
件下で導体の電気抵抗が零の状態となり完全な反磁性を
示す現象である。

超電導の代表的な利用分野であるエレクトロニクスの分
野では、各種の超電導素子が提案され、また開発されて
いる。この分野で代表的なものとして、超電導材料どう
しを弱く接合した場合に、印加電流によって量子効果が
巨視的に現れるジョセフソン効果を利用した素子が挙げ
られる。トンネル接合型ジョセフソン素子は、超電導材
料のエネルギーギャップが小さいことから、極めて高速
な低電力消費のスイッチング素子として期待されている
。さらに、電磁波や磁場に対するジョセフソン効果が正
確な量子現象として現れることから、ジョセフソン素子
を磁場、マイクロ波、放射線等の超高感度センサとして
利用することも期待されている。

また、超高速電子計算機では、単位面積当たりの消費電
力が冷却能力の限界に達してきているため超電導素子の
開発が要望されおり、さらに、電子回路の集積度が高く
なるにつれて電流ロスの無い超電導材料を配線材料とし
て用いることが要望されている。

しかし、様々な努力にもかかわらず、超電導材料の超電
導臨界温度Ｔｃは長期間に亘ってＮｂ、Ｇｅの２３Ｋを
越えることができなかったが、昨年来、（Ｌａ、　Ｂａ
〕、（：ｕ○、または（Ｌａ、　Ｓｒ）　２ｃｕｏａ等
の酸化物の焼結材が高いＴＣをもつ超電導材料として発
見され、非低温超電導を実現する可能性が大きく高まっ
ている。これらの物質では、３０乃至５０にという従来
に比べて飛躍的に高いＴｃが観測されている。

尚、上述のような複合酸化物超電導体薄膜の作製は、わ
が国においては、焼結等で生成した酸化物を蒸着源とし
て用いた、スパッタリング法等の物理蒸着によって行う
ことが一般的である。

発明が解決しようとする問題点ところで、上述のような複合酸化物系超電導体薄膜は、
臨界電流密度Ｊｃが小さいために、臨界温度Ｔｃが極め
て高いにも関わらず実際の電子回路として実用化するこ
とができなかった。

そこで、本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決
し、高い臨界電流密度Ｊｃを有する複合酸化物超電導材
料の薄膜を作製する方法を提供することにある。

問題点を解決するための手段本発明に従うと、下記の式：％式％（但し、元素αは、ＢａまたはＳｒであり、Ｘは０．０
１≦ｘ≦０．２を満たす数である）で表される複合酸化
物を主として含有する複合酸化物超電導体薄膜を物理蒸
着によって作製する方法において、上記物理蒸着時の成膜速度を０．０５〜１Å／秒の範囲
としたことを特徴とする超電導薄膜の作製方法が提供さ
れる。

上記物理蒸着としては、スパッタリング、イオンブレー
ティング、真空蒸着等の減圧下での蒸着法の他を用いる
ことができるが、一般にはスパッタリング、特にＲＦマ
グネトロンスパッタリングが好ましい。

本発明の方法で作製される複合酸化物超電導薄膜は、上
記一般式：％式％で示される複合酸化物を主として含んでおり、これらの
複合酸化物はペロブスカイト型または擬似ペロブスカイ
ト型酸化物を主体としたものと考えられ、上記元素αは
８ａまたはＳｒから選択される。

上記ＢａまたはＳｒと、Ｌａと、Ｃｕとの原子比は上記
の式を満たす範囲であることが好ましいが、必ずしも厳
密にこの比に限定されるものではなく、これらの比から
±５０％の範囲、さらに好ましくは±２０％の範囲でず
れた原子比の組成のものでも有効な超電導現象を示す場
合がある。すなわち、特許請求の範囲において「上記の
式で表される複合酸化物を主として含有する」という表
現は上記のように上記の式で定義される原子比以外のも
のも含むということを意味し、更に、上記の定義は上記
の元素以外の元素、すなわち、ｐｐｍオーダーで混入す
る不可避的不純物や、製品の他の特性、例えば機械的な
特性等を向上させる目的で添加される第３成分を含有し
ていてもよいということを意味している。

第３成分として添加可能な元素としては、周期律表■ａ
族元素のＳｒＳＣａ５Ｍｇ、　Ｂｅ、上記以外の周期律
表ｍａ族元素、周期律表Ｉ　ｂ、　ＩＩ　ｂ、　ＩＩ［
ｂ。

ｒＶａおよび■ａ族から選択される元素、例えば、Ｔｉ
、　Ｖを挙げることが出来る。

本発明の特徴は、上記物理蒸着時の成膜速度を０．０５
〜１Å／秒、さらに好ましくは０．１〜０．８Å／秒に
した点にある。

本発明者達の実験結果によると、理蒸着時の成膜速度が
１Å／秒を超えると、得られた超電導薄膜の臨界電流密
度が大幅に低下して実用的な薄膜が得られない。また、
成膜速度を０．０５Å／秒未満にすると、成膜速度が極
端に遅くなるので、工業的でない。

上記物理蒸着をスパッタリングで行う場合には、スパッ
タリングを０．００１〜０．５　Ｔｏｒｒの圧力、さら
に好ましくは０．０１〜０ＪＴｏｒｒの圧力下でかつ０
□を５〜９５分子％、さらに好ましくは１０〜８０分子
％含む雰囲気で行うのが好ましい。この０２以外と一緒
に用いることが可能な他のスパッタリングガスとしては
不活性ガスであるアルゴンが好ましい。

また、基板を２００〜９５０℃、さらに好ましくは５０
０〜９２０℃に加熱しながらスパッタリングを行うのが
好ましい。

上記のように物理蒸着をスパッタリングで行う場合には
、成膜速度を制御するファクタとしては、成膜ガス圧力
、０２／（０２＋Ａｒ）の比、更にＲＦスパッタリング
においてはＲＦパワーを挙げることができる。

いずれの場合にも、スパッタリングガス中の０２の比率
が５から９５分子％であることが好ましい。

そして、スパッタリングをＲＦスパッタリングで行う場
合には、高周波電力を０．０６４〜１．２７Ｗ／Ｃｒｌ
の範囲内、特に０．１２７〜０．７６Ｗ／ｃａ！の範囲
内とすることが好ましい。更に、スパッタリングガス中
０Ｏ２の比率が１０から８０分子％の範囲とし、成膜ガ
ス圧力を０．００１〜０．５　Ｔｏｒｒの圧力、特に０
．０１〜０．３　Ｔｏｒｒの範囲内とすることが好まし
い。

成膜ガス圧力または０２／　（０２＋　Ａ　ｒ）の比を
制御する場合には、上記スパッタリングをＲＦスパッタ
リングで行うときは、高周波電力を１．２７〜２，５５
Ｗ　／　ａｎ！の範囲内、特に１．５３〜２．２９Ｗ／
ｃａｆの範囲内とすることが好ましい。そして、０２／
　（０２＋Ａ　ｒ）の比を制御する場合には、スパッタ
リングガス中の０２の比率は、３０から９５分子％の範
囲内、特に４０から８０分子％の範囲内とすることが好
ましく、成膜ガス圧力を０．００１〜０．５Ｔｏｒｒの
圧力、特に０．０１〜Ｑ、３Ｔｏｒｒの範囲内とするこ
とが好ましい。

一方、成膜ガス圧力を制御する場合には、スパッタリン
グガス中の０２の比率は、特に１０から８０分子％の範
囲内とすることが好ましく、成膜ガス圧力を０、ＯＯ１
〜０．５７ｏｒｒの圧力、特に０．０５〜０．５Ｔｏｒ
ｒの範囲内とすることが好ましい。

本発明の態様に従うと、上記の複合酸化物超電導薄膜を
形成する基板としては、ペロブスカイト型結晶の基板、
酸化物基板、またはそれらペロブスカイト型結晶または
酸化物がバッファ層として形成された金属基板や半導体
基板を使用することが可能である。好ましくは、基板と
しては、ＭｇＯ単結晶、ＳｒＴｉＯ３単結晶、ＺｒＯ，
単結晶、ＹＳＺ単結晶、Ａ１□（１３）単結晶、または
多結晶Ａ１□（１３）、更には、それら物質で成膜面が
形成された金属基板や半導体基板が好ましい。特に、Ｍ
ｇＯ単結晶または３ｒＴｉＯｓ単結晶基板の成膜面を、
（００１）面または（１１０）面とすることが好ましい
。

さらに、本発明の態様では、成膜後の薄膜を酸素分圧０
．１〜１０気圧の酸素含有雰囲気で８００〜９６０℃で
０．５〜２０時間、さらに好ましくは８５０〜９５０℃
で１〜１０時間加熱し、１０℃／分以下の冷却速度で冷
却してアニールを行うことが好ましい。

また、膜厚を０．１〜１０μｍの範囲、さらに好ましく
は０．５〜２μｍの範囲となるように成膜する。

作用本発明の超電導薄膜の作製方法は、上記物理蒸着を０．
０５〜１Å／秒、さらに好ましくは０．１〜０．８Å／
秒の成膜速度で行うことをその主要な特徴としている。

従来の方法による複合酸化物超電導体薄膜の作製におい
ては、焼結体をターゲットとして物理蒸着、一般にはス
パッタリングを行っていたが、得られた超電導薄膜の臨
界電流密度Ｊｃが低く、実用にはならなかった。

これは、複合酸化物超電導体は、その臨界電流密度に結
晶異方性を有するためである。すなわち、結晶のａ軸お
よびｂ軸で決定される面に平行な方向に電流が流れ易い
が、従来の方法では、結晶方向を十分に揃えることがで
きなかったためである。

そこで、従来は、結晶方向を揃えるために、基板として
、複合酸化物超電導体結晶の格子間隔に近い格子間隔を
有するＭｇＯ１ＳｒＴｉＯ，およびＹＳＺ等の単結晶の
特定な面を成膜面として用いていた。

本発明の方法では、従来の方法を改良して、上記物理蒸
着時の成膜速度を０．０５〜１Å／秒、さらに好ましく
は０．１〜０．８　Å／秒にしたことで、複合酸化物の
結晶方向を揃える。この結果、従来法と比較して、大幅
にＪｃが向上した超電導渭膜が得られる。

本発明の方法では、上記の条件で、物理蒸着、好ましく
はスパッタリングにより成膜を行うが、この物理蒸着、
好ましくはスパッタリング時に基板温度を２００〜９５
０℃、さらに好ましくは５００〜９２０℃に加熱して物
理蒸着、好ましくはスパッタリングすることが好ましい
。基板温度が２００℃未満の場合には、複合酸化物の結
晶性が悪くアモルファス状になり、超電導薄膜は得られ
ない。また、基板温度が９５０℃を超えると、結晶構造
が変わってしまい、上記の複合酸化物は超電導体とはな
らない。

本発明で好ましく用いられるＲＦマグネトロンスパッタ
リングの場合には、例えばｌＱｃｍφのターゲットに対
して、スパッタリング時に高周波電力を従来の１．９Ｗ
／ｃｎｆ程度から５〜１００　Ｗ、すなわち、単位断面
積当たり０．０６４〜１．２７Ｗ／ｃｏ！、さらに好ま
しくは、１０〜６０Ｗ１すなわち、単位断面積当たり０
．１２７〜０．７６Ｗ／ｃａｔ印加するするのが好まし
い。

本発明の態様に従うと、上記の複合酸化物超電導薄膜を
形成する基板としては、ＭｇＯ単結晶、５ｒＴｉＯ，単
結晶またはＺｒ○２単結晶基板が好ましく、特に、Ｍｇ
Ｏ単結晶基板または５ｒＴｉ（１３）単結晶基板の（０
０１）面または（１１０）面を成膜面として用いること
が好ましい。さらには、上記の単結晶相を有する金属基
板あるいは半導体基板を用いることもできる。

これは、既に説明したように本発明の複合酸化物超電導
体は、その電気抵抗に結晶異方性を有するためで、上記
の基板の上記成膜面上に形成された複合酸化物超電導薄
膜は、その結晶のＣ軸が基板成膜面に対し垂直または垂
直に近い角度となり、特に臨界電流密度Ｊｃが大きくな
るものと考えられる。従って、ＭｇＯ単結晶基板または
ＳｒＴｉＯ３単結晶基板の（００１）面を成膜面として
用いることが好ましい。また、（１１０１面を用いてＣ
軸を基板と平行にし、Ｃ軸と垂直な方向を特定して用い
ることもできる。さらに、ＭｇＯ１ＳｒＴｉＯ，は、熱
膨張率が上記の複合酸化物超電導体と近いため、加熱、
冷却の過程で薄膜に不必要な応力を加えることがなく、
薄膜を破損する恐れもない。

本発明の態様に従うと、成膜後の薄膜を酸素分圧０．１
〜１０気圧の酸素含有雲囲気中で８００〜９６０℃、さ
らに好ましくは８５０〜９５０℃に加熱、ｌＯ℃／分以
下の冷却速度で冷却する熱処理を施すアニール処理を行
うことが好ましい。この処理は、上記の複合酸化物中の
酸素欠陥を調整するもので、この処理を経ない薄膜の超
電導特性は悪く、超電導性を示さない場合もある。従っ
て、上記の熱処理を行うことが好ましい。

実施例以下に本発明を実施例により説明するが、本発明の技術
的範囲は、以下の開示に何等制限されるものではないこ
とは勿論である。

実施例１上記で説明した本発明の超電導薄膜の作製方法をＲＦマ
グネトロンスパッタリングによって実施した。ターゲッ
トとしては、Ｌａ５ＢａＳＣｕの原子比Ｌａ：Ｂａ：Ｃ
ｕを１．８　：　０．２　：　１とした原料粉末を常法
に従って焼結して作った１ａ−１３ａ−Ｃｕ−０複合酸
化物の焼結体と、Ｌａ５ＳｒＳＣｕの原子比Ｌａ：Ｓｒ
：Ｃｕを１．８　：　０．２　：　１とした原料粉末を
常法に従って焼結して作ったＬａ−Ｂａ−Ｃｕ−０複合
酸化物の焼結体とをそれぞれ用いた。ターゲットは直径
が１００ｍｍφの円板とした。各々の場合の成膜条件は
同一とし、その成膜条件は以下の通りであった。

基板　　　　　ＭｇＯ（００１）面ｏ２／（ｏａ＋Ａｒ）　　　　２０％基板温度　　　７００℃ 圧力　　　　　０．　Ｉ　Ｔｏｒｒ高周波電力　　４０Ｗ　（０，５１Ｗ／ｃｒｌ）時間　
　　　　６時間膜厚　　　　　０．８８μｍ（成膜速度　　　０．３５　　Ａ／秒）成膜後、大気圧
の０２中で９００℃の温度を１時間保った後、５℃／分
の冷却速度で冷却した。なお、比較のために、同じター
ゲットの場合の成膜速度を１．５　Å／秒としたこと以
外は、全く等しい条件で複合酸化物超電導薄膜を作製し
た場合の結果を第１表に比較例として示しである。

臨界温度Ｔｃは、常法に従って四端子法によって測定し
た。また、臨界電流密度Ｊｃは、４．２にで試料の電気
抵抗を測定しつつ電流量を増加し、試料の電気抵抗が検
出されたときの電流量を、電流路の単位面積に換算した
ものを記している。

第１表実施例２成膜条件は以下の通りであること以外、実施例１と同様
な条件で複合酸化物超電導薄膜を作製した。その結果を
第２表に示す。

基板　　　　　ＭｇＯ（００１）面ｏ２／（ｏ２＋Ａｒ）　　　　５０％基板温度　　　７００℃ 圧力　　　　　Ｑ、１Ｔｏｒｒ高周波電力　　１５０Ｗ　（１，９Ｗ／ｃｎｆ）時間　
　　　　６時間膜厚　　　　　０．８８μｍ（成膜速度　　　０．３５　　Ａ／秒）第２表実施例３成膜条件は以下の通りであること以外、実施例１と同様
な条件で複合酸化物超電導薄膜を作製した。その結果を
第３表に示す。

基板　　　　　ＭｇＯ（００１）面０２／（０２＋Ａｒ）　　　　２０％基板温度　　　７００℃ 圧力　　　　　０．１５Ｔｏｒｒ高周波電力　　１５０Ｗ　（１，９Ｗ／ｃｕｔ）時間　
　　　　６時間膜厚　　　　　０．８８μｍ（成膜速度　　　０．３５　　Å／秒）第３表上記のように本発明の方法により作製された超電導薄膜
は、比較例より大幅に臨界電流が向上している。また、
本発明の方法で作製した複合酸化物超電導薄膜の組織が
一様でであることは、従来法により作製した比較例の複
合酸化物超電導薄膜の表面には、数ミクロンのダレイン
が存在するのに対し、本発明の方法によるものは、表面
をＳＥＭで１万倍に拡大して観察した場合に、その表面
の大部分の面積の所で凹凸が見られないことからも推測
できる。

発明の効果以上詳述のように、本発明の方法によって得られた超電
導薄膜は、従来の方法で作製されたものに較べ、高いＪ
ｃを示す。

本発明の方法は、従来法と較べ、単に、物理蒸着時の成
膜速度を小さくだけで安定に高性能な超電導薄膜を供給
することが可能となる。

特許出願人　　住友電気工業株式会社

Claims

【特許請求の範囲】

（１）式：（Ｌａ＿１＿−＿ｘα＿ｘ）＿２ＣｕＯ＿４（但し、元素αは、ＢａまたはＳｒであり、ｘは０．０
１≦ｘ≦０．２を満たす数である）で表される複合酸化物を主として含有する複合酸化物超
電導体薄膜を物理蒸着によって作製する方法において、０．０５〜１Å／秒の範囲の成膜速度で上記物理蒸着を
実施することを特徴とする超電導薄膜の作製方法。
（２）０．１〜０．８Å／秒の範囲の成膜速度で成膜す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の超電
導薄膜の作製方法。
（３）上記複合酸化物超電導体が、（Ｌａ＿１＿−＿ｘ
Ｂａ＿ｘ）＿２ＣｕＯ＿４（ただしｘは０．０１≦ｘ≦
０．２を満たす数である）で表される複合酸化物を含む
ことを特徴とする特許請求の範囲第第１項または第２項
に記載の超電導薄膜の作製方法。
（４）上記複合酸化物超電導体が、（Ｌａ＿１＿−＿ｘ
Ｓｒ＿ｘ）＿２ＣｕＯ＿４（ただしｘは０．０１≦ｘ≦０．２を満たす数である）
で表される複合酸化物を含むことを特徴とする特許請求
の範囲第第１項または第２項に記載の超電導薄膜の作製
方法。
（５）上記物理蒸着がスパッタリングであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項から第４項のいずれか一項
に記載の超電導薄膜の作製方法。
（６）上記スパッタリングがマグネトロンスパッタリン
グであること特徴とする特許請求の範囲第６項に記載の
超電導薄膜の作製方法。
（７）上記スパッタリング時のガス圧力が、０．００１
から０．５Ｔｏｒｒの範囲内であることを特徴とする特
許請求の範囲第５項または第６項に記載の超電導薄膜の
作製方法。
（８）上記スパッタリング時のガス圧力が、０．０１か
ら０．５Ｔｏｒｒの範囲内であることを特徴とする特許
請求の範囲第５項または第６項に記載の超電導薄膜の作
製方法。
（９）上記物理蒸着時に、基板を加熱することを特徴と
する特許請求の範囲第１項から第８項のいずれか一項に
記載の超電導薄膜の作製方法。
（１０）上記物理蒸着時の基板温度が、２００から９５
０℃であることを特徴とする特許請求の範囲第９項に記
載の超電導薄膜の作製方法。
（１１）上記物理蒸着時の基板温度が、５００から９２
０℃であることを特徴とする特許請求の範囲第９項に記
載の超電導薄膜の作製方法。
（１２）上記基板として、上記複合酸化物結晶の格子間
隔に近い格子間隔を有する酸化物単結晶の成膜面を有し
ている基板を用いることを特徴とする特許請求の範囲第
１項から第１０項のいずれか一項に記載の超電導薄膜の
作製方法。
（１３）上記基板として、ＭｇＯ単結晶、ＳｒＴｉＯ＿
３単結晶、ＺｒＯ＿２単結晶、ＹＳＺ単結晶、Ａｌ＿２
Ｏ＿３単結晶、または多結晶Ａｌ＿２Ｏ＿３を用いるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１２項に記載の超電導
薄膜の作製方法。
（１４）上記ＭｇＯ単結晶またはＳｒＴｉＯ＿３単結晶
基板の｛００１｝面または｛１１０｝面を成膜面とする
ことを特徴とする特許請求の範囲第１３項に記載の超電
導薄膜の作製方法。
（１５）上記成膜の後に薄膜を酸素含有雰囲気で加熱−
徐冷する熱処理を行うことを特徴とする特許請求の範囲
第１項から第１４項のいずれか一項に記載の超電導薄膜
の作製方法。
（１６）上記熱処理を８００〜９６０℃の範囲の加熱温
度で、０．５〜２０時間の範囲の時間行うことを特徴と
する特許請求の範囲第１５項に記載の超電導薄膜の作製
方法。
（１７）上記熱処理を８５０〜９５０℃の範囲の加熱温
度で、１〜１０時間の範囲の時間行うことを特徴とする
特許請求の範囲第１５項に記載の超電導薄膜の作製方法
。
（１８）上記熱処理時の冷却温度が、１０℃／分以下で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１６項または１
７項に記載の超電導薄膜の作製方法。
（１９）上記熱処理時の酸素分圧が０．１〜１０気圧で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１６項から第１
８項のいずれか一項に記載の超電導薄膜の作製方法。
（２０）上記スパッタリングの際のスパッタリングガス
中のＯ＿２の比率が５から９５分子％であることを特徴
とする特許請求の範囲第５項から第８項のいずれか一項
に記載の超電導薄膜の作製方法。
（２１）上記スパッタリングをＲＦスパッタリングで行
い、高周波電力を０．０６４〜１．２７Ｗ／ｃｍ＾２の
範囲内としたことを特徴とする特許請求の範囲第２０項
に記載の超電導薄膜の作製方法。
（２２）上記スパッタリングをＲＦスパッタリングで行
い、高周波電力を０．１２７〜０．７６Ｗ／ｃｍ＾２の
範囲内としたことを特徴とする特許請求の範囲第２０項
に記載の超電導薄膜の作製方法。
（２３）上記スパッタリングの際のスパッタリングガス
中のＯ＿２の比率が１０から８０分子％であることを特
徴とする特許請求の範囲第２２項に記載の超電導薄膜の
作製方法。
（２４）上記スパッタリングをＲＦスパッタリングで行
い、高周波電力を１．２７〜２．５５Ｗ／ｃｍ＾２の範
囲内としたことを特徴とする特許請求の範囲第２０項に
記載の超電導薄膜の作製方法。
（２５）上記スパッタリングをＲＦスパッタリングで行
い、高周波電力を１．５３〜２．２９Ｗ／ｃｍ＾２の範
囲内としたことを特徴とする特許請求の範囲第２４項に
記載の超電導薄膜の作製方法。
（２６）上記スパッタリングの際のスパッタリングガス
中のＯ＿２の比率が１０から８０分子％であることを特
徴とする特許請求の範囲第２５項に記載の超電導薄膜の
作製方法。
（２７）上記スパッタリングの際のスパッタリングガス
中のＯ＿２の比率が４０から８０分子％であることを特
徴とする特許請求の範囲第２５項に記載の超電導薄膜の
作製方法。
（２８）０．１〜１０μｍの範囲の膜厚に成膜すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項から第２９項のいず
れか一項に記載の超電導薄膜の作製方法。
（２９）０．５〜２μｍの範囲の膜厚に成膜することを
特徴とする特許請求の範囲第１項から第２９項のいずれ
か一項に記載の超電導薄膜の作製方法。