JPH02208549A - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサInfo
- Publication number
- JPH02208549A JPH02208549A JP2922889A JP2922889A JPH02208549A JP H02208549 A JPH02208549 A JP H02208549A JP 2922889 A JP2922889 A JP 2922889A JP 2922889 A JP2922889 A JP 2922889A JP H02208549 A JPH02208549 A JP H02208549A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、酸化すす、酸化徒鉛等のn型金属酸化物半
導体を感ガス層とし、検知対象ガス以外の妨害ガス、例
えばLPガス用センサでのアルコール酒気に対する感度
を抑制してガス選択性を高めたガスセンサに関する。
導体を感ガス層とし、検知対象ガス以外の妨害ガス、例
えばLPガス用センサでのアルコール酒気に対する感度
を抑制してガス選択性を高めたガスセンサに関する。
酸化すず、酸化拒鉛等のn型金属酸化物半導体は、大気
中で300〜500℃の温間に加熱されると粒子表面に
大り中の酸素が活性化吸着して高抵抗化しているが、可
燃性ガスが接触すると吸MW素と可燃性ガスとが反応し
て吸着酸素が除去され抵抗値が減少する。この様な性質
を利用して、酸化スズを用いたガスセンサはLPガス、
都市ガスなどのガス漏れ警報器に広く用いられている。
中で300〜500℃の温間に加熱されると粒子表面に
大り中の酸素が活性化吸着して高抵抗化しているが、可
燃性ガスが接触すると吸MW素と可燃性ガスとが反応し
て吸着酸素が除去され抵抗値が減少する。この様な性質
を利用して、酸化スズを用いたガスセンサはLPガス、
都市ガスなどのガス漏れ警報器に広く用いられている。
この種のガスセンサでは大気中のアルコール蒸気に対し
ても大きな抵抗値の変化を示すことが知られており、調
理、燗等から発生するアルコール蒸気による誤動作を防
ぐためアルコール蒸気に対する感度(大気中の抵抗値/
アルコール蒸気接触時の抵抗値)を極力低減させ、LP
ガス、都市ガスなどを選択的に検知できるガスセンサが
必要とされる。
ても大きな抵抗値の変化を示すことが知られており、調
理、燗等から発生するアルコール蒸気による誤動作を防
ぐためアルコール蒸気に対する感度(大気中の抵抗値/
アルコール蒸気接触時の抵抗値)を極力低減させ、LP
ガス、都市ガスなどを選択的に検知できるガスセンサが
必要とされる。
上記の問題を解決する方法のひとつとして、アルコール
を酸化除去する機能をもつ酸化触媒層で感ガス層の外表
面を液種する方法がある。一般にアルコール蒸気は貴金
属を担持した酸化触媒上ではLPガスに比べ、より低温
で接触酸化される注質があり、上記の方法はこの性質を
利用して酸化触媒層にアルコール蒸気を選択的に除去す
るフィルタの役割をもたせたものである。通常、この酸
化触媒としては白金、パラジウムなどの貴金属を活性ア
ルミナに担持した活性アルミナ担持貴金属触媒が高活性
を示すとされている。
を酸化除去する機能をもつ酸化触媒層で感ガス層の外表
面を液種する方法がある。一般にアルコール蒸気は貴金
属を担持した酸化触媒上ではLPガスに比べ、より低温
で接触酸化される注質があり、上記の方法はこの性質を
利用して酸化触媒層にアルコール蒸気を選択的に除去す
るフィルタの役割をもたせたものである。通常、この酸
化触媒としては白金、パラジウムなどの貴金属を活性ア
ルミナに担持した活性アルミナ担持貴金属触媒が高活性
を示すとされている。
しかしながら、本発明者らがアルコール除去用酸化触媒
につき種々検討を重ねたところ、活性アルミナEこ欝金
属を担持した触媒には以下の様な間過のあることが判明
した。
につき種々検討を重ねたところ、活性アルミナEこ欝金
属を担持した触媒には以下の様な間過のあることが判明
した。
すなわち、製作直後のガスセンサのアルコール蒸気に対
する感度は低く、−見問題はないようであったが、ガス
センサーが使用される条件で日々が経過するlこつnで
感度が増大し、アルコール蒸気基こ対して動作(誤動作
)するようになりた。この変化はアルコール蒸気中の抵
抗値が日々の経過とともに低下することによるものであ
ることがわかった。
する感度は低く、−見問題はないようであったが、ガス
センサーが使用される条件で日々が経過するlこつnで
感度が増大し、アルコール蒸気基こ対して動作(誤動作
)するようになりた。この変化はアルコール蒸気中の抵
抗値が日々の経過とともに低下することによるものであ
ることがわかった。
そこで不発明の目的は上述の従来の欠点を除去し、感ガ
ス層の表面に被覆した被覆層が、広い温度範囲にわたっ
て検知ガスの酸化が抑制でき妨害ガスであるアルコール
募気を選択的に酸化することができかつこの特性が長期
間tこわたって安にで。
ス層の表面に被覆した被覆層が、広い温度範囲にわたっ
て検知ガスの酸化が抑制でき妨害ガスであるアルコール
募気を選択的に酸化することができかつこの特性が長期
間tこわたって安にで。
あるガスセンサを掃供することにある。
この目的は本発明によれば、貴金属を添加したn型酸化
物半導体を感ガス層とするガスセンサにおいて、感ガス
層の表面を酸化銅(CuO)を添加したn型酸化物半導
体で被覆し、かつこの被棲層の合金属濃度を感ガス層の
触媒濃度よりも高くすることによって達成される。
物半導体を感ガス層とするガスセンサにおいて、感ガス
層の表面を酸化銅(CuO)を添加したn型酸化物半導
体で被覆し、かつこの被棲層の合金属濃度を感ガス層の
触媒濃度よりも高くすることによって達成される。
一般に酸化すずは、それ自身ではアルコール蒸気に対す
る酸化活性は活性アルミナに貴金属を担持した酸化触媒
に比べ極めて低いとされている。
る酸化活性は活性アルミナに貴金属を担持した酸化触媒
に比べ極めて低いとされている。
−万、可燃性ガスセンサに用いられる酸化すずは通常ガ
スg度を高める為、増感剤として白金、パラジウム等の
白金族元素を0.1〜1%程度添加することが行なわれ
ている。しかしながら上記の様な0.1〜1%の添加量
の増減剤を添加した酸化すず感ガス層のみでは、例えば
検知ガスであるLPガスの感度に比ベアルコール蒸気に
対する感度が2〜5倍高く、アルコール蒸気による妨害
が大き過ぎる。本発明者らはアルコール蒸気の妨害を低
減する方法lこついて検討を重ねた結果、酸化すずに酸
化銅(CuO)を添加した酸化すず層の酸化銅(CuO
)添加量を2%以上とすることによって、アルコール蒸
気の酸化活性を有し、かつ長期間安定であることをつき
とめた。すなわち、感ガス層に白金、パラジウム等を0
.1〜1%添加した酸化すず層を形成し、その表面に酸
化銅(CuO) を2〜10%添加した酸化スズ層を被
覆することによって被覆層でアルコール蒸気が酸化除去
され、かつ検知ガスであるLPガスの酸化を抑制するよ
うにしたものである。
スg度を高める為、増感剤として白金、パラジウム等の
白金族元素を0.1〜1%程度添加することが行なわれ
ている。しかしながら上記の様な0.1〜1%の添加量
の増減剤を添加した酸化すず感ガス層のみでは、例えば
検知ガスであるLPガスの感度に比ベアルコール蒸気に
対する感度が2〜5倍高く、アルコール蒸気による妨害
が大き過ぎる。本発明者らはアルコール蒸気の妨害を低
減する方法lこついて検討を重ねた結果、酸化すずに酸
化銅(CuO)を添加した酸化すず層の酸化銅(CuO
)添加量を2%以上とすることによって、アルコール蒸
気の酸化活性を有し、かつ長期間安定であることをつき
とめた。すなわち、感ガス層に白金、パラジウム等を0
.1〜1%添加した酸化すず層を形成し、その表面に酸
化銅(CuO) を2〜10%添加した酸化スズ層を被
覆することによって被覆層でアルコール蒸気が酸化除去
され、かつ検知ガスであるLPガスの酸化を抑制するよ
うにしたものである。
本発明によるガスセンサーにおいては、感ガス層である
白金、パラジウムを0.1〜1.0%添加した酸化すず
層の表面IcIII化鋼(CuO)を2〜10%添加し
た被覆層が形成されているのでこの被覆層によりアルコ
ール蒸気が酸化除去され、かつ検知ガスは殆んど酸化せ
ずアルコール蒸気に対する感度を抑制することができる
。
白金、パラジウムを0.1〜1.0%添加した酸化すず
層の表面IcIII化鋼(CuO)を2〜10%添加し
た被覆層が形成されているのでこの被覆層によりアルコ
ール蒸気が酸化除去され、かつ検知ガスは殆んど酸化せ
ずアルコール蒸気に対する感度を抑制することができる
。
以下lこ本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すガスセンサの断面図で
ある。感ガス層としての酸化すずN2は次のようにして
形成される。すなわち、中心粒径2μの酸化すず粉末に
パラジウムとして0.5i量%となるように塩化パラジ
ウムを含浸させ、乾燥後600℃で2時間加熱し、塩化
パラジウムを分解させた。次いでこの粉末に水とシリカ
ゾルを加えペースト状とした後第1図番こ示すアルミナ
基叛1上に設けた電極11 、12上に厚さ約70μと
なる様に酸化すず層2を塗布し、750 ”Cで加分加
熱して酸化すず層2を焼き付けた。次いで前記と同様の
酸化すず粉末に硝酸鋼を酸化銅(CuO)として3N量
%となるように含浸し、600’Cで2時間加熱して白
金を分解させた。この酸化@(CuO)付き酸化すず粉
末に水とシリカゾルを加えペースト状とした後第1図の
酸化すず74! 2を被覆するように約閏μの厚さに被
橙層4を塗布した。これを常温で乾燥後730℃で加分
加熱して被覆層4を形成した(これを検知素子とする。
ある。感ガス層としての酸化すずN2は次のようにして
形成される。すなわち、中心粒径2μの酸化すず粉末に
パラジウムとして0.5i量%となるように塩化パラジ
ウムを含浸させ、乾燥後600℃で2時間加熱し、塩化
パラジウムを分解させた。次いでこの粉末に水とシリカ
ゾルを加えペースト状とした後第1図番こ示すアルミナ
基叛1上に設けた電極11 、12上に厚さ約70μと
なる様に酸化すず層2を塗布し、750 ”Cで加分加
熱して酸化すず層2を焼き付けた。次いで前記と同様の
酸化すず粉末に硝酸鋼を酸化銅(CuO)として3N量
%となるように含浸し、600’Cで2時間加熱して白
金を分解させた。この酸化@(CuO)付き酸化すず粉
末に水とシリカゾルを加えペースト状とした後第1図の
酸化すず74! 2を被覆するように約閏μの厚さに被
橙層4を塗布した。これを常温で乾燥後730℃で加分
加熱して被覆層4を形成した(これを検知素子とする。
)。
一万比較のため上記の製法の中で被覆層として3xi:
%の白金を担持したγ−アルミナ粉末のみを用いて上記
と同様にペースト化し、これを酸化すず層2の外周面を
被榎した素子を作成した(これを比41!2素子とする
)。次いで検知素子及び比較素子に抵抗値検出用リード
51 、52を電極11 、12に接続し、更にアルミ
ナ基板lの下面に設けた素子加熱用ヒータ6に’6Lf
Xを流す為のリード71 、72を浴接し、素子のガス
感度を測定した。
%の白金を担持したγ−アルミナ粉末のみを用いて上記
と同様にペースト化し、これを酸化すず層2の外周面を
被榎した素子を作成した(これを比41!2素子とする
)。次いで検知素子及び比較素子に抵抗値検出用リード
51 、52を電極11 、12に接続し、更にアルミ
ナ基板lの下面に設けた素子加熱用ヒータ6に’6Lf
Xを流す為のリード71 、72を浴接し、素子のガス
感度を測定した。
ガス感度の測定は、素子をヒータ6を用いて所定温度に
保ち大気中の抵抗fIIk(Ro )と0.2%インブ
タンカス、又は0.2%エチルアルコール蒸気中での抵
抗値を夫々Rg (B) * Rg (A) とし、
下式によりガス感度を求めた。ここでインブタンガスは
LPガスに対する素子の特性を評価する際に指標ガスと
して一般に用いられるものである。
保ち大気中の抵抗fIIk(Ro )と0.2%インブ
タンカス、又は0.2%エチルアルコール蒸気中での抵
抗値を夫々Rg (B) * Rg (A) とし、
下式によりガス感度を求めた。ここでインブタンガスは
LPガスに対する素子の特性を評価する際に指標ガスと
して一般に用いられるものである。
第2図は本発明の検知素子と比較素子のセンサ温度lこ
対するガス感度の依存性を比較したものである。実@A
、 Bは夫々検知素子のrBrγ人の温度依存性を、
また破線C,Dは夫々比較素子のruer人の温度依存
性を示す。第2図から、被覆層が酸化1i4(CuO)
3%・酸化すずから成る検知素子は、白金3%・活性ア
ルミナから成る比較素子に比べ、高温側でのイソブタン
感度の低下が大幅に抑制され1例えばr人が5以上でか
つγ人がrsより低い温度領域14が比較素子の温度領
域14’に比べ広くなる。
対するガス感度の依存性を比較したものである。実@A
、 Bは夫々検知素子のrBrγ人の温度依存性を、
また破線C,Dは夫々比較素子のruer人の温度依存
性を示す。第2図から、被覆層が酸化1i4(CuO)
3%・酸化すずから成る検知素子は、白金3%・活性ア
ルミナから成る比較素子に比べ、高温側でのイソブタン
感度の低下が大幅に抑制され1例えばr人が5以上でか
つγ人がrsより低い温度領域14が比較素子の温度領
域14’に比べ広くなる。
次に検知素子の特性を−ベるため前記実施例と同様の製
法で被覆層の触媒#度を変えて得た数種の素子につきガ
ス感度の温度依存性を測定した。
法で被覆層の触媒#度を変えて得た数種の素子につきガ
ス感度の温度依存性を測定した。
この結果を第1表Iこ示す。if表では比較のためrH
>5かつr人≦rBを満たす温度@(△T) 及びrB
=:rhとなる温度(T)を示した。
>5かつr人≦rBを満たす温度@(△T) 及びrB
=:rhとなる温度(T)を示した。
第1表 被a層の触媒濃度と特注との関係第1表のよう
に被覆層中の酸化銅(CuO) 濃度が2 %以下では
被a層のアルコール酸化活性が低下して500℃以下で
はアルコール感度がイソブタン感度を上回ってしまう。
に被覆層中の酸化銅(CuO) 濃度が2 %以下では
被a層のアルコール酸化活性が低下して500℃以下で
はアルコール感度がイソブタン感度を上回ってしまう。
また、10%以上では被a/―でのイソブタン酸化活性
が高温で顕著になるため使用可能な温度領域(八Tに相
当)が狭くなる。従ってガスセンサとして好ましい濃度
は2〜10%であることがわかる。
が高温で顕著になるため使用可能な温度領域(八Tに相
当)が狭くなる。従ってガスセンサとして好ましい濃度
は2〜10%であることがわかる。
比較素子および本発明の検知素子を400℃で150日
間空気空気中電した際の特性の経時変化を第3図に示す
。特性の測定には温度5℃、相対湿度ω%の雰曲気で空
気中、インブタン0.2%中およびエタノール0.2%
中における抵抗Rgを測定したもので、結果は10個の
素子に対する平均値を示す。
間空気空気中電した際の特性の経時変化を第3図に示す
。特性の測定には温度5℃、相対湿度ω%の雰曲気で空
気中、インブタン0.2%中およびエタノール0.2%
中における抵抗Rgを測定したもので、結果は10個の
素子に対する平均値を示す。
第3図(A)は比較素子の結果を示し、空気中およびイ
ソブタン中の抵抗値Rgは変化しないのに対してエタノ
ール中の抵抗値は通電日数とともに減少し、感度が増大
してゆく。
ソブタン中の抵抗値Rgは変化しないのに対してエタノ
ール中の抵抗値は通電日数とともに減少し、感度が増大
してゆく。
被種層に31債%の酸化銅(Cub)を添加した本発明
の検知素子の同一条件での経時特性を第3図CB)に示
す。
の検知素子の同一条件での経時特性を第3図CB)に示
す。
第3図(B)から明らかなように本発明によるガスセン
サにおいては空気中およびイソブタン中の抵抗値は変化
しないのはもとより、エタノール中の抵抗値の変化も防
止され、通電日数による感度の増大はないことが確認さ
れた。0の特性は酸化銅(CuO)添加濃度2%〜10
%の検知素子において同様の結果が得られた。
サにおいては空気中およびイソブタン中の抵抗値は変化
しないのはもとより、エタノール中の抵抗値の変化も防
止され、通電日数による感度の増大はないことが確認さ
れた。0の特性は酸化銅(CuO)添加濃度2%〜10
%の検知素子において同様の結果が得られた。
この発明によれば、金属酸化物から成る感ガス層の表面
を感ガス層と同一の材質でかつ酸化銅(CuO)を2〜
10%添加した被aNiで糧うことによって高温での検
知対象ガスの酸化による感度低下を抑制し、アルコール
蒸気のみを選択的に酸化除去することが可能となりセン
サの使用可能な温度領域を広くすることができる。これ
により、例えば電源電圧の変動に伴なうガス検知感度の
変動幅を狭くした長期間安定なガスセンサが得られる。
を感ガス層と同一の材質でかつ酸化銅(CuO)を2〜
10%添加した被aNiで糧うことによって高温での検
知対象ガスの酸化による感度低下を抑制し、アルコール
蒸気のみを選択的に酸化除去することが可能となりセン
サの使用可能な温度領域を広くすることができる。これ
により、例えば電源電圧の変動に伴なうガス検知感度の
変動幅を狭くした長期間安定なガスセンサが得られる。
第1図は本発明の一実施例を示すガスセンサの断面図、
第2図は本発明のガスセンサのガス感度の温度依存性を
示す特性図、第3図は経時変化の特性を示し、第3図(
A)は比較素子の経時変化特性図、@3図CB)は本発
明による検知素子の経時変化特性図である。 2・・・酸化すず層、4・・・酸化銅・酸化すず被枝層
。 竿1 ジrン−ワ′fFL7! cc> 雨2圀
第2図は本発明のガスセンサのガス感度の温度依存性を
示す特性図、第3図は経時変化の特性を示し、第3図(
A)は比較素子の経時変化特性図、@3図CB)は本発
明による検知素子の経時変化特性図である。 2・・・酸化すず層、4・・・酸化銅・酸化すず被枝層
。 竿1 ジrン−ワ′fFL7! cc> 雨2圀
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)貴金属を添加したn形酸化物半導体を感ガス層とす
るガスセンサにおいて、感ガス層の表面を酸化銅を添加
したn形酸化物半導体で被覆したことを特徴とするガス
センサ。 2)請求項1項記載のガスセンサにおいて、酸化銅の添
加量は2〜10重量%であることを特徴とするガスセン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2922889A JPH02208549A (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2922889A JPH02208549A (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | ガスセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02208549A true JPH02208549A (ja) | 1990-08-20 |
Family
ID=12270362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2922889A Pending JPH02208549A (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02208549A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023542166A (ja) * | 2020-09-24 | 2023-10-05 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 多機能ヘテロ接合金属酸化物ガス・センサ |
-
1989
- 1989-02-08 JP JP2922889A patent/JPH02208549A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023542166A (ja) * | 2020-09-24 | 2023-10-05 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 多機能ヘテロ接合金属酸化物ガス・センサ |
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