JPH0220878Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (a) 考案の技術分野 本考案は、ICの落下速度抑制機構に係り、特
にレバーの揺動運動を利用してICの落下速度を
抑制する機構の構造に関するものであります。

(b) 従来技術の問題点 従来のICの落下速度抑制機構は、ICステイツ
ク内を落下するICに対して空気を吹きつけ、該
空気流によつてICの落下速度を抑制していた。
第１図は、従来のICの落下速度抑制機構を説明
するための模式的構成図である。印刷配線基板等
にICを搭載する場合にICインサータ１等を用い、
該ICインサータ１は一般にICストツク部２と、
落下速度抑制機構５，IC供給部７およびIC挿入
ヘツド８等からなつており、前記ICストツク部
２に多数のIC４を収納してなるICステイツク３
を挿入してIC４が自重により落下供給され、供
給されたIC４はIC供給部７に送られたのち、IC
挿入ヘツド８で図示しない印刷配線基板等に実装
されるようになつている。ところがセラミツクケ
ースのICと、プラスチツクケースのICでは重量
および厚さが異なるため、それぞれのICに対し、
空気流を制御することは困難であるという問題点
があつた。

(c) 考案の目的 本考案は、上記従来の問題点に鑑み、自重の重
いセラミツクケースのICのみを弾性体部材で落
下速度を抑制するようにした構造の簡単なICの
落下速度抑制機構を提供することを目的とするも
のである。

(d) 考案の構成 前述の目的を達成するために本考案は、ICイ
ンサータ等のICステイツクから供給するICの落
下速度を抑制する機構において、前記ICインサ
ータに具備したICストツク部にICの落下速度を
抑制する弾性体部材からなる機構を設けたことに
よつて達成される。

(e) 考案の実施例 以下図面を参照しながら本考案に係るICの落
下速度抑制機構の実施例について詳細に説明す
る。

第２図は、本考案に係るICの落下速度抑制機
構の一実施例を説明するための断面図で、前図と
同等の部分については同一符号を付している。

図示しないICインサータのICストツク部２に、
多数のIC４を収納してなるICステイツク３を嵌
込むと、該ICステイツク３内に収納されたIC４
は、前記ICストツク部２に沿つて落下する。と
ころがIC４にはセラミツク封止型のセラミツク
IC４１とプラスチツク封止型のプラスチツクIC
４２とがあり、該プラスチツクIC４２はケース
の材質がプラスチツクであり、厚さが薄く（約３
mm）、軽量のため落下速度を抑制しなくても破損
する懸念はないが、前記セラミツクIC４１は材
質がセラミツクのためケースが厚くて（約４mm）
重く、かつ脆いため、自然落下せしめると破損す
る恐れがある。そこでセラミツクIC４１を供給
するときのみ、落下速度を抑制する機構を弾性体
部材で形成した抑制レバー１１を軸１０に揺動自
在に軸支し、セラミツクIC４１に当接する端部
を湾曲せしめるとともに、他の端部をストツパ１
２で揺動範囲を規制している。この状態で前記
ICストツク部２内にIC４を落下せしめた場合、
前記プラスチツクIC４２の場合は、厚さが薄い
ため前記抑制レバー１１は動作しないが、セラミ
ツクIC４１を落下させた場合は抑制レバー１１
の湾曲部の端面が点線にて図示するようにセラミ
ツクIC４１のケースの表面に当接して落下速度
を抑制する。この抑制レバー１１は巻ばね１３を
介して軸１０に軸支されているので、セラミツク
IC４１が落下してしまうとこの抑制レバー１１
は巻ばね１３によつて実線で示す状態に復帰す
る。又抑制レバー１１の他の端部はストツパ１２
内に位置し、動作量が抑制されているため、落下
してくるセラミツクIC４１の下端面が抑制レバ
ー１１の湾曲部に当たると、この抑制レバー１１
は矢印Ｂにて示すように軸１０を中心として右回
転して抑制レバー１１の軸１０より左の部分が上
のストツパ１２に当たつて逆に抑制レバー１１が
左回転して初期状態に戻ろうとする。ICストツ
ク部内においてセラミツクIC４１が図において
最も右側の位置にあり、抑制レバー１１が水平に
なつた場合にセラミツクIC４１のリードが形成
されていない図示の左側の背面に接触するように
軸１０の位置を調節しておくと、軸１０を中心と
して抑制レバー１１がストツパ１２の間で揺動す
れば、この位置をセラミツクIC４１が通過する
間に幾度も抑制レバー１１の湾曲部が水平の位置
にくる度に抑制レバー１１の右端とセラミツク
IC４１の背面とが接触し、セラミツクIC４１の
落下速度を抑制することが可能となる。したがつ
てこのストツパ１２の間隔Ａを調節することによ
りこの抑制レバー１１の揺動範囲を調節できるか
ら、抑制レバー１１がセラミツクIC４１の背面
に接触する頻度を調節することが可能となり、セ
ラミツクIC４１の落下速度の抑制を自由に調整
することが可能となる。

なお、本実施例では速度抑制機構を１個所につ
いて説明したが、ICストツク部の長さあるいは
重量に応じ複数個所に設けても構わない。

(f) 考案の効果 以上の説明から明らかなように、本考案に係る
ICの落下速度抑制機構によれば、従来の空気流
による落下速度抑制機構にくらべて、構造が簡単
で安価になるとともにICケースの形状、抑制レ
バー動作範囲を調節することでブレーキ効果を容
易に調整できる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来のICの落下速度抑制機構を説
明するための模式的構成図、第２図は、本考案に
係るICの落下速度抑制機構の一実施例を説明す
るための断面図である。 図において、１はICインサータ、２はICスト
ツク部、３はICステイツク、４はIC、５は落下
速度抑制機構、６はIC停止部、７はIC供給部、
８はIC挿入ヘツド、１０は軸、１１は抑制レバ
ー、１２はストツパ、１３は巻ばね、４１はセラ
ミツクIC、４２はプラスチツクICをそれぞれ示
す。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 ICインサーター１に具備したICストツク部２
   にICステイツク３から供給するIC４の落下速度
   を抑制する機構において、該ICストツク部２に、 巻バネ１３を介して軸１０を中心として揺動可
   能に該軸１０に軸着した抑制レバー１１と、 該抑制レバー１１の揺動範囲を規制するストツ
   パ１２と、 からなる抑制機構を具備することを特徴とする
   ICの落下速度抑制機構。