JPH02209719A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH02209719A JPH02209719A JP1030452A JP3045289A JPH02209719A JP H02209719 A JPH02209719 A JP H02209719A JP 1030452 A JP1030452 A JP 1030452A JP 3045289 A JP3045289 A JP 3045289A JP H02209719 A JPH02209719 A JP H02209719A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- reflection
- change
- printing light
- wafer surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は工０およびＬＳＩ等の半導体装置の製造工程の
内、ホ） ＩＪソゲラフイエ程において使用される露光
装置に関する。
内、ホ） ＩＪソゲラフイエ程において使用される露光
装置に関する。
［従来の技Ｗｇ］
従来の露光装置は、第２図に示す。第２図において、１
は基体、２はウェハ載置台、５はウェハ４は投影レンズ
、５はマスク、６はレンズ、７はミラー ８はレンズ、
９はハーフミラ−１゜はミラー １１はシャッター １
２は水銀ランプ１３は受光部、１４はレンズコントロー
ル部テある。このように、ウェハ面上での焼付光の反射
ヲ受光部１６で受け、レンズコントロール部１４に送り
、投影レンズ４とウェハ５との焦点の変動を補正するも
のであった。
は基体、２はウェハ載置台、５はウェハ４は投影レンズ
、５はマスク、６はレンズ、７はミラー ８はレンズ、
９はハーフミラ−１゜はミラー １１はシャッター １
２は水銀ランプ１３は受光部、１４はレンズコントロー
ル部テある。このように、ウェハ面上での焼付光の反射
ヲ受光部１６で受け、レンズコントロール部１４に送り
、投影レンズ４とウェハ５との焦点の変動を補正するも
のであった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術では焦点の変動を補正する機能
のみで、ウェハ面上のレジスト層の下の膜厚及び膜質の
バラツキによる反射率の変化に対する焼付光の露光時間
が補正されて５ｓないという問題点を有していた。
のみで、ウェハ面上のレジスト層の下の膜厚及び膜質の
バラツキによる反射率の変化に対する焼付光の露光時間
が補正されて５ｓないという問題点を有していた。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところはウェハ面上の反射率の変化に応じ
隣接する次ショット以降の露光時間に補正をかけること
が可能な露光装置を提供する。
の目的とするところはウェハ面上の反射率の変化に応じ
隣接する次ショット以降の露光時間に補正をかけること
が可能な露光装置を提供する。
［課題を解決するための手段］
本発明の露光装置は、マスクのパターンをウニ・・表面
のレジスト層に焼き付ける露光装置であって、照射され
る焼付光のウエノ・面上での反射を受光する光学系を具
備し、前記光学系より得られたウェハ面上の反射を、隣
接する次ショット以降の露光時間に補正をかげる機能を
有するシャッタ制御部を具備することを特徴とする。
のレジスト層に焼き付ける露光装置であって、照射され
る焼付光のウエノ・面上での反射を受光する光学系を具
備し、前記光学系より得られたウェハ面上の反射を、隣
接する次ショット以降の露光時間に補正をかげる機能を
有するシャッタ制御部を具備することを特徴とする。
［作用コ
本発明の上記の構成によれば照射される焼付光のウェハ
面上での反射をショットごとに受光さることにより、隣
接する次ショット以降に反射率の変化をシャッタ制御部
で補正することができるのである。
面上での反射をショットごとに受光さることにより、隣
接する次ショット以降に反射率の変化をシャッタ制御部
で補正することができるのである。
［実施例コ
第１図は本発明の実施例における構成図であって、１は
基体、２はウェハ載置台、５はウェハ、４は投影レンズ
、５はマスク、６及び８はレンズ７及び１０はミラー、
９はハーフミラ−１１はシャッタ、１２は水銀ランプ、
１５は受光部、１４はレンズコントロール部、１５はシ
ャッタ制御部である。そして、本実施例は水銀ランプ１
２よりウェハ３に照射された焼付光のウェハ５からの反
射をハーフミラ−９を介して受光部１３で受け、シャッ
タ制御部１５に送り受光部１３からの電圧の変化から隣
接する次ショット以降のシャッタ１１の開く時間に補正
をかけこの動作をショットが終了するまで繰り返す。こ
れにより、反射−率の変化に応じた露光時間が制御でき
るのである。
基体、２はウェハ載置台、５はウェハ、４は投影レンズ
、５はマスク、６及び８はレンズ７及び１０はミラー、
９はハーフミラ−１１はシャッタ、１２は水銀ランプ、
１５は受光部、１４はレンズコントロール部、１５はシ
ャッタ制御部である。そして、本実施例は水銀ランプ１
２よりウェハ３に照射された焼付光のウェハ５からの反
射をハーフミラ−９を介して受光部１３で受け、シャッ
タ制御部１５に送り受光部１３からの電圧の変化から隣
接する次ショット以降のシャッタ１１の開く時間に補正
をかけこの動作をショットが終了するまで繰り返す。こ
れにより、反射−率の変化に応じた露光時間が制御でき
るのである。
［発明の効果コ
以上述べたような発明によれば、ウェハ面上での焼付光
の反射をモニターすることにより、ウェハのレジスト層
の下の膜厚及び膜質のバラツキによる反射率の変化に応
じた露光時間制御ができ、形成するレジスト寸法のバラ
ツキを制御する効果がある。
の反射をモニターすることにより、ウェハのレジスト層
の下の膜厚及び膜質のバラツキによる反射率の変化に応
じた露光時間制御ができ、形成するレジスト寸法のバラ
ツキを制御する効果がある。
第１図は本発明の６露光装置の一実施例を示す構成図。
第２図は従来の露光装置を示す構成図。
３・・・・・・・・・ウェハ
９・・・・・・・・・ハーフミラ−
１１・・・・・・・・・シャッタ
１３・・・・・・・・・受光部
１４・・・・・・・・・レンズ制御部
１５・・・・・・・・・シャッタ制創部’Ｚ１＋ヱ
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
代理人 弁理士 上柳雅誉（他１１名）ブ２０
Claims (1)
- マスクのパターンをウェハ表面のレジスト層に焼き付け
る露光装置において、照射される焼付光のウェハ面上で
の反射を受光する光学系を具備し、前記光学系より得ら
れたウェハ面上の反射を、隣接する次ショット以降の露
光装置に補正をかける機能を有するシャッタ制御部を具
備することを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030452A JPH02209719A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030452A JPH02209719A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02209719A true JPH02209719A (ja) | 1990-08-21 |
Family
ID=12304303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1030452A Pending JPH02209719A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02209719A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6731375B2 (en) | 2000-12-14 | 2004-05-04 | Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. | Projection aligner, exposing method and semiconductor device |
-
1989
- 1989-02-09 JP JP1030452A patent/JPH02209719A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6731375B2 (en) | 2000-12-14 | 2004-05-04 | Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. | Projection aligner, exposing method and semiconductor device |
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