JPH02209787A

JPH02209787A - 回路基板

Info

Publication number: JPH02209787A
Application number: JP1206168A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Miura; 三浦　敬男
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1989-08-09
Filing date: 1989-08-09
Publication date: 1990-08-21

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（イ）　産業上の利用分野本発明は基板上に半導体素子等を用いて回路等が形成さ
れる回路基板に関し、特に基板の一部分に回路を形成し
ようとする場合に有利な回路基板に関する。

（口〉　従来例一般に厚膜集積回路等に於いて電力増幅用の半導体素子
を使用する場合、基板には良熱伝導性のアルミニウム基
板が用いられ、アルミニウム基板の表面は陽極酸化に依
って酸化アルミニウムの絶縁層が形成され、この絶縁層
上に銅箔に依って導電路が形成される構造が採用される
。この様な基板を作る場合、従来は第１図に示す如く、
−枚のアルミニウム基板（１）の表面に陽極酸化に依っ
て絶縁層（２）を形成し、絶縁層（２）上に接着樹脂層
（３）を介して銅箔（４）をプレス等で加圧して更に加
熱しながら接着していた。その後所望の大きさに切断し
て使用していた。

（ハ）発明が解決しようとする課題ところが銅箔（４）を接着する際にアルミニウム基板（
１）の端部では銅箔（４）の接着が完全でなく剥離して
この部分では基板として使用することができない、従っ
てアルミニウム基板の一部分だけに回路を形成する場合
あるいは半導体素子を固着する場合には、その一部分だ
けに＠箔を接着することができず、エツチング等に依っ
て他の部分の銅箔を除去しなければならない欠点があっ
た。

（ニ）課題を解決するための手段本発明は上述した欠点に鑑みて為されたものであり、金
属基板上の全面あるいは少なくとも一部表面に銅箔の接
着きれたポリイミドフィルムを前回ｍ硬化性の樹脂接着
剤で加熱しながらローラーで圧延接着した後、前記銅箔
をエツチングして所望形状の導電路を形成し、前記導電
路上に半導体素子等が固着され、前記導電路の形成され
なかった領域部分に低消費電力回路が形成された絶縁基
板が載置されていることを特徴とする。

くホ）　　作用この様に本発明に依れば、基板上の一部分にポリイミド
フィルムベースの銅箔を接着し、他の領域部分上に低消
費電力回路が形成きれた絶縁基板を載置することにより
、基板上の任意の位置に選択してパワー素子を固着でき
、必要に応じて集積密度を向上させることが可能となる
。

（へ）実施例以下図面を参照して本発明を詳述する。

第２図は本発明の実施例を示す断面図であり、（５）は
アルミニウム基板、（６）は接着層、（７）はボッイミ
ドフィルム、（８）は銅箔、（９）は銅片、（１０）は
半導体素子である。

アルミニウム基板（５）は良熱伝導性を有しすでに所望
の大きさにプレス等で切断されるが従来の様に表面に絶
縁層は形成されていない、アルミニウム基板（５）上の
一部には接着層（６）を介して絶縁物であるポリイミド
フィルム（７）が設けられ、このポリイミドフィルム（
７）は予じめ銅箔（８）が固着されており、その銅箔（
８）上にヒートシンクとなる銅片（９）が半田等に依っ
て固着され、銅片（９）上に半導体素子（１０〉が固着
される構造である。

予じめ銅箔（８）が接着されたポリイミドフィルム（７
）はすでにフレキシブル基板等で実用化されており、と
の銅箔（８）を有するポリイミドフィルム（７）をアル
ミニウム基板（５）に接着する方法はボッイミドフィル
ム（７）の接着面に前回ｍ硬化性の樹脂を塗布し、端部
から加熱しながらローラー等で圧延することに依ってア
ルミニウム基板（５）表面に密着した強固な接着層（６
）が形成され、この接着層（６〉に依ってポリイミドフ
ィルム（７）が固着される。従って銅箔（８）はポリイ
ミドフィルム（７）に依ってアルミニウム基板（５）と
絶縁され固着される。

ヒートシンクとなる銅片〈９）上に消費電力の大きい即
ち発熱量の多い半導体素子（１０）を固着した場合にも
ポリイミドフィルム（７）は非常に薄く形成されるため
熱抵抗が増加することなく熱がアルミニウム基板〈５）
に伝導される。一方アルミニウム基板（５）の他の部分
（１１）即ち銅箔（８）が設けられなかった部分は半導
体素子（１０）等を封止する際に露出しておき放熱板と
して用いることができ、またこの部分（１１）に絶縁樹
脂層を介して小信号用トランジスタ、チップ抵抗、コン
デンサー等の素子によりなる低消費電力の回路を構成し
た絶縁基板等を固着することもできるものであり、更に
基板が鉄の場合にはコイルを形成することもできるもの
であり、その他色々な目的に利用することができる。

第３図は本発明の他の実施例を示す断面図であり、（１
２）はセラミック基板、（１３）は接着層、（１４）は
ポリイミドフィルム、（１５）は銅箔である。

セラミック基板（１２）は予じめ所望の大きさに形成さ
れ、セラミック基板（１２）の表面に接着層（１３）を
介してポリイミドフィルム（１４）が設けられ、ボッイ
ミドフィルム（１４）の表面には銅箔（１５）が接着さ
れており、エツチング等に依って所望の形状の導電路が
形成される。

銅箔（１５〉の接着されたポリイミドフィルム（１４）
は接着面に前回ｍ硬化性の樹脂を塗付し、端部から加熱
しながらローラー等で圧延することに依って接着できる
ので所望の部分に所望の大きさの銅箔（１５）をセラミ
ック基板（１２）が割れることもなく接着できる。また
従来の如くセラミック基板（１２）内に導電路が形成さ
れていれば、更に多層の配線が可能となる。

第４図は本発明の更に他の実施例を示す断面図であり、
（１６〉は基板、（１７）は第１接着層、（１８）は第
１ポリイミドフイルム、（１９）は第１銅箔、（２０）
は第２接着層、（２１）は第２ポリイミドフイルム、〈
２２〉は第２銅箔である。

基板（１６）は金属あるいはセラミック等が用いられ、
その表面に第１接着Ｍ（１７）を介して第１ポリイミド
フイルム（１８）が接着され、第１ポリイミドフイルム
（１８）の表面には第１！Ｉｉ！箔（１９）に依って導
電路が形成される。更に第１銅箔り１９）の表面には第
２接着Ｊｌ（２０）を介して第２ポリイミドフイルム（
２１）が接着され、第２ポリイミドフイルム（２１）上
には第２銅箔（２２〉により導電路が形成されるいわゆ
る多層配線構造である。

第１ポリイミドフイルム（１８）及び第２ポリイミドフ
イルム（２１）の接着は前述した如く熱可塑硬化性の接
着樹脂に依って接着されるものである。この構造に於い
て第１銅箔（１９）と第２銅箔（２２）との電気的接続
は例えばスルーホール等に依って行なうことができる。

（ト）　　発明の効果上述の如く本発明に依れば金属あるいはセラミック等の
基板の一部又は全面に銅箔が固着できるものであり、特
に一部分のみに銅箔を固着する場合には極めて有利とな
り、工程の′ｎ素化及び銅箔の節約にもなるものである
。また多層配線構造も可能となり基板を立体的に使用で
き、また銅箔が固着されない領域部分に低消費電力回路
が形成された絶縁基板が載置されていることにより集積
度が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来例を示す断面図、第２図は本発明の一実施
例も示す断面図、第３図は他の実施例を示す断面図、第
４図は更に他の実施例を示す断面図である。（５）・・・アルミニウム基板、　（６）・・・接着層
、　（７）・・・ポリイミドフィルム、（８）・・・銅
箔、　（９）・・・銅片、　（１０〉・・・半導体素子
、　（１２）・・・セラミック基板、　　（１３）・・
・接着層、　　（１４）・・・ポリイミドフィルム、　
（１５）・・・銅箔、　（１６）・・・基板、　〈１７
）・・・第１接着層、（１８）・・・第１ポリイミドフ
イルム、（１９）・・・第１ｇ４箔、　（２０）・・・
第２接着層、　〈２１）・・・第２ポリイミドフイルム
、（２２）・・・第２銅箔。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）金属基板上の全面あるいは少なくとも一部表面に
銅箔の接着されたポリイミドフィルムを熱可塑硬化性の
樹脂接着剤で加熱しながらローラーで圧延接着した後、
前記銅箔をエッチングして所望形状の導電路を形成し、
前記導電路上に半導体素子等が固着され、前記導電路の
形成されなかった領域部分に低消費電力回路が形成され
た絶縁基板が載置されていることを特徴とする回路基板
。
（２）前記金属基板はアルミニウム基板を用いたことを
特徴とする請求項１記載の回路基板。