JPH02209797A - フレキシブルプリント回路用基板の製造方法 - Google Patents
フレキシブルプリント回路用基板の製造方法Info
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- JPH02209797A JPH02209797A JP1030537A JP3053789A JPH02209797A JP H02209797 A JPH02209797 A JP H02209797A JP 1030537 A JP1030537 A JP 1030537A JP 3053789 A JP3053789 A JP 3053789A JP H02209797 A JPH02209797 A JP H02209797A
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- conductive layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は接着剤層の無い２層構造で、しかも金属導電層
とプラスチックフィルム基板との付着力が強靭なフレキ
シブルプリント回路用基板の製造方法に関するものであ
る。
とプラスチックフィルム基板との付着力が強靭なフレキ
シブルプリント回路用基板の製造方法に関するものであ
る。
従来の技術
近年エレクトロニクス分野でのフレキシブルプリント回
路用基板の需要が増大しており、特に従来よりも薄く柔
軟性に優れ、線幅が１００μｍ以下の高密度配線を必要
とするＴＡＢや液晶関連等で使用可能な「接着剤層の無
い２層構造」が注目されている。この２層構造を作る方
法は［銅箔にポリイミドワニスを塗布するゴと「ポリイ
ミドワニスでは、下記の理由から薄物の実用化が遅れて
いる。
路用基板の需要が増大しており、特に従来よりも薄く柔
軟性に優れ、線幅が１００μｍ以下の高密度配線を必要
とするＴＡＢや液晶関連等で使用可能な「接着剤層の無
い２層構造」が注目されている。この２層構造を作る方
法は［銅箔にポリイミドワニスを塗布するゴと「ポリイ
ミドワニスでは、下記の理由から薄物の実用化が遅れて
いる。
（１）屈曲性に優れた圧延銅箔の中で１０μｍ以下の薄
物は高価で、しかもイミドワニス塗布時に皺が発生し易
い。
物は高価で、しかもイミドワニス塗布時に皺が発生し易
い。
（２）付着ツバ線膨張係数等の改善目的でポリイミドワ
ニスを変性する為、ポリイミド本来の特性が低下する。
ニスを変性する為、ポリイミド本来の特性が低下する。
後者の「ポリイミドフィルムに銅薄膜を形成する」方法
には湿式法と乾式法とがあり、湿式法はプラスチックフ
ィルム基板上に無電解メッキを施してからその導電性を
利用して電解メッキするもので、１０μｍ以下の薄い導
電層を形成するのは容易であるが、導電層とプラスチッ
クフィルム基板との付着力が劣っており実用化されてい
なかった。一方、乾式法ではスパッタ又はスパッタ十電
解メッキで導電層を形成することが一部行われているが
、スパッタの成膜速度が０．００１μｍ／秒前後と非常
に遅いために生産コストが高く、民生用として使用でき
るものではなかった。また、スパッタの代わりに成膜速
度の速い真空蒸着法を用いることも可能であるが、真空
蒸着法だけでは３μｍ以上の膜厚は得られないし、膜厚
不足分を湿式処理の電解メッキで補おうとすれば、真空
蒸着膜とプラスチックフィルム基板との付着力が低下し
て、使用に耐えられなかった。
には湿式法と乾式法とがあり、湿式法はプラスチックフ
ィルム基板上に無電解メッキを施してからその導電性を
利用して電解メッキするもので、１０μｍ以下の薄い導
電層を形成するのは容易であるが、導電層とプラスチッ
クフィルム基板との付着力が劣っており実用化されてい
なかった。一方、乾式法ではスパッタ又はスパッタ十電
解メッキで導電層を形成することが一部行われているが
、スパッタの成膜速度が０．００１μｍ／秒前後と非常
に遅いために生産コストが高く、民生用として使用でき
るものではなかった。また、スパッタの代わりに成膜速
度の速い真空蒸着法を用いることも可能であるが、真空
蒸着法だけでは３μｍ以上の膜厚は得られないし、膜厚
不足分を湿式処理の電解メッキで補おうとすれば、真空
蒸着膜とプラスチックフィルム基板との付着力が低下し
て、使用に耐えられなかった。
本発明は上記問題点に鑑み、接着剤層の無い２層構造で
、しかも導電層とプラスチックフィルム基板との付着力
が強靭なフレキンプルプリント回路用基板の製造方法を
提供するものである。
、しかも導電層とプラスチックフィルム基板との付着力
が強靭なフレキンプルプリント回路用基板の製造方法を
提供するものである。
課題を解決するだめの手段
上記課題を解決するために本発明は真空蒸着法を用いて
プラスチックフィルム基板上に成膜速度が０．０１〜１
．０１１ｍ／秒で第１導電層を形成した後、その導電層
上に電解メッキ法により第２の導電層を形成することを
特徴とするものである。
プラスチックフィルム基板上に成膜速度が０．０１〜１
．０１１ｍ／秒で第１導電層を形成した後、その導電層
上に電解メッキ法により第２の導電層を形成することを
特徴とするものである。
作 用
本発明者はプラスチックフィルム基板と金属薄膜との付
着力を向上させるために鋭意検討の結果、真空蒸着時の
基板温度、基板との界面を形成する金属薄膜の構造及び
膜厚が湿式処理後の付着力に影響することを見出した。
着力を向上させるために鋭意検討の結果、真空蒸着時の
基板温度、基板との界面を形成する金属薄膜の構造及び
膜厚が湿式処理後の付着力に影響することを見出した。
即ち、具体的には蒸着初期に入射角３０°以上の高入射
成分を遮断することにより、蒸発量の多い低入射成分が
基板に最初に当たり、その多量な潜熱や蒸発源からの輻
射熱によって基板温度がより高くなり、更に、基板との
界面を形成する金属薄膜の構造が緻密なものになるよう
にしたものである。
成分を遮断することにより、蒸発量の多い低入射成分が
基板に最初に当たり、その多量な潜熱や蒸発源からの輻
射熱によって基板温度がより高くなり、更に、基板との
界面を形成する金属薄膜の構造が緻密なものになるよう
にしたものである。
本発明においては、第１の導電層を形成する真空蒸着法
の成膜速度は０．０１〜１．０７１ｍ／秒の範囲内であ
ることが好ましく、０．０１μｍ／秒未満では生産性が
低くスパッタに対するコスト・メリットが失われ、一方
、１．０μｍ４少を越える速い成膜速度では、欠陥の多
い蒸着膜が形成されたり、美大な潜熱や蒸発源からの輻
射熱によってプラスチックフィルム基板が熱劣化を起こ
したりして、蒸着膜の付着力が低下してくる。
の成膜速度は０．０１〜１．０７１ｍ／秒の範囲内であ
ることが好ましく、０．０１μｍ／秒未満では生産性が
低くスパッタに対するコスト・メリットが失われ、一方
、１．０μｍ４少を越える速い成膜速度では、欠陥の多
い蒸着膜が形成されたり、美大な潜熱や蒸発源からの輻
射熱によってプラスチックフィルム基板が熱劣化を起こ
したりして、蒸着膜の付着力が低下してくる。
又本発明においては、第１の導電層である真空蒸着膜の
膜厚は０．２〜１．０μｍの範囲内が好ましく、０．２
μｍ未満では電解メッキ法で第２の導電層を効率良く形
成するのが困難であり、一方、１．０μｍ・を越えると
、成膜速度の速い真空蒸着法の場合、蒸着膜の内部残留
応力が増大したり、美大な潜熱や蒸発源からの輻射熱に
よってプラスチックフィルム基板が熱劣化を起こしたり
して、蒸着膜の付着力が低下してくる。
膜厚は０．２〜１．０μｍの範囲内が好ましく、０．２
μｍ未満では電解メッキ法で第２の導電層を効率良く形
成するのが困難であり、一方、１．０μｍ・を越えると
、成膜速度の速い真空蒸着法の場合、蒸着膜の内部残留
応力が増大したり、美大な潜熱や蒸発源からの輻射熱に
よってプラスチックフィルム基板が熱劣化を起こしたり
して、蒸着膜の付着力が低下してくる。
本発明に使用されるプラスチックフィルムの種類は特に
限定されるものではないが、ポリイミド又はその共重合
体のように耐郊件の高いものが好ましい。これは蒸着初
期に蒸発量の多い低入射成分が基板に当たるため、その
多情な潜熱や蒸発源からの輻射熱によって基板表面温度
が高くなり、ポリエチレンテレフタレー） （ＰＥＴ
）のような、あまり耐熱性の高くないプラスチックフィ
ルムでは、熱劣化を起こしたり、オリゴマーを析出して
蒸着膜の付着力が低下する。
限定されるものではないが、ポリイミド又はその共重合
体のように耐郊件の高いものが好ましい。これは蒸着初
期に蒸発量の多い低入射成分が基板に当たるため、その
多情な潜熱や蒸発源からの輻射熱によって基板表面温度
が高くなり、ポリエチレンテレフタレー） （ＰＥＴ
）のような、あまり耐熱性の高くないプラスチックフィ
ルムでは、熱劣化を起こしたり、オリゴマーを析出して
蒸着膜の付着力が低下する。
尚、プラスチックフィルム基板上に真空蒸着法で第１の
導電層を形成する際には、予めプラスチックフィルム基
板をヒーターなどで加熱して脱ガスしたり、プラズマ処
理などで表面処理すれば、蒸着膜の付着力を更に向上さ
せることができる。
導電層を形成する際には、予めプラスチックフィルム基
板をヒーターなどで加熱して脱ガスしたり、プラズマ処
理などで表面処理すれば、蒸着膜の付着力を更に向上さ
せることができる。
また、本発明において第２の導電層を電解メッキ法で形
成する方法には、全面メッキして膜厚を増す方法と、回
路として使用する部分のみをメッキする方法（セミ・ア
ディティブ法）とが考えられるが、本発明でこれらは限
定されるものではない。しかし、本発明をより効果的に
するものは後者の場合である。
成する方法には、全面メッキして膜厚を増す方法と、回
路として使用する部分のみをメッキする方法（セミ・ア
ディティブ法）とが考えられるが、本発明でこれらは限
定されるものではない。しかし、本発明をより効果的に
するものは後者の場合である。
実施例
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら具体
的に説明する。
的に説明する。
第１図は本発明の実施例における巻取り式真空蒸着装置
の概略構成図である。図中１は巻出しロール、２はプラ
スチックフィルム、３はキャンロール、４は巻取りロー
ル、５は遮断板、６は蒸発ぶ、７は真空ポンプ、８は蒸
発源加熱装置である。
の概略構成図である。図中１は巻出しロール、２はプラ
スチックフィルム、３はキャンロール、４は巻取りロー
ル、５は遮断板、６は蒸発ぶ、７は真空ポンプ、８は蒸
発源加熱装置である。
巻出しロール１から送り出されたプラスチックフィルム
２は中央のキャンロール３に沿って移動し、巻取シロー
ル４に巻取られる。この途中で、プラスチックフィルム
２の表面には蒸発源６からの蒸気流のうち遮断板５によ
り遮断されていない蒸気流により、金属薄膜が形成され
る。
２は中央のキャンロール３に沿って移動し、巻取シロー
ル４に巻取られる。この途中で、プラスチックフィルム
２の表面には蒸発源６からの蒸気流のうち遮断板５によ
り遮断されていない蒸気流により、金属薄膜が形成され
る。
遮断板５を巻取りロール４側に置いて、蒸着後期の入射
角を制限しても良いが、蒸着の付着効率を低下させるだ
けで本発明の効果は得られない。
角を制限しても良いが、蒸着の付着効率を低下させるだ
けで本発明の効果は得られない。
プラスチックフィルム２に直角な線と蒸発源６からの床
架流とからなる角度（第１図中θで示される角度）を入
射角とし、遮断板６又は蒸発源６を第１図上で左右に動
かすことによってその入射角を調整した。
架流とからなる角度（第１図中θで示される角度）を入
射角とし、遮断板６又は蒸発源６を第１図上で左右に動
かすことによってその入射角を調整した。
速い成膜速度を得る為に、蒸発源６にはルツボを使用し
、蒸発源加熱装置８には電子ビーム装置を用いた。
、蒸発源加熱装置８には電子ビーム装置を用いた。
〔実施例１〕
厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産槽、商品
名：ユーピレックス２５Ｓ）を第１図に示す装置内にプ
ラスチックフィルム２としてセントし、又、遮断板５を
蒸着初期の最大入射角がθ＝３０°となるように設置し
て、真空度：ｌＸ１０＝Ｔｏｒｒ、？［子ビーム出カニ
５２ ＫＷ、 ７ イルＡ速度：２０ｍ／分の条件下
で銅を真空蒸着し、Ｏ，Ｓμｍ厚の銅薄膜を形成した。
名：ユーピレックス２５Ｓ）を第１図に示す装置内にプ
ラスチックフィルム２としてセントし、又、遮断板５を
蒸着初期の最大入射角がθ＝３０°となるように設置し
て、真空度：ｌＸ１０＝Ｔｏｒｒ、？［子ビーム出カニ
５２ ＫＷ、 ７ イルＡ速度：２０ｍ／分の条件下
で銅を真空蒸着し、Ｏ，Ｓμｍ厚の銅薄膜を形成した。
この時の成膜速度は０．４μｍ沙であった。
〔実施例２〕
フィルム速度を８０．４０．１６ｍ／分に変更した以外
は実施例１と全く同様にして、それぞれ０．２，０．４
，１．０μｍ浬の銅薄膜を形成した。
は実施例１と全く同様にして、それぞれ０．２，０．４
，１．０μｍ浬の銅薄膜を形成した。
〔実施例３〕
庶断板を蒸着初期の最大入射角が０°となるように設置
し、電子ビーム出力をｓ ｓ ＫＷに強めだ以外は実施
例１と同様に銅薄膜を形成した。この時膜厚ば０．５μ
ｍ、成膜速度は０．３μｍ／秒であった。
し、電子ビーム出力をｓ ｓ ＫＷに強めだ以外は実施
例１と同様に銅薄膜を形成した。この時膜厚ば０．５μ
ｍ、成膜速度は０．３μｍ／秒であった。
〔比較例１〕
蒸発源をプラスチックフィルム基板に近づけ、遮断板を
蒸着初期の最大入射角が３０°となるように設置し、真
空度：１Ｘ１０ Ｔｏｒｒ、電子ビーム出カニ８０
ＫＷ ＋ フィルム速度：ｅｏｍ／分の条件下で銅を
真空蒸着し実施例１と同様に銅薄膜を形成した。この時
膜厚は０．８μｍ、成膜速度は１．２μｍ／秒であった
。
蒸着初期の最大入射角が３０°となるように設置し、真
空度：１Ｘ１０ Ｔｏｒｒ、電子ビーム出カニ８０
ＫＷ ＋ フィルム速度：ｅｏｍ／分の条件下で銅を
真空蒸着し実施例１と同様に銅薄膜を形成した。この時
膜厚は０．８μｍ、成膜速度は１．２μｍ／秒であった
。
〔比較例２〕
フィルム速度を１３ｍ／分にした以外は実施例１と同様
に銅薄膜を形成した。この時膜厚は１．２μｍ、成膜速
度は０．４μｍ浬であった。
に銅薄膜を形成した。この時膜厚は１．２μｍ、成膜速
度は０．４μｍ浬であった。
〔比較例３〕
遮断板を蒸着初期の最大入射角が６０°となるように設
置し、電子ビーム出力を４２ ＫＷに弱めた以外は実施
例１と同様に銅薄膜を形成した。この時膜厚は０．７μ
ｍ、成膜速度は０．３μｍ／秒であった。
置し、電子ビーム出力を４２ ＫＷに弱めた以外は実施
例１と同様に銅薄膜を形成した。この時膜厚は０．７μ
ｍ、成膜速度は０．３μｍ／秒であった。
〔比較例４〕
遮断板を取り除き、電子ビーム出力を４０ＫＷに弱めだ
以外は実施例１と同様に銅薄膜を形成した。この時膜厚
は０．８μｍ、成膜速度は０．３μｍ／秒であった。
以外は実施例１と同様に銅薄膜を形成した。この時膜厚
は０．８μｍ、成膜速度は０．３μｍ／秒であった。
〔比較例５〕
ポリイミドフィルムの代わりにＰＥＴフィルムを使用し
た以外は実施例１と同様に、０．８μｍ厚の銅薄膜を形
成した。
た以外は実施例１と同様に、０．８μｍ厚の銅薄膜を形
成した。
ｎｉｌ記実施例、比クク例で得られた銅蒸着フィルムに
ついて、煮沸テスト、銅電解メッキ及びメッキ後のビー
ル強度測定を行い、その結果を第１表に示す。壕だ、メ
ッキ後のビール強度と蒸着膜厚。
ついて、煮沸テスト、銅電解メッキ及びメッキ後のビー
ル強度測定を行い、その結果を第１表に示す。壕だ、メ
ッキ後のビール強度と蒸着膜厚。
蒸着入射角との関係をそれぞれ第２図、第３図に示した
。
。
煮沸テストとは、銅蒸着フィルムを沸騰水中で３ｏ分間
煮て蒸着膜の剥離を調べ、剥離していないものについて
は１８〜２４時間室温で自然乾燥させた後、テープ剥離
テスト（日東電工製粘着テープ朧３１６使用）を行って
蒸着膜の剥離を調べた。
煮て蒸着膜の剥離を調べ、剥離していないものについて
は１８〜２４時間室温で自然乾燥させた後、テープ剥離
テスト（日東電工製粘着テープ朧３１６使用）を行って
蒸着膜の剥離を調べた。
銅電解メッキは硫酸銅浴を使用した。
ビール強度測定は、銅蒸着膜の上へ銅電解メッキを行っ
て銅の全厚を３５μｍとした後、ＪＰＯＡ規格（ＪＰＣ
Ａ−ＦＣＯｌ）に準じて行った。
て銅の全厚を３５μｍとした後、ＪＰＯＡ規格（ＪＰＣ
Ａ−ＦＣＯｌ）に準じて行った。
第 １ 表
第１表、第２図、第３図から明らかなように本実施例に
よれば、プラスチックフィルム基板上に成膜速度の速い
真空蒸着法で第１の導電層を形成する際に、膜厚を０．
２〜１．０μｍに設定し、蒸着初期に入射角３０°以上
の高入射成分を遮断することにより、その蒸着膜上に湿
式処理の電解メッキを行っても強い付着力を維持するこ
とができる。
よれば、プラスチックフィルム基板上に成膜速度の速い
真空蒸着法で第１の導電層を形成する際に、膜厚を０．
２〜１．０μｍに設定し、蒸着初期に入射角３０°以上
の高入射成分を遮断することにより、その蒸着膜上に湿
式処理の電解メッキを行っても強い付着力を維持するこ
とができる。
又、ポリイミドフィルムを使用した本実施例ばＰＥＴフ
ィルムを使用した比較例６に比べて、強い付着力が得ら
れる。
ィルムを使用した比較例６に比べて、強い付着力が得ら
れる。
尚、各実施例において、銅蒸着膜を形成するための銅は
、銅合金であっても良い。
、銅合金であっても良い。
発明の効果
以上のように本発明は、湿式処理の電解メッキにも耐え
られる金属薄膜の形成を生産性の高い真空蒸着法で可能
としたもので、接着剤層の無い２層構造でしかも導電層
とプラスチックフィルム屑彼との付着力が強靭なフレキ
シブルプリント回路用基板を安価に提供することができ
る。
られる金属薄膜の形成を生産性の高い真空蒸着法で可能
としたもので、接着剤層の無い２層構造でしかも導電層
とプラスチックフィルム屑彼との付着力が強靭なフレキ
シブルプリント回路用基板を安価に提供することができ
る。
＄１図は本発明の一実施例における巻取り式真空蒸着装
置の概略構成図、第２図はメッキ後のピール強度と蒸着
膜厚との相関図、第３図はメッキ後のビール強度と蒸着
入射角との相関図である。 １・・・・・・巻出しロール、２・・・・・・プラスチ
ックフィルム、３・・・・・・キャンロー／し、４・・
・・・・巻取リロール５・・・・・・遮断板、６・・・
・・・蒸発源、７・・・・・・真空ポンプ、８・・・・
・・蒸発源加熱装置。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名第１
図 −一 −ｍ＝ ３ ・・・ ４−・− −一− −ｍ＝ ８ ・− 発出しロール プラスナックフィルム キャンロール 発取りロール 迄＠仮 工発源 頁９ボンブ 工発濤加枦茜１
置の概略構成図、第２図はメッキ後のピール強度と蒸着
膜厚との相関図、第３図はメッキ後のビール強度と蒸着
入射角との相関図である。 １・・・・・・巻出しロール、２・・・・・・プラスチ
ックフィルム、３・・・・・・キャンロー／し、４・・
・・・・巻取リロール５・・・・・・遮断板、６・・・
・・・蒸発源、７・・・・・・真空ポンプ、８・・・・
・・蒸発源加熱装置。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名第１
図 −一 −ｍ＝ ３ ・・・ ４−・− −一− −ｍ＝ ８ ・− 発出しロール プラスナックフィルム キャンロール 発取りロール 迄＠仮 工発源 頁９ボンブ 工発濤加枦茜１
Claims (3)
- （１）プラスチックフィルム基板上に成膜速度が０．０
１〜１．０μｍ／秒である真空蒸着法により第１の導電
層を形成した後、その導電層上に電解メッキ法により第
２の導電層を形成したことを特徴とするフレキシブルプ
リント回路用基板の製造方法。 - （２）第１の導電層の厚さが０．２〜１．０μｍである
ことを特徴とする請求項１記載のフレキシブルプリント
回路用基板の製造方法。 - （３）第１の導電層を真空蒸着法により形成するにあた
り、蒸発源からの金属蒸気流の向きとプラスチックフィ
ルムの移動する向きとが対向する側での金属蒸気流の入
射角が３０°以上の高入射成分を遮断することを特徴と
する請求項１記載のフレキシブルプリント回路用基板の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030537A JPH02209797A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | フレキシブルプリント回路用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030537A JPH02209797A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | フレキシブルプリント回路用基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02209797A true JPH02209797A (ja) | 1990-08-21 |
| JPH0561792B2 JPH0561792B2 (ja) | 1993-09-07 |
Family
ID=12306548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1030537A Granted JPH02209797A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | フレキシブルプリント回路用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02209797A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104204353A (zh) * | 2012-01-13 | 2014-12-10 | 阿约威津斯优质纸有限公司 | 制造板片的方法 |
-
1989
- 1989-02-09 JP JP1030537A patent/JPH02209797A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104204353A (zh) * | 2012-01-13 | 2014-12-10 | 阿约威津斯优质纸有限公司 | 制造板片的方法 |
| CN104204353B (zh) * | 2012-01-13 | 2017-08-15 | 阿约威津斯优质纸有限公司 | 制造板片的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0561792B2 (ja) | 1993-09-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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