JPH02209847A - ビス(トリフルオロメトキシフェニル)カーボネート誘導体の製造方法 - Google Patents
ビス(トリフルオロメトキシフェニル)カーボネート誘導体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
C産業上の利用分野】
本発明は、殺菌剤、除草剤、医薬の中間体として有用な
化合物であるビス(トリフルオロメトキシフェニル)カ
ーボネート誘導体の製造方法に関する。
化合物であるビス(トリフルオロメトキシフェニル)カ
ーボネート誘導体の製造方法に関する。
[従来技術とその解決しようとする課III]従来、ビ
ス(トリフルオロメトキシフェニル)カーボネート誘導
体を得る方法としては、以下に記す反応式で示されるよ
うなヒドロキノンをニフフ化カルボニルで処理した後、
四フッ化硫黄でフッ素化して目的性成物を得る方法が知
ら いだし本発明に到達したものである。
ス(トリフルオロメトキシフェニル)カーボネート誘導
体を得る方法としては、以下に記す反応式で示されるよ
うなヒドロキノンをニフフ化カルボニルで処理した後、
四フッ化硫黄でフッ素化して目的性成物を得る方法が知
ら いだし本発明に到達したものである。
れている、
すなわち本発明は、一般式%式%)] 上記方法は、ニフッ化カルボニルおよび四フッ化硫黄の
取り扱いが極めて困難なこと、目的とするビス(トリフ
ルオロメトキシフェニル)カーボネートの収率が低い等
の問題を存している。
すなわち本発明は、一般式%式%)] 上記方法は、ニフッ化カルボニルおよび四フッ化硫黄の
取り扱いが極めて困難なこと、目的とするビス(トリフ
ルオロメトキシフェニル)カーボネートの収率が低い等
の問題を存している。
[!l[Iffを解決するための手段〕本発明者らはこ
のような現状に鑑み、上記ビス(トリフルオロメトキシ
フェニル)カーボネートg導体の製造方法について鋭意
検討を行った結果、ビス(メトキシフェニル)カーボネ
ート誘導体から塩素化、フッ素化の二段階の反応を行う
ことにより、目的生成物が得られるを見(ただし、式中
Xは水素、ハロゲン、バーハロアルキル基またはバーハ
ロアルコキシ基)で表わされるビス(メトキシフェニル
)カーボネート誘導体を溶媒中でガス状塩素と反応させ
、(ただし、式中Xは(+)式と同じ、)で表わされる
ビス(トリクロロメトキシフェニル)カーボネート誘導
体を得た後、さらに無水フッ化水素酸と反応させ、一般
式 (ただし、式中Yは(1)式と同じ、)で表ねされるビ
ス(トリフルオロメトキシフェニル)カーボネート誘導
体を得ることを特徴とするビス(トリフルオロメトキシ
フェニル)カーボネート誘導体の製造方法である。
のような現状に鑑み、上記ビス(トリフルオロメトキシ
フェニル)カーボネートg導体の製造方法について鋭意
検討を行った結果、ビス(メトキシフェニル)カーボネ
ート誘導体から塩素化、フッ素化の二段階の反応を行う
ことにより、目的生成物が得られるを見(ただし、式中
Xは水素、ハロゲン、バーハロアルキル基またはバーハ
ロアルコキシ基)で表わされるビス(メトキシフェニル
)カーボネート誘導体を溶媒中でガス状塩素と反応させ
、(ただし、式中Xは(+)式と同じ、)で表わされる
ビス(トリクロロメトキシフェニル)カーボネート誘導
体を得た後、さらに無水フッ化水素酸と反応させ、一般
式 (ただし、式中Yは(1)式と同じ、)で表ねされるビ
ス(トリフルオロメトキシフェニル)カーボネート誘導
体を得ることを特徴とするビス(トリフルオロメトキシ
フェニル)カーボネート誘導体の製造方法である。
本発明の原料となるビス(メトキシフェニル)カーボネ
ート誘導体は、メトキシフェノール誘導体とホスゲンと
の反応により比較的容易に製造することができ、したが
って安価に入手することができる。
ート誘導体は、メトキシフェノール誘導体とホスゲンと
の反応により比較的容易に製造することができ、したが
って安価に入手することができる。
まず本発明の第1段階の反応は、ビス(メトキシフェニ
ル)カーボネート誘導体と塩素ガスの反応であるが、こ
の場合原料は常温で固体であるので、溶媒に溶解させた
形で反応させるのが好ましい。
ル)カーボネート誘導体と塩素ガスの反応であるが、こ
の場合原料は常温で固体であるので、溶媒に溶解させた
形で反応させるのが好ましい。
溶媒としては、原料のビス(メトキシフェニル)カーボ
ネート誘導体および中間生成物のビス(トリクロロメト
キシフェニル)カーボネート誘導体の両方を溶解し、塩
素化の条件のもとで不活性であるとともに極性のないこ
とが望ましい。
ネート誘導体および中間生成物のビス(トリクロロメト
キシフェニル)カーボネート誘導体の両方を溶解し、塩
素化の条件のもとで不活性であるとともに極性のないこ
とが望ましい。
上記条件を満足するものとして、四塩化炭素、トリクロ
ロメタン、ジクロロメタン、クロロベンゼン、ジクロロ
ベンゼン等が挙げられる。
ロメタン、ジクロロメタン、クロロベンゼン、ジクロロ
ベンゼン等が挙げられる。
原料であるビス(メトキシフェニル)カーボネートM導
体の芳香核はメトキシ基によって活性化されているので
、金属イオンおよび水が存在すると、核の塩素化が起こ
りやすい。
体の芳香核はメトキシ基によって活性化されているので
、金属イオンおよび水が存在すると、核の塩素化が起こ
りやすい。
従って、濾過等により溶媒中に存在している微少の金属
懸濁物を除去したり、尿素化合等の添加により金属錯体
を形成させることにより、金属イオンの影響を排除した
り、水の場合はゼオライト等の脱水剤と接触させたり、
蒸上等を行うことにより水を除いた後、反応を行う必要
がある。
懸濁物を除去したり、尿素化合等の添加により金属錯体
を形成させることにより、金属イオンの影響を排除した
り、水の場合はゼオライト等の脱水剤と接触させたり、
蒸上等を行うことにより水を除いた後、反応を行う必要
がある。
この塩素化反応においては、反応をラジカル的に進行さ
せる必要があるので、光照射を行ったり、有機過酸化物
や有機アゾ化合物等のラジカル発生剤を用いると反応を
迅速に進行させることができる。
せる必要があるので、光照射を行ったり、有機過酸化物
や有機アゾ化合物等のラジカル発生剤を用いると反応を
迅速に進行させることができる。
反応温度は条件によって多少ことなるが、30〜150
℃が好ましく、反応温度が30℃以下では反応速度が遅
すぎ、一方反応温度が高すぎると分解生成物が増加し収
率が低くなる。
℃が好ましく、反応温度が30℃以下では反応速度が遅
すぎ、一方反応温度が高すぎると分解生成物が増加し収
率が低くなる。
上記反応により、原料化合物中のメトキシ基が選択的に
塩素化され、トリクロロメトキシ基となり、ビス(トリ
クロロメトキシフェニル)カーボネート誘導体が得られ
る。
塩素化され、トリクロロメトキシ基となり、ビス(トリ
クロロメトキシフェニル)カーボネート誘導体が得られ
る。
次にビス(トリクロロメトキシフェニル)カーボネート
誘導体と無水フッ化水素酸の反応であるが、使用する溶
媒は前段階の塩素化工程と代えても代えなくてもよく、
前段階の溶媒をそのまま使用するほうが工程も簡略化で
き経済的にも有利である。この場合、前段階の反応終了
後、溶液中に存在する塩化水素および塩素を窒素、ヘリ
ウム等の不活性ガスを吹き込むことにより除去した後、
そのまま無水フン化水素酸との反応を行う。
誘導体と無水フッ化水素酸の反応であるが、使用する溶
媒は前段階の塩素化工程と代えても代えなくてもよく、
前段階の溶媒をそのまま使用するほうが工程も簡略化で
き経済的にも有利である。この場合、前段階の反応終了
後、溶液中に存在する塩化水素および塩素を窒素、ヘリ
ウム等の不活性ガスを吹き込むことにより除去した後、
そのまま無水フン化水素酸との反応を行う。
本工程の塩素−フッ素交換反応では、触媒を添加しない
系でも十分高収率で目的生成物を得ることができるが、
原料の一般式(1)においてXで表わされる置換基が、
ハロゲン、バーハロアルキル基等の場合、反応が進行し
にく(なる傾向にあり、この場合五塩化アンチモン、三
フッ化アンチモンまたは五フッ化アンチモン等の触媒を
使用することにより、より迅速に反応を進行させること
ができる。
系でも十分高収率で目的生成物を得ることができるが、
原料の一般式(1)においてXで表わされる置換基が、
ハロゲン、バーハロアルキル基等の場合、反応が進行し
にく(なる傾向にあり、この場合五塩化アンチモン、三
フッ化アンチモンまたは五フッ化アンチモン等の触媒を
使用することにより、より迅速に反応を進行させること
ができる。
触媒を添加する場合は、原料の塩化物に対して、0.1
〜10モル%が好ましい。
〜10モル%が好ましい。
無水フッ化水素酸の量は原料のビス(トリクロロメトキ
シフェニル)カーボネート誘導体に対し、3.0〜3.
3倍当量が好ましい、添加量が3.0倍当量より低い場
合、反応が十分に進行せず未反応物が残りやすく、一方
3.3倍当量より高い場合、反応に大きな差はないが経
済的でない0次に反応温度および圧力については、それ
ぞれ0〜200℃、1〜100kg/−が好ましく、さ
らには0〜80℃、5〜20 kg/−がより好ましい
。
シフェニル)カーボネート誘導体に対し、3.0〜3.
3倍当量が好ましい、添加量が3.0倍当量より低い場
合、反応が十分に進行せず未反応物が残りやすく、一方
3.3倍当量より高い場合、反応に大きな差はないが経
済的でない0次に反応温度および圧力については、それ
ぞれ0〜200℃、1〜100kg/−が好ましく、さ
らには0〜80℃、5〜20 kg/−がより好ましい
。
反応温度か0℃より低い場合、反応速度が遅すぎ、一方
反応温度が200℃より高い場合は、無水フッ化水素酸
の蒸気圧が高くなりすぎ、反応装置上好ましくなく、ま
たタール等が生成しやすく、収率が低(なる。
反応温度が200℃より高い場合は、無水フッ化水素酸
の蒸気圧が高くなりすぎ、反応装置上好ましくなく、ま
たタール等が生成しやすく、収率が低(なる。
本発明で製造することのできる化合物としては、ビス(
4−トリフルオロメトキシフェニル)カーボネート、ビ
ス(3−トリフルオロメトキシフェニル)カーボネート
、ビス(3−クロロ−4−トリフルオロメトキシフェニ
ル)カーボネート、ビス(2−クロロ−4−トリフルオ
ロメトキシフェニル)カーボネート、ビス(2−クロロ
−5−トリフルオロメトキシフェニル)カーボネート、
ビス(4−クロロ−5−トリフルオロメトキシフェニル
)カーボネート、ビス(3−トリフルオロメチル−4−
トリフルオロメトキシフェニル)カーボネート、ビス(
2−トリフルオロメチル−4−トリフルオロメトキシフ
ェニル)カーボネート、ビス(2−トリフルオロメチル
−5−トリフルオロメトキシフェニル)カーボネート、
ビス(4−トリフルオロメチル−5−トリフルオロメト
キシフェニル)カーボネート、ビス(3−トリフルオロ
メトキシ−4−トリフルオロメトキシフェニル)カーボ
ネート、ビス(2−トリフルオロメトキシ−4トリフル
オロメトキシフエニル)カーボネート、ビス(2−トリ
フルオロメトキシ−5−トリフルオロメトキシフェニル
)カーボネート、ビス(4−トリフルオロメトキシ−5
−トリフルオロメトキシフェニル)カーボネート等が挙
げられ、これらはそれぞれ対応する原料より製造するこ
とができるが、原料の置換基Xがパークロロアルキル基
やパークロロアルコキシ基の場合は、フッ素化の工程で
置換基もフッ素化され、パーフルオロアルキル基やパー
フルオロアルコキシ基に変化する。
4−トリフルオロメトキシフェニル)カーボネート、ビ
ス(3−トリフルオロメトキシフェニル)カーボネート
、ビス(3−クロロ−4−トリフルオロメトキシフェニ
ル)カーボネート、ビス(2−クロロ−4−トリフルオ
ロメトキシフェニル)カーボネート、ビス(2−クロロ
−5−トリフルオロメトキシフェニル)カーボネート、
ビス(4−クロロ−5−トリフルオロメトキシフェニル
)カーボネート、ビス(3−トリフルオロメチル−4−
トリフルオロメトキシフェニル)カーボネート、ビス(
2−トリフルオロメチル−4−トリフルオロメトキシフ
ェニル)カーボネート、ビス(2−トリフルオロメチル
−5−トリフルオロメトキシフェニル)カーボネート、
ビス(4−トリフルオロメチル−5−トリフルオロメト
キシフェニル)カーボネート、ビス(3−トリフルオロ
メトキシ−4−トリフルオロメトキシフェニル)カーボ
ネート、ビス(2−トリフルオロメトキシ−4トリフル
オロメトキシフエニル)カーボネート、ビス(2−トリ
フルオロメトキシ−5−トリフルオロメトキシフェニル
)カーボネート、ビス(4−トリフルオロメトキシ−5
−トリフルオロメトキシフェニル)カーボネート等が挙
げられ、これらはそれぞれ対応する原料より製造するこ
とができるが、原料の置換基Xがパークロロアルキル基
やパークロロアルコキシ基の場合は、フッ素化の工程で
置換基もフッ素化され、パーフルオロアルキル基やパー
フルオロアルコキシ基に変化する。
[実施例]
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はかかる実施例に限定されるものではない。
明はかかる実施例に限定されるものではない。
実施例1
300mAのガラス製三ツロフラスコにビス(4−メト
キシフェニル)カーボネー)50g、四塩化炭素150
gを仕込み、窒素を吹き込みながら昇温し、系内の水
分を除去させるために四塩化炭素30gを溜去させた後
、ラジカル発生剤として2.2゛−アゾビスイソブチロ
ニトリル(AIBN) 1.0gを加える 次に反応温
度65〜70′Cで塩素を吹き込み、反応を行ったが、
反応速度が途中で低下してきた際、1.、Ogづつ数回
に分け、AIBNを追加した。
キシフェニル)カーボネー)50g、四塩化炭素150
gを仕込み、窒素を吹き込みながら昇温し、系内の水
分を除去させるために四塩化炭素30gを溜去させた後
、ラジカル発生剤として2.2゛−アゾビスイソブチロ
ニトリル(AIBN) 1.0gを加える 次に反応温
度65〜70′Cで塩素を吹き込み、反応を行ったが、
反応速度が途中で低下してきた際、1.、Ogづつ数回
に分け、AIBNを追加した。
反応時間8時間でビス(4−トリクロロメトキシフェニ
ル)カーボネートが選択率79.6%で得られた。
ル)カーボネートが選択率79.6%で得られた。
上記ビス(4−トリクロロメトキシフェニル)カーボネ
ート20g、ジクaロメタン10g、fi水フッ化水素
酸24gを100−ステンレス製オートクレーブに仕込
み、反応温度130°C1圧力25kg/−で攪拌しな
がら9時間反応を行った。
ート20g、ジクaロメタン10g、fi水フッ化水素
酸24gを100−ステンレス製オートクレーブに仕込
み、反応温度130°C1圧力25kg/−で攪拌しな
がら9時間反応を行った。
反応終了後、水洗および5%炭酸ソーダ水溶液洗浄し、
エバポレーターにてジクロロメタンを除去したところ、
選択率68.2%でビス(4−トリフルオロメトキシフ
ェニル)カーボネート11gが得られた。
エバポレーターにてジクロロメタンを除去したところ、
選択率68.2%でビス(4−トリフルオロメトキシフ
ェニル)カーボネート11gが得られた。
実施例2
ビス(4−メトキシフェニル)カーボネートの代わりに
、ビス(2−クロロ−5−メトキシフェニル)カーボネ
ート50gを用いて実施例1と同様に塩素化反応を行っ
たところ、ビス(2−クロロ−5−トリクロロメトキシ
フェニル)カーボネートが選択率70%で62g得られ
た。
、ビス(2−クロロ−5−メトキシフェニル)カーボネ
ート50gを用いて実施例1と同様に塩素化反応を行っ
たところ、ビス(2−クロロ−5−トリクロロメトキシ
フェニル)カーボネートが選択率70%で62g得られ
た。
反応終了後、窒素ガスを系内に吹き込み、溶液中の塩素
を系外に排出した後、そのまま無水フン化水素酸との反
応を行った。すなわち、上記溶液に対し、無水フン化水
素酸90gを添加して実施例1と同様の装置および操作
で反応を行ったところ、ビス(2−クロロ−5−トリフ
ルオロメトキシフェニル)カーボネートが選択率65.
3%で38g得られた。
を系外に排出した後、そのまま無水フン化水素酸との反
応を行った。すなわち、上記溶液に対し、無水フン化水
素酸90gを添加して実施例1と同様の装置および操作
で反応を行ったところ、ビス(2−クロロ−5−トリフ
ルオロメトキシフェニル)カーボネートが選択率65.
3%で38g得られた。
実施例3
ビス(4−メトキシフェニル)カーボネートの代わりに
、ビス(3−クロロ−4−メトキシフェニル)カーボネ
ート50gを用いて実施例1と同様に塩素化反応を行っ
たところ、ビス(3−クロロ−4−トリクロロメトキシ
フェニル)カーボネートが選択率72.0%で62g得
られた。
、ビス(3−クロロ−4−メトキシフェニル)カーボネ
ート50gを用いて実施例1と同様に塩素化反応を行っ
たところ、ビス(3−クロロ−4−トリクロロメトキシ
フェニル)カーボネートが選択率72.0%で62g得
られた。
さらに、ビス(3−クロロ−4−トリクロロメトキシフ
ェニル)カーボネートを実施例1と同様の装!および操
作で無水フシ化水素酸との反応を行ったところ、ビス(
3−クロロ −4−トリフルオロメトキシフェニル)カ
ーボネートが選択率68.5%で12g得られた。
ェニル)カーボネートを実施例1と同様の装!および操
作で無水フシ化水素酸との反応を行ったところ、ビス(
3−クロロ −4−トリフルオロメトキシフェニル)カ
ーボネートが選択率68.5%で12g得られた。
実施例4
ビス〈4−メトキシフェニル)カーボネートの代わりに
、ビス(2−クロロ−4−メトキシフェニル)カーボネ
ート50gを用いて実施例1と同様に塩素化反応を行っ
たところ、ビス(2−クロロ−4−トリクロロメトキシ
フェニル)カーボネートが選択率67.2%で60g得
られた。
、ビス(2−クロロ−4−メトキシフェニル)カーボネ
ート50gを用いて実施例1と同様に塩素化反応を行っ
たところ、ビス(2−クロロ−4−トリクロロメトキシ
フェニル)カーボネートが選択率67.2%で60g得
られた。
さらに、ビス(2−クロロ−4−トリクロロメトキシフ
ェニル)カーボネートを実施例1と同様の装置および操
作で無水フッ化水素酸との反応を行ったところ、ビス(
2−クロロ−4−トリフルオロメトキシフェニル)カー
ボネートが選択率66.3%でLog得られた。
ェニル)カーボネートを実施例1と同様の装置および操
作で無水フッ化水素酸との反応を行ったところ、ビス(
2−クロロ−4−トリフルオロメトキシフェニル)カー
ボネートが選択率66.3%でLog得られた。
実施例5
ビス(4−メトキシフェニル)カーボネートの代わりに
、ビス(3−トリクロロメチル−4−メトキシフェニル
)カーボネート50gを用いて実施例1と同様に塩素化
反応を行ったところ、ビス(3−トリクロロメチル−4
−トリクロロメトキシフェニル)カーボネートが選択率
69.3%で59g得られた。
、ビス(3−トリクロロメチル−4−メトキシフェニル
)カーボネート50gを用いて実施例1と同様に塩素化
反応を行ったところ、ビス(3−トリクロロメチル−4
−トリクロロメトキシフェニル)カーボネートが選択率
69.3%で59g得られた。
さらに、ビス(3−トリクロロメチル−4−トリクロロ
メトキシフェニル)カーボネートを実施例1と同様の装
置および操作で無水フッ化水素酸との反応を行ったとこ
ろ、ビス(3−トリフルオロメチル−4−トリフルオロ
メトキシフェニル)カーボネートが選択率67.0%で
9g得られた。
メトキシフェニル)カーボネートを実施例1と同様の装
置および操作で無水フッ化水素酸との反応を行ったとこ
ろ、ビス(3−トリフルオロメチル−4−トリフルオロ
メトキシフェニル)カーボネートが選択率67.0%で
9g得られた。
[発明の効果]
本発明の方法によれば、安価に入手することができるビ
ス(メトキシフェニル)カーボネート誘導体を原料とし
て、工業的に容易かつ収率よく目的とするビス(トリフ
ルオロメトキシフェニル) カーボネート誘導体を製造できる。
ス(メトキシフェニル)カーボネート誘導体を原料とし
て、工業的に容易かつ収率よく目的とするビス(トリフ
ルオロメトキシフェニル) カーボネート誘導体を製造できる。
Claims (1)
- (1)一般式▲数式、化学式、表等があります▼( I
) (ただし、式中Xは水素、ハロゲン、パーハロアルキル
基またはパーハロアルコキシ基)で表わされるビス(メ
トキシフェニル)カーボネート誘導体を溶媒中でガス状
塩素と反応させ、一般式▲数式、化学式、表等がありま
す▼(II) (ただし、式中Xは水素、ハロゲン、パーハロアルキル
基またはパーハロアルコキシ基)で表わされるビス(ト
リクロロメトキシフェニル)カーボネート誘導体を得た
後、さらに無水フッ化水素酸と反応させ、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (ただし、式中Yは水素、ハロゲン、パーハロアルキル
基またはパーハロアルコキシ基)で表わされるビス(ト
リフルオロメトキシフェニル)カーボネート誘導体を得
ることを特徴とするビス(トリフルオロメトキシフェニ
ル)カーボネート誘導体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030157A JPH078838B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | ビス(トリフルオロメトキシフェニル)カーボネート誘導体の製造方法 |
| GB9002071A GB2228261B (en) | 1989-02-09 | 1990-01-30 | Process of preparing bis(trifluoromethoxyphenyl)-carbonate and its derivatives |
| IT19190A IT1238680B (it) | 1989-02-09 | 1990-01-30 | Procedimento per preparare bis(trifluorometossifenil)carbonato e suoi derivati |
| DE4003687A DE4003687C2 (de) | 1989-02-09 | 1990-02-07 | Verfahren zur Herstellung von Bis-(trifluormethoxyphenyl)-carbonat und Derivaten davon |
| FR9001467A FR2642751B1 (fr) | 1989-02-09 | 1990-02-08 | Procede de preparation de bis(trifluoromethoxyphenyl)carbonate et ses derives |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030157A JPH078838B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | ビス(トリフルオロメトキシフェニル)カーボネート誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02209847A true JPH02209847A (ja) | 1990-08-21 |
| JPH078838B2 JPH078838B2 (ja) | 1995-02-01 |
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ID=12295921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1030157A Expired - Fee Related JPH078838B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | ビス(トリフルオロメトキシフェニル)カーボネート誘導体の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH078838B2 (ja) |
| DE (1) | DE4003687C2 (ja) |
| FR (1) | FR2642751B1 (ja) |
| GB (1) | GB2228261B (ja) |
| IT (1) | IT1238680B (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE233631C (ja) * | ||||
| FR2547812B1 (fr) * | 1983-06-23 | 1985-10-31 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede d'halogenation et de fluoration simultanees de derives aromatiques |
| FR2592377B1 (fr) * | 1985-12-31 | 1988-08-12 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede de preparation de chloroformiate de trichloromethylphenyle |
-
1989
- 1989-02-09 JP JP1030157A patent/JPH078838B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-01-30 IT IT19190A patent/IT1238680B/it active IP Right Grant
- 1990-01-30 GB GB9002071A patent/GB2228261B/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-02-07 DE DE4003687A patent/DE4003687C2/de not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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| FR2642751A1 (fr) | 1990-08-10 |
| DE4003687A1 (de) | 1990-08-16 |
| GB9002071D0 (en) | 1990-03-28 |
| IT9019190A0 (it) | 1990-01-30 |
| GB2228261A (en) | 1990-08-22 |
| FR2642751B1 (fr) | 1993-12-24 |
| IT1238680B (it) | 1993-09-01 |
| IT9019190A1 (it) | 1991-07-30 |
| JPH078838B2 (ja) | 1995-02-01 |
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