JPH02210358A - アモルファスシリコン系感光体を用いた電子写真法による画像形成方法及び電子写真装置 - Google Patents
アモルファスシリコン系感光体を用いた電子写真法による画像形成方法及び電子写真装置Info
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- JPH02210358A JPH02210358A JP1168543A JP16854389A JPH02210358A JP H02210358 A JPH02210358 A JP H02210358A JP 1168543 A JP1168543 A JP 1168543A JP 16854389 A JP16854389 A JP 16854389A JP H02210358 A JPH02210358 A JP H02210358A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G13/00—Electrographic processes using a charge pattern
- G03G13/01—Electrographic processes using a charge pattern for multicoloured copies
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、アモルファスシリコン系感光体を用いた電子
写真装置における画像形成方法、特に高速の画像形成用
電子写真装置複数の現像器を存する多色画像形成用電子
写真装置の赤再現性(赤原稿を黒単色、赤単色、青単色
等モノクロ複写した際の黒原稿のそれに対する比率を、
以下「赤再現性」と称する。)の向上を意図した画像形
成方法に関する。
写真装置における画像形成方法、特に高速の画像形成用
電子写真装置複数の現像器を存する多色画像形成用電子
写真装置の赤再現性(赤原稿を黒単色、赤単色、青単色
等モノクロ複写した際の黒原稿のそれに対する比率を、
以下「赤再現性」と称する。)の向上を意図した画像形
成方法に関する。
アモルファスシリコン系感光体は表面硬度が高く、可視
光領域(400〜700nm)のみならず半導体レーザ
ー(770〜800 nm)などの長波長光にも高い感
度を示し、しかも繰り返し使用による劣化も殆ど認めら
れないなど、特に、ハロゲンランプを光源とする高速複
写機や前記半導体レーザーを用いたLBP (レーザー
ビームプリンター)などの電子写真装置用感光体として
評価さ゛れて使用されている。そしてこうしたアモルフ
ァスシリコン系感光体を用いた複写装置、及び画像形成
プロセスは、概略以下のとおりのものである。
光領域(400〜700nm)のみならず半導体レーザ
ー(770〜800 nm)などの長波長光にも高い感
度を示し、しかも繰り返し使用による劣化も殆ど認めら
れないなど、特に、ハロゲンランプを光源とする高速複
写機や前記半導体レーザーを用いたLBP (レーザー
ビームプリンター)などの電子写真装置用感光体として
評価さ゛れて使用されている。そしてこうしたアモルフ
ァスシリコン系感光体を用いた複写装置、及び画像形成
プロセスは、概略以下のとおりのものである。
第3図は、従来の複写機の画像形成プロセスを示す概略
図であって、矢印X方向に回転し、感光体ヒー久−33
0により42〜45℃に加温された感光体301の周辺
には、よく知られているように、主帯電器302、静電
潜像形成部位303、現像器304、転写紙給送系30
5、転写・帯電器306 (a)、分離帯電器306
(b)、クリーナー307、搬送系308、除電光源3
09などが配設されている。以下、−例をもって画像形
成プロセスを説明すると、感光体301の表面感光層は
、+6〜8kVの高電圧を印加した主帯電器302によ
って一様に帯電され、これに50〜80v% 150〜
350Wハロゲンランプの光源310により発した光を
プラテンガラス31)上の原稿312に照射しその反射
光をミラー系313〜316、フィルター318を内蔵
したレンズ系317を介して感光体表面上に導き投影さ
れて静電潜像が形成され、この潜像に現像器304から
ネガ極性トナーが供給されてトナー像となる。一方、転
写紙通路319、レジストローラ322よりなる転写紙
供給系305を通って感光体方向に供給される転写材P
は、+7〜8kVの高電圧を印加した転写帯電器306
!alと感光体301の間隙において背面から、トナ
ーとは反対極性の正電界を与えられ、これによって感光
体表面のネガ極性トナー像は、転写材Pに転移する。
図であって、矢印X方向に回転し、感光体ヒー久−33
0により42〜45℃に加温された感光体301の周辺
には、よく知られているように、主帯電器302、静電
潜像形成部位303、現像器304、転写紙給送系30
5、転写・帯電器306 (a)、分離帯電器306
(b)、クリーナー307、搬送系308、除電光源3
09などが配設されている。以下、−例をもって画像形
成プロセスを説明すると、感光体301の表面感光層は
、+6〜8kVの高電圧を印加した主帯電器302によ
って一様に帯電され、これに50〜80v% 150〜
350Wハロゲンランプの光源310により発した光を
プラテンガラス31)上の原稿312に照射しその反射
光をミラー系313〜316、フィルター318を内蔵
したレンズ系317を介して感光体表面上に導き投影さ
れて静電潜像が形成され、この潜像に現像器304から
ネガ極性トナーが供給されてトナー像となる。一方、転
写紙通路319、レジストローラ322よりなる転写紙
供給系305を通って感光体方向に供給される転写材P
は、+7〜8kVの高電圧を印加した転写帯電器306
!alと感光体301の間隙において背面から、トナ
ーとは反対極性の正電界を与えられ、これによって感光
体表面のネガ極性トナー像は、転写材Pに転移する。
12〜14kVp p、300〜600H2の高圧A
C電圧を印加した分離帯電器306(blにより分離さ
れた転写材Pは、転写紙搬送系308をとおって定着装
置(不図示)に至ってトナー像は定着されて装置外に排
出される。尚、転写部位において転写に寄与せず感光体
表面に残る残留トナーはクリーナー307に至り、クリ
ーニングブレード32)によってクリーニングされる。
C電圧を印加した分離帯電器306(blにより分離さ
れた転写材Pは、転写紙搬送系308をとおって定着装
置(不図示)に至ってトナー像は定着されて装置外に排
出される。尚、転写部位において転写に寄与せず感光体
表面に残る残留トナーはクリーナー307に至り、クリ
ーニングブレード32)によってクリーニングされる。
上記クリーニングにより更新された感光体表面はさらに
除電光源309から除電露光を与えられて再び同様のサ
イクルに供せられる。
除電光源309から除電露光を与えられて再び同様のサ
イクルに供せられる。
上述のような画像形成プロセスにおいて用いられるアモ
ルファスシリコン系感光体は、前述のとおり、可視光領
域(400〜700 nm)のみならず長波長光にも高
い感度を有する(感度ビーク680nm付近、感度域4
00〜800nm)という利点を有するが、このような
利点は反面これを高い光量を得られる、ハロゲンランプ
を光源とするアナログ系の複写装置に使用する際などに
おいて、複写装置の光源の発光分布と、前記感光体の分
光感度との間のマツチング不良によって、しばしば原稿
中の印鑑、即ち朱肉や赤インク等の赤の再現性に劣ると
いった問題を生ずることがあった。
ルファスシリコン系感光体は、前述のとおり、可視光領
域(400〜700 nm)のみならず長波長光にも高
い感度を有する(感度ビーク680nm付近、感度域4
00〜800nm)という利点を有するが、このような
利点は反面これを高い光量を得られる、ハロゲンランプ
を光源とするアナログ系の複写装置に使用する際などに
おいて、複写装置の光源の発光分布と、前記感光体の分
光感度との間のマツチング不良によって、しばしば原稿
中の印鑑、即ち朱肉や赤インク等の赤の再現性に劣ると
いった問題を生ずることがあった。
ハロゲンランプは小型で強力な光量が得られ、振動にも
強く、0N10FFの応答性もはやいことから、中・低
速複写装置に比べ多くの光量を要する高速複写装置にお
いては好ましい光源である。
強く、0N10FFの応答性もはやいことから、中・低
速複写装置に比べ多くの光量を要する高速複写装置にお
いては好ましい光源である。
また前記アモルファスシリコン系感光体は、主として光
導電層の有する分光感度とほぼ同一の分光感度を有する
が感光体−本一本については、その上に積層された可視
光領域に殆ど吸収の無い材料からなる表面保護層におい
ても膜厚や屈折率の違いによっては表面保護層を通過す
る際の干渉によって光導電層への光の入射量が入射光波
長、によって異なり感光体の分光感度にズレを生ずる。
導電層の有する分光感度とほぼ同一の分光感度を有する
が感光体−本一本については、その上に積層された可視
光領域に殆ど吸収の無い材料からなる表面保護層におい
ても膜厚や屈折率の違いによっては表面保護層を通過す
る際の干渉によって光導電層への光の入射量が入射光波
長、によって異なり感光体の分光感度にズレを生ずる。
そして、前述のような複写装置の光源と前記感光体との
マツチング不良の問題に対してより容易に補正するため
に感光体の表面保護層に起因する分光感度のズレを感光
体によって調整することなく青ガラスなどの長波カット
フィルターを介してその再現性を確保しているのが現状
である。これは、アナログ複写機が光源としてレーザー
やLED等の単色光ではなく連続した波長を有するハロ
ゲンランプ等の光源を用いており、干渉の条件式 2nd−(d+薄膜の厚さ、n:屈 折率、λ=入射光波長、k:定数)への波長λの代入が
困難で赤再現性の良い膜厚条件を算出しにくいこと、ま
た感光体の表面保護層も感光体の使用につれて、即ち複
写動作を続けるにつれて削れて薄くなってゆき、干渉の
条件が変化してゆ(等の多種の条件から容易にマツチン
グポイントを見出すことができない状況にある為である
。
マツチング不良の問題に対してより容易に補正するため
に感光体の表面保護層に起因する分光感度のズレを感光
体によって調整することなく青ガラスなどの長波カット
フィルターを介してその再現性を確保しているのが現状
である。これは、アナログ複写機が光源としてレーザー
やLED等の単色光ではなく連続した波長を有するハロ
ゲンランプ等の光源を用いており、干渉の条件式 2nd−(d+薄膜の厚さ、n:屈 折率、λ=入射光波長、k:定数)への波長λの代入が
困難で赤再現性の良い膜厚条件を算出しにくいこと、ま
た感光体の表面保護層も感光体の使用につれて、即ち複
写動作を続けるにつれて削れて薄くなってゆき、干渉の
条件が変化してゆ(等の多種の条件から容易にマツチン
グポイントを見出すことができない状況にある為である
。
しかし、このような本体のフィルターを入れる方法によ
ると潜像形成用の光源の全光量が多少なりとも減少する
こととなり、この光量の不足分を補うためにハロゲンラ
ンプ光源のワッテージを上げるなどの施策が必要となっ
ていた。特に高速の複写装置のようにそのプロセススピ
ードが速く、したがってより低速な複写装置と比較する
と像露光時間が相対的に少なくなるような系においては
、光源のワッテージをことさら高める必要がある。
ると潜像形成用の光源の全光量が多少なりとも減少する
こととなり、この光量の不足分を補うためにハロゲンラ
ンプ光源のワッテージを上げるなどの施策が必要となっ
ていた。特に高速の複写装置のようにそのプロセススピ
ードが速く、したがってより低速な複写装置と比較する
と像露光時間が相対的に少なくなるような系においては
、光源のワッテージをことさら高める必要がある。
一方、昨今のOA市場においては、オフィスでとられる
コピー量の増大、トータルコピーコストの低減に対する
強い要請、両面・帳合い等のシステム化の浸透等により
通常電源100V、15Aのように1.5kW以内で使
用可能な低消費電力型の高速処理複写装置の需要が高ま
っている。
コピー量の増大、トータルコピーコストの低減に対する
強い要請、両面・帳合い等のシステム化の浸透等により
通常電源100V、15Aのように1.5kW以内で使
用可能な低消費電力型の高速処理複写装置の需要が高ま
っている。
更に、こうした総電力の制約のなかで、高速化において
は、例えば、定着ヒーター・光源光量・駆動用メインモ
ーター、システム化の為のソーターなどへの電力も当然
増加するといった状況におかれている。
は、例えば、定着ヒーター・光源光量・駆動用メインモ
ーター、システム化の為のソーターなどへの電力も当然
増加するといった状況におかれている。
またアモルファスシリコン系感光体は、前述のとおり安
定性・耐摩耗性などにきわめて優れているため超高速の
ヘビーデユーティ−マシン用の感光体に最も適したもの
として、更に高速化した複写装置への搭載開発が進めら
れる現状にあるが、上述のような複写装置の低消費電力
型指向、付属装置への電力配分の増大などの理由から前
記高速機における赤再現性を確保するための光源光量ア
ップはきわめて困難な情勢にあり、本体に長波カットフ
ィルターを入れる方式で良好な赤再現を有する十分な画
像形成品質を確保する上では、現在の440m/sec
、のプロセススピードでのシステム化(毎分70枚/A
4サイズのコピー速度)が限界でありこれ以上の高速化
を試みる場合は、市場の不満を承知しつつも赤再現性を
多少犠牲にして市場に供せざるを得ないというのが実状
である。
定性・耐摩耗性などにきわめて優れているため超高速の
ヘビーデユーティ−マシン用の感光体に最も適したもの
として、更に高速化した複写装置への搭載開発が進めら
れる現状にあるが、上述のような複写装置の低消費電力
型指向、付属装置への電力配分の増大などの理由から前
記高速機における赤再現性を確保するための光源光量ア
ップはきわめて困難な情勢にあり、本体に長波カットフ
ィルターを入れる方式で良好な赤再現を有する十分な画
像形成品質を確保する上では、現在の440m/sec
、のプロセススピードでのシステム化(毎分70枚/A
4サイズのコピー速度)が限界でありこれ以上の高速化
を試みる場合は、市場の不満を承知しつつも赤再現性を
多少犠牲にして市場に供せざるを得ないというのが実状
である。
一方、近年複写装置に対して黒色のみならず、赤、青等
多彩な画像の色わけ、色づけが要求されるようになって
きており、一つの複写装置の感光体に対して、その周囲
に2個以上の複数の現像器を配設し多色画像の形成を行
う複写装置の需要が高まり1つある。
多彩な画像の色わけ、色づけが要求されるようになって
きており、一つの複写装置の感光体に対して、その周囲
に2個以上の複数の現像器を配設し多色画像の形成を行
う複写装置の需要が高まり1つある。
しかし、前述のとおりアモルファスシリコン系感光体は
暗減衰が比較的大きい場合があるため、帯電器までの距
離を異にした2個以上の現像器を装置内に有する上記の
ような複写装置に適用しようとすると帯電器から遠い位
置の現像器に対する帯電量すなわち高圧トランス出力及
び潜像形成露光量すなわちハロゲンランプ点灯電圧を帯
電器から近い位置の現像器に比べ相当量増加させる必要
性を生じる。一方、複写装置は電源100V、15Aの
1.5kWで使用されるのが通常であり総電力の制約を
受けていることから、このような複耳装置においては赤
再現性は相当程度犠牲にせざるを得す、赤再現性を確保
することはアモルファスシリコン系感光体を用いたこの
ような複写装置においては非常に困難なものとなってい
た。
暗減衰が比較的大きい場合があるため、帯電器までの距
離を異にした2個以上の現像器を装置内に有する上記の
ような複写装置に適用しようとすると帯電器から遠い位
置の現像器に対する帯電量すなわち高圧トランス出力及
び潜像形成露光量すなわちハロゲンランプ点灯電圧を帯
電器から近い位置の現像器に比べ相当量増加させる必要
性を生じる。一方、複写装置は電源100V、15Aの
1.5kWで使用されるのが通常であり総電力の制約を
受けていることから、このような複耳装置においては赤
再現性は相当程度犠牲にせざるを得す、赤再現性を確保
することはアモルファスシリコン系感光体を用いたこの
ような複写装置においては非常に困難なものとなってい
た。
また、アモルファスシリコン系感光体を用いた電子写真
装置においては、光メモリ−、即ち露光によって起こる
もので、現象としては、前回の画像形成工程で露光され
た部分に捕獲(トラップ)されたキャリアが残ってしま
い、次の画像形成工程の帯電による表面電位に、露光さ
れなかった部分との差が生ずることに対応する。
装置においては、光メモリ−、即ち露光によって起こる
もので、現象としては、前回の画像形成工程で露光され
た部分に捕獲(トラップ)されたキャリアが残ってしま
い、次の画像形成工程の帯電による表面電位に、露光さ
れなかった部分との差が生ずることに対応する。
これらのメモリーにより複写画像に現れる濃淡は「ゴー
スト」と呼ばれていて、画像を見にくいものにしている
。
スト」と呼ばれていて、画像を見にくいものにしている
。
これを低減するために、除電光において画像露光に比べ
多くの光量を与えたり、660〜800nmといった長
波の光を与えたりしているが、どちらも帯電能の低下を
まねくといった弊害があった。
多くの光量を与えたり、660〜800nmといった長
波の光を与えたりしているが、どちらも帯電能の低下を
まねくといった弊害があった。
一方、電子写真における感光体に対する画像形成プロセ
スには通常該感光体面を帯電や除電する行程が含まれて
おり、その帯除電手段機器としては均一な帯電性に優れ
るコロナ放電器(コロトロン・スコロトロン)が広く利
用されている。
スには通常該感光体面を帯電や除電する行程が含まれて
おり、その帯除電手段機器としては均一な帯電性に優れ
るコロナ放電器(コロトロン・スコロトロン)が広く利
用されている。
しかしコロナの放電器はコロナ放電に伴ないオゾン(O
S)の発生をみる0発生オゾンは空気中の窒素を酸化し
て窒素酸化物(No、)等を生成する。更にはその生成
窒素酸化物等は空気中の水分と反応して硝酸(HNCh
)などを生じさせる。
S)の発生をみる0発生オゾンは空気中の窒素を酸化し
て窒素酸化物(No、)等を生成する。更にはその生成
窒素酸化物等は空気中の水分と反応して硝酸(HNCh
)などを生じさせる。
コロナ生成物は吸湿性が強く、その付着を生じた像担持
体面は付着コロナ生成物の吸湿による低抵抗化によって
表面の電荷保持能力(表面抵抗)が全面的に或いは部分
面的に実質的に低下した状態になりやすく、その結果と
して出力画像の画像ボケやいわゆる画像流れ(像担持体
面の電荷が面方向に移動(リーク)して静電荷潜像パタ
ーンが崩れる或いは形成されなレリ等の現象をみる。
体面は付着コロナ生成物の吸湿による低抵抗化によって
表面の電荷保持能力(表面抵抗)が全面的に或いは部分
面的に実質的に低下した状態になりやすく、その結果と
して出力画像の画像ボケやいわゆる画像流れ(像担持体
面の電荷が面方向に移動(リーク)して静電荷潜像パタ
ーンが崩れる或いは形成されなレリ等の現象をみる。
このような画像流れを防止するために感光体の内面に加
熱ヒーターを設けることにより、感光体表面を加温乃至
加熱して乾燥状態に保たせることにより付着コロナ生成
物の吸湿にょる感光体面の実質的な低抵抗化を抑制する
。これはがなり効果的な手段であるが、しばしば画像流
れ現象を発生させてしまう問題点があった。
熱ヒーターを設けることにより、感光体表面を加温乃至
加熱して乾燥状態に保たせることにより付着コロナ生成
物の吸湿にょる感光体面の実質的な低抵抗化を抑制する
。これはがなり効果的な手段であるが、しばしば画像流
れ現象を発生させてしまう問題点があった。
〔発明の目的]
本発明は上記従来技術の欠点を克服すべく成されたもの
であって、白黒の画像形成の際に、良好な画像形成品質
を有する低消費電力型の高速画像形成方法を提供するこ
とを目的とする。さらに現像器を複数個有する低消費電
力型の多色画像形成装置においても良好な画像品質を得
ることのできる画像形成方法を提供することを目的とす
る0本発明のさらに具体的目的は消費電力を増加させる
ことなく赤再現性の向上を図り、オフィスで必須の朱肉
による印鑑を含む原稿の良好な赤再現性をもたらし、望
ましくないゴーストの生起のない高速複写画像形成及び
、多色複写画像形成が得られるようにするものである。
であって、白黒の画像形成の際に、良好な画像形成品質
を有する低消費電力型の高速画像形成方法を提供するこ
とを目的とする。さらに現像器を複数個有する低消費電
力型の多色画像形成装置においても良好な画像品質を得
ることのできる画像形成方法を提供することを目的とす
る0本発明のさらに具体的目的は消費電力を増加させる
ことなく赤再現性の向上を図り、オフィスで必須の朱肉
による印鑑を含む原稿の良好な赤再現性をもたらし、望
ましくないゴーストの生起のない高速複写画像形成及び
、多色複写画像形成が得られるようにするものである。
〔発明の構成・効果]
本発明は、次の2つの発明を包含する。即ち、第1の発
明は、次のとおりのものである。
明は、次のとおりのものである。
基体上に、シリコン原子と水素原子を含む非晶質材料か
らなる光導電層、およびシリコン原子と炭素原子、水素
原子を含む非晶質材料からなる表面保護層を順次積層し
てなるアモルファスシリコン系感光体を用いる電子写真
装置における画像形成方法において、 前記光導電層として、その屈折率(n)を3.2〜3.
5、 表面保護層として、その屈折率(n)を1.9〜2.3
、かつ膜厚(d) (オングストローム)の値が、40
00〜10000.かつ、下記の式におけるり、〜D!
の範囲、D、〜D4の範囲、D。
らなる光導電層、およびシリコン原子と炭素原子、水素
原子を含む非晶質材料からなる表面保護層を順次積層し
てなるアモルファスシリコン系感光体を用いる電子写真
装置における画像形成方法において、 前記光導電層として、その屈折率(n)を3.2〜3.
5、 表面保護層として、その屈折率(n)を1.9〜2.3
、かつ膜厚(d) (オングストローム)の値が、40
00〜10000.かつ、下記の式におけるり、〜D!
の範囲、D、〜D4の範囲、D。
〜D、の範囲、D、〜D、の範囲、D9〜D10の範囲
の非晶質材料を用い、画像形成光線としてハロゲンラン
プを光源とする400〜700nmの連続した波長の光
を用い、前記感光体のクリーニング手段としてマグネッ
トローラーを用い、450鶴/sec、以上のプロセス
スピードで画像形成することを特徴とする電子写真装置
における画像形成方法として適用することを特徴とする
ものである。
の非晶質材料を用い、画像形成光線としてハロゲンラン
プを光源とする400〜700nmの連続した波長の光
を用い、前記感光体のクリーニング手段としてマグネッ
トローラーを用い、450鶴/sec、以上のプロセス
スピードで画像形成することを特徴とする電子写真装置
における画像形成方法として適用することを特徴とする
ものである。
D@ =AIIX n + Bm (k−1〜10
):赤再現性臨界膜厚の屈折率依存直線 Ak稔−a*X0.462 60 :上記直線の傾き Bh −1,924×ak + 120:上記直線のり
、切片 但し、 al = 4300 8t −5100as =
5700 am −65002s ” ?200
am = 80008ff −8600am =
9400a?−toooo ale−10800
第2の発明は、基体上に、シリコン原子と水素原子を含
む非晶質材料からなる光導電層、およびシリコン原子と
炭素原子、水素原子を含む非晶質材料からなる表面保護
層を順次積層してなるアモルファスシリコン系感光体を
用いる電子写真装置における画像形成方法において、 前記光導電層として、その屈折率(n)を3.2〜3.
5、 表面保護層として、その屈折率(n)を1.9〜2.3
、かつ膜厚(d)(オングストローム)の値が4000
〜10000かっ、下記の式におけるり。
):赤再現性臨界膜厚の屈折率依存直線 Ak稔−a*X0.462 60 :上記直線の傾き Bh −1,924×ak + 120:上記直線のり
、切片 但し、 al = 4300 8t −5100as =
5700 am −65002s ” ?200
am = 80008ff −8600am =
9400a?−toooo ale−10800
第2の発明は、基体上に、シリコン原子と水素原子を含
む非晶質材料からなる光導電層、およびシリコン原子と
炭素原子、水素原子を含む非晶質材料からなる表面保護
層を順次積層してなるアモルファスシリコン系感光体を
用いる電子写真装置における画像形成方法において、 前記光導電層として、その屈折率(n)を3.2〜3.
5、 表面保護層として、その屈折率(n)を1.9〜2.3
、かつ膜厚(d)(オングストローム)の値が4000
〜10000かっ、下記の式におけるり。
〜D家の範囲、D、〜D、の範囲、Di−D、の範囲、
D、〜D、の範囲、D、〜貼、の範囲の非晶質材料を用
い、画像形成光線としてハロゲンランプを光源とする4
00〜700nmの連続した波長の光を用い、前記感光
体のクリーニング手段としてマグネットローラーを用い
、複数の現像器を有して画像形成することを特徴とする
電子写真装置における画像形成方法として適用すること
を特徴とするものである。
D、〜D、の範囲、D、〜貼、の範囲の非晶質材料を用
い、画像形成光線としてハロゲンランプを光源とする4
00〜700nmの連続した波長の光を用い、前記感光
体のクリーニング手段としてマグネットローラーを用い
、複数の現像器を有して画像形成することを特徴とする
電子写真装置における画像形成方法として適用すること
を特徴とするものである。
D @ = A * x n + B * (k =
1〜10 ):赤再現性臨界膜厚の屈折率依存直線 Ah −am Xo、462 60 二上記直線の傾き B6=1,924xam +120 :上記直線のD1切片 但し、 al = 4300 at = 5100as
= 5700 a4− 6500as” 72
00 a、士 8000、J = 8600 a
、= 940089 =10000 ata=10
800このように構成することによって、アモルファス
シリコン系感光体の表面保護層を摩耗減少させることな
く、また、電子写真装置側のレンズに内蔵し、た長波カ
ントフィルターに全てを鯨ることなく、前記表面保護層
を長波長カットフィルターとして機能させ、消費電力の
許容範囲を越えることなく、朱肉などに代表される赤再
現性を向上させ、同時に望ましくないゴーストの生起の
無い複写画像をプロセススピード450 fi/see
、以上の高速処理電子写真装置にて得ることが可能とす
ることができる。
1〜10 ):赤再現性臨界膜厚の屈折率依存直線 Ah −am Xo、462 60 二上記直線の傾き B6=1,924xam +120 :上記直線のD1切片 但し、 al = 4300 at = 5100as
= 5700 a4− 6500as” 72
00 a、士 8000、J = 8600 a
、= 940089 =10000 ata=10
800このように構成することによって、アモルファス
シリコン系感光体の表面保護層を摩耗減少させることな
く、また、電子写真装置側のレンズに内蔵し、た長波カ
ントフィルターに全てを鯨ることなく、前記表面保護層
を長波長カットフィルターとして機能させ、消費電力の
許容範囲を越えることなく、朱肉などに代表される赤再
現性を向上させ、同時に望ましくないゴーストの生起の
無い複写画像をプロセススピード450 fi/see
、以上の高速処理電子写真装置にて得ることが可能とす
ることができる。
また、同様に構成することによって、アモルファスシリ
コン系感光体の表面保護層を摩耗減少させることなく、
また、電子写真装置側のレンズに内蔵した長波カントフ
ィルターに全てを頼ることなく、前記表面保護層を長波
長カントフィルターとして機能させ、消費電力の許容範
囲を越えることなく、朱肉などに代表される赤再現性を
向上させ、同時に望ましくないゴーストの生起の無い複
写画像を複数の現像器を有するモノカラー多色処理電子
写真装置にて得ることが可能とすることができる。
コン系感光体の表面保護層を摩耗減少させることなく、
また、電子写真装置側のレンズに内蔵した長波カントフ
ィルターに全てを頼ることなく、前記表面保護層を長波
長カントフィルターとして機能させ、消費電力の許容範
囲を越えることなく、朱肉などに代表される赤再現性を
向上させ、同時に望ましくないゴーストの生起の無い複
写画像を複数の現像器を有するモノカラー多色処理電子
写真装置にて得ることが可能とすることができる。
以下18本発明を図面及び種々の実験例に基づき更に具
体的に説明する。本発明に用いる代表的なアモルファス
シリコン感光体の模式的断面図を第1表に示す。
体的に説明する。本発明に用いる代表的なアモルファス
シリコン感光体の模式的断面図を第1表に示す。
図において101は、AIl等の導電性支持体を示して
いる。102は、支持体からの電荷の注入を阻止するた
めの、0.01〜100μmのIIWFJを有し、シリ
コン原子を母体とする非晶質材料からなる、電荷注入阻
止層(以後rA−3iJと略記する)、103は光照射
により電子と正孔を発生し、画像情報を電位情報に変換
するための、1〜100μmの膜厚を有し、屈折率3.
2〜3.5の少なくとも水素を含むシリコン原子を母体
とする非晶質材料からなる光導電層(以後、rA−3l
:H」と略記する)、104は、現像剤、転写紙、クリ
ーニング装置等による摩擦等から光導電層を保護し、か
つ表面から光導電層への電荷注入防止をするための表面
保護層を示しており、光導電層への優れた透光性を持ち
、機械的強度、上部からの電荷の注入防止等に優れた、
シリコン原子、炭素原子、水素原子を含む非晶質材料か
らなり、かつ4000〜10000オングストローム(
0,4〜1μm)の膜厚を有し、屈折率1.9〜2.3
の表面保護層(以後、rA−3iC: HJと略記する
)を示している。
いる。102は、支持体からの電荷の注入を阻止するた
めの、0.01〜100μmのIIWFJを有し、シリ
コン原子を母体とする非晶質材料からなる、電荷注入阻
止層(以後rA−3iJと略記する)、103は光照射
により電子と正孔を発生し、画像情報を電位情報に変換
するための、1〜100μmの膜厚を有し、屈折率3.
2〜3.5の少なくとも水素を含むシリコン原子を母体
とする非晶質材料からなる光導電層(以後、rA−3l
:H」と略記する)、104は、現像剤、転写紙、クリ
ーニング装置等による摩擦等から光導電層を保護し、か
つ表面から光導電層への電荷注入防止をするための表面
保護層を示しており、光導電層への優れた透光性を持ち
、機械的強度、上部からの電荷の注入防止等に優れた、
シリコン原子、炭素原子、水素原子を含む非晶質材料か
らなり、かつ4000〜10000オングストローム(
0,4〜1μm)の膜厚を有し、屈折率1.9〜2.3
の表面保護層(以後、rA−3iC: HJと略記する
)を示している。
このようなアモルファスシリコン系感光体はいずれもシ
ラン系の原料ガスを用いて、高周波やマイクロ波を原料
ガスの分解エネルギー源として用いたプラズマCVD法
により形成される。
ラン系の原料ガスを用いて、高周波やマイクロ波を原料
ガスの分解エネルギー源として用いたプラズマCVD法
により形成される。
上記、本発明の構成要素であるA−3i C: Hは、
その屈折率(n)が1.9〜2゜3となるように、また
、膜厚(d)が前記関係式を満たす範囲となり、かつ、
その絶対値が4000〜10000オングストロームと
なるように光導電層上に形成される。
その屈折率(n)が1.9〜2゜3となるように、また
、膜厚(d)が前記関係式を満たす範囲となり、かつ、
その絶対値が4000〜10000オングストロームと
なるように光導電層上に形成される。
本発明のアモルファスシリコン系感光体をセントして用
いる電子写真複写装置の一例である模式的断面図を第2
図+a+及び第2図世)に示す。
いる電子写真複写装置の一例である模式的断面図を第2
図+a+及び第2図世)に示す。
図において、201は感光体ヒーター(図示せず)を内
蔵した感光ドラム、202は主帯電器、203は静電潜
像形成部位、204は現像器、204−1は第1の現像
器、204−2は第2の現像器をそれぞれ示し、それぞ
れ色の異なる現像剤を有したものである。205は転写
紙給送系、206 (alは転写帯電器、206 ib
)は分離帯電器、207はクリーナー、20日は転写紙
搬送系、209は除電光源、2)0はハロゲンランプ・
蛍光灯等の光源、2)1は光源台、2)2は原稿、2)
3〜2)6はミラー系、2)7はフィルター2)8を内
蔵したレンズ系、2)9は転写紙通路、220はマグネ
ットローラー、22)はクリーニングブレード、222
はレジストローラ、223,224は定着器、225は
転写材Pの搬送方向を変えるためのフランパー、226
゜228は第1色目の現像、転写、定着が終了Cた転写
材Pを再び転写紙給送系205に転送するためのローラ
ー、227は上記転送用の搬送系、229は色分けをす
るに際し、現像不要な部分の潜像を除去する機能を有す
るブランク露光用光源をそれぞれ示す。
蔵した感光ドラム、202は主帯電器、203は静電潜
像形成部位、204は現像器、204−1は第1の現像
器、204−2は第2の現像器をそれぞれ示し、それぞ
れ色の異なる現像剤を有したものである。205は転写
紙給送系、206 (alは転写帯電器、206 ib
)は分離帯電器、207はクリーナー、20日は転写紙
搬送系、209は除電光源、2)0はハロゲンランプ・
蛍光灯等の光源、2)1は光源台、2)2は原稿、2)
3〜2)6はミラー系、2)7はフィルター2)8を内
蔵したレンズ系、2)9は転写紙通路、220はマグネ
ットローラー、22)はクリーニングブレード、222
はレジストローラ、223,224は定着器、225は
転写材Pの搬送方向を変えるためのフランパー、226
゜228は第1色目の現像、転写、定着が終了Cた転写
材Pを再び転写紙給送系205に転送するためのローラ
ー、227は上記転送用の搬送系、229は色分けをす
るに際し、現像不要な部分の潜像を除去する機能を有す
るブランク露光用光源をそれぞれ示す。
第2図(a)の構成の電子写真複写装置は白黒の画像を
得るためにプロセススピード450M/sec。
得るためにプロセススピード450M/sec。
以上に対応した回転速度で感光ドラム201の回転が可
能となっている。また、第2図世8)、第2図世)の構
成の電子写真複写装置はハロゲンランプ・蛍光灯等の光
a2)oより発した光を原稿2)2叫照射し、その反射
光をミラー系2)3〜2)6、フィルター2)8を内蔵
したレンズ系2)7を介して感光体に投影される画像形
成用光源の波長域が400〜700nmとなるように調
整可能となっている。
能となっている。また、第2図世8)、第2図世)の構
成の電子写真複写装置はハロゲンランプ・蛍光灯等の光
a2)oより発した光を原稿2)2叫照射し、その反射
光をミラー系2)3〜2)6、フィルター2)8を内蔵
したレンズ系2)7を介して感光体に投影される画像形
成用光源の波長域が400〜700nmとなるように調
整可能となっている。
本発明の構成要素をなす上記マグネットローラーは、例
えば特開昭57−104972号に記載のような、残留
磁性トナーなどの粉体磁性部材がゆるやかに流動性をも
って磁気ブラシの穂立ちを形成しながら保持したもので
あり、 第1にその磁気ブラシが感光体表面を摺擦して被摺擦体
である感光体の表面保護層を摩耗させること無く、オゾ
ン生成物等を除去し、 第2にブレード22)にて、残留性トナーをスクレープ
クリーニングし、次の画像形成工程へ進行するものであ
る。
えば特開昭57−104972号に記載のような、残留
磁性トナーなどの粉体磁性部材がゆるやかに流動性をも
って磁気ブラシの穂立ちを形成しながら保持したもので
あり、 第1にその磁気ブラシが感光体表面を摺擦して被摺擦体
である感光体の表面保護層を摩耗させること無く、オゾ
ン生成物等を除去し、 第2にブレード22)にて、残留性トナーをスクレープ
クリーニングし、次の画像形成工程へ進行するものであ
る。
このようにして、赤再現性向上のために好ましい屈折率
と膜厚に調整された表面保護層104の膜厚を大きく減
少させることなく、オゾン生成物などを除去することが
できるものである。
と膜厚に調整された表面保護層104の膜厚を大きく減
少させることなく、オゾン生成物などを除去することが
できるものである。
一方、例えばシリコンゴム、ウレタンゴム等からなる弾
性ゴムローラーを被摺擦体である感光体の表面保護層に
押圧して研階し、次いでブレードにて残留磁性トナーを
スクレープクリーニングする方式においては、弾性ゴム
ローラー上に残留磁性トナー等が食い込む形でほぼ固定
化され、これが感光体の表面保護層を摺擦するため、強
い研磨力を示し、感光体の表面保護層は摩耗してゆく、
こうして、弾性ゴムローラークリーナーはオゾン生成物
は除去するものの、赤再現性の安定的向上のために不可
欠な表面保護層の膜厚を大きく減少させて赤再現性を悪
いものにしてゆく。
性ゴムローラーを被摺擦体である感光体の表面保護層に
押圧して研階し、次いでブレードにて残留磁性トナーを
スクレープクリーニングする方式においては、弾性ゴム
ローラー上に残留磁性トナー等が食い込む形でほぼ固定
化され、これが感光体の表面保護層を摺擦するため、強
い研磨力を示し、感光体の表面保護層は摩耗してゆく、
こうして、弾性ゴムローラークリーナーはオゾン生成物
は除去するものの、赤再現性の安定的向上のために不可
欠な表面保護層の膜厚を大きく減少させて赤再現性を悪
いものにしてゆく。
他の感光体研磨手段としてファーブラシに研磨剤を含ま
せ被摺擦体である感光体の表面保護層を研磨する手段が
あるが、研磨度合いのコントロールにおいて材質・圧力
等の管理中が狭く、研磨をクリーニングと同時に行うと
いった観点からは不向きな方式である。
せ被摺擦体である感光体の表面保護層を研磨する手段が
あるが、研磨度合いのコントロールにおいて材質・圧力
等の管理中が狭く、研磨をクリーニングと同時に行うと
いった観点からは不向きな方式である。
本発明のマグネットローラー220は、感光体201と
0.5〜1.0fiの距離を隔てて配設され、そのマグ
ネットローラー上に、粉体磁性部材、例えば磁性トナー
等を保持させ、流動性のある、やわらかな穂立ちにより
被摺擦体をゆるやかに研磨し、次いで、ブレードにて残
留磁性トナーをスクレープクリーニングする方式におい
て、摩耗を防止しかつオゾン生成物等を除去し、画像流
れの防止も達成することができる。
0.5〜1.0fiの距離を隔てて配設され、そのマグ
ネットローラー上に、粉体磁性部材、例えば磁性トナー
等を保持させ、流動性のある、やわらかな穂立ちにより
被摺擦体をゆるやかに研磨し、次いで、ブレードにて残
留磁性トナーをスクレープクリーニングする方式におい
て、摩耗を防止しかつオゾン生成物等を除去し、画像流
れの防止も達成することができる。
また、−成分磁性トナーを用いる本発明に関わる電子写
真装置においては残留性トナーを捕集し、粉体磁性部材
として使用することが可能であり経済的にも好ましい形
態である。
真装置においては残留性トナーを捕集し、粉体磁性部材
として使用することが可能であり経済的にも好ましい形
態である。
本発明の白黒画像形成において電子写真画像形成プロセ
スは、上記のような構成のアモルファスシリコン系感光
体を用い、第2図(Mlのような構成の装置により、以
下のようにして行われる。
スは、上記のような構成のアモルファスシリコン系感光
体を用い、第2図(Mlのような構成の装置により、以
下のようにして行われる。
まず、所定の450 m/sec、以上のプロセススピ
ードに対応した回転速度で感光体201を回転させ、該
感光体上に、+6〜8kVの高電圧を印加した主帯電器
202によって−様なコロナ帯電を行う。
ードに対応した回転速度で感光体201を回転させ、該
感光体上に、+6〜8kVの高電圧を印加した主帯電器
202によって−様なコロナ帯電を行う。
次に50〜80V、150〜350Wハロゲンランプの
光源2)0により発した光をプラテンガラス2)1上の
原稿2)2に照射しその反射光をミラー系2)3〜2)
G、フィルター2)8を内蔵したレンズ系2)7を介し
て500〜700nmの波長となるように調整した後感
光体表面上に導き投影して感光体上に静電潜像を形成す
る。
光源2)0により発した光をプラテンガラス2)1上の
原稿2)2に照射しその反射光をミラー系2)3〜2)
G、フィルター2)8を内蔵したレンズ系2)7を介し
て500〜700nmの波長となるように調整した後感
光体表面上に導き投影して感光体上に静電潜像を形成す
る。
この潜像に現像器204からネガ極性トナーを供給して
トナー像を形成する。一方転写紙通路2)9レジストロ
ーラー222よりなる転写紙給送系205を通って感光
体方向に供給される転写材Pは、+7〜8kVの高電圧
を印加した転写帯電器206 (alと感光体201の
間隙において背面から、トナーとは反対極性の正電界を
与えられ、これによって感光体表面のトナー像は、転写
材Pに転移する。12〜14kVp−p、300〜60
0 Hzの高圧AC電圧を印加した分離帯電器206
(blにより分離された転写材Pは、転写紙搬送系20
8をとおって定着装置1(不図示)に至ってトナー像は
定着されて装置外に排出される。
トナー像を形成する。一方転写紙通路2)9レジストロ
ーラー222よりなる転写紙給送系205を通って感光
体方向に供給される転写材Pは、+7〜8kVの高電圧
を印加した転写帯電器206 (alと感光体201の
間隙において背面から、トナーとは反対極性の正電界を
与えられ、これによって感光体表面のトナー像は、転写
材Pに転移する。12〜14kVp−p、300〜60
0 Hzの高圧AC電圧を印加した分離帯電器206
(blにより分離された転写材Pは、転写紙搬送系20
8をとおって定着装置1(不図示)に至ってトナー像は
定着されて装置外に排出される。
本発明の他の電子写真画像形成プロセスは、上記のよう
な構成のアモルファスシリコン系感光体を用い、第2図
(blのような構成の装置により、以下のようにして行
われる。
な構成のアモルファスシリコン系感光体を用い、第2図
(blのような構成の装置により、以下のようにして行
われる。
まず、所定のプロセススピードに対応した回転速度で感
光体201を回転させ、該感光体上に、+6〜8kVの
高電圧を印加した主帯電器202によって−様なコロナ
帯電を行う。
光体201を回転させ、該感光体上に、+6〜8kVの
高電圧を印加した主帯電器202によって−様なコロナ
帯電を行う。
次に50〜80v2)50〜350Wハロゲンランプの
光i1[2)0により発した光をプラテンガラス2)1
上の原稿2)2に照射しその反射光をミラー系2)3〜
2)6、フィルター2)8を内蔵したレンズ系2)7を
介して500〜700nmの波長となるように調整した
後感光体表面上に導き投影して感光体上に静電潜像を形
成する。
光i1[2)0により発した光をプラテンガラス2)1
上の原稿2)2に照射しその反射光をミラー系2)3〜
2)6、フィルター2)8を内蔵したレンズ系2)7を
介して500〜700nmの波長となるように調整した
後感光体表面上に導き投影して感光体上に静電潜像を形
成する。
次に、あらかじめなされているデジタイザー(図示せず
)による色分は領域の指定信号を受けてブランク露光源
229が点灯し、第1色目の現像にとって不要な部分の
潜像が消去される。残された潜像に第1の現像器204
−1から黒トナーを供給してトナー像を形成する。一方
、通路(転写紙給送系)2)9、レジストローラ222
を通って感光体方向に供給される転写材Pは、+7〜8
kVの高電圧を印加した転写帯電器206 +a)と感
光体201の間隙において背面から、トナーとは反対極
性の電界を与えられ、これによって感光体表面のトナー
像は、転写材に転移する。12〜14kVp−p、30
0〜600Hzの高圧AC電圧を印加した分離帯電器2
06(blにより分離された転写材Pは、搬送路208
をとおって定着器223.224に至ってトナー像が定
着された後フランパー225により下方向に搬送方向を
変えられて、ローラー226、搬送系227、及びロー
ラー228を通されて再び転写紙給送系205に転送さ
れる。この間に感光体には、前記と同様のプロセスに従
って前記第1色目の画像領域以外の部分に第2色目の潜
像が形成され、第2の現像器204−2により、色トナ
ーが現像されており、前述のプロセスにより再度転送さ
れてきた転写材P上に前述と同様にして第2色目のトナ
ー像が形成される。この後転写材Pは搬送路208をと
おって定着器223,224に至ってトナー像が定着さ
れ、下方向にたおされたフランパー225上を通って装
置外に排出される。
)による色分は領域の指定信号を受けてブランク露光源
229が点灯し、第1色目の現像にとって不要な部分の
潜像が消去される。残された潜像に第1の現像器204
−1から黒トナーを供給してトナー像を形成する。一方
、通路(転写紙給送系)2)9、レジストローラ222
を通って感光体方向に供給される転写材Pは、+7〜8
kVの高電圧を印加した転写帯電器206 +a)と感
光体201の間隙において背面から、トナーとは反対極
性の電界を与えられ、これによって感光体表面のトナー
像は、転写材に転移する。12〜14kVp−p、30
0〜600Hzの高圧AC電圧を印加した分離帯電器2
06(blにより分離された転写材Pは、搬送路208
をとおって定着器223.224に至ってトナー像が定
着された後フランパー225により下方向に搬送方向を
変えられて、ローラー226、搬送系227、及びロー
ラー228を通されて再び転写紙給送系205に転送さ
れる。この間に感光体には、前記と同様のプロセスに従
って前記第1色目の画像領域以外の部分に第2色目の潜
像が形成され、第2の現像器204−2により、色トナ
ーが現像されており、前述のプロセスにより再度転送さ
れてきた転写材P上に前述と同様にして第2色目のトナ
ー像が形成される。この後転写材Pは搬送路208をと
おって定着器223,224に至ってトナー像が定着さ
れ、下方向にたおされたフランパー225上を通って装
置外に排出される。
尚、転写の終了した感光体表面部位は、1回毎に回転に
よりマグネットローラー220、クリーニングブレード
22)装備したクリーナー207に送られて、転写に寄
与しなかった残留トナーのクリーニングが行われ、さら
に除電光源209から除電光を与えられて再び同様のサ
イクルに供せられるところとなる。
よりマグネットローラー220、クリーニングブレード
22)装備したクリーナー207に送られて、転写に寄
与しなかった残留トナーのクリーニングが行われ、さら
に除電光源209から除電光を与えられて再び同様のサ
イクルに供せられるところとなる。
このような一連の画像形成プロセスを用いることにより
多色画像形成用複写装置においても前記A−5i、Cj
H表面保護層を、画像形成光線に対して長波長域カット
フィルターとして作用させ、良好な赤再現性を有する画
像形成を可能にすると同時にマグネットローラーの使用
により表面削れを防止し、長期に亘って前記表面保WL
Nの赤カントフィルターとしての機能を維持させ余計な
電力を要することなく常に一定の赤再現を維持させるこ
とができる。
多色画像形成用複写装置においても前記A−5i、Cj
H表面保護層を、画像形成光線に対して長波長域カット
フィルターとして作用させ、良好な赤再現性を有する画
像形成を可能にすると同時にマグネットローラーの使用
により表面削れを防止し、長期に亘って前記表面保WL
Nの赤カントフィルターとしての機能を維持させ余計な
電力を要することなく常に一定の赤再現を維持させるこ
とができる。
以下実験例により本発明の効果をさらに詳しく説明する
。
。
(実験例1)
表面が鏡面加工された外径φ108鶴、長さ360fi
、厚さ5fiの円筒状Afiシリンダー上にボロンを1
)00Qpp含んだ膜厚3μmのASi電荷注入阻止層
102、このうえに27μmのノンドープA−5i:H
光導電層1o3、更にその上に屈折率(n)=1.9の
A−3iC:H表面保護層104を6000〜1)00
0オングストロームの範囲にわたって変化させて設けた
数本の感光ドラムを用意し、このような感光ドラムを第
2図+alのような模式的断面図を有する複写装置に設
置し、以下のような手順により残留電位の評価を行った
。
、厚さ5fiの円筒状Afiシリンダー上にボロンを1
)00Qpp含んだ膜厚3μmのASi電荷注入阻止層
102、このうえに27μmのノンドープA−5i:H
光導電層1o3、更にその上に屈折率(n)=1.9の
A−3iC:H表面保護層104を6000〜1)00
0オングストロームの範囲にわたって変化させて設けた
数本の感光ドラムを用意し、このような感光ドラムを第
2図+alのような模式的断面図を有する複写装置に設
置し、以下のような手順により残留電位の評価を行った
。
まず、感光ドラムをプロセススピード560鶴/see
、となるように回転させた。
、となるように回転させた。
次に感光体201上に、6〜8kVの高電圧を印加した
主帯電器202によって−様な帯電を施した。以下、前
述の一連の画像形成プロセスのサイクルにおいて、暗部
表面電位の値を現像器204の位置に設置した表面電位
針(モンロー社製Electrostatic Vol
tmeter、 Model 244)により測定し
、この値が400■であることを確認した後主帯電を0
FFL、次回のサイクルの表面電位の値を測定して残留
電位の評価を行った。
主帯電器202によって−様な帯電を施した。以下、前
述の一連の画像形成プロセスのサイクルにおいて、暗部
表面電位の値を現像器204の位置に設置した表面電位
針(モンロー社製Electrostatic Vol
tmeter、 Model 244)により測定し
、この値が400■であることを確認した後主帯電を0
FFL、次回のサイクルの表面電位の値を測定して残留
電位の評価を行った。
結果を第4図18+に示す、第4図(a)かられかるよ
うに、残留電位はA−3iC:H表面保護層の膜厚が1
0000オングストローム以上になると急激に増加し、
実用的ではなくなることが判明した。
うに、残留電位はA−3iC:H表面保護層の膜厚が1
0000オングストローム以上になると急激に増加し、
実用的ではなくなることが判明した。
(実験例2)
A−5轟C:H表面保護層の屈折率をn=1.8〜2.
3の範囲で変化させ、その膜厚を3500〜10000
オングストロームの範囲で変化させた以外は実験例1と
同様の感光ドラムを数本用意し、クリーニングローラー
としてマグネットローラー及び弾性ゴムローラーを用い
て、第2図ta+のような模式的断面図を有する複写装
置に設置し、前述のような電子写真プロセスを間欠モー
ド(A4サイズのコピーを1枚とっては休む、を繰り返
すモード)で行い、50万枚目に全面中間調画像をとっ
て画像ムラが発生しているかどうかのチエツクを行って
、画像ムラ発生の評価を行った。その結果を第1表に示
す、第1表かられかる通り、クリーニングローラーとし
てマグネットローラーを用い、表面保護層の膜厚として
4000オングストロ一ム以上のものを用いる場合にお
いて望ましい結果が得られることが判明した。この際、
どちらの画像にも画像流れの発生はなかった。また、マ
グネットローラーによる研磨量は10万枚につきほとん
ど認められないのに対し、弾性ゴムローラーは300〜
1000オングストロームであった。
3の範囲で変化させ、その膜厚を3500〜10000
オングストロームの範囲で変化させた以外は実験例1と
同様の感光ドラムを数本用意し、クリーニングローラー
としてマグネットローラー及び弾性ゴムローラーを用い
て、第2図ta+のような模式的断面図を有する複写装
置に設置し、前述のような電子写真プロセスを間欠モー
ド(A4サイズのコピーを1枚とっては休む、を繰り返
すモード)で行い、50万枚目に全面中間調画像をとっ
て画像ムラが発生しているかどうかのチエツクを行って
、画像ムラ発生の評価を行った。その結果を第1表に示
す、第1表かられかる通り、クリーニングローラーとし
てマグネットローラーを用い、表面保護層の膜厚として
4000オングストロ一ム以上のものを用いる場合にお
いて望ましい結果が得られることが判明した。この際、
どちらの画像にも画像流れの発生はなかった。また、マ
グネットローラーによる研磨量は10万枚につきほとん
ど認められないのに対し、弾性ゴムローラーは300〜
1000オングストロームであった。
上記実験例1及び実験例2から、クリーニングローラー
としてマグネットローラーを用いA−3iC:H表面保
護層として、4000〜10000オングストロームの
膜厚のものを用いることにより、良好な結果が得られる
ことが判明した。
としてマグネットローラーを用いA−3iC:H表面保
護層として、4000〜10000オングストロームの
膜厚のものを用いることにより、良好な結果が得られる
ことが判明した。
(実験例3〉
A−3iC:H表面保護層の屈折率を1.9とし、その
膜厚を5000オングストロームとした以外は実験例1
.2と同様の感光体ドラムを第2図(alのような模式
的断面図を有する複写装置に設置し、ハロゲンランプか
ら発した光をフィルターを用いて400〜600nm、
400〜700nmの波長域となるように変化させた光
と、フィルターを介さず400〜800 nmの波長域
の光を、感光体に露光し、以下のような赤再現性及びゴ
ーストの評価を行った。ここで、感光体への露光に際し
ては、ハロゲンランプの点灯電圧を変化させて適正画像
が得られる点灯電圧を決定し、これによりサンプル画像
形成を行った。
膜厚を5000オングストロームとした以外は実験例1
.2と同様の感光体ドラムを第2図(alのような模式
的断面図を有する複写装置に設置し、ハロゲンランプか
ら発した光をフィルターを用いて400〜600nm、
400〜700nmの波長域となるように変化させた光
と、フィルターを介さず400〜800 nmの波長域
の光を、感光体に露光し、以下のような赤再現性及びゴ
ーストの評価を行った。ここで、感光体への露光に際し
ては、ハロゲンランプの点灯電圧を変化させて適正画像
が得られる点灯電圧を決定し、これによりサンプル画像
形成を行った。
赤再現性の評価方法としては、第5図に示す分光反射率
を有する証券用朱肉と同じ分光反射率を有する赤インク
で反射濃度0.45のφ5fi赤丸が印刷された赤再現
製評価用チ+−)RL−1(部品番号jFY9−909
3) 、及び黒インクによる適正画像評価用チ中−)N
A−7(部品番号:FY9−9060)を用い、NA−
7の左半分をカットし、右半分がNA−7、左半分がR
L−1となるように原稿台上に、NA−7,RL−1の
順に重ねて用い、前述のような一連の電子写真プロセス
で画像形成し、NA−7チヤート中の反射濃度0.3、
φ5論嘗の黒丸が反射濃度0.5にコピーされるときの
RL−1チヤート中の反射濃度0.45、φ5flの赤
丸の画像濃度を評価することにより行った。
を有する証券用朱肉と同じ分光反射率を有する赤インク
で反射濃度0.45のφ5fi赤丸が印刷された赤再現
製評価用チ+−)RL−1(部品番号jFY9−909
3) 、及び黒インクによる適正画像評価用チ中−)N
A−7(部品番号:FY9−9060)を用い、NA−
7の左半分をカットし、右半分がNA−7、左半分がR
L−1となるように原稿台上に、NA−7,RL−1の
順に重ねて用い、前述のような一連の電子写真プロセス
で画像形成し、NA−7チヤート中の反射濃度0.3、
φ5論嘗の黒丸が反射濃度0.5にコピーされるときの
RL−1チヤート中の反射濃度0.45、φ5flの赤
丸の画像濃度を評価することにより行った。
評価の基準としては適正画像において、前述の反射濃度
0.45の赤原稿がコピー上で十分に認識できる画像濃
度(反射濃度0.3程度)になっていれば実使用上の問
題はないと判断した。
0.45の赤原稿がコピー上で十分に認識できる画像濃
度(反射濃度0.3程度)になっていれば実使用上の問
題はないと判断した。
また、ゴーストの評価方法としては、キャノン製ゴース
トテストチャート(部品番号:FY9−9040)と中
間調チャート(部品番号: FY9−9042)を用い
、原稿台上の画像先端位置に、前述ゴーストテストチャ
ートを置きその上に前述中間調チャートを重ねて用い、
中間調上へ現れるゴーストの出方、即ち、ゴーストテス
トチャートの文字がゴーストとして中間副画像上で、明
確に認められるか否かを評価した。
トテストチャート(部品番号:FY9−9040)と中
間調チャート(部品番号: FY9−9042)を用い
、原稿台上の画像先端位置に、前述ゴーストテストチャ
ートを置きその上に前述中間調チャートを重ねて用い、
中間調上へ現れるゴーストの出方、即ち、ゴーストテス
トチャートの文字がゴーストとして中間副画像上で、明
確に認められるか否かを評価した。
こうした評価の過程において、適正画像の得られる点灯
電圧を測定し、電力消費の許容範囲であるか否かを評価
したと−ころ、波長域400〜700nmについては、
第2図(alの電子写真装置において、フィルター2)
8としてフィルターを2枚設け、前述波長域をとるよう
調整したところ、点灯電圧は65Vとなり、消費電力上
許容範囲であった。波長域400〜60 (l nmに
ついては、前述波長域をとるよう、調整するためにフィ
ルターをさらに2枚追加したために、点灯電圧が70V
と高(、より多くの電力を消費してしまい、第2図+a
lの電子写真装置において、総電力1.5kW以内とす
るためには点灯電圧を67V以下にする必要があること
から消費電力において好ましくなかった。一方、長波域
400〜800nmについては、フィルターを用いなか
ったために、点灯電圧が60Vと低く電力消費量は少な
かった。
電圧を測定し、電力消費の許容範囲であるか否かを評価
したと−ころ、波長域400〜700nmについては、
第2図(alの電子写真装置において、フィルター2)
8としてフィルターを2枚設け、前述波長域をとるよう
調整したところ、点灯電圧は65Vとなり、消費電力上
許容範囲であった。波長域400〜60 (l nmに
ついては、前述波長域をとるよう、調整するためにフィ
ルターをさらに2枚追加したために、点灯電圧が70V
と高(、より多くの電力を消費してしまい、第2図+a
lの電子写真装置において、総電力1.5kW以内とす
るためには点灯電圧を67V以下にする必要があること
から消費電力において好ましくなかった。一方、長波域
400〜800nmについては、フィルターを用いなか
ったために、点灯電圧が60Vと低く電力消費量は少な
かった。
以上のような一連の評価から、適正画像を得るための点
灯電圧、赤再現性及びゴーストについて、第2表のよう
な結果が得られた。この結果から、最も赤再現性の良好
かつ感度の良好、即ち点灯電圧が一定レベル以下乃至ハ
ロゲンランプの消費電力が一定レベル以下の、波長領域
は、400〜700nmであるということが判明した。
灯電圧、赤再現性及びゴーストについて、第2表のよう
な結果が得られた。この結果から、最も赤再現性の良好
かつ感度の良好、即ち点灯電圧が一定レベル以下乃至ハ
ロゲンランプの消費電力が一定レベル以下の、波長領域
は、400〜700nmであるということが判明した。
また、ゴーストも赤再現性の良いとき、即ち前述赤再現
性評価において、反射濃度が0.3以上の時に低減して
いることが判明した。
性評価において、反射濃度が0.3以上の時に低減して
いることが判明した。
よって、実験例1. 2. 4. 5において、第9図
に示すような400〜700nmの波長域になるように
ハロゲンランプから発した光をフィルターを用いて調整
を行った。
に示すような400〜700nmの波長域になるように
ハロゲンランプから発した光をフィルターを用いて調整
を行った。
(実験例4〉
A−3i C: H表面保護層の膜厚を4000オング
ストロームとし、炭素含有比率を変え屈折率の値を種々
に変化させた以外は実験例1と同様の感光ドラムを用い
、感光体としての基本特性評価を行った。この際、ビッ
カース硬度はJISで定められた方法で測定し、また残
留電位については実験例1と同様の測定法を用いた。結
果を第6図(jl)に示す、第6図1alかられかる通
り、屈折率1.9未満、即ちシリコンに対する炭素含有
比率の大きい領域では表面硬度が著しく低下し、感光体
としては、長期使用の点で問題のあることが判明した。
ストロームとし、炭素含有比率を変え屈折率の値を種々
に変化させた以外は実験例1と同様の感光ドラムを用い
、感光体としての基本特性評価を行った。この際、ビッ
カース硬度はJISで定められた方法で測定し、また残
留電位については実験例1と同様の測定法を用いた。結
果を第6図(jl)に示す、第6図1alかられかる通
り、屈折率1.9未満、即ちシリコンに対する炭素含有
比率の大きい領域では表面硬度が著しく低下し、感光体
としては、長期使用の点で問題のあることが判明した。
また屈折率2゜3を越えるもの、即ちシリコンに対する
炭素含有比率の少ない領域ではA−34C:H表面保護
層が高抵抗化するため、残留電位(除電工程によって除
電しきれず電位が残ってしまうこと)の増大が生じ、電
子写真装置内で連続使用する場合電位シフトを生ずると
いった欠点があり、感光体としてあまり好ましくないこ
とが判明した。
炭素含有比率の少ない領域ではA−34C:H表面保護
層が高抵抗化するため、残留電位(除電工程によって除
電しきれず電位が残ってしまうこと)の増大が生じ、電
子写真装置内で連続使用する場合電位シフトを生ずると
いった欠点があり、感光体としてあまり好ましくないこ
とが判明した。
(実験gi5>
屈折率(n)が、1.8 、1.9 、2.0 、2.
1 、2.2 。
1 、2.2 。
2.3のA−3iC:H表面保護層を、屈折率(n)が
3.2,3.5の光導電層A−5t:Hの上にそれぞれ
4000.500G、6000,7000.8000.
9000.10000オングストロームの厚さに成膜し
たサンプルを作製し、各膜厚のサンプルを第8図にしめ
ず回転体研磨装M(特開昭62−188665号)によ
り毎分10オングストロームの速度で削り、各々のサン
プルにつき表面保護層を100オングストローム毎の膜
厚に作製した段階で評価に供した。
3.2,3.5の光導電層A−5t:Hの上にそれぞれ
4000.500G、6000,7000.8000.
9000.10000オングストロームの厚さに成膜し
たサンプルを作製し、各膜厚のサンプルを第8図にしめ
ず回転体研磨装M(特開昭62−188665号)によ
り毎分10オングストロームの速度で削り、各々のサン
プルにつき表面保護層を100オングストローム毎の膜
厚に作製した段階で評価に供した。
例えば表面保護718000オングストロームのサンプ
ルについては、まずそのままの8000オングストロー
ムにおける赤再現性とゴーストの生起状況を、第2図(
alのような模式的断面図を有する複写機に設置し、そ
の際追加フィルターを使うことなく、かつハロゲンラン
プからの光の波長を400〜700nmの間に調整し、
点灯電圧を変化させて適正画像が得られる点灯電圧を決
定し、以下前記実験例3と同様の手法で評価に供した後
、該サンプルの表面保護層を前記回転体研磨装置にかけ
て100オングストロームを約10分で削り、7900
オングストロームに調整し、赤再現性とゴースト生起状
況の評価を上記と同様に行った。
ルについては、まずそのままの8000オングストロー
ムにおける赤再現性とゴーストの生起状況を、第2図(
alのような模式的断面図を有する複写機に設置し、そ
の際追加フィルターを使うことなく、かつハロゲンラン
プからの光の波長を400〜700nmの間に調整し、
点灯電圧を変化させて適正画像が得られる点灯電圧を決
定し、以下前記実験例3と同様の手法で評価に供した後
、該サンプルの表面保護層を前記回転体研磨装置にかけ
て100オングストロームを約10分で削り、7900
オングストロームに調整し、赤再現性とゴースト生起状
況の評価を上記と同様に行った。
その後同様にして、該サンプルの表面保護層を前記回転
体研磨装置にかけて100オングストロームずつ削り、
赤再現性とゴースト生起状況の評価を上記と同様に行C
1、これを表面保護層が7100オングストロームにな
るまで繰り返し行った。同様の評価を、そのままの40
00オングストロームの評価のみしか行わない4000
オングストロームのサンプルを除き、5000゜600
0.7000.9000.10000オングストローム
のサンプルについて行った。こうして、4000オング
ストロームから10000オングストロームまで100
オングストローム毎の赤再現性とゴースト生起状況の評
価結果を得た。
体研磨装置にかけて100オングストロームずつ削り、
赤再現性とゴースト生起状況の評価を上記と同様に行C
1、これを表面保護層が7100オングストロームにな
るまで繰り返し行った。同様の評価を、そのままの40
00オングストロームの評価のみしか行わない4000
オングストロームのサンプルを除き、5000゜600
0.7000.9000.10000オングストローム
のサンプルについて行った。こうして、4000オング
ストロームから10000オングストロームまで100
オングストローム毎の赤再現性とゴースト生起状況の評
価結果を得た。
第8図中、810は被加工物であるA−3:C:H表面
保護層、802は研摩テープで結晶SiC粒子が研磨剤
として固着された研磨面を持つラフピングテープLT−
2000(商品名:富士写真フィルム特製)が用いられ
ている。研磨処理に際しては巻き取りローラー806か
ら、おもり805により引っ張られ、被加工物810上
に移動し、圧接手段803により約800gの加重をか
けて研磨する。804はテープ送り速度調節装置である
。
保護層、802は研摩テープで結晶SiC粒子が研磨剤
として固着された研磨面を持つラフピングテープLT−
2000(商品名:富士写真フィルム特製)が用いられ
ている。研磨処理に際しては巻き取りローラー806か
ら、おもり805により引っ張られ、被加工物810上
に移動し、圧接手段803により約800gの加重をか
けて研磨する。804はテープ送り速度調節装置である
。
尚、上述の評価の際、適正画像を得るハロゲンランプの
点灯電圧をあわ垂で評価を行った。その結果、次のこと
が判明した。即ちハロゲンランプの点灯電圧については
何れの場合も消費電力を許容範囲以上に増加させること
なく赤再現性とゴーストの良好な領域を見出す結果を得
た。
点灯電圧をあわ垂で評価を行った。その結果、次のこと
が判明した。即ちハロゲンランプの点灯電圧については
何れの場合も消費電力を許容範囲以上に増加させること
なく赤再現性とゴーストの良好な領域を見出す結果を得
た。
以上の結果を、屈折率(n)が3.2の光導電層を用い
たときの表面保護層の膜厚(d)と屈折率(n)につい
て赤再現性の反射濃度とゴーストの生起状況をまとめて
示したものが第3表、屈折率(n)が3.5の光導電層
を用いたときの表面保護層の膜厚(d)と屈折率(n)
について赤再現性の反射濃度とゴーストの生起状況をま
とめて示したものが第4表である。第3表、第4表の結
果は、おおむね一致した。
たときの表面保護層の膜厚(d)と屈折率(n)につい
て赤再現性の反射濃度とゴーストの生起状況をまとめて
示したものが第3表、屈折率(n)が3.5の光導電層
を用いたときの表面保護層の膜厚(d)と屈折率(n)
について赤再現性の反射濃度とゴーストの生起状況をま
とめて示したものが第4表である。第3表、第4表の結
果は、おおむね一致した。
第3表、第4表に示した赤再現性の結果を表面保護層の
膜厚(d)と屈折率(n)についてまとめて、3次元グ
ラフ化したものが第7図である。
膜厚(d)と屈折率(n)についてまとめて、3次元グ
ラフ化したものが第7図である。
第7図中、各表面保護層の屈折率の実線で示した曲線は
、表面保li層の膜厚に対する赤再現性のプロットを曲
線近イ以したものである。
、表面保li層の膜厚に対する赤再現性のプロットを曲
線近イ以したものである。
第7図から、次のことが判明した。
例えば屈折率が、2.0の時は、4700オングストロ
ーム付近と6100オングストローム付近及び7600
オングストローム付近、9000オングストローム付近
に赤再現性の良好なピークが認められる。
ーム付近と6100オングストローム付近及び7600
オングストローム付近、9000オングストローム付近
に赤再現性の良好なピークが認められる。
4000オングストロームから4300オングストロ一
ム前後、及び5100オングストロ一ム前後から570
0オングストロ一ム前後の膜厚帯、及び6500オング
ストロ一ム前後から7200オングストロ一ム前後の膜
厚帯、及び8000オングストロ一ム前後から8600
オングストロ一ム前後の膜厚帯、及び9400オングス
トロ一ム前後から10000オングストローム前後の膜
厚帯において赤再現性とゴーストの生起の急激な悪化が
認められる。
ム前後、及び5100オングストロ一ム前後から570
0オングストロ一ム前後の膜厚帯、及び6500オング
ストロ一ム前後から7200オングストロ一ム前後の膜
厚帯、及び8000オングストロ一ム前後から8600
オングストロ一ム前後の膜厚帯、及び9400オングス
トロ一ム前後から10000オングストローム前後の膜
厚帯において赤再現性とゴーストの生起の急激な悪化が
認められる。
こうした周期的な傾向は屈折率1.9.及び2.1゜2
.2,2.3においても同様に認められる。
.2,2.3においても同様に認められる。
また、第3表、第4表に示したゴーストの生起状況の結
果から、次のことが判明した。即ち良好な赤再現性をも
たらす条件のもとでは、認識されるゴーストの生起はほ
とんど無かった。
果から、次のことが判明した。即ち良好な赤再現性をも
たらす条件のもとでは、認識されるゴーストの生起はほ
とんど無かった。
これらは、画像形成に悪影響を及ぼすような長波長成分
が、前述良好な赤再現性をもたらす条件における表面保
護層により有効にカットされると考えられる。
が、前述良好な赤再現性をもたらす条件における表面保
護層により有効にカットされると考えられる。
上記実験例5から、画像形成光線としてハロゲンランプ
を光源とする400〜700nmの連続した波長の光を
用い、光導電層としてその屈折率(n)を3.2〜3.
5、表面保護層としてその屈折率(n)を1.8〜2.
3、かつ膜厚(d)(オングストローム)の値が400
0〜10000の範囲において、消費電力を許容範囲以
上に増加させることなく、良好な赤再現性をもたらし、
望ましくないゴーストのない画像を得られる範囲があり
、それは下記の式におけるD1〜Dtの範囲、D。
を光源とする400〜700nmの連続した波長の光を
用い、光導電層としてその屈折率(n)を3.2〜3.
5、表面保護層としてその屈折率(n)を1.8〜2.
3、かつ膜厚(d)(オングストローム)の値が400
0〜10000の範囲において、消費電力を許容範囲以
上に増加させることなく、良好な赤再現性をもたらし、
望ましくないゴーストのない画像を得られる範囲があり
、それは下記の式におけるD1〜Dtの範囲、D。
” D aの範囲、D5〜D&の範囲、D、〜D、の範
囲、D、〜DIGの範囲とほぼ一致する。
囲、D、〜DIGの範囲とほぼ一致する。
DB、=A1 Xn+B++ (k=1〜10):赤
再現性臨界膜厚の屈折率依存直線 Am =−akXo、462 60 :上記直線の傾き B++ −1,924×ak +120:上記直線のり
、切片 但し、 at = 4300 am = 5100a3
= 5700 a4= 6500as =
7200 ah = ’8000a、? = 86
00 8s = 9400at =10000 a
、+=10800これまでの、実験例1から実験例5ま
で−の結果を総合すると、良好な赤再現性をもたらし、
望ましくないゴーストの生起のない画像形成を行うにつ
いての条件は後述する要件を満たすときに達成されるこ
とがわかった。
再現性臨界膜厚の屈折率依存直線 Am =−akXo、462 60 :上記直線の傾き B++ −1,924×ak +120:上記直線のり
、切片 但し、 at = 4300 am = 5100a3
= 5700 a4= 6500as =
7200 ah = ’8000a、? = 86
00 8s = 9400at =10000 a
、+=10800これまでの、実験例1から実験例5ま
で−の結果を総合すると、良好な赤再現性をもたらし、
望ましくないゴーストの生起のない画像形成を行うにつ
いての条件は後述する要件を満たすときに達成されるこ
とがわかった。
即ち、アモルファスシリコン系感光体を用いる電子写真
法による画像形成方法において、該感光体として、 その光導電層が屈折率(n)=3.2〜3.5のアモル
ファスシリコンで構成され、 その表面保護層が屈折率(n>〜1.9〜2.3、かつ
膜厚(d)(オングストローム)−4000〜1000
0、そして、下記の式におけるD1〜D8の範囲、D、
〜D4の範囲、D5〜D6の範囲、D、〜D、の範囲、
Dq −D+。の範囲のアモルファスシリコンで構成さ
れたもの用い、画像形成光線としてハロゲンランプを光
源とする400〜7QQnmの連続した波長の光を用い
、前記感光体のクリーニング手段としてマグネットロー
ラーを用い、450寵/see、以上のプロセススピー
ドで画像形成する場合、優れた効果がもたらされること
が判明した。
法による画像形成方法において、該感光体として、 その光導電層が屈折率(n)=3.2〜3.5のアモル
ファスシリコンで構成され、 その表面保護層が屈折率(n>〜1.9〜2.3、かつ
膜厚(d)(オングストローム)−4000〜1000
0、そして、下記の式におけるD1〜D8の範囲、D、
〜D4の範囲、D5〜D6の範囲、D、〜D、の範囲、
Dq −D+。の範囲のアモルファスシリコンで構成さ
れたもの用い、画像形成光線としてハロゲンランプを光
源とする400〜7QQnmの連続した波長の光を用い
、前記感光体のクリーニング手段としてマグネットロー
ラーを用い、450寵/see、以上のプロセススピー
ドで画像形成する場合、優れた効果がもたらされること
が判明した。
Dl =A* Xn+13+ (k=1〜10):赤
再現性臨界膜厚の屈折率依存直線 Am = ah Xo、462 60:上記直線の傾
き Bh −1,924xam +120 :上記直線のり、切片 am= 5100 a4=6500 a、コ 8000 am−9400 a、寓10000 a、。−10800(実験例6
〉 表面が鏡面加工された外径φ108鶴、長さ360fi
、厚さ5Nの円筒状Ajクシリンダ−上ボロンを1)0
00pp含んだ膜厚3μmのA−3を電荷注入阻止層1
02、このうえに27μmのノンドープA−Si光導電
層103、更にその上に屈折率(n)=1.9のA−S
iC:H表面保護層IQ4を6000〜1)000オン
グストロームの範囲にわたって変化させて設けた数本の
感光ドラムを用意し、このような感光ドラムを第2図山
)のような模式的断面図を有する複写装置に設置し、以
下のような手順により残留電位の評価を行った。
再現性臨界膜厚の屈折率依存直線 Am = ah Xo、462 60:上記直線の傾
き Bh −1,924xam +120 :上記直線のり、切片 am= 5100 a4=6500 a、コ 8000 am−9400 a、寓10000 a、。−10800(実験例6
〉 表面が鏡面加工された外径φ108鶴、長さ360fi
、厚さ5Nの円筒状Ajクシリンダ−上ボロンを1)0
00pp含んだ膜厚3μmのA−3を電荷注入阻止層1
02、このうえに27μmのノンドープA−Si光導電
層103、更にその上に屈折率(n)=1.9のA−S
iC:H表面保護層IQ4を6000〜1)000オン
グストロームの範囲にわたって変化させて設けた数本の
感光ドラムを用意し、このような感光ドラムを第2図山
)のような模式的断面図を有する複写装置に設置し、以
下のような手順により残留電位の評価を行った。
まず、感光ドラムをプロセススピード320m/sec
、となるように回転させた0次に感光体201上に、6
〜8kVの高圧を印加した主帯電器202によって−様
な帯電を施した。このときの暗部表面電位の値を第1の
現像器204−1及び第2の現像器204−2のそれぞ
れの位置に設置した表面電位針により測定し、第1の現
像器位置における表面電位が400Vであることを確認
した後主帯電を0FFL、次回のサイクルの表面電位の
値を前記それぞれの現像器位置で測定して残留電位の評
価を行った。結果を第4図fblに示す。
、となるように回転させた0次に感光体201上に、6
〜8kVの高圧を印加した主帯電器202によって−様
な帯電を施した。このときの暗部表面電位の値を第1の
現像器204−1及び第2の現像器204−2のそれぞ
れの位置に設置した表面電位針により測定し、第1の現
像器位置における表面電位が400Vであることを確認
した後主帯電を0FFL、次回のサイクルの表面電位の
値を前記それぞれの現像器位置で測定して残留電位の評
価を行った。結果を第4図fblに示す。
第49=)かられかるように、残留電位の値はASiC
:H表面像1)5ilの膜厚が10000オングストロ
ームまでは、現像器位置による差の少ない良好な値をと
るが、tooooオングストローム以上になると急激に
増加し、実用的ではなくなることが判明した。
:H表面像1)5ilの膜厚が10000オングストロ
ームまでは、現像器位置による差の少ない良好な値をと
るが、tooooオングストローム以上になると急激に
増加し、実用的ではなくなることが判明した。
(実験例7)
表面保護層の屈折率を(n)=1.8〜2.3の範囲で
変化させ、そのll!厚を3500〜10000オング
ストロームの範囲で変化させた以外は実験例6と同様の
感光ドラムを数本用意し、クリーニングローラーとして
マグネットローラー及び弾性ゴムローラーを用いて、第
2図山)のような模式的断面図を存する複写袋!に設置
し、第1の現像器204−1及び第2の現像器204−
2の両者に同じ黒トナーを用い、両者を交互に用い、前
述のような電子写真画像形成を間欠モード(A4サイズ
のコピーを1枚とっては休む、を繰り返すモード)で行
い、50万枚目に全面中間調画像をとって画像ムラが発
生しているかどうかのチエツクを行って、画像ムラ発生
の評価を行った。
変化させ、そのll!厚を3500〜10000オング
ストロームの範囲で変化させた以外は実験例6と同様の
感光ドラムを数本用意し、クリーニングローラーとして
マグネットローラー及び弾性ゴムローラーを用いて、第
2図山)のような模式的断面図を存する複写袋!に設置
し、第1の現像器204−1及び第2の現像器204−
2の両者に同じ黒トナーを用い、両者を交互に用い、前
述のような電子写真画像形成を間欠モード(A4サイズ
のコピーを1枚とっては休む、を繰り返すモード)で行
い、50万枚目に全面中間調画像をとって画像ムラが発
生しているかどうかのチエツクを行って、画像ムラ発生
の評価を行った。
その結果を第5表に示す、第5表かられかるとおり、ク
リーニングローラーとしてマグネットローラーを用い、
表面保護層の膜厚として4000オングストロ一ム以上
のものを用いる場合において望ましい結果が得られるこ
とが判明した。この際、どちらの画像にも画像流れの発
生はなかった。またマグネットローラーによる研磨量は
、10万枚につき、はとんど認められないのに対して、
弾性ゴムローラーによる研磨量は300〜10000オ
ングストロームであった。
リーニングローラーとしてマグネットローラーを用い、
表面保護層の膜厚として4000オングストロ一ム以上
のものを用いる場合において望ましい結果が得られるこ
とが判明した。この際、どちらの画像にも画像流れの発
生はなかった。またマグネットローラーによる研磨量は
、10万枚につき、はとんど認められないのに対して、
弾性ゴムローラーによる研磨量は300〜10000オ
ングストロームであった。
上記実験例6及び実験例7から、クリーニングローラー
としてマグネットローラーを用い、A−3ICjH表面
保護層として、4000〜10000オングストローム
の膜厚のアモルファスシリコン系感光体を用いることに
より、2種類の現像器を有する複写装置において、良好
な電子写真特性が得られること及びその状態が長期に亘
って維持されることが判明した。
としてマグネットローラーを用い、A−3ICjH表面
保護層として、4000〜10000オングストローム
の膜厚のアモルファスシリコン系感光体を用いることに
より、2種類の現像器を有する複写装置において、良好
な電子写真特性が得られること及びその状態が長期に亘
って維持されることが判明した。
〈実験例8〉
A−3i C: H表面保護層の屈折率を1.9とし、
その膜厚を5000オングストロームとした以外は実験
例6.7と同様の感光体ドラムを第2図(blのような
模式的断面図を有する複写装置に設置し、ハロゲンラン
プから発した光をフィルターを用いて400〜600n
m、400〜700nmの波長域となるように変化させ
た光と、フィルターを介さずに400〜800nmの波
長域の光とを、感光体に露光し、以下のような赤再現性
及びゴーストの評価を行った。ここで、感光体への露光
に際してtよ、ハロゲンランプの点灯電圧を変化させて
適正画像が得られる点灯電圧を決定し、これによりサン
プル画像形成を行った。
その膜厚を5000オングストロームとした以外は実験
例6.7と同様の感光体ドラムを第2図(blのような
模式的断面図を有する複写装置に設置し、ハロゲンラン
プから発した光をフィルターを用いて400〜600n
m、400〜700nmの波長域となるように変化させ
た光と、フィルターを介さずに400〜800nmの波
長域の光とを、感光体に露光し、以下のような赤再現性
及びゴーストの評価を行った。ここで、感光体への露光
に際してtよ、ハロゲンランプの点灯電圧を変化させて
適正画像が得られる点灯電圧を決定し、これによりサン
プル画像形成を行った。
赤再現性の評価方法としては、第5図に示す分光反射率
を有する証券用朱肉と同じ分光反射率を有する赤インク
で反射濃度0.45のφ5fi赤丸が印刷された赤再現
性評価用チャートRL−1(部品番号:FY9−909
3)と黒インクによる適性画像評価用チャー)NA−7
(部品番号;FY9−9060)を用い、前述のような
一連の電子写真プロセスにおいて、帯電能及び潜像形成
露光量が相当量増加していることから、赤再現性の点で
より厳しい状況にある第1の現像器204−1を用いて
画像形成を行う。
を有する証券用朱肉と同じ分光反射率を有する赤インク
で反射濃度0.45のφ5fi赤丸が印刷された赤再現
性評価用チャートRL−1(部品番号:FY9−909
3)と黒インクによる適性画像評価用チャー)NA−7
(部品番号;FY9−9060)を用い、前述のような
一連の電子写真プロセスにおいて、帯電能及び潜像形成
露光量が相当量増加していることから、赤再現性の点で
より厳しい状況にある第1の現像器204−1を用いて
画像形成を行う。
例えば、NA−7の右半分のみをコピーし、左半分はブ
ランク露光229によって消去する。次いで、搬送系2
27を通って再給紙された転写紙にRL−1の左半分の
みをコピーし、右半分はブランク露光229によって消
去する。こうして右半分がNA−7、左半分がRL−1
のサンプル画像が得られる。
ランク露光229によって消去する。次いで、搬送系2
27を通って再給紙された転写紙にRL−1の左半分の
みをコピーし、右半分はブランク露光229によって消
去する。こうして右半分がNA−7、左半分がRL−1
のサンプル画像が得られる。
このサンプル画像において、NA−7チヤ一ト部の反射
濃度0.3、φ5fiの黒丸が反射濃度0.5にコピー
されるときのRL−1チヤート中の反射濃度0.45、
φ5fiの赤丸の画像濃度を評価することにより行った
。
濃度0.3、φ5fiの黒丸が反射濃度0.5にコピー
されるときのRL−1チヤート中の反射濃度0.45、
φ5fiの赤丸の画像濃度を評価することにより行った
。
評価の基準としては適性画像において、前述の反射濃度
0.45の赤原稿がコピー上で十分に認識できる画像濃
度(反射濃度0.3程度)になっていれば実使用上の問
題はないと判断した。
0.45の赤原稿がコピー上で十分に認識できる画像濃
度(反射濃度0.3程度)になっていれば実使用上の問
題はないと判断した。
また、ゴーストの評価方法としては、キャノン製ゴース
トテストチャート(部品番号:FY9−9040)と中
間調チャート(部品番号:FY9−9042)を用い、
原稿台上の画像先端位置に前述ゴーストテストチャート
を置き、そのうえに前述中間調チャートを重ねて用い、
中間調上へ現れるゴーストの出方、即ち、ゴーストテス
トチャートの文字がゴーストとして中間調画像上で、明
確に認められるか否かを評価した。
トテストチャート(部品番号:FY9−9040)と中
間調チャート(部品番号:FY9−9042)を用い、
原稿台上の画像先端位置に前述ゴーストテストチャート
を置き、そのうえに前述中間調チャートを重ねて用い、
中間調上へ現れるゴーストの出方、即ち、ゴーストテス
トチャートの文字がゴーストとして中間調画像上で、明
確に認められるか否かを評価した。
こうした評価の過程において、適正画像の得られる点t
r電圧を測定し、電力消費の許容範囲であるか否かを評
価したところ、波長域400〜700nmについては、
第2図山)図の電子写真装置において、フィルター2)
8としてフィルターを2枚設け、前述波長域をとるよう
調整したところ、点灯電圧は65Vとなり、消費電力上
許容範囲であった。波長域400〜600 nmについ
ては、前述波長域をとるよう、調整するためにフィルタ
ーをさらに2枚追加したために、点灯電圧がTOYと高
く、より多くの電力を消費してしまい、第2図伽)の電
子写真装置において、総電力1.5kW以内とするため
には点灯電圧を67V以下にする必要があることから消
費電力において好ましくなかった。一方、波長域400
〜800nmについては、フィルターを用いなかったた
めに、点灯電圧が60Vと低く電力消費量は少なかった
・ 以上のような一連の評価から、適正画像を得るための点
灯電圧、赤再現性及びゴーストについて、第2表のよう
な結果が得られた。この結果から、最も赤再現性の良好
かつ感度の良好、即ち点灯電圧が一定レベル以下乃至ハ
ロゲンランプの消費電力が一定レベル以下の、波長領域
は、400〜700 nmであるということが判明した
。
r電圧を測定し、電力消費の許容範囲であるか否かを評
価したところ、波長域400〜700nmについては、
第2図山)図の電子写真装置において、フィルター2)
8としてフィルターを2枚設け、前述波長域をとるよう
調整したところ、点灯電圧は65Vとなり、消費電力上
許容範囲であった。波長域400〜600 nmについ
ては、前述波長域をとるよう、調整するためにフィルタ
ーをさらに2枚追加したために、点灯電圧がTOYと高
く、より多くの電力を消費してしまい、第2図伽)の電
子写真装置において、総電力1.5kW以内とするため
には点灯電圧を67V以下にする必要があることから消
費電力において好ましくなかった。一方、波長域400
〜800nmについては、フィルターを用いなかったた
めに、点灯電圧が60Vと低く電力消費量は少なかった
・ 以上のような一連の評価から、適正画像を得るための点
灯電圧、赤再現性及びゴーストについて、第2表のよう
な結果が得られた。この結果から、最も赤再現性の良好
かつ感度の良好、即ち点灯電圧が一定レベル以下乃至ハ
ロゲンランプの消費電力が一定レベル以下の、波長領域
は、400〜700 nmであるということが判明した
。
また、ゴーストも赤再現性の良いとき、即ち前述赤再現
性評価において、反射濃度が0゜3以上の時に、低減し
ていることが判明した。
性評価において、反射濃度が0゜3以上の時に、低減し
ていることが判明した。
よって、実験例6.7.9.10において、第9図に示
すような400〜700nmの波長域になるようにハロ
ゲンランプから発した光をフィルターを用いて調整を行
った。
すような400〜700nmの波長域になるようにハロ
ゲンランプから発した光をフィルターを用いて調整を行
った。
(実験例9)
A−3iC:H表面保護層の膜厚を4000オングスト
ロームとし、炭素含有比率を変え屈折率の値を種々に変
化させた以外は実験例6と同様の感光ドラムを用い、感
光体としての基本特性評価を行った。この際、ビッカー
ス硬度はJISで定められた方法で測定し、また残留電
位については実験例6と同様の測定法を用いた。
ロームとし、炭素含有比率を変え屈折率の値を種々に変
化させた以外は実験例6と同様の感光ドラムを用い、感
光体としての基本特性評価を行った。この際、ビッカー
ス硬度はJISで定められた方法で測定し、また残留電
位については実験例6と同様の測定法を用いた。
結果を第6図(blに示す、第6図山)かられかるとお
り、屈折率1.9未満、即ちシリコンに対する炭素含有
比率の大きい領域では表面硬度が著しく低下し、感光体
としては、長期使用の点で問題のあることが判明した。
り、屈折率1.9未満、即ちシリコンに対する炭素含有
比率の大きい領域では表面硬度が著しく低下し、感光体
としては、長期使用の点で問題のあることが判明した。
また屈折率2.3を越えるもの、即ちシリコンに対する
炭素含有比率の少ない領域ではA−3iC:H表面保護
層が高抵抗化するため、残留電位(除電工程によって除
電しきれず電位が残ってしまうこと)の増大が生じ、電
子写真装置内で連続使用する場合電位シフトを生ずると
いった欠点があり、感光体としてあまり好ましくないこ
とが判明した。
炭素含有比率の少ない領域ではA−3iC:H表面保護
層が高抵抗化するため、残留電位(除電工程によって除
電しきれず電位が残ってしまうこと)の増大が生じ、電
子写真装置内で連続使用する場合電位シフトを生ずると
いった欠点があり、感光体としてあまり好ましくないこ
とが判明した。
く実験例10>
屈折率(n)が、1.8 、1.9 、2.0 、2.
1 、2.2 。
1 、2.2 。
2.3のΔ−3iC:H表面保護層を、屈折率(n)が
3.2.3.5の光導電層A−33:Hの上にそれぞれ
4000,5000,6000,7000゜8000.
9000.10000オングストロームの厚さに成膜し
たサンプルを作製し、各膜厚のサンプルを第8図に示す
実験例5で使用したものと同様の、回転体研磨装置によ
り毎分10オングストロームの速度で削り、各々のサン
プルにつき表面保護層を100オングストローム毎の膜
厚に作製した段階で評価に供した。
3.2.3.5の光導電層A−33:Hの上にそれぞれ
4000,5000,6000,7000゜8000.
9000.10000オングストロームの厚さに成膜し
たサンプルを作製し、各膜厚のサンプルを第8図に示す
実験例5で使用したものと同様の、回転体研磨装置によ
り毎分10オングストロームの速度で削り、各々のサン
プルにつき表面保護層を100オングストローム毎の膜
厚に作製した段階で評価に供した。
例えば表面保護層8000オングストロームのサンプル
については、まずそのままの8000オングストローム
における赤再現性とゴーストの生起状況を、第2図山)
のような模式的断面図を存する複写機に設置し、その際
追加フィルターを使うことなく、かつハロゲンランプか
らの光の波長を400〜700nmの間に調整し、点灯
電圧を変化させて適正画像が得られる点灯電圧を決定し
、以下前記実験例8と同様の手法で、評価に供した。
については、まずそのままの8000オングストローム
における赤再現性とゴーストの生起状況を、第2図山)
のような模式的断面図を存する複写機に設置し、その際
追加フィルターを使うことなく、かつハロゲンランプか
らの光の波長を400〜700nmの間に調整し、点灯
電圧を変化させて適正画像が得られる点灯電圧を決定し
、以下前記実験例8と同様の手法で、評価に供した。
但し、煩雑さを避けるために現像器としては赤再現性の
点でより厳しい状況にある第1の現像器204−1のみ
を用いて評価した。これは、アモルファスシリコン系感
光体は暗減衰が比較的おおきい場合があるため、帯電器
までの距離を異にした2個以上の現像器を装置内に有す
る上記のような複写装置に適用しようとすると帯電器か
ら遠い位置の現像器に対する帯電量及び潜像形成露光量
を帯電器から近い位置の現像器に比べ相当量増加させる
必要性を生じることによるものである。
点でより厳しい状況にある第1の現像器204−1のみ
を用いて評価した。これは、アモルファスシリコン系感
光体は暗減衰が比較的おおきい場合があるため、帯電器
までの距離を異にした2個以上の現像器を装置内に有す
る上記のような複写装置に適用しようとすると帯電器か
ら遠い位置の現像器に対する帯電量及び潜像形成露光量
を帯電器から近い位置の現像器に比べ相当量増加させる
必要性を生じることによるものである。
その後該サンプルの表面保護層を前記回転体研磨装置に
かけて100オングストロームを約10分で削り、79
00オングストロームに調整し、赤再現性とゴースト生
起状況の評価を上記と同様に行った。
かけて100オングストロームを約10分で削り、79
00オングストロームに調整し、赤再現性とゴースト生
起状況の評価を上記と同様に行った。
さらに同様にして、該サンプルの表面保iiiを前記回
転体研磨装置にかけて100オングストロームずつ削り
、赤再現性とゴースト生起状況の評価を上記と同様に行
い、これを表面保護層が7100オングストロームにな
るまで繰り返し行った。同様の評価を、そのままの40
00オングストロームの評価のみしか行わない4000
オングストロームのサンプルを除き、s o o o。
転体研磨装置にかけて100オングストロームずつ削り
、赤再現性とゴースト生起状況の評価を上記と同様に行
い、これを表面保護層が7100オングストロームにな
るまで繰り返し行った。同様の評価を、そのままの40
00オングストロームの評価のみしか行わない4000
オングストロームのサンプルを除き、s o o o。
6000.7000.9000.10000オングスト
ロームのサンプルについて行った。こうして、4000
オングストロームから10000オングストロームまで
100オングストローム毎の赤再現性とゴースト生起状
況の評価結果を得た。
ロームのサンプルについて行った。こうして、4000
オングストロームから10000オングストロームまで
100オングストローム毎の赤再現性とゴースト生起状
況の評価結果を得た。
尚、上述の評価の際、適正画像を得るハロゲンランプの
点灯電圧をあわせて評価を行った。その結果、次のこと
が判明した。即ちハロゲンランプの点灯電圧については
何れの場合も消費電力を許容範囲以上に増加させること
なく赤再現性とゴーストの良好な領域を見出す結果を得
た。
点灯電圧をあわせて評価を行った。その結果、次のこと
が判明した。即ちハロゲンランプの点灯電圧については
何れの場合も消費電力を許容範囲以上に増加させること
なく赤再現性とゴーストの良好な領域を見出す結果を得
た。
以上の結果を、屈折率(n)が3.2の光導電層を用い
たときの表面保護層の膜厚(d)と屈折率(n)につい
て赤再現性の反射濃度とゴーストの生起状況をまとめて
示したものが第7表、屈折率(n)が3.5の光導電層
を用いたときの表面保護層の膜厚(d)と屈折率(n)
について赤再現性の反射濃度とゴーストの生起状況をま
とめて示したものが第8表である。第7表、第8表の結
果は、おおむね一致した。
たときの表面保護層の膜厚(d)と屈折率(n)につい
て赤再現性の反射濃度とゴーストの生起状況をまとめて
示したものが第7表、屈折率(n)が3.5の光導電層
を用いたときの表面保護層の膜厚(d)と屈折率(n)
について赤再現性の反射濃度とゴーストの生起状況をま
とめて示したものが第8表である。第7表、第8表の結
果は、おおむね一致した。
第7表、第8表に示した赤再現性の結果を表面保護層の
膜厚(d)と屈折率(n)についてまとめて、3次元グ
ラフ化したところ、実験例5の結果を3次元グラフ化し
た第7図とほぼ一致した。
膜厚(d)と屈折率(n)についてまとめて、3次元グ
ラフ化したところ、実験例5の結果を3次元グラフ化し
た第7図とほぼ一致した。
第7図中、各表面保護層の屈折率の実線で示した曲線は
、表面保護層の膜厚に対する赤再現性のプロットを曲線
近似したものである。
、表面保護層の膜厚に対する赤再現性のプロットを曲線
近似したものである。
第7図から、次のことが判明した。
例えば屈折率が、2.0の時は、4700オングストロ
ーム付近と6100オングストローム付近及び7600
オングストローム付近、9000オングストローム付近
に赤再現性の良好なピークが認められる。
ーム付近と6100オングストローム付近及び7600
オングストローム付近、9000オングストローム付近
に赤再現性の良好なピークが認められる。
4000オングストロームから4300オングストロ一
ム前後、及び5100オングストロ一ム前後から570
0オングストロ一ム前後の膜厚帯、及び6500オング
ストロ一ム前後から7200オングストロ一ム前後の膜
厚帯、及び8000オングストロ一ム前後から8600
オングストロ一ム前後の膜厚帯、及び9400オングス
トロ一ム前後から10000オングストローム前後の膜
厚帯において赤再現性とゴーストの生起の急激な悪化が
認められる。
ム前後、及び5100オングストロ一ム前後から570
0オングストロ一ム前後の膜厚帯、及び6500オング
ストロ一ム前後から7200オングストロ一ム前後の膜
厚帯、及び8000オングストロ一ム前後から8600
オングストロ一ム前後の膜厚帯、及び9400オングス
トロ一ム前後から10000オングストローム前後の膜
厚帯において赤再現性とゴーストの生起の急激な悪化が
認められる。
こうした周期的な傾向は屈折率1.9.及び2.1゜2
゜2.2.3においても同様に認められる。
゜2.2.3においても同様に認められる。
また、第7表、第8表に示したゴーストの生起状況の結
果から、次のことが判明した。即ち良好な赤再現性をも
たらす条件のもとでは、認識されるゴーストの生起はほ
とんどなかった。
果から、次のことが判明した。即ち良好な赤再現性をも
たらす条件のもとでは、認識されるゴーストの生起はほ
とんどなかった。
これらは、画像形成に悪影響を及ぼすような長波長成分
が、前述良好な赤再現性をもたらす条件における表面保
護層により有効にカントされると考えられる。
が、前述良好な赤再現性をもたらす条件における表面保
護層により有効にカントされると考えられる。
上記実験例10から、画像形成光線としてハロゲンラン
プを光源とする400〜?OOnmの連続した波長の光
を用い、光導電層としてその屈折率(n)を3.2〜3
,5、表面保!!!層としてその屈折率(n)を1.8
〜2.3、かっ膜厚(d)(オングストローム)の値が
4000〜10000の範囲において、消費電力を許容
範囲以上に増加させることなく、良好な赤再現性をもた
らし、望ましくないゴーストのない画像を得られる範囲
があり、それは下記の式におけるD1〜D8の範囲、D
。
プを光源とする400〜?OOnmの連続した波長の光
を用い、光導電層としてその屈折率(n)を3.2〜3
,5、表面保!!!層としてその屈折率(n)を1.8
〜2.3、かっ膜厚(d)(オングストローム)の値が
4000〜10000の範囲において、消費電力を許容
範囲以上に増加させることなく、良好な赤再現性をもた
らし、望ましくないゴーストのない画像を得られる範囲
があり、それは下記の式におけるD1〜D8の範囲、D
。
〜D4の範囲、Da 〜D、の範囲、Dy〜Dsの範囲
、D9〜D1゜の範囲とほぼ一致する。
、D9〜D1゜の範囲とほぼ一致する。
DI−AkXn+Bm (k−1〜10):赤再現性
臨界膜厚の屈折率依存直線 Am −am Xo、462 60 :上記直線の傾き Bm 〜1.924Xai+ +120:上記直線
のDb切片 但し、 at = 4300 a3 = 5100aコ
= 5700 a、= 6500as = 7
200 4== 8000a?−86008g =
9400 at =10000 a、1=10800これまでの
、実験例6から実験例10までの結果を総合すると、良
好な赤再現性をもたらし、望ましくないゴーストの生起
のない画像形成を行うについての条件は後述する要件を
満たすときに達成されることがわかった。
臨界膜厚の屈折率依存直線 Am −am Xo、462 60 :上記直線の傾き Bm 〜1.924Xai+ +120:上記直線
のDb切片 但し、 at = 4300 a3 = 5100aコ
= 5700 a、= 6500as = 7
200 4== 8000a?−86008g =
9400 at =10000 a、1=10800これまでの
、実験例6から実験例10までの結果を総合すると、良
好な赤再現性をもたらし、望ましくないゴーストの生起
のない画像形成を行うについての条件は後述する要件を
満たすときに達成されることがわかった。
即ち、アモルファスシリコン系感光体を用いる電子写真
法による画像形成方法において、該感光体として、 その光導電層が、屈折率(n)=3.2〜3.5のアモ
ルファスシリコンで構成され、 その表面保1!層が、屈折率(n)〜1.9〜2.3、
かつ膜厚(d)(オングストローム”)=4000〜1
oooo、そして、下記の式におけるり、〜D、の範囲
、D、〜D4の範囲、D、〜D、の範囲、D?〜D、の
範囲、D、〜D1.の範囲のアモルファスシリコン構成
されたものを用い、画像形成光線としてハロゲンランプ
を光源とする400〜700nmの連続した波長の光を
用い、前記感光体のクリーニング手段としてマグネット
ローラーを用い、そして複数の現像器を使用して画像形
成する場合、優れた効果がもたらされることが判明した
。
法による画像形成方法において、該感光体として、 その光導電層が、屈折率(n)=3.2〜3.5のアモ
ルファスシリコンで構成され、 その表面保1!層が、屈折率(n)〜1.9〜2.3、
かつ膜厚(d)(オングストローム”)=4000〜1
oooo、そして、下記の式におけるり、〜D、の範囲
、D、〜D4の範囲、D、〜D、の範囲、D?〜D、の
範囲、D、〜D1.の範囲のアモルファスシリコン構成
されたものを用い、画像形成光線としてハロゲンランプ
を光源とする400〜700nmの連続した波長の光を
用い、前記感光体のクリーニング手段としてマグネット
ローラーを用い、そして複数の現像器を使用して画像形
成する場合、優れた効果がもたらされることが判明した
。
D、=A、Xn+Bm (k=1〜10);赤再現性
臨界膜厚の屈折率依存直線 Am −ah Xo、462 60 二上記直線の傾き Bm =1.924Xa++ +120:上記直線のD
う切片 但し、 al = 4300 am = 5100as
” 5700 8s −6500as ”” 72
00 a6=8000a、= 8600 a
、” 9400a9 −10000 ate−
10800本発明を更に以下の実施例により説明するが
、本発明はこれらにより何ら制限されるものではない。
臨界膜厚の屈折率依存直線 Am −ah Xo、462 60 二上記直線の傾き Bm =1.924Xa++ +120:上記直線のD
う切片 但し、 al = 4300 am = 5100as
” 5700 8s −6500as ”” 72
00 a6=8000a、= 8600 a
、” 9400a9 −10000 ate−
10800本発明を更に以下の実施例により説明するが
、本発明はこれらにより何ら制限されるものではない。
スJIIL
第2図+1)1と同様の構成を有する、キャノン製NP
−8570複写機をプロセススピードを5604/se
c、に増速するようにモーター回転制御に用いるオシレ
ーターをより高周波のものと交換して、毎分90枚のコ
ピースピードになるように改造を施した。
−8570複写機をプロセススピードを5604/se
c、に増速するようにモーター回転制御に用いるオシレ
ーターをより高周波のものと交換して、毎分90枚のコ
ピースピードになるように改造を施した。
第1図のような基本構成を有し、その構成要素が第9表
のようなアモルファスシリコン系感光体を用い、これを
上述の改造した複写機にセ−/ トし、前述NA−7チ
ヤート中の反射濃度0.3、φ5鶴の黒丸が反射濃度0
.5にコピーされるときの前述RL−1チャート中の反
射濃度0.45、φ5flの赤丸の画像濃度がどの程度
の濃度になるかを判定したところ、赤再現性は、反射濃
度0.38と良好であった。また、前述ゴーストテスト
チャートと前述中間調チャートを用い、中間調上へ現れ
るゴーストの生起、即ちゴーストテストチャートの文字
がゴーストとして中間調画像上で、明確に認められるか
否かを判定したところ、望ましくないゴーストの生起の
ない画像が得られることが確認された。
のようなアモルファスシリコン系感光体を用い、これを
上述の改造した複写機にセ−/ トし、前述NA−7チ
ヤート中の反射濃度0.3、φ5鶴の黒丸が反射濃度0
.5にコピーされるときの前述RL−1チャート中の反
射濃度0.45、φ5flの赤丸の画像濃度がどの程度
の濃度になるかを判定したところ、赤再現性は、反射濃
度0.38と良好であった。また、前述ゴーストテスト
チャートと前述中間調チャートを用い、中間調上へ現れ
るゴーストの生起、即ちゴーストテストチャートの文字
がゴーストとして中間調画像上で、明確に認められるか
否かを判定したところ、望ましくないゴーストの生起の
ない画像が得られることが確認された。
尚、このような画像の再現性は、25万枚通紙耐久後も
変化なかった。
変化なかった。
[比較例1]
前記、実施例1と同一のアモルファスシリコン系感光体
を用い、実施例1におけるクリーナーのマグネットロー
ラーをシリコンゴムローラーに変更した以外は同様の複
写機にセットし、同様の評価を行ったところ、25万枚
通紙耐久後、表面保護層が初期から900オングストロ
ーム摩耗しており、赤再現性は、反射濃度0.27と著
しく悪化した。また、望ましくないゴーストの生起がV
1)1認された。
を用い、実施例1におけるクリーナーのマグネットロー
ラーをシリコンゴムローラーに変更した以外は同様の複
写機にセットし、同様の評価を行ったところ、25万枚
通紙耐久後、表面保護層が初期から900オングストロ
ーム摩耗しており、赤再現性は、反射濃度0.27と著
しく悪化した。また、望ましくないゴーストの生起がV
1)1認された。
[比較例2]
前記、実施例1と同様の複写機に表面保護層の厚みのみ
を変えた第10表の感光体をセントし、実施例1と同様
の赤再現性を確保するために、青ガラス(CM−500
)厚さ2鶴を2枚、レンズ内の2)8の位置に遷加して
設は実施例1の感光体と同様の赤再現性を確保したとこ
ろ、ハロゲン点灯電圧で4■、電力で20W上昇し、消
費電力許容範囲を越えてしまった。
を変えた第10表の感光体をセントし、実施例1と同様
の赤再現性を確保するために、青ガラス(CM−500
)厚さ2鶴を2枚、レンズ内の2)8の位置に遷加して
設は実施例1の感光体と同様の赤再現性を確保したとこ
ろ、ハロゲン点灯電圧で4■、電力で20W上昇し、消
費電力許容範囲を越えてしまった。
失1桝1
第1図のような基本構成を有し、その構成要素が第1表
のようなアモルファスシリコン系感光体を用い、これを
第2図山)と同様の構成を有するが、マイナス帯電感光
体を用いているためマイナス帯電極性になっているキャ
ノン製NP−5540複写機をプラス帯電極性のアモル
ファスシリコン系感光体を搭載できるように改造した。
のようなアモルファスシリコン系感光体を用い、これを
第2図山)と同様の構成を有するが、マイナス帯電感光
体を用いているためマイナス帯電極性になっているキャ
ノン製NP−5540複写機をプラス帯電極性のアモル
ファスシリコン系感光体を搭載できるように改造した。
具体的には、主帯電器202、転写帯電器206 (a
)の帯電極性をマイナスからプラスに変更し、現像器2
04L 204−2の現像剤をポジトナーからネガトナ
ーに入れ替えた。これらの改造をした後にセソトし、第
1の現像器204−1及び第2の現像器204−2の両
者に同じ黒トナーを用い、両者の現像器について前述N
A−7チヤート中の反射濃度0.3、φ5鶴の黒丸が反
射濃度0.5にコピーされるときの前述RL−1チャー
ト中の反射濃度0.45、φ5fiの赤丸の画像濃度が
どの程度の濃度になるかを判定としたところ、第1の現
像器204−1を用いた場合は、反射濃度0.39であ
り、第2の現像器204−2を用いた場合は、反射濃度
0.40であり、ともに良好な赤再現性であった。また
、前述ゴーストテストチャートと前述中間調チャートを
用い、中間調上へ現れるゴーストの生起、即ちゴースト
テストチャートの文字がゴーストとして中間調画像上で
、明確に認められるか否かを判定したところ、望ましく
ないゴーストの生起のない画像が得られることが確認さ
れた。
)の帯電極性をマイナスからプラスに変更し、現像器2
04L 204−2の現像剤をポジトナーからネガトナ
ーに入れ替えた。これらの改造をした後にセソトし、第
1の現像器204−1及び第2の現像器204−2の両
者に同じ黒トナーを用い、両者の現像器について前述N
A−7チヤート中の反射濃度0.3、φ5鶴の黒丸が反
射濃度0.5にコピーされるときの前述RL−1チャー
ト中の反射濃度0.45、φ5fiの赤丸の画像濃度が
どの程度の濃度になるかを判定としたところ、第1の現
像器204−1を用いた場合は、反射濃度0.39であ
り、第2の現像器204−2を用いた場合は、反射濃度
0.40であり、ともに良好な赤再現性であった。また
、前述ゴーストテストチャートと前述中間調チャートを
用い、中間調上へ現れるゴーストの生起、即ちゴースト
テストチャートの文字がゴーストとして中間調画像上で
、明確に認められるか否かを判定したところ、望ましく
ないゴーストの生起のない画像が得られることが確認さ
れた。
尚、このような画像の再現性は、25万枚通紙耐久後も
変化無かった。
変化無かった。
[比較例3]
前記、実施例2と同一のアモルファスシリコン系感光体
を用い、実施例1におけるクリーナーのマグネットロー
ラーをシリコンゴムローラーに変更した以外は同様の複
写機にセントし、同様の評価を行ったところ、25万枚
通紙耐久後、表面保護層が初期から900オングストロ
ーム摩耗しており、第1の現像器204−1を用いた場
合は、反射濃度0.26であり、第2の現像器204−
2を用いた場合は、反射濃度0.28であり、特に第1
の現像器の赤再現性が著しく悪化した。また、前述ゴー
ストテストチャートと前述中間調チャートを用い、中間
調上へ現れるゴーストの生起、即ちゴーストテストチャ
ートの文字がゴーストとして中間調画像上で、明確に認
められるか否かを判定したところ、望ましくないゴース
トがf1)認された。
を用い、実施例1におけるクリーナーのマグネットロー
ラーをシリコンゴムローラーに変更した以外は同様の複
写機にセントし、同様の評価を行ったところ、25万枚
通紙耐久後、表面保護層が初期から900オングストロ
ーム摩耗しており、第1の現像器204−1を用いた場
合は、反射濃度0.26であり、第2の現像器204−
2を用いた場合は、反射濃度0.28であり、特に第1
の現像器の赤再現性が著しく悪化した。また、前述ゴー
ストテストチャートと前述中間調チャートを用い、中間
調上へ現れるゴーストの生起、即ちゴーストテストチャ
ートの文字がゴーストとして中間調画像上で、明確に認
められるか否かを判定したところ、望ましくないゴース
トがf1)認された。
[比較例4]
前記、実施例2と同様の複写機に表面保護層の厚みのみ
を変えた第12表の感光体をセットし、実施例1と同様
の赤再現性を確保するために、青ガラス(CM−500
)厚さ2鴎を2枚、レンズ内の2)8の位置に追加して
設け、実施例1と同様の赤再現性を確保したところ、ハ
ロゲン点灯電圧で5v、電力で25W上昇し、消費電力
許容範囲を越えてしまった。
を変えた第12表の感光体をセットし、実施例1と同様
の赤再現性を確保するために、青ガラス(CM−500
)厚さ2鴎を2枚、レンズ内の2)8の位置に追加して
設け、実施例1と同様の赤再現性を確保したところ、ハ
ロゲン点灯電圧で5v、電力で25W上昇し、消費電力
許容範囲を越えてしまった。
(以下余白)
第
■
表
◎:きわめて良好
O:良好
△:許容範囲内
×
;悪い
”OOOOXXXIXXOOOOOOOOXXXMXO
OOOOOOOXXXXOOOOOOOXOXXOXO
OOOOoooooooo”0OOOOOOXXXXX
OOOOOOOOXXXXXXOOOXXXOOOOO
OOOXXXXXOOOOOOOOOXXXXXOXX
XXXXXXXOOOOOOOXXXXXOOOOOO
OOOOOXci’XXXXXXXX0O000000
XXXXXXXXOO0000000XXXXXXXO
OO00000XXXXXXXOOOOOO乍iニ ッ覇1) つ暖C 40= ペペ<ぺ<〈(ペペペくべ(く−(ペベペペペペペペく
ペベベ(ペペ(猷;;; 第 表 第 表 点灯電圧 ○:消費電力許容内 ×:消費電力オーバー 赤再現性 O:良好 ×:許容できない ゴースト ○:良好 ×:許容できない 総合判定 ○:良好 Δ:好ましくない ×:悪い ◎:きわめて良好 △:許容範囲内 ○:良好 × :悪い usoOOOXXXXXOOOOOOOOOXXXOO
oOOOOXOXXXOXOOOOOOXOXXXXに
0OOOOOOXOXXO。
OOOOOOOXXXXOOOOOOOXOXXOXO
OOOOoooooooo”0OOOOOOXXXXX
OOOOOOOOXXXXXXOOOXXXOOOOO
OOOXXXXXOOOOOOOOOXXXXXOXX
XXXXXXXOOOOOOOXXXXXOOOOOO
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OXXOXXXXOOOOOOoX 、トfl” 00000XXXXXXOOOOOOXOXXXXXO
OOO−H:00000000XXXXXOOOOOO
OOOOXXXKX (Qlil6、;’xxxxx
xxooooooooooxxxxxxxxooooo
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XXXXXXXOOOOOOOXXXXXOOOOOO
OXXOXXXXOOOOOOoX 、トfl” 00000XXXXXXOOOOOOXOXXXXXO
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麻しヤ1)
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ベペ41”:ace888ggg、ggg::gggg
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8品;ツ兆8gg井蒜兆銘。
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XXXXXOOOOOOOXXXXXXXOOOOOO
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OXXXXXXXXXOOOOO← 1に 、伽に 0舛に g[1 一0叫; 4C.: I/1トII′In寸0−の−一嗜一I’ll o +
o o atの1のψ〜へΦトのψ0−1oさOc
mww’swmへNNINへ〜Fl l”l 臂QF
I”l l’Q PI N N N N N N N
l”1 寸1 1’Q d FI I”l □ペペ(べ
(<べくぺ 眠;に 例 第 表 第 表 第 表 第 表 〔発明の効果の概要〕 本発明の電子写真法による画像形成方法によれば、朱肉
などの一般事務処理に必須の赤再現性を、消費電力許容
範囲、例えば100V15Aを越えることな(、長期に
わたって良好に確保するばかりでな(、望ましくないゴ
ーストが生起することなく良好なコピーを高速で提供さ
れる。
OXXooooXXXXXOOOOOOOXXXXXX
XOOOOOoooooooXXXXXOOOOOOO
OOXXXXXMXXXOOOOOOOOXOXXXX
XOOOOOOOOOOOXXXXXXXOOOOOO
OXXXXXXXXXOOOOO← 1に 、伽に 0舛に g[1 一0叫; 4C.: I/1トII′In寸0−の−一嗜一I’ll o +
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(<べくぺ 眠;に 例 第 表 第 表 第 表 第 表 〔発明の効果の概要〕 本発明の電子写真法による画像形成方法によれば、朱肉
などの一般事務処理に必須の赤再現性を、消費電力許容
範囲、例えば100V15Aを越えることな(、長期に
わたって良好に確保するばかりでな(、望ましくないゴ
ーストが生起することなく良好なコピーを高速で提供さ
れる。
また、複数の現像器を使用する多色カラーコピー用の電
子写真画像形成システムで本発明の画像形成方法を実施
する場合、上述の場合と同様で、望ましくないゴースト
の生起のない所望の多色コピーが提供される。
子写真画像形成システムで本発明の画像形成方法を実施
する場合、上述の場合と同様で、望ましくないゴースト
の生起のない所望の多色コピーが提供される。
第1図は、本発明に用いるA−3t系悪感光の層構成を
示す模式的断面図である。 図において、101・・・支持体、102・・・電荷注
入阻止層、103・・・光導電層、104・・・表面保
護層。 第2図ta>、 (b)、第3図は、それぞれ本発明お
よび従来の複写装置の感光ドラム周辺の模式的断面図で
ある。 図において、201.301・・・感光ドラム、202
.302・・・主帯電器、203.303・・・静電潜
像形成部位、204.204−1.2042.304・
・・現像器、205,305・・・転写紙給送系、20
6 (a)、 306 (Jl)−・・転写帯電器、
2061b)、3061b+・・・分離帯電器、207
.307・・・クリーナー、208,227,308・
・・搬送系、209.309・・・除電光源、2)0.
3IO・・・ハロゲンランプ光源、2)1,31)・・
・原稿台、2)2.312・・・原稿、2)3〜2)6
,313〜316・・・ミラー系、2)7.317・・
・レンズ系、2)8.318・・・フィルター、2)9
,319・・・転写紙通路、220・・・マグネットロ
ーラー22).32)・・・クリーニングブレード、2
22゜322・・・レジストローラー、223,224
・・・定着器、225・・・フラッパー、226.22
8・・・ローラー、229・・・ブランク露光源。 第4図ta>、 To>は、表面保護層の膜厚と残留電
位との関係を示す図である。 第5図は、実験例、実施例で用いた証券用朱肉の分光反
射率を示す図である。 第6図(al、 (b)は、表面保護層の屈折率と残留
電位ならびにビッカース硬度との関係を示す図である。 第7図は、表面像WINの膜厚と屈折率と赤再現性(赤
画像反射濃度)との相互関係を示す図である。 第8図は、表面研磨装置の模式的断面図である。 802・・・研磨テープ、803・・・圧接手段、80
4・・・テープ送り装置、805・・・おもり、806
・・・巻き取りローラー、810・・・被加工物である
。 第9図は、ハロゲンランプ光源からフ゛イルターを内蔵
したレンズ系を経て、感光体に露光される直前の分光分
布である。 第1図 第2図(a)
示す模式的断面図である。 図において、101・・・支持体、102・・・電荷注
入阻止層、103・・・光導電層、104・・・表面保
護層。 第2図ta>、 (b)、第3図は、それぞれ本発明お
よび従来の複写装置の感光ドラム周辺の模式的断面図で
ある。 図において、201.301・・・感光ドラム、202
.302・・・主帯電器、203.303・・・静電潜
像形成部位、204.204−1.2042.304・
・・現像器、205,305・・・転写紙給送系、20
6 (a)、 306 (Jl)−・・転写帯電器、
2061b)、3061b+・・・分離帯電器、207
.307・・・クリーナー、208,227,308・
・・搬送系、209.309・・・除電光源、2)0.
3IO・・・ハロゲンランプ光源、2)1,31)・・
・原稿台、2)2.312・・・原稿、2)3〜2)6
,313〜316・・・ミラー系、2)7.317・・
・レンズ系、2)8.318・・・フィルター、2)9
,319・・・転写紙通路、220・・・マグネットロ
ーラー22).32)・・・クリーニングブレード、2
22゜322・・・レジストローラー、223,224
・・・定着器、225・・・フラッパー、226.22
8・・・ローラー、229・・・ブランク露光源。 第4図ta>、 To>は、表面保護層の膜厚と残留電
位との関係を示す図である。 第5図は、実験例、実施例で用いた証券用朱肉の分光反
射率を示す図である。 第6図(al、 (b)は、表面保護層の屈折率と残留
電位ならびにビッカース硬度との関係を示す図である。 第7図は、表面像WINの膜厚と屈折率と赤再現性(赤
画像反射濃度)との相互関係を示す図である。 第8図は、表面研磨装置の模式的断面図である。 802・・・研磨テープ、803・・・圧接手段、80
4・・・テープ送り装置、805・・・おもり、806
・・・巻き取りローラー、810・・・被加工物である
。 第9図は、ハロゲンランプ光源からフ゛イルターを内蔵
したレンズ系を経て、感光体に露光される直前の分光分
布である。 第1図 第2図(a)
Claims (3)
- (1)基体上に、シリコン原子と水素原子を含む非晶質
材料からなる光導電層、およびシリコン原子と炭素原子
、水素原子を含む非晶質材料からなる表面保護層を順次
積層してなるアモルファスシリコン系感光体を用いる電
子写真法による画像形成方法であって、 前記感光体として、その光導電層が屈折率 (n)=3.2〜3.5のアモルファスシリコンで構成
され、 その表面保護層が屈折率(n)=1.9〜 - 2.3、かつ膜厚(d)(オングストローム)=400
0〜1000かつ、下記の式におけるD_1〜D_2の
範囲、D_3〜D_4の範囲、D_5〜D_6の範囲、
D_7〜D_8の範囲、D_9〜D_1_0の範囲のア
モルファスシリコンで構成されたものを用い、画像形成
光線としてハロゲンランプを光源とする400〜700
nmの連続した波長の光を用い、前記感光体のクリーニ
ング手段としてマグネットローラーを用い、現像剤とし
て磁性トナーを用いて画像形成することを特徴とする電
子写真法による画像形成方法。 D_k=A_k×n+B_k(k=1〜10):赤再現
性臨界膜厚の屈折率依存直線 A_k=−a_k×0.462−60 :上記直線の傾き B_k=1.924×a_k+120 :上記直線のD_k切片 但し、 a_1=4300 a_2=5100 a_3=5700 a_4=6500 a_5=7200 a_6=8000 a_7=8600 a_8=9400 a_9=10000 a_1_0=10800(2)4
50mm/sec.又はそれ以上のプロセススピードで
画像形成を行う請求項1に記載の画像形成方法。 - (3)2又はそれ以上の現像器であってそれぞれが異な
った色の磁性トナーを有するものを使用する請求項1に
記載の画像形成方法。
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