JPS60101743A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS60101743A JPS60101743A JP20795983A JP20795983A JPS60101743A JP S60101743 A JPS60101743 A JP S60101743A JP 20795983 A JP20795983 A JP 20795983A JP 20795983 A JP20795983 A JP 20795983A JP S60101743 A JPS60101743 A JP S60101743A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ハ（＋ｄ −Ｔｔ） −Ｓｍ −Ｆｅ四７ｅ系非
晶質合金から成る光磁気記録媒体に関するものである。
晶質合金から成る光磁気記録媒体に関するものである。
近年、大量の情報を高密度に記録するため、レーザー光
を投光して記録媒体を局部加熱することによりビットを
書き込み、磁気光学効果を利用して読み出すという光磁
気記録が研究開発されている。その記録媒体に希土類−
遷移金属から成る非晶質膜があり、量産に適し且つ読み
出しにノイズが少ないなどの利点を有し、非常に注目さ
れている。
を投光して記録媒体を局部加熱することによりビットを
書き込み、磁気光学効果を利用して読み出すという光磁
気記録が研究開発されている。その記録媒体に希土類−
遷移金属から成る非晶質膜があり、量産に適し且つ読み
出しにノイズが少ないなどの利点を有し、非常に注目さ
れている。
かような非晶質膜の先行技術として特開昭５６−１２６
９０７号ＩコＧ′ｉ−Ｔｂ −Ｆｅ Ｅ７Ｇ糸合金薄膜
カ提案されており、記録特性に優れたＴｂ Ｆｅと、再
生特性においてカー回転角が大きいＧｄＦｅの両者の特
性が生かされているが、実用上、未だ満足のいくカー回
転角が得られておらず、その特性の向上が、更に、一層
望まれている。
９０７号ＩコＧ′ｉ−Ｔｂ −Ｆｅ Ｅ７Ｇ糸合金薄膜
カ提案されており、記録特性に優れたＴｂ Ｆｅと、再
生特性においてカー回転角が大きいＧｄＦｅの両者の特
性が生かされているが、実用上、未だ満足のいくカー回
転角が得られておらず、その特性の向上が、更に、一層
望まれている。
そこで、本発明者等は上記事情に鑑み、鋭意研究に努め
た結果、１６０℃前後にキューリ一点を有するＧ６−−
Ｔｂ −Ｆｅ三元系合金薄膜にＳｍを添加することによ
ってカー回転角が改善されることを見い出した。
た結果、１６０℃前後にキューリ一点を有するＧ６−−
Ｔｂ −Ｆｅ三元系合金薄膜にＳｍを添加することによ
ってカー回転角が改善されることを見い出した。
本発明は上記知見ｌこ基づき完成されたもので、ＧＣＩ
−Ｔｂ −Ｆｅ三元系合金薄膜をもとにして、更にカ
ー回転角を向上させてＳ／Ｎ比を良クシ、侵れた再生特
性を具備した光磁気記録媒体を提供することシこある。
−Ｔｂ −Ｆｅ三元系合金薄膜をもとにして、更にカ
ー回転角を向上させてＳ／Ｎ比を良クシ、侵れた再生特
性を具備した光磁気記録媒体を提供することシこある。
本発明の要旨は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有す
る０α−Ｔｂ −Ｓｍ −Ｆｅ四元系非晶質合金薄膜か
ら成ることを特徴とする光磁気記録媒体を提供すること
にある。
る０α−Ｔｂ −Ｓｍ −Ｆｅ四元系非晶質合金薄膜か
ら成ることを特徴とする光磁気記録媒体を提供すること
にある。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明によれば、基板上に鏡面と垂直な方向に磁化容易
軸を有するＯｄ −Ｔｂ −Ｓｍ −Ｆｅ四元系非晶質
合金薄膜（以下、Ｑｄ −Ｔｂ −Ｓｍ −ｒｅ合金薄
膜と略す）を形成した光磁気記録媒体Ｉこついて、後述
のマグネトリンスバッタリング法によって種々の条件を
設定することにより、優れたカー回転角を具ｊ６ｉｉ
した光磁気記録媒体が得られる。かようｆｚ Ｇｉ −
Ｔｈ−３ｍ −Ｆ’ｅ合金合金Ｉコとって、Ｇａ−Ｔｂ
及びＳｍを含む希土類金属がｌθ〜４０ ａｔｏｍｉｃ
％含有していることが必要であり、この範囲から外れる
と非晶質垂直磁化膜の形成が置部となって、カー回転角
が小さくなると共に、角形比及び保持力も劣化し、望ま
しくは、１５〜ａｏ ａｔｏｍｉｃ％の範囲膠こ設定す
るのがよい。
軸を有するＯｄ −Ｔｂ −Ｓｍ −Ｆｅ四元系非晶質
合金薄膜（以下、Ｑｄ −Ｔｂ −Ｓｍ −ｒｅ合金薄
膜と略す）を形成した光磁気記録媒体Ｉこついて、後述
のマグネトリンスバッタリング法によって種々の条件を
設定することにより、優れたカー回転角を具ｊ６ｉｉ
した光磁気記録媒体が得られる。かようｆｚ Ｇｉ −
Ｔｈ−３ｍ −Ｆ’ｅ合金合金Ｉコとって、Ｇａ−Ｔｂ
及びＳｍを含む希土類金属がｌθ〜４０ ａｔｏｍｉｃ
％含有していることが必要であり、この範囲から外れる
と非晶質垂直磁化膜の形成が置部となって、カー回転角
が小さくなると共に、角形比及び保持力も劣化し、望ま
しくは、１５〜ａｏ ａｔｏｍｉｃ％の範囲膠こ設定す
るのがよい。
更に、本発明によれば、前記のように希土類元素の範囲
を設定するのに加え、この希土類元素中のＳｍを６５
ａｔｏｍｘｃ％以下（０を含まない）含有していること
が重要であり、６５ ａｔｏｍｉｃ％を越えると、カー
回転角の改善がなされないばかりか、角形比及び保持力
も劣化し、好適には、希土類元素中、Ｓｍを５〜２５
ａｔｏｍｉｃ％の範囲になるように含有させるとよい。
を設定するのに加え、この希土類元素中のＳｍを６５
ａｔｏｍｘｃ％以下（０を含まない）含有していること
が重要であり、６５ ａｔｏｍｉｃ％を越えると、カー
回転角の改善がなされないばかりか、角形比及び保持力
も劣化し、好適には、希土類元素中、Ｓｍを５〜２５
ａｔｏｍｉｃ％の範囲になるように含有させるとよい。
次に、上記した本発明光磁気記録媒体の製法を、図によ
り説明する。
り説明する。
図は（Ａ −Ｔｂ −Ｓｍ −Ｆｅ合金薄膜を生成する
ためのマグネトロンスパッタリング装置であり、図中、
真空槽（１）ノ内部には、Ｇｄ、 Ｔｂ、 Ｆｅから成
る第１ターゲツト＜２１．８ｍから成る第２ターゲツト
（３１、回転駆動されるとともにＧＡ −Ｔｂ −Ｓｍ
−Ｆｅ合金薄膜が形成される円板状の基板（４１、及
び回転自在の円板状遮蔽板（５）が配置されている。
ためのマグネトロンスパッタリング装置であり、図中、
真空槽（１）ノ内部には、Ｇｄ、 Ｔｂ、 Ｆｅから成
る第１ターゲツト＜２１．８ｍから成る第２ターゲツト
（３１、回転駆動されるとともにＧＡ −Ｔｂ −Ｓｍ
−Ｆｅ合金薄膜が形成される円板状の基板（４１、及
び回転自在の円板状遮蔽板（５）が配置されている。
前記遮蔽板（５）Ｉこは第１．２ターゲツト（２１１３
１のそれぞれの真上に一対の円状貫通孔（６）が形成さ
れており、成膜中には第１．２ターゲツ） ＋２１ ＋
３１から飛散した各種金属がこのｙｔ連通孔６）を通過
し、回転する基板ｆ’１ｌ−１に蒸着されるが、プレス
パツタ時には、前記遮蔽板（５）を約９０°回転させる
ことにより、第１．２クーゲツｌ−（２１（３１から飛
散した金属は遮蔽板（５）Ｉこより遮蔽され、基板（４
）上には蒸着されないようＩこなっている。
１のそれぞれの真上に一対の円状貫通孔（６）が形成さ
れており、成膜中には第１．２ターゲツ） ＋２１ ＋
３１から飛散した各種金属がこのｙｔ連通孔６）を通過
し、回転する基板ｆ’１ｌ−１に蒸着されるが、プレス
パツタ時には、前記遮蔽板（５）を約９０°回転させる
ことにより、第１．２クーゲツｌ−（２１（３１から飛
散した金属は遮蔽板（５）Ｉこより遮蔽され、基板（４
）上には蒸着されないようＩこなっている。
第１ターゲツト（２）と基板（４）、並びに第２ターゲ
ット（３）とノ、（板（４）の間多こは、それぞれ高周
波電源（７）（８）Ｉこより高周波Ｖ１工圧が印加され
るとともに、基板（４０こ対し′Ｃ正もしくは負のバイ
アス電圧を印加することができるように１ｒ［流電源（
９）が付設しである。
ット（３）とノ、（板（４）の間多こは、それぞれ高周
波電源（７）（８）Ｉこより高周波Ｖ１工圧が印加され
るとともに、基板（４０こ対し′Ｃ正もしくは負のバイ
アス電圧を印加することができるように１ｒ［流電源（
９）が付設しである。
このｆｆｌ、２ターゲツトＴ２１ （３＋の下側ｌこは
、プレーナーマグネトロン型カソード１こ基づき、アル
ニコ、フグライト、サマリウムコバルト製の永久磁石（
１０１ｆｌ ｌがｆ（ｉｉえつけられ、これにより電場
と磁場の直交するペニング放電現象を利用して放電ガス
分子のイオン化効率か高められ、量産昏こ適した高速成
膜がｎｆ能となる。
、プレーナーマグネトロン型カソード１こ基づき、アル
ニコ、フグライト、サマリウムコバルト製の永久磁石（
１０１ｆｌ ｌがｆ（ｉｉえつけられ、これにより電場
と磁場の直交するペニング放電現象を利用して放電ガス
分子のイオン化効率か高められ、量産昏こ適した高速成
膜がｎｆ能となる。
本発明において使用されるＣＭ 、 Ｔｂ 、 Ｓｍか
ら成る第１ターゲツト（２）は、例えば、Ｆｅ製円板の
１曝こ角形状のＧ（１１［チップ及びＴ’ｂ製チップを
適当な数だけ載置して構成されるが、 ＴＩ）製円板の
上にＧ１製チップ及びＦｅ％チップを載置したもの、或
いはＧｄ製円板の１にＴｂ［チップ及びＦｅ製チップを
載置したものであってもよく、更１こ、かようなチップ
の形状を角形状に代えて扇形状等任意の形状に変更して
もよいっこの他、第１ターゲツト（２）をＧＣＩ −Ｔ
ｈ −Ｓｍ合金から成る円板により構成しても同等の効
果が達成される。
ら成る第１ターゲツト（２）は、例えば、Ｆｅ製円板の
１曝こ角形状のＧ（１１［チップ及びＴ’ｂ製チップを
適当な数だけ載置して構成されるが、 ＴＩ）製円板の
上にＧ１製チップ及びＦｅ％チップを載置したもの、或
いはＧｄ製円板の１にＴｂ［チップ及びＦｅ製チップを
載置したものであってもよく、更１こ、かようなチップ
の形状を角形状に代えて扇形状等任意の形状に変更して
もよいっこの他、第１ターゲツト（２）をＧＣＩ −Ｔ
ｈ −Ｓｍ合金から成る円板により構成しても同等の効
果が達成される。
次に、上記のマグネトロンスパッタリング装置の操作を
説明する。先ず、真空槽（１）が約Ｉ Ｘ １０ＴＯｒ
ｒ以下まで真空引きされた後、その内部に高純度のＡｒ
ガス及び／又はＮ９ガスを、或いは必要に応じ垂直磁気
異方性エネルギの大きさを制御するためＮ２ガスを混合
して導入しく以下、これら導入ガスを雰囲気ガスと略す
）、真空槽（１）内部を所定のガス圧に保持する。引続
いて遮蔽板（５）を約９０°回転させ、基板（４）を遮
蔽した状態で第１．２ターゲツト（２１＋３１をプレス
パツタし、それぞれのり−ゲット表面の酸化物層などを
エツチングする。
説明する。先ず、真空槽（１）が約Ｉ Ｘ １０ＴＯｒ
ｒ以下まで真空引きされた後、その内部に高純度のＡｒ
ガス及び／又はＮ９ガスを、或いは必要に応じ垂直磁気
異方性エネルギの大きさを制御するためＮ２ガスを混合
して導入しく以下、これら導入ガスを雰囲気ガスと略す
）、真空槽（１）内部を所定のガス圧に保持する。引続
いて遮蔽板（５）を約９０°回転させ、基板（４）を遮
蔽した状態で第１．２ターゲツト（２１＋３１をプレス
パツタし、それぞれのり−ゲット表面の酸化物層などを
エツチングする。
その後、一対の貫通孔（６）をそれぞれの第１．２ター
ゲツ） ｆ２） ＋３１の真上へくるように遮蔽板（５
）を回転、配置する。次いで、適当な成膜速度となるよ
うに所定の基板回転数と高周波電力をセットして、所定
時間、第１．２ターゲツト（２１＋３目こ対し同時放電
させる。これにより、雰囲気ガスがプラズマとなり、そ
の正イオンが第１．２ターゲツト＋２１ ＋３１を叩き
つり、放出した各種ターゲット材料が基板（４）上に蒸
着される。
ゲツ） ｆ２） ＋３１の真上へくるように遮蔽板（５
）を回転、配置する。次いで、適当な成膜速度となるよ
うに所定の基板回転数と高周波電力をセットして、所定
時間、第１．２ターゲツト（２１＋３目こ対し同時放電
させる。これにより、雰囲気ガスがプラズマとなり、そ
の正イオンが第１．２ターゲツト＋２１ ＋３１を叩き
つり、放出した各種ターゲット材料が基板（４）上に蒸
着される。
本発明１こおいては、カー回転角が大きく、且つ高保持
ツへ角形比にも優れた好適な光磁気記録媒体を得るため
に、必要に応じて基板（４）に対して正もしくは負のバ
イアス電圧を印加すると共に、雰囲気ガス圧を所定の範
囲に設定するのがよく、雰３ 囲気ガス圧がｌ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ未満では安定な放
電状態が得られず、成膜が困難と々す、５０ Ｘ １Ｏ
−８Ｔｏｒｒを越えると、磁性薄膜中ｌこ含まれるアル
ゴン（Ａｒ ）や・窒：：ｉ （Ｎ＋、並びに酸素（０
）が増加して膜特性が劣化し、大きなカー回転角や大き
な保磁力を得ることがむずかしくなるため、ｌ Ｘ ｔ
ｏｅ ５０Ｘ １０ ＴＯｒｒ 、好適には３ Ｘ １
０ 〜２０ Ｘ １０ カテの範囲に設定される。
ツへ角形比にも優れた好適な光磁気記録媒体を得るため
に、必要に応じて基板（４）に対して正もしくは負のバ
イアス電圧を印加すると共に、雰囲気ガス圧を所定の範
囲に設定するのがよく、雰３ 囲気ガス圧がｌ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ未満では安定な放
電状態が得られず、成膜が困難と々す、５０ Ｘ １Ｏ
−８Ｔｏｒｒを越えると、磁性薄膜中ｌこ含まれるアル
ゴン（Ａｒ ）や・窒：：ｉ （Ｎ＋、並びに酸素（０
）が増加して膜特性が劣化し、大きなカー回転角や大き
な保磁力を得ることがむずかしくなるため、ｌ Ｘ ｔ
ｏｅ ５０Ｘ １０ ＴＯｒｒ 、好適には３ Ｘ １
０ 〜２０ Ｘ １０ カテの範囲に設定される。
Ｇｄ −Ｔｂ −Ｓｍ −Ｃｏ合金薄膜の成膜速度は基
板（４）の回転速度に依存するが、本発明においては基
なるように基板の回転速度が設定される。尚、０．１Ａ
／回転未満では不純物が導入されやすくなるために垂直
磁化膜の形成が困難となり、３０Ａ／回転を越えても垂
直磁化膜を形成するのが困難となる。
板（４）の回転速度に依存するが、本発明においては基
なるように基板の回転速度が設定される。尚、０．１Ａ
／回転未満では不純物が導入されやすくなるために垂直
磁化膜の形成が困難となり、３０Ａ／回転を越えても垂
直磁化膜を形成するのが困難となる。
成膜中の基板（４）の温度は２００℃以下に設定される
。２００℃を越えると非晶質構造の緩和がみられ、保磁
力の大きな膜を製作するのが困難である。
。２００℃を越えると非晶質構造の緩和がみられ、保磁
力の大きな膜を製作するのが困難である。
また、成膜中には、第１ターゲツト（２）と基板（４）
の間１こ１００Ｗ〜５ ｋＷの高周波電力が印加される
とともに、第２ターゲツト（３）と基板（４）の間にも
Ｓｍが所定量含有されるように適当な大きさの高周波電
力が印加される。
の間１こ１００Ｗ〜５ ｋＷの高周波電力が印加される
とともに、第２ターゲツト（３）と基板（４）の間にも
Ｓｍが所定量含有されるように適当な大きさの高周波電
力が印加される。
カ＜シて上記複合ターゲットをプレスパツタした後、バ
イアス電圧の印加とともに、雰囲気ガスの圧力、基板温
度、高周波電力などをそれぞれ所定範囲内に設定するこ
とにより、基板上１こ特有の非晶質形態を成した０６−
Ｔｂ −Ｓｍ −Ｆｅ合金薄膜と成り得、かかる条件
により製作されたａａ −Ｔｂ−Ｓｍ −Ｆｅ合金薄膜
はカー回転角が大きいため、優れた再生特性を具備した
光磁気記録媒体が提供できる。
イアス電圧の印加とともに、雰囲気ガスの圧力、基板温
度、高周波電力などをそれぞれ所定範囲内に設定するこ
とにより、基板上１こ特有の非晶質形態を成した０６−
Ｔｂ −Ｓｍ −Ｆｅ合金薄膜と成り得、かかる条件
により製作されたａａ −Ｔｂ−Ｓｍ −Ｆｅ合金薄膜
はカー回転角が大きいため、優れた再生特性を具備した
光磁気記録媒体が提供できる。
次に、本発明の実施例について述べる。
上述した図に示ずマグネトロンスパッタリング装置を使
用し、第１ターゲツト（２）としては、眼側円板の上ｌ
こＧｄ １Ｊｔ９角形チツプ°及びＴｂ［角形チップが
Ｍ ＩＦ？されｌζもの、第２ターゲツト（３）として
はａｎｑ＋！！円板を用いた。
用し、第１ターゲツト（２）としては、眼側円板の上ｌ
こＧｄ １Ｊｔ９角形チツプ°及びＴｂ［角形チップが
Ｍ ＩＦ？されｌζもの、第２ターゲツト（３）として
はａｎｑ＋！！円板を用いた。
真空イｖ’＋ ｆｔ＋内のガス圧はＡｒガス圧７ Ｘ
１Ｏ−３ＴＯｒｒに設定され、プレスパツタ後、基板＋
４１ ヲ５０ ｒｐｍ テで回転し、爪板（４）に対し
てバイアス電圧を印加しながら、第１ターゲツト（２旨
こ実効の高周波電力４００Ｗを印加し、第２クーゲツト
（３）に印加される実効の高周波電力を零から大きくす
ることによって、第１表に示ず通り、順次、Ｓｍの含有
量が大きくなったＧｄ −Ｔｂ −Ｓｍ −Ｆｅ合金薄
膜を基板（４）上に形成した。尚、本実施例で得られた
Ｇｄ −Ｔｂ −Ｓｍ−Ｆｅ合金薄膜をＸ線回折及びト
ルクメーターこより測定したところ、それぞれ非晶質及
び垂直磁化膜となっていることが確かめられた。
１Ｏ−３ＴＯｒｒに設定され、プレスパツタ後、基板＋
４１ ヲ５０ ｒｐｍ テで回転し、爪板（４）に対し
てバイアス電圧を印加しながら、第１ターゲツト（２旨
こ実効の高周波電力４００Ｗを印加し、第２クーゲツト
（３）に印加される実効の高周波電力を零から大きくす
ることによって、第１表に示ず通り、順次、Ｓｍの含有
量が大きくなったＧｄ −Ｔｂ −Ｓｍ −Ｆｅ合金薄
膜を基板（４）上に形成した。尚、本実施例で得られた
Ｇｄ −Ｔｂ −Ｓｍ−Ｆｅ合金薄膜をＸ線回折及びト
ルクメーターこより測定したところ、それぞれ非晶質及
び垂直磁化膜となっていることが確かめられた。
かくして得られたＧｄ −Ｔｂ −Ｓｍ −Ｆｅ合金薄
膜によれば、第２ターゲツト（３）にＳｍを用いないこ
とにより、Ｇ（１、Ｔｂ 、 Ｆｅの組成比が決められ
るため、ＩＣＰ発光分光分析によると、いずれの蒲−Ｔ
ｂ −Ｓｍ −Ｆｅ合金薄膜も（Ｇｄｂｏ Ｔ’ｂｂｏ
）！！６Ｆｅ７＋であることが確認でき、かかる組成
にもとづいて、Ｇｄ −Ｔ’ｂ −Ｓｍ −Ｆｅ合金薄
膜のカー回転角を日本分光（株）製カー回転角測定装置
により測定したところ、第１表１こ示す結果となった。
膜によれば、第２ターゲツト（３）にＳｍを用いないこ
とにより、Ｇ（１、Ｔｂ 、 Ｆｅの組成比が決められ
るため、ＩＣＰ発光分光分析によると、いずれの蒲−Ｔ
ｂ −Ｓｍ −Ｆｅ合金薄膜も（Ｇｄｂｏ Ｔ’ｂｂｏ
）！！６Ｆｅ７＋であることが確認でき、かかる組成
にもとづいて、Ｇｄ −Ｔ’ｂ −Ｓｍ −Ｆｅ合金薄
膜のカー回転角を日本分光（株）製カー回転角測定装置
により測定したところ、第１表１こ示す結果となった。
尚、第１表中。
語−Ｔｂ −Ｓｍ −Ｆｅ合金薄膜中のＳｍ含有量は、
これをＸとした場合、Ｓｍｘ （（Ｇｄ＋）ｏ Ｔｂｂ
ｏ ）２６ Ｆｅ７４１Ｔｏｏ−Ｘと表わすことができ
る。
これをＸとした場合、Ｓｍｘ （（Ｇｄ＋）ｏ Ｔｂｂ
ｏ ）２６ Ｆｅ７４１Ｔｏｏ−Ｘと表わすことができ
る。
第 １ 表
・叩は本発明の範囲外のものである
第１表中、試料番号ｌは先に提案された（）Ｃ１−ＴＩ
）−Ｆｅ合合金ル々を示し、 このカー回転角に比べて
、本発明の試料番号２〜６では一層大きくなっているこ
とが判る。
）−Ｆｅ合合金ル々を示し、 このカー回転角に比べて
、本発明の試料番号２〜６では一層大きくなっているこ
とが判る。
上述の実施例から明らかなように、本発明の光磁気記録
ｕす２体薯こよれば、 Ｇｄ −Ｔｂ −Ｆｅ三元系非
晶質合金薄膜にＳｎｌを所定量添加すること昏こよりカ
ー回転角が大きくなり、一段とＳハ比が向上し、優れた
再生特性を有した光磁気記録媒体が提供できる。
ｕす２体薯こよれば、 Ｇｄ −Ｔｂ −Ｆｅ三元系非
晶質合金薄膜にＳｎｌを所定量添加すること昏こよりカ
ー回転角が大きくなり、一段とＳハ比が向上し、優れた
再生特性を有した光磁気記録媒体が提供できる。
更に、カー回転角が向上するに伴ってキューリ一点が上
昇する傾向にあるが、本発明の光磁気記録媒体は、もと
もと比較的低いキューリ一点の語−Ｔｂ −Ｆｅ合金を
用いているため、カー回転角の向上に伴ってキューリ一
点が上昇しても、半導体レーザを投光源にする場合、何
ら実用上支障のない範囲内１こキューリ一点を制御でき
る。これにより、キューリ一点の上昇に起因して多層膜
構造の記録媒体にする必要がなく、本発明の光磁気記録
媒体を単層膜構造にして記録再生に使うことが可能であ
り、製造工程の簡略化がはかられる。
昇する傾向にあるが、本発明の光磁気記録媒体は、もと
もと比較的低いキューリ一点の語−Ｔｂ −Ｆｅ合金を
用いているため、カー回転角の向上に伴ってキューリ一
点が上昇しても、半導体レーザを投光源にする場合、何
ら実用上支障のない範囲内１こキューリ一点を制御でき
る。これにより、キューリ一点の上昇に起因して多層膜
構造の記録媒体にする必要がなく、本発明の光磁気記録
媒体を単層膜構造にして記録再生に使うことが可能であ
り、製造工程の簡略化がはかられる。
図は光磁気記録媒体を生成するためのマグネトロンスパ
ッタリング装置の概略図である。 （２）・・・第１ターゲツト、（３１−・・第２ターゲ
ツト、；４）・・・基板、（７１、＋８１−・・高周波
電源、１９）−・・直流電源特許出願人 京セ ラ株式
会社 手−続補正書 （自発） 昭和５８年１２月 ７０ １、事件の表示 昭和５８年持重願第２０７ｃＩ１５９
号２、発明の名称 光磁気記録媒体 ５、補正の対象 願１及び明細書 ６．７＋Ｉｉ正の内容 別紙のとおり、タイプ印書によ
る願書および明細書
ッタリング装置の概略図である。 （２）・・・第１ターゲツト、（３１−・・第２ターゲ
ツト、；４）・・・基板、（７１、＋８１−・・高周波
電源、１９）−・・直流電源特許出願人 京セ ラ株式
会社 手−続補正書 （自発） 昭和５８年１２月 ７０ １、事件の表示 昭和５８年持重願第２０７ｃＩ１５９
号２、発明の名称 光磁気記録媒体 ５、補正の対象 願１及び明細書 ６．７＋Ｉｉ正の内容 別紙のとおり、タイプ印書によ
る願書および明細書
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）ＩＩＩ″！而と垂直な方向に磁化容易軸を有する
Ｇｄ−Ｔｂ −Ｓｍ −Ｆｅ四元糸非晶質合金薄膜から
成ることを特徴とする光磁気記録媒体。 （２１ｎｉｌ記（ｊｄ −Ｔｌ） −Ｓｍ −Ｆｅ四元
糸非晶質合金薄膜が、（ｋｌ、 、 ’Ｊ、’ｂ及びＳ
ｉｎを含む希土類金属を１０〜４０ ａｔｏｍｉｃ％含
有しＣいることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の光磁気記録媒体。 （３） 前記希土類金属中、Ｓｍを６５ ａｔｏｍｉｃ
％以下（０を含まない）含有していることを特徴とする
特許請求の範囲第２項記戦の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20795983A JPS60101743A (ja) | 1983-11-05 | 1983-11-05 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20795983A JPS60101743A (ja) | 1983-11-05 | 1983-11-05 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60101743A true JPS60101743A (ja) | 1985-06-05 |
Family
ID=16548357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20795983A Pending JPS60101743A (ja) | 1983-11-05 | 1983-11-05 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60101743A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6212941A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-21 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1983
- 1983-11-05 JP JP20795983A patent/JPS60101743A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6212941A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-21 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
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