JPH022106A - 不透明スライスの２つの対向面上に互に位置合せされたパターンを得る方法 - Google Patents

不透明スライスの２つの対向面上に互に位置合せされたパターンを得る方法

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JPH022106A
JPH022106A JP63312124A JP31212488A JPH022106A JP H022106 A JPH022106 A JP H022106A JP 63312124 A JP63312124 A JP 63312124A JP 31212488 A JP31212488 A JP 31212488A JP H022106 A JPH022106 A JP H022106A
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JP
Japan
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slice
pattern
opaque
alignment
mask
Prior art date
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Pending
Application number
JP63312124A
Other languages
English (en)
Inventor
Pierre Goirand
ピエール・グワラン
Jacques Schneider
ジャック・シュネイデル
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、第１表面に少なくとも１つの基準パターンを
有する不透明スライスの第１表面と第２表面に互に位置
合せされたパターンを得る方法に関するものである。
このようなアライメントを得る公知の技法は特別な機械
を用い、この機械によって２つのマスクが互に位置合せ
され、この場合スライスは２つのマスクの間に配され、
その１つに対して位置合せされる。
この技法は、一方においては特別用途のためにまた他方
においては複雑なために高価な装置の使用を必要とし、
機械は両面（ｄｏｕｂｌｅ−ｆａｃｅ）アライメントを
行わねばならない。その上、その精度はそれ程優れたも
のでない（±５μｍのオーダの精度）。
本発明は、単一面（ｓｉｎｇｌｅ　ｆａｃｅ）の、特別
なものでない機械を、従来技術の精度に少なくとも等し
い精度をもって使用することのできる方法を得ることを
目的とするものである。
本発明の基本的な考え方は、不透明スライスの既存パタ
ーンの側を透明プレート上に接着し、写真印刷により、
既存のパターンに対して位置合せされたパターンを透明
プレートに転写することにある。ガラスのプレート上の
これ等パターンは今度は不透明スライスの他方の表面上
に所望のパターンを得る基準として役立つ。
この目的で、本発明は次の工程の結合から成ることを特
徴とするものである。
ａ）　不透明スライスの第１表面を、この不透明スライ
スよりも大きな寸法を有する透明プレートの第１表面と
接着する工程。
ｂ）　フォトレジスト層を、不透明スライスの第２表面
と、透明プレートの第１表面の前記不透明スライスの輪
郭からはみ出た部分とに設ける工程。
Ｃ）　　Ｍ準パターンに対してアライメントマスクを位
置合せする工程。
ｄ）　アライメントマスクおよび透明プレートの第１表
面と反対側の第２表面を通して露光し、不透明スライス
の輪郭からはみ出たフォトレジストにアライメントパタ
ーンを生成する工程。
ｅ）　前記の工程ｄ）の間に露光されたフォトレジスト
を現像してアライメントパターンを現出させる工程。
「）　不透明スライスの第２表面に対向して配された再
アライメントマスクを前記のアライメントパターンと位
置合せする工程。
ｇ）　再アライメントマスクを通して露光し、不透明ス
ライスの第２表面を覆うフォトレジストに、アライメン
トパターンに対して位置合せされた機能パターンを生成
する工程。
ｈ）前記の工程ｇ）の間に露光されたフォトレジストを
現像して機能パターンを現出させる工程。
不透明スライスは半導体結晶でよく、また透明プレート
はガラスより成るものでよい。
不透明スライスと透明プレートとは透明ワックスで互に
接着することができる。
アライメントパターンが対称的であ特別な場合には、ア
ライメントマスクと再アライメント（ｒｅａｌ　＋ｇｒ
＋ｍｅｎｔ）　マスクは同一であるが好ましい。
非常に高いアライメントの精度を得ることを可・能にす
る本発明の好ましい実施態様では、アライメントおよび
露出工程は、投影で働く単一面装置（ｓｉｇｌｅ−ｆａ
ｃｅ　ａｐｐａｒａｔｕｓ）によって行われる。
以下本発明を図面を参照して実施例により更に詳しく説
明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではな
い。
第１ａ図では、不透明スライス２特に例えば発光ダイオ
ードを有する半導体結晶は、下面として示された面上に
基準パターン３と場合によっては導電接続部のパターン
７を有する。これ等のパターン３と７は、例えば金属ス
トリップまたはパッドの形の半導体材料より成るもので
よい。
不透明スライス２は、該スライスよりも大きな寸法を有
する透明プレート１の上面の中央に接着され、このため
透明プレート１は不透明スライス２の輪郭から５におい
てはみ出ている。接着工程は透明接着層４により行われ
るが、この接着層は、後で不透明スライス２を透明プレ
ート１から離すことを可能にする例えば透明なワックス
である。
第１ｂ図では、ポジティブフォトレジスト６の層が透明
プレート１の上面のはみ出た部分５と不透明スライス２
の上面とにデポジットされる。
第１ｃ図では、アライメントマスク１０が基準パターン
３に対して位置決めされる。この位置決めは、マスクの
アライメント孔１１を基準パターン３と光学的に位置合
せすることによって行われる。アライメントマスク１０
は透明プレート１のはみ出し部分に対向した孔１２も有
する。
第１ｄ図においては、マスク１０は、孔１２に対応した
アライメントパターンを生じるようにフォトレジスト６
の化学的な変化を誘起しやすい光線で露光される。この
露光は透明プレート１の下面を経て行われ、不透明スラ
イス２はその上面を覆うフォトレジスト６を保護する。
第１ｅ図においては、フォトレジスト６は、アライメン
トパターンの輪郭を有する孔８が形成されるように現像
される。
第１ｒ図においては、透明プレート１と不透明スライス
２の上面の側に配された再アライメントマスク１０′の
孔１２′が孔８と位置合せされる。この再アライメント
マスク１０′は、更に、不透明スライス２の上面に形成
さるべき機能パターン（ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ　ｐａｔ
ｔｅｒｎ）に対応する孔１４も有する。
第１ｇ図において、不透明スライス２の上面を覆うフォ
トレジスト６上に所望の機能パターンを生じるように、
不透明スライス２の上面を経て光線２０で露光する。
第１ｈ図においては、所望の機能パターンに対応した孔
９を形成させるようにフォトレジストが現像される。
次いで、不透明スライス２を透明プレート１より離す前
または後に、機能パターンの孔９を利用するように他の
工程を不透明スライス２上に行うことが可能である。
逆にしても同じような対称的なアライメントパターンを
選ぶのが有利である。この場合には、アライメントマス
クおよび再アライメントマスクとして役立つ唯１つのマ
スクを使うことが実際に可能である。このマスクは、フ
ォトレジスト６の孔９を形成する役をする孔１４を有す
る（第１ｇ図および１１図）。
マスクのこれ等の孔１４の存在は、スライス２が不透明
なため工程ｄ）　（第１ｄ図）の間その上面の露光を阻
止するので、何等不都合はない。
第２図によれば、例えばＭＩＣＲＯＡＬＧＮ　ＩＩＩの
名前でＣｏｍｐａｎｙ　ＰＥＲＫ［Ｎ−ＥＬＭＥＲによ
り市販されている、投影で働く単一面装置は、マスクと
スライスのアライメントを見えるようにするのに使用す
る、可視光線から露光に使用する紫外線を分離するグイ
クロイックミラーを有する。
投影システムは更に、第１ミラーを構成する球凹面ミラ
ー３１とこの第１ミラーと同軸で該軸に沿って移動可能
な球凸面ミラー３２と、平面ミラー３０゜３４も有する
。
光線２０はマスク１０を露光し、その像は、平面ミラー
３０、球面ミラー３１．３２および平面ミラー３４によ
ってプレート１に投影され、同時にミラー３２の軸方向
の移動により得られたアライメントは、グイクロイック
ミラー３０を経て双眼鏡で制御することができる。
前述の装置は、±２μｍのオーダのアライメントの精度
を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１ａ図から第１ｈ図は本発明方法の各工程を図解した
略断面図、 第２図は本発明の方法を行うのに用いるのに適したそれ
自体は公知の投影によるアライメント装置を図解した線
図である。 ｌ・・・透明プレート　　　２・・・不透明スライス３
・・・基準パターン　　　４・・・透明接着層５・・・
はみ出し部分　　　６・・・フォトレジスト８、１１．
１２．１２　’・・・アライメント孔９・・・機能パタ
ーン １０・・・アライメントマスク １０′・・・再アライメントマスク １４・・・機能パターン形成用孔 ３０・・・グイクロイックミラー

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、次の各工程の結合からなる、第１表面に少なくとも
    １つの基準パターンを有する不透明スライスの第１表面
    と第２表面に互に位置合せされたパターンを得る方法。 ａ）不透明スライスの第１表面を、この不透明スライス
    よりも大きな寸法を有する透明プレートの第１表面と接
    着する工程。 ｂ）フォトレジスト層を、不透明スライスの第２表面と
    、透明プレートの第１表面の前記不透明スライスの輪郭
    からはみ出た部分とに設ける工程。 ｃ）基準パターンに対してアライメントマスクを位置合
    せする工程。 ｄ）アライメントマスクおよび透明プレートの第１表面
    と反対側の第２表面を通して露光し、不透明スライスの
    輪郭からはみ出たフォトレジストにアライメントパター
    ンを生成する工程。 ｅ）前記の工程ｄ）の間に露光されたフォ トレジストを現像してアライメントパターンを現出させ
    る工程。 ｆ）不透明スライスの第２表面に対向して配された再ア
    ライメントマスクを前記のアライメントパターンと位置
    合せする工程。 ｇ）再アライメントマスクを通して露光し、不透明スラ
    イスの第２表面を覆うフォトレジスト上に、アライメン
    トパターンに対して位置合せされた機能パターンを生成
    する工程。 ｈ）前記の工程ｇ）の間に露光されたフォトレジストを
    現像して機能パターンを現出させる工程。 不透明スライス（２）は半導体結晶である請求項１記載
    の方法。 透明プレート（１）はガラスよ成る請求項１または２記
    載の方法。 ４、不透明スライス（２）と透明プレート（１）を透明
    ワックスの層（４）によって互に接着する請求項１乃至
    ３の何れか１項記載の方法。 ５、アライメントと露光の工程を、投影で動作する単一
    面装置により行う請求項１乃至４の何れか１項記載の方
    法。 ６、アライメントパターン（８）は対称で、アライメン
    トマスクと再アライメントマスクは同一である請求項１
    乃至５の何れか１項記載の方法。
JP63312124A 1987-12-15 1988-12-12 不透明スライスの２つの対向面上に互に位置合せされたパターンを得る方法 Pending JPH022106A (ja)

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FR8717477 1987-12-15
FR8717477A FR2624625B1 (fr) 1987-12-15 1987-12-15 Procede d'obtention de motifs alignes entre eux sur deux faces opposees d'une plaque opaque

Publications (1)

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JPH022106A true JPH022106A (ja) 1990-01-08

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JP63312124A Pending JPH022106A (ja) 1987-12-15 1988-12-12 不透明スライスの２つの対向面上に互に位置合せされたパターンを得る方法

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US (1) US4937162A (ja)
EP (1) EP0321029B1 (ja)
JP (1) JPH022106A (ja)
KR (1) KR890011015A (ja)
DE (1) DE3879426T2 (ja)
FR (1) FR2624625B1 (ja)

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DE3879426T2 (de) 1993-09-23
EP0321029A1 (fr) 1989-06-21
FR2624625B1 (fr) 1990-04-27
DE3879426D1 (de) 1993-04-22
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