JPH02210801A - 導電性複合粉末及びその粉末を用いた抵抗組成物 - Google Patents
導電性複合粉末及びその粉末を用いた抵抗組成物Info
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- JPH02210801A JPH02210801A JP1029613A JP2961389A JPH02210801A JP H02210801 A JPH02210801 A JP H02210801A JP 1029613 A JP1029613 A JP 1029613A JP 2961389 A JP2961389 A JP 2961389A JP H02210801 A JPH02210801 A JP H02210801A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ll上Ω■皿±1
本発明は、窒素雰囲気等の不活性雰囲気中で焼成でき、
特に抵抗値の再現性及びノイズ、ESD(静電気放電)
特性等の抵抗特性の優れたタンタル系厚膜抵抗組成物と
、これに用いる材料に関する。
特に抵抗値の再現性及びノイズ、ESD(静電気放電)
特性等の抵抗特性の優れたタンタル系厚膜抵抗組成物と
、これに用いる材料に関する。
従連!11■
厚膜抵抗体は、金属や金属酸化物等の金属化合物からな
る導電性粉末と、ガラス粉末とを有機ビヒクルに分散さ
せて塗料状又はペースト状とした組成物を、絶縁基板上
に所定のパターンで印刷した後焼成し、必要によりトリ
ミングを行って所定の抵抗値となるように製造される。
る導電性粉末と、ガラス粉末とを有機ビヒクルに分散さ
せて塗料状又はペースト状とした組成物を、絶縁基板上
に所定のパターンで印刷した後焼成し、必要によりトリ
ミングを行って所定の抵抗値となるように製造される。
従来はルテニウム酸化物系が主流であったが、近年、不
活性雰囲気中で焼成でき、卑金属厚膜導体と適合する厚
膜抵抗体として、酸化スズ系やタンタル系抵抗が実用化
されている。このうちタンタル系では、金属タンタル、
窒化タンタル、硼化タンタルなどを導電成分とするもの
が知られており、例えば特開昭55−108702号に
、タンタル粒子とガラスフリットと、所望によりチタン
、硼素、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化チタン
、酸化バリウム、酸化タングステン、窒化タンタル、窒
化チタン、珪化モリブデン、珪酸マグネシウム等の添加
剤をタンタル粒子の50重量%まで配合した抵抗組成物
が開示されている。このようなタンタル系抵抗は、10
Ω/口〜10にΩ/口の範囲の低抵抗域から中抵抗成用
として期待されている。
活性雰囲気中で焼成でき、卑金属厚膜導体と適合する厚
膜抵抗体として、酸化スズ系やタンタル系抵抗が実用化
されている。このうちタンタル系では、金属タンタル、
窒化タンタル、硼化タンタルなどを導電成分とするもの
が知られており、例えば特開昭55−108702号に
、タンタル粒子とガラスフリットと、所望によりチタン
、硼素、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化チタン
、酸化バリウム、酸化タングステン、窒化タンタル、窒
化チタン、珪化モリブデン、珪酸マグネシウム等の添加
剤をタンタル粒子の50重量%まで配合した抵抗組成物
が開示されている。このようなタンタル系抵抗は、10
Ω/口〜10にΩ/口の範囲の低抵抗域から中抵抗成用
として期待されている。
口が 2しよ゛と る
ところが、タンタル金属粉末とガラスフリットからなる
抵抗組成物を焼成して得な抵抗体は、特に100Ω/口
以上で、焼成条件即ち焼成雰囲気や温度、時間の影響を
強く受けて特性が変動し易く、抵抗値の再現性が悪いと
いう問題がある。更に抵抗値が高くなるにつれて、抵抗
値バラツキが著しく大きくなるほか、電流雑音、ESD
特性が悪化し、抵抗温度係数も負に大きくなるので、1
にΩ/口を越えると全く実用にならず、使用可能な抵抗
値範囲が狭い。
抵抗組成物を焼成して得な抵抗体は、特に100Ω/口
以上で、焼成条件即ち焼成雰囲気や温度、時間の影響を
強く受けて特性が変動し易く、抵抗値の再現性が悪いと
いう問題がある。更に抵抗値が高くなるにつれて、抵抗
値バラツキが著しく大きくなるほか、電流雑音、ESD
特性が悪化し、抵抗温度係数も負に大きくなるので、1
にΩ/口を越えると全く実用にならず、使用可能な抵抗
値範囲が狭い。
従って本発明の目的は、広い抵抗値範囲でプロセス感受
性が低く、抵抗特性が焼成条件の変化に対して影響を受
けにくい、安定な抵抗体を再現性良く製造し得る抵抗組
成物を提供することにある。
性が低く、抵抗特性が焼成条件の変化に対して影響を受
けにくい、安定な抵抗体を再現性良く製造し得る抵抗組
成物を提供することにある。
−゛ ための
本発明は、タンタル金属粉末とガラス粉末の混合物、或
いはタンタル金属粉末と、ガラス粉末及び添加剤粉末の
混合物を、不活性雰囲気中、ガラスの軟化点以上の温度
で熱処理後粉砕してなる導電性複合粉末である。又本発
明はこの導電性複合粉末を、所望によりガラス粉末及び
/又は添加剤粉末とともに有機ビヒクルに分散させてな
る抵抗組成物である0本発明は更に、タンタル金属粉末
とガラス粉末と所望により添加剤粉末とを混合し、不活
性雰囲気中、ガラスの軟化点以上の温度で熱処理を行っ
た後、粉砕することを特徴とする導電性複合粉末の製造
方法をも包含する。
いはタンタル金属粉末と、ガラス粉末及び添加剤粉末の
混合物を、不活性雰囲気中、ガラスの軟化点以上の温度
で熱処理後粉砕してなる導電性複合粉末である。又本発
明はこの導電性複合粉末を、所望によりガラス粉末及び
/又は添加剤粉末とともに有機ビヒクルに分散させてな
る抵抗組成物である0本発明は更に、タンタル金属粉末
とガラス粉末と所望により添加剤粉末とを混合し、不活
性雰囲気中、ガラスの軟化点以上の温度で熱処理を行っ
た後、粉砕することを特徴とする導電性複合粉末の製造
方法をも包含する。
タンタル金属粉末は平均粒径5M以下、望ましくは1−
以下のものが使用される。特に平均粒径0.1〜0.5
a程度のものが好ましい。
以下のものが使用される。特に平均粒径0.1〜0.5
a程度のものが好ましい。
ガラス粉末は、抵抗組成物に通常使用されるものであれ
ば特に制限はない0例えば硼珪酸アルカリ土類金属ガラ
ス、硼珪酸アルカリ土類金属アルミニウムガラスなどが
代表的である0粒子サイズは平均粒径10μs以下、好
ましくは1・〜5μsのものを用いる。
ば特に制限はない0例えば硼珪酸アルカリ土類金属ガラ
ス、硼珪酸アルカリ土類金属アルミニウムガラスなどが
代表的である0粒子サイズは平均粒径10μs以下、好
ましくは1・〜5μsのものを用いる。
タンタルとガラスの比率は、重量比でおよそ80/20
〜10/9Gの範囲である。比率が10/90より小さ
くなると、電流雑音、抵抗温度特性、抵抗値バラツキ等
が悪化するので使用に適さない。
〜10/9Gの範囲である。比率が10/90より小さ
くなると、電流雑音、抵抗温度特性、抵抗値バラツキ等
が悪化するので使用に適さない。
添加剤も、タンタル系抵抗体の抵抗値や抵抗温度特性そ
の他の特性の調整用として一般的に知られているものが
、いずれも使用できる0例えば、硼素、チタン、タング
ステン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化ニッケル、
酸化コバルト、酸化タンタル、酸化バナジウム、酸化チ
タン、酸化バリウム、酸化タングステン、窒化タンタル
、窒化チタン、珪化モリブデン、珪酸マグネシウムなど
を、タンタルの50重1%以下の量で添加することがで
きる。
の他の特性の調整用として一般的に知られているものが
、いずれも使用できる0例えば、硼素、チタン、タング
ステン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化ニッケル、
酸化コバルト、酸化タンタル、酸化バナジウム、酸化チ
タン、酸化バリウム、酸化タングステン、窒化タンタル
、窒化チタン、珪化モリブデン、珪酸マグネシウムなど
を、タンタルの50重1%以下の量で添加することがで
きる。
タンタル金属粉末とガラス粉末の混合物、或いはこれに
添加剤粉末を加えた混合物の熱処理は、N2 、Arな
との不活性雰囲気中、ガラスが十分軟化流動してタンタ
ルとの反応が起こり易くなる温度で行なう、この処理温
度はガラスの種類によって異なるが、およそ500〜1
300℃程度である。
添加剤粉末を加えた混合物の熱処理は、N2 、Arな
との不活性雰囲気中、ガラスが十分軟化流動してタンタ
ルとの反応が起こり易くなる温度で行なう、この処理温
度はガラスの種類によって異なるが、およそ500〜1
300℃程度である。
熱処理後は冷却し、ボールミル等通常の手段で粉砕して
、所定の粒度の複合粉末を得る。11合粉末は、平均粒
径1〇−以下、特に1〜5贋程度の粒度にすることが望
ましい。
、所定の粒度の複合粉末を得る。11合粉末は、平均粒
径1〇−以下、特に1〜5贋程度の粒度にすることが望
ましい。
本発明の複合粉末は、単独で、或いは処理しないガラス
粉末や添加剤粉末と混合して通常の有機ビヒクルに分散
させ、塗料状或いはペースト状の抵抗組成物とする。
粉末や添加剤粉末と混合して通常の有機ビヒクルに分散
させ、塗料状或いはペースト状の抵抗組成物とする。
1月
本発明の特徴は、導電性粉末とガラス粉末、或いは導電
性粉末とガラス粉末と添加剤を予め熱処理し、再粉砕し
て複合化することにある。この複合化した粉末を用いた
抵抗組成物を焼成することにより、10セス敏感性即ち
焼成雰囲気等の変化による特性の変動が小さくなり、抵
抗値のバラツキが減少する。このため、10Ω/口〜1
00にΩ/口の広い抵抗値範囲において、安定した特性
を有する厚膜抵抗体が得られる。更に本発明の抵抗は、
電流雑音特性においても従来より格段に優れており、又
改善されたESD特性を示す。
性粉末とガラス粉末と添加剤を予め熱処理し、再粉砕し
て複合化することにある。この複合化した粉末を用いた
抵抗組成物を焼成することにより、10セス敏感性即ち
焼成雰囲気等の変化による特性の変動が小さくなり、抵
抗値のバラツキが減少する。このため、10Ω/口〜1
00にΩ/口の広い抵抗値範囲において、安定した特性
を有する厚膜抵抗体が得られる。更に本発明の抵抗は、
電流雑音特性においても従来より格段に優れており、又
改善されたESD特性を示す。
このような効果が得られる理由は次のように考えられる
。
。
タンタル金属粉末とガラスフリットからなる抵抗組成物
を窒素雰囲気中で焼成し、焼成による変化をXIIA回
折で調べると、Taのピークの強度が弱まり、Ta20
5の結晶ピークが現れる。この結晶相の現れ方は焼成時
間、焼成温度、焼成雰囲気中の酸素濃度などにより差が
あることから、これらの焼成条件によって反応の進行の
度合が大きく異なり、その結果抵抗値が焼成前の導電性
粉末とガラスの比によって決まらず、バラツキが大きく
なるものと思われる。特に導電粒子が少なくなる高抵抗
域に近づくほど、特性が悪化する傾向にある。
を窒素雰囲気中で焼成し、焼成による変化をXIIA回
折で調べると、Taのピークの強度が弱まり、Ta20
5の結晶ピークが現れる。この結晶相の現れ方は焼成時
間、焼成温度、焼成雰囲気中の酸素濃度などにより差が
あることから、これらの焼成条件によって反応の進行の
度合が大きく異なり、その結果抵抗値が焼成前の導電性
粉末とガラスの比によって決まらず、バラツキが大きく
なるものと思われる。特に導電粒子が少なくなる高抵抗
域に近づくほど、特性が悪化する傾向にある。
しかし本発明において、タンタル粉末とガラスの熱処理
を行うことにより予め反応を行わせ、初めから複合化さ
せておくと、この導電性複合粉末を用いた抵抗組成物を
焼成しても、はとんど結晶相の変化を示さない、このた
め抵抗値のバラツキが小さくなり、再現性が大幅に向上
する。更に抵抗体中に形成される導電粒子マトリクスも
安定し、ノイズやESD特性が改善されたものと考えら
れ、その結果としてこれまで実用にならなかった1に〜
100にΩ/口の比較的高い抵抗域においても、特性の
優れた抵抗体を製造することが可能となったものである
。
を行うことにより予め反応を行わせ、初めから複合化さ
せておくと、この導電性複合粉末を用いた抵抗組成物を
焼成しても、はとんど結晶相の変化を示さない、このた
め抵抗値のバラツキが小さくなり、再現性が大幅に向上
する。更に抵抗体中に形成される導電粒子マトリクスも
安定し、ノイズやESD特性が改善されたものと考えら
れ、その結果としてこれまで実用にならなかった1に〜
100にΩ/口の比較的高い抵抗域においても、特性の
優れた抵抗体を製造することが可能となったものである
。
尚、比較的Ta含有率の高い複合粉末を未処理のガラス
粉末と混合して使用しても本発明の効果は変わらない、
又添加剤は、抵抗組成物に単独で添加してもよいが、予
め導電粒子及びガラスと複合化させておく方が、各成分
間の反応が安定化し、分散状態も均一になるので望まし
い。
粉末と混合して使用しても本発明の効果は変わらない、
又添加剤は、抵抗組成物に単独で添加してもよいが、予
め導電粒子及びガラスと複合化させておく方が、各成分
間の反応が安定化し、分散状態も均一になるので望まし
い。
衷■頂
実施例1
Ta粉末60重量部と、ガラス粉末40重量部(組成は
重量%でBa 036.0−MQ O2,5−820s
38.0−Ni O5,0−8i 0217.(1−A
I 20s1.5)を混合し、ボールミルで粉砕した後
、N2雰囲気中900℃で2時間熱処理し、次いで徐冷
し、再度ボールミル粉砕を行って、導電性複合粉末を得
た。
重量%でBa 036.0−MQ O2,5−820s
38.0−Ni O5,0−8i 0217.(1−A
I 20s1.5)を混合し、ボールミルで粉砕した後
、N2雰囲気中900℃で2時間熱処理し、次いで徐冷
し、再度ボールミル粉砕を行って、導電性複合粉末を得
た。
この複合粉末100重量部に対し、有機ビヒクルとして
エチルセルロース1重量部と2.2.4−トリメチル−
1,3−ベンタンジオールモノイソブチレート30重量
部を添加し、混練して抵抗ペーストを作製した。
エチルセルロース1重量部と2.2.4−トリメチル−
1,3−ベンタンジオールモノイソブチレート30重量
部を添加し、混練して抵抗ペーストを作製した。
この抵抗ペーストを、予め銅厚膜電極が焼付けされたア
ルミナ基板上に、1 m X l■の正方形パターンに
印刷し、空気中150℃で10分間乾燥した後、N2雰
囲気中最高温度900℃10分間保持、40分サイクル
の条件で焼成した。得られた抵抗体のシート抵抗値、抵
抗値のバラツキ(CV)及び電流雑音はそれぞれ31.
0Ω/口、2.4%、−30dB以下であった。尚、C
vは抵抗体80個についての値である。
ルミナ基板上に、1 m X l■の正方形パターンに
印刷し、空気中150℃で10分間乾燥した後、N2雰
囲気中最高温度900℃10分間保持、40分サイクル
の条件で焼成した。得られた抵抗体のシート抵抗値、抵
抗値のバラツキ(CV)及び電流雑音はそれぞれ31.
0Ω/口、2.4%、−30dB以下であった。尚、C
vは抵抗体80個についての値である。
実施例2〜4
Ta粉末と、ガラス粉末を表1に示す比率で混合し、実
施例1と同様にじて熱処理し、粉砕して導電性複合粉末
を得た。
施例1と同様にじて熱処理し、粉砕して導電性複合粉末
を得た。
各粉末100重1部に対し、エチルセルロース1重1部
と2.2.4−)ジメチル−1,3−ベンタンジオール
モノイソブチレート29〜34重量部からなる有機ビヒ
クルを添加し、混練してそれぞれ抵抗ペーストを作製し
た。
と2.2.4−)ジメチル−1,3−ベンタンジオール
モノイソブチレート29〜34重量部からなる有機ビヒ
クルを添加し、混練してそれぞれ抵抗ペーストを作製し
た。
この抵抗ペーストを、実施例1と同様にアルミナ基板上
に焼付けして得られた抵抗体の抵抗値、抵抗値のバラツ
キ(CV)及び電流雑音を調べ、表1に示した。
に焼付けして得られた抵抗体の抵抗値、抵抗値のバラツ
キ(CV)及び電流雑音を調べ、表1に示した。
実施例5
Ta粉末25重1部と、実施例1と同一組成のガラス粉
末70重量部、及び添加剤としてB粉末5重量部を混合
し、ボールミルで粉砕した後、N2雰囲気中900℃で
2時間熱処理し、次いで徐冷し、再度ボールミル粉砕を
行って、導電性複合粉末を得た。
末70重量部、及び添加剤としてB粉末5重量部を混合
し、ボールミルで粉砕した後、N2雰囲気中900℃で
2時間熱処理し、次いで徐冷し、再度ボールミル粉砕を
行って、導電性複合粉末を得た。
この粉末を用い、実施例1と同様にして抵抗ペーストを
作製し、アルミナ基板上に焼付けして抵抗体を得た。特
性を表1に併せて示す。
作製し、アルミナ基板上に焼付けして抵抗体を得た。特
性を表1に併せて示す。
実施例6
Ta粉末25重量部と、ガラス粉末70重量部、及び添
加剤としてZ「02粉末5重量部を混合し、実施例6と
同様に熱処理して得た複合粉末を用い、抵抗ペーストを
作製した。このペーストをアルミナ基板上に焼付けして
抵抗体を得た。特性を表1に併せて示す。
加剤としてZ「02粉末5重量部を混合し、実施例6と
同様に熱処理して得た複合粉末を用い、抵抗ペーストを
作製した。このペーストをアルミナ基板上に焼付けして
抵抗体を得た。特性を表1に併せて示す。
実施例7
Ta粉末とガラス粉末の重量比を60:40とする以外
は実施例1と同様に熱処理して、導電性複合粉末を得た
。
は実施例1と同様に熱処理して、導電性複合粉末を得た
。
この導電性複合粉末100重量部に対して更にガラス粉
末を20重量部を添加し、有機ビヒクルとともに混練し
て抵抗ペーストを作製した。アルミナ基板上に焼成して
得られた抵抗体は、表1に示すようにシート抵抗値10
1Ω/口、CV3.3%、電流雑音−27,0dBと、
優れた特性を有するものであった。
末を20重量部を添加し、有機ビヒクルとともに混練し
て抵抗ペーストを作製した。アルミナ基板上に焼成して
得られた抵抗体は、表1に示すようにシート抵抗値10
1Ω/口、CV3.3%、電流雑音−27,0dBと、
優れた特性を有するものであった。
比較例1〜3
実施例1で用いたものと同一のTa粉末とガラス粉末を
、表1に示す比率で混合し、熱処理を行なわずにビヒク
ルと混練して抵抗ペーストを得た。
、表1に示す比率で混合し、熱処理を行なわずにビヒク
ルと混練して抵抗ペーストを得た。
実施例1と同様に抵抗体を製造し、特性を表1に併せて
示した。
示した。
表1から、本発明で得られた抵抗体は、同程度の抵抗値
を有する、予め熱処理、複合化しない粉末を用いた比較
例と比べて、抵抗値バラツキ及び雑音特性等が大きく改
善されていることがわかる。
を有する、予め熱処理、複合化しない粉末を用いた比較
例と比べて、抵抗値バラツキ及び雑音特性等が大きく改
善されていることがわかる。
(以下余白)
第1図及び第2図は、本発明の効果をわかりやすくする
ため、表1に示された実施例1〜7及び比較例1・〜3
の抵抗体の、シート抵抗値に対するCv及び電流雑音を
それぞれプロットしたグラフである。第1図中線Aは実
施例、線Bは比較例であり、又第2図中線Cは実施例、
線りは比較例である。これらのグラフからも、本発明の
抵抗体が極めて優れた特性を有していることが明らかで
ある。
ため、表1に示された実施例1〜7及び比較例1・〜3
の抵抗体の、シート抵抗値に対するCv及び電流雑音を
それぞれプロットしたグラフである。第1図中線Aは実
施例、線Bは比較例であり、又第2図中線Cは実施例、
線りは比較例である。これらのグラフからも、本発明の
抵抗体が極めて優れた特性を有していることが明らかで
ある。
次に、実施例3.5及び6について、150p Fのコ
ンデンサを使用し5kVの電圧で1回放電させESD試
験を行ったところ、抵抗値の変化率はそれぞれ−8,7
%、−2,6%、−9,4%であった。
ンデンサを使用し5kVの電圧で1回放電させESD試
験を行ったところ、抵抗値の変化率はそれぞれ−8,7
%、−2,6%、−9,4%であった。
これらの実施例と近い抵抗値を有する比較例3について
、同様なESC試験を行ったところ、抵抗変化率は−2
1,0%と極めて大きかっな。
、同様なESC試験を行ったところ、抵抗変化率は−2
1,0%と極めて大きかっな。
i豆座皇j
本発明はタンタル粉末とガラス粉末とを予め熱処理し、
複合化して用いることにより、広い抵抗値範囲でプロセ
ス敏感性の小さい、安定で優れた抵抗特性を有する抵抗
体を、容易に、再現性良く製造することができるもので
ある。
複合化して用いることにより、広い抵抗値範囲でプロセ
ス敏感性の小さい、安定で優れた抵抗特性を有する抵抗
体を、容易に、再現性良く製造することができるもので
ある。
第1図は、本発明の実施例及び比較例の抵抗体の、シー
ト抵抗値に対するCvの関係を示したグラフであり、第
2図は、同様にシート抵抗値と電流雑音の関係を示した
グラフである。 cv/情 を流翅會/dB
ト抵抗値に対するCvの関係を示したグラフであり、第
2図は、同様にシート抵抗値と電流雑音の関係を示した
グラフである。 cv/情 を流翅會/dB
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 タンタル金属粉末とガラス粉末の混合物を、不活性
雰囲気中、ガラスの軟化点以上の温度で熱処理後粉砕し
てなる導電性複合粉末。 2 タンタル金属粉末と、ガラス粉末と、添加剤粉末の
混合物を、不活性雰囲気中、ガラスの軟化点以上の温度
で熱処理後粉砕してなる導電性複合粉末。 3 添加剤が硼素、チタン、タングステン、酸化ジルコ
ニウム、酸化亜鉛、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化
タンタル、酸化バナジウム、酸化チタン、酸化バリウム
、酸化タングステン、窒化タンタル、窒化チタン、珪化
モリブデン及び珪酸マグネシウムからなる群より選ばれ
た1種又は2種以上である請求項2記載の導電性複合粉
末。 4 請求項1乃至3のいずれかに記載された導電性複合
粉末を、有機ビヒクルに分散させてなる抵抗組成物。 5 更にガラス粉末及び/又は添加剤粉末を配合した、
請求項4記載の抵抗組成物。 6 添加剤が硼素、チタン、タングステン、酸化ジルコ
ニウム、酸化亜鉛、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化
タンタル、酸化バナジウム、酸化チタン、酸化バリウム
、酸化タングステン、窒化タンタル、窒化チタン、珪化
モリブデン及び珪酸マグネシウムからなる群より選ばれ
た1種又は2種以上である請求項5記載の抵抗組成物。 7 タンタル金属粉末とガラス粉末とを混合し、不活性
雰囲気中、ガラスの軟化点以上の温度で熱処理を行った
後、粉砕することを特徴とする導電性複合粉末の製造方
法。 8 タンタル金属粉末と、ガラス粉末と、添加剤粉末と
を混合し、不活性雰囲気中、ガラスの軟化点以上の温度
で熱処理を行った後、粉砕することを特徴とする導電性
複合粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1029613A JP2531980B2 (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | 導電性複合粉末及びその粉末を用いた抵抗組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1029613A JP2531980B2 (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | 導電性複合粉末及びその粉末を用いた抵抗組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02210801A true JPH02210801A (ja) | 1990-08-22 |
| JP2531980B2 JP2531980B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=12280923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1029613A Expired - Fee Related JP2531980B2 (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | 導電性複合粉末及びその粉末を用いた抵抗組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2531980B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55108702A (en) * | 1978-11-20 | 1980-08-21 | Trw Inc | Resistor material* resistor manufactured by same material and method of manufacturing same resistor |
| JPS63215551A (ja) * | 1987-02-28 | 1988-09-08 | 太陽誘電株式会社 | 電気抵抗体及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-02-10 JP JP1029613A patent/JP2531980B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55108702A (en) * | 1978-11-20 | 1980-08-21 | Trw Inc | Resistor material* resistor manufactured by same material and method of manufacturing same resistor |
| JPS63215551A (ja) * | 1987-02-28 | 1988-09-08 | 太陽誘電株式会社 | 電気抵抗体及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2531980B2 (ja) | 1996-09-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |