JPH0654726B2 - 厚膜抵抗体形成用組成物 - Google Patents

厚膜抵抗体形成用組成物

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JPH0654726B2
JPH0654726B2 JP1144385A JP14438589A JPH0654726B2 JP H0654726 B2 JPH0654726 B2 JP H0654726B2 JP 1144385 A JP1144385 A JP 1144385A JP 14438589 A JP14438589 A JP 14438589A JP H0654726 B2 JPH0654726 B2 JP H0654726B2
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希世史 柳沼
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はセラミツク基板上に厚膜抵抗体を形成するため
の厚膜抵抗体形成用組成物に関する。
〔従来の技術〕
軟化点400 〜700 ℃のガラスフリツトに所要の抵抗値に
なるように導電性粉末を混合し、これを有機ビヒクルに
分散したペーストを、アルミナ等のセラミツク基体上
に、スクリーン印刷法や転写法により所要形状に塗布
し、600〜900℃で焼成して、基体上に電子回路部品とし
ての厚膜抵抗体を形成することが行なわれている。
この導電性粉末としてAg、Pdの他にRuO2やパイロクロア
であるPb2Ru2O6〜7、Bi2Ru2O6〜7を使用することにより
抵抗値の安定性を改善したりすることも公知である。
この厚膜抵抗体を使つたチツプ抵抗器などの製造工程で
は、通常厚膜抵抗体の抵抗値を調整した後に、ガラスコ
ートなどの目的の為に600 ℃程度の再加熱工程が入る。
この再加熱工程での抵抗値の変化を考慮して、その前に
トリミングという抵抗値の調整を行なつている。この工
程での抵抗値の変化が大きいと最終の抵抗値を予定の範
囲内に収めることが困難となり、歩留りを悪化させる大
きな原因となつている。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明はこの再加熱工程での抵抗値の変化率の小さい、
従つて歩留り良く厚膜抵抗体の得られる主として低抵抗
値を有する厚膜抵抗体形成用組成物を提供することを課
題とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、PbO 35〜70重量%、SiO2 15〜40重量%を含
有する組成のガラス粉末10〜50重量%、RuO2、Pb2Ru2O6
〜7、Bi2Ru2O6〜7の何れか少なくとも一種の粉末5〜40
重量%、有機ビヒクル20〜40重量%、B2O3粉末0.2 〜5.
0 重量%の割合にこれらを含有する厚膜抵抗体形成用組
成物、及びPbO 35〜70重量%、SiO2 15〜40重量%を含
有する組成のガラス粉末10〜50重量%、RuO2を少なくと
も5重量%を含みAg、Pdの一方又は両方とで20〜60重量
%、有機ビヒクル20〜40重量%、B2O3粉末0.2 〜5.0 重
量%の割合にこれらを含有する厚膜抵抗体形成用組成物
を課題を解決するための手段とするものである。
固形物粉末は、ビヒクルと混合してペースト状とし、15
0 〜400 メツシユスクリーンを通して基体に塗布するた
め、ペーストが円滑にスクリーンを通過しうるようにす
るため平均粒径10μm以下、好ましくは5μm以下の粉
末として用いる。
有機ビヒクルは、従来と同様にターピネオール、ブチル
カルビトールアセテート、トルエンなどの溶媒にエチル
セルロース、メタクリレート樹脂等を溶解したものが用
いられる。
上記のガラス粉末、RuO2、Pb2Ru2O6〜7、Bi2Ru2O6〜7、
Ag、Pdの粉末、B2O3粉末、有機ビヒクル以外に、従来か
らTCR(抵抗温度係数)を小さくするために用いられ
ているMnO2、Mn2O3、Mn3O4、CuO、Nb2O3、Sb2O3、TiO2
を5重量%以内で添加することもできる。
上記のガラスとしては、PbO、SiO2の外にガラス成分と
して通常配合されているZnO、B2O3、Al2O3、CaO、BaO、
K2O、Na2O、ZnO、TiO2の少なくとも一種3〜35重量%を
軟化点や熱膨張率等を調節するために添加することが出
来る。
〔作用〕
本発明におけるガラス組成において、PbOの含有量を70
重量%までとするのは、PbOが70重量%を超えるように
なると、基体に塗布したペーストを焼成して被膜とする
とき最高焼成温度での軟化が著しくパターン形状がくず
れるようになるからである。PbOが35重量%よりも少な
いか、SiO2が40重量%を超えるようになると逆に焼成の
際の軟化が不充分となるため、焼成した被膜が多孔質と
なり弱くなる。SiO2が15重量%未満ではガラス化しにく
くなる。
以上からPbO35〜70重量%、SiO215〜40重量%とした。
ガラス粉末は50重量%を超えると、抵抗値が高くなりす
ぎ、10重量%未満では被膜の基体に対する接着強度が低
下するので、10〜50重量%とする。
RuO2、Pb2O6〜7、Bi2Ru2O6〜7粉末が40重量%を超える
ようになると、焼成後の被膜が極端に多孔質となり被膜
強度が弱くなり信頼性が低下し、5重量%より少ないと
抵抗値が高くなりすぎ150℃恒温放置寿命などの環境安
定性が悪化し、抵抗値の変動が大きくなるのでこれらRu
O2等の添加範囲を5〜40重量%の範囲とする。導電性成
分としてRuO2にAgやPdを併用する場合には、上記の理由
からRuO2は少なくとも5重量%は必要であり、RuO2とAg
やPdとの合計が20重量%未満では抵抗値が高くなりす
ぎ、60重量%を超えるようになると抵抗値が低くなり過
ぎ抵抗体ではなくなる。
有機ビヒクルは、この組成物をインキ状にして印刷する
には欠かせないものであるが、20重量%未満ではインキ
状にすることが困難となり、40重量%を超えると現在一
般に使用されている印刷条件では被膜が薄くなりすぎ、
抵抗値が大きく変動するようになるので、有機ビヒクル
の配合比率を20〜40重量%とする。
B2O3は本発明の目的である再加熱に対して抵抗値を安定
化するために添加され、ガラス中に分散してガラス中に
分相を生ぜしめ、ガラス相を安定化することにより、再
加熱による抵抗値の変化を小さくするのではないかと考
えられるが、添加量が0.2 重量%未満では効果がなく、
5重量%を超えて添加してもこれ以上の効果の向上は認
められないので、0.2 〜5.0 重量%の範囲とした。
〔実施例〕
RuO2、Pb2Ru2O6〜7、Bi2Ru2O6〜7、MnO2、Pd粉末として
平均粒径0.1 μm以下のものを、Ag粉末として平均粒径
1.2 μmのものを、ガラス粉末として第1表に示す組成
の平均粒径で1.5 〜3μmのものを、B2O3は200メツシ
ユの篩を全部通過したものを使用した。
これらの無機粉末にエチルセルロース10重量%を含有す
るターピネオール溶液を添加して3本ロールミルで混練
して第2表に示す組成の低抵抗体用ペーストを調製し
た。
純度96%のアルミナ基板の上に、Pd5重量%Agペースト
からなる導電ペーストをスクリーン印刷法により塗布し
て、ピーク温度150℃のベルト炉で溶剤を乾燥し、次い
でピーク温度850℃×9分間の温度分布を有するベルト
炉を通して焼成して電極を形成する。
電極間を橋渡しするように上記のペーストを印刷し電極
と同じ方法で乾燥焼成して抵抗体被膜を形成した。抵抗
体被膜の大きさは1mm角である。
抵抗体は一組成当り20個作成し、まずデジタルマルチメ
ーターで焼成直後に初期抵抗値を測定した。この平均値
をシート抵抗値(Ω/□)という。この上に黒色のガラス
ペーストを印刷乾燥し、今度はピーク600℃×5分間の
台形の温度分布をもつベルト焼成炉に通してガラスを焼
成した。この焼成後の抵抗値を測定し、初期抵抗値に対
する焼成後は抵抗値の抵抗値変化率(△R%)を求めた。
第2表にその結果を示す。
第2表をみると、ガラスのABCの何れにも成分として
B2O3が含まれているが、ガラスとは別にB2O3を0.2 〜5.
0 重量%添加したものは何れも△R%が改善されているこ
とが判る。
〔発明の効果〕
本発明によれば再度の加熱による抵抗値の変化を従来よ
りも小さくできる抵抗被膜を形成しうる組成物を提供で
きる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】PbO 35〜70重量%、SiO2 15〜40重量%を
    含有する組成のガラス粉末10〜50重量%、RuO2、Pb2Ru2
    O6〜7、Bi2Ru2O6〜7の何れか少なくとも一種の粉末5〜
    40重量%、有機ビヒクル20〜40重量%、B2O3粉末0.2 〜
    5.0 重量%の割合にこれらを含有する厚膜抵抗体形成用
    組成物。
  2. 【請求項2】PbO 35〜70重量%、SiO2 15〜40重量%を
    含有する組成のガラス粉末10〜50重量%、RuO2を少なく
    とも5重量%を含み、Ag、Pdの一方又は両方とで20〜60
    重量%、有機ビヒクル20〜40重量%、B2O3粉末0.2 〜5.
    0 重量%の割合にこれらを含有する厚膜抵抗体形成用組
    成物。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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