JPS60145949A - 抵抗組成物 - Google Patents
抵抗組成物Info
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- JPS60145949A JPS60145949A JP59000595A JP59584A JPS60145949A JP S60145949 A JPS60145949 A JP S60145949A JP 59000595 A JP59000595 A JP 59000595A JP 59584 A JP59584 A JP 59584A JP S60145949 A JPS60145949 A JP S60145949A
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- oxide
- glass
- composite oxide
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the resistive component composed of oxides
- H01C17/0654—Oxides of the platinum group
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
- C03C3/072—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/10—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
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- Glass Compositions (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は絶縁基板上に・焼付けして抵抗パターンを形成
するためのルテニウム系抵抗組成物、特に中抵抗域から
高抵抗域で優れた特性を示づ一抵抗組成物に関する。
するためのルテニウム系抵抗組成物、特に中抵抗域から
高抵抗域で優れた特性を示づ一抵抗組成物に関する。
ルテニウム系抵抗組成物としては、種々の組成物が知ら
れている。例えば米国特許第３３６４１９９号に示され
るようなＲＩＪＯ２とガラスからなる抵抗組成物はＲ１
１０２とガラスの比を変化させることにより数Ω／口〜
数ＭΩ／口の抵抗域にわたって所望の抵抗値が得られる
ため、従来から広く使用されている。ところがこの組成
物は、ガラス含有量の増加に伴って温度による抵抗変化
率叩ち抵抗温度係数（以下ＴＣＰという）が負側にシフ
１−シていくので、ガラスを多量に配合する中〜高抵抗
域において負に大きな一１ＯＲを示すようになり、又同
時にノイズが増大する。抵抗体は温度によってその抵抗
値が変わらないこと、寸なわちＴＣＲがＯに近いことが
望まれるから、中〜高抵抗域において丁ＣＲをＯに近づ
けるため、様々のＴＣＰ調整剤を配合することが試みら
れている。
れている。例えば米国特許第３３６４１９９号に示され
るようなＲＩＪＯ２とガラスからなる抵抗組成物はＲ１
１０２とガラスの比を変化させることにより数Ω／口〜
数ＭΩ／口の抵抗域にわたって所望の抵抗値が得られる
ため、従来から広く使用されている。ところがこの組成
物は、ガラス含有量の増加に伴って温度による抵抗変化
率叩ち抵抗温度係数（以下ＴＣＰという）が負側にシフ
１−シていくので、ガラスを多量に配合する中〜高抵抗
域において負に大きな一１ＯＲを示すようになり、又同
時にノイズが増大する。抵抗体は温度によってその抵抗
値が変わらないこと、寸なわちＴＣＲがＯに近いことが
望まれるから、中〜高抵抗域において丁ＣＲをＯに近づ
けるため、様々のＴＣＰ調整剤を配合することが試みら
れている。
例えば酸化銅やコロイド状ＡＩ ＯＯＨ，ＩＩ化シラン
タン酸化ネオジム等の化合物や、これらを含有するガラ
スなどがＴＣＰを正方向にシフ１〜さけるために用いら
れるが、これらはＴＣＰを改善する一方でＲ値を低下さ
せたり、或いはノイズやレーザー１〜リミング性を悪化
させるなどの欠点がある。
タン酸化ネオジム等の化合物や、これらを含有するガラ
スなどがＴＣＰを正方向にシフ１〜さけるために用いら
れるが、これらはＴＣＰを改善する一方でＲ値を低下さ
せたり、或いはノイズやレーザー１〜リミング性を悪化
させるなどの欠点がある。
又粒度の粗いＲＵ ０２やガラスを用いることによりＴ
ＣＲを調整づる方法もあるが、ノイズが増加し、抵抗値
バラツキも大きくなるので実用に適さない。
ＣＲを調整づる方法もあるが、ノイズが増加し、抵抗値
バラツキも大きくなるので実用に適さない。
史にＲＵ ０２−ガラス抵抗は、レーザー１〜リミング
によって抵抗値調整を行なう際、抵抗体にマイクロクラ
ンクが発生しやすく、クランクの成長によりトリミング
後の電気的特性や特性の安定性が損われ゛ることがある
。この傾向は特に抵抗値の高い、例えば１０に０７口以
上の抵抗体において強く、更に前述の丁ＣＲ調整剤の添
加によっても助長される。これはおそらくガラス自身の
特性及びＲｕＯ２とガラスとのなじみ不良で、熱歪みが
生じやづくなることが原因と考えられ、ガラスの組成や
Ｒｕ ０２の粒度等を種々検討したが、レーザー１〜リ
ミング性は改善されても他の特性例えばＴＣＰ特性が悪
くなるなどの問題が起り、有効な解決方法を見出すこと
ができなかった。
によって抵抗値調整を行なう際、抵抗体にマイクロクラ
ンクが発生しやすく、クランクの成長によりトリミング
後の電気的特性や特性の安定性が損われ゛ることがある
。この傾向は特に抵抗値の高い、例えば１０に０７口以
上の抵抗体において強く、更に前述の丁ＣＲ調整剤の添
加によっても助長される。これはおそらくガラス自身の
特性及びＲｕＯ２とガラスとのなじみ不良で、熱歪みが
生じやづくなることが原因と考えられ、ガラスの組成や
Ｒｕ ０２の粒度等を種々検討したが、レーザー１〜リ
ミング性は改善されても他の特性例えばＴＣＰ特性が悪
くなるなどの問題が起り、有効な解決方法を見出すこと
ができなかった。
一方、米国特許第３５８３９３１号や米国特へ１第３６
８１２６２号等には、Ｂｉ ２Ｒ１ｌ；＋０７、ｐｂ
２ ＲＵ ２０６のにうなパイロクロア結晶４：’：
ｊ＋’ｊを有づる複合酸化物とガラスからなる抵抗組成
物が示されでいる。この組成物はＲＵ ０２系Ｊ：す１
ＣＲの調整が容易でレーザー１−リミング性も優れてい
るが、耐電圧やノイズ特性が悪く、父性１１をコンｌ−
ロールするたあには焼成条ｆ４ｖｉの制約が厳しく、充
分満足いくものではない。
８１２６２号等には、Ｂｉ ２Ｒ１ｌ；＋０７、ｐｂ
２ ＲＵ ２０６のにうなパイロクロア結晶４：’：
ｊ＋’ｊを有づる複合酸化物とガラスからなる抵抗組成
物が示されでいる。この組成物はＲＵ ０２系Ｊ：す１
ＣＲの調整が容易でレーザー１−リミング性も優れてい
るが、耐電圧やノイズ特性が悪く、父性１１をコンｌ−
ロールするたあには焼成条ｆ４ｖｉの制約が厳しく、充
分満足いくものではない。
又、特公昭５６−２８３６３号のようにガラス形成成分
と酸化ルテニウムとを予め溶融してガラス化し、ガラス
中にＰＩ） ２ ＲＩＪ ２０６又はこれとＲｕＯ２の
結晶を析出させたものを用いる抵抗組成物や、特公昭５
６−２２３６１＠のにうに抵抗組成物の焼成に際してＲ
Ｕ ０２とガラスを反応させてパイロクロア型結晶を析
出させる方法も知られているが、いずれも工程による特
性制御が困難で、抵抗値バラツキが大きい。
と酸化ルテニウムとを予め溶融してガラス化し、ガラス
中にＰＩ） ２ ＲＩＪ ２０６又はこれとＲｕＯ２の
結晶を析出させたものを用いる抵抗組成物や、特公昭５
６−２２３６１＠のにうに抵抗組成物の焼成に際してＲ
Ｕ ０２とガラスを反応させてパイロクロア型結晶を析
出させる方法も知られているが、いずれも工程による特
性制御が困難で、抵抗値バラツキが大きい。
更に本発明者等はＲＵ ０２粉末とパイロクロア型Ｒｕ
含有複合酸化物粉末を混合したものを導電粉末として用
いて実験を行なったが、予想に反してＴＣＰ特性やレー
ザートリミング性は殆ど改善されず、ノイズ、耐電圧も
良くなかった。
含有複合酸化物粉末を混合したものを導電粉末として用
いて実験を行なったが、予想に反してＴＣＰ特性やレー
ザートリミング性は殆ど改善されず、ノイズ、耐電圧も
良くなかった。
本発明者等はＲＬＩ ０２−ガラス系抵抗でガラス量が
多いとＴＣＲが負に大きな値となるのは、主としてガラ
ス自身のＴＣＲが負であることと、抵抗体においてＲｕ
Ｏ２とガラスの間のなじみがあまり良くないため、その
界面の微量にＲＬＩ ０２を溶かした半導体ガラスの極
めてｉｌＩｇい層の電気抵抗が大きくなり、大ぎな負の
ＴＣＰをもつことに基づくものと考えた。レーザートリ
ミング後の安定性も、同様にガラス−ＲＵ ０２のなじ
みに問題があると考えられ、従って高抵抗のものほどこ
れらの傾向が強い。これらの知見に基づいＵＲＬＩＯｚ
粉末とガラスの接触する部分に着目し、この領域に何ら
かの処理を施ずことにより、Ｒｕ ０２とガラスとのな
じみを改善づることを検討し、研究を重ねた結果、表面
に８１及び／又はｐｂと、ＲＩＪとの複合酸化物層を有
するＲｕ ０２粉末を導電粉末として用いることにより
従来の欠点が全Ｃ解決されることを見出し、本発明を完
成した。 、即ち本発明は、導電粉末とガラス質フリツ
１へとビヒクルとからなる組成物において、導電粉末の
少なくとも一部が表面に８１及び／又はｐｂと、Ｒｕと
の複合酸化物層を有づ′るＲＬＩＯｚ粉末ぐあることを
特徴とするものである。
多いとＴＣＲが負に大きな値となるのは、主としてガラ
ス自身のＴＣＲが負であることと、抵抗体においてＲｕ
Ｏ２とガラスの間のなじみがあまり良くないため、その
界面の微量にＲＬＩ ０２を溶かした半導体ガラスの極
めてｉｌＩｇい層の電気抵抗が大きくなり、大ぎな負の
ＴＣＰをもつことに基づくものと考えた。レーザートリ
ミング後の安定性も、同様にガラス−ＲＵ ０２のなじ
みに問題があると考えられ、従って高抵抗のものほどこ
れらの傾向が強い。これらの知見に基づいＵＲＬＩＯｚ
粉末とガラスの接触する部分に着目し、この領域に何ら
かの処理を施ずことにより、Ｒｕ ０２とガラスとのな
じみを改善づることを検討し、研究を重ねた結果、表面
に８１及び／又はｐｂと、ＲＩＪとの複合酸化物層を有
するＲｕ ０２粉末を導電粉末として用いることにより
従来の欠点が全Ｃ解決されることを見出し、本発明を完
成した。 、即ち本発明は、導電粉末とガラス質フリツ
１へとビヒクルとからなる組成物において、導電粉末の
少なくとも一部が表面に８１及び／又はｐｂと、Ｒｕと
の複合酸化物層を有づ′るＲＬＩＯｚ粉末ぐあることを
特徴とするものである。
導電成分としては、表面に上記複合酸化物層を右するＲ
ｕ Ｏ＞粉末単独でも、又これをＲＵＯ２粉末と混合し
て用いてもよい。更に目的に応じてＡｇ、△ｕ、Ｐｄ等
の導電粉末を含有させてもよい。
ｕ Ｏ＞粉末単独でも、又これをＲＵＯ２粉末と混合し
て用いてもよい。更に目的に応じてＡｇ、△ｕ、Ｐｄ等
の導電粉末を含有させてもよい。
本発明の表面に複合酸化物層を有するＲｕ ０２粉末は
、Ｒ１１０２粉末に比べてＴＣＰをより正方向にシフト
させる効果を有し、１ＭΩ／口付近までＴＣＰをプラス
に維持することができる。
、Ｒ１１０２粉末に比べてＴＣＰをより正方向にシフト
させる効果を有し、１ＭΩ／口付近までＴＣＰをプラス
に維持することができる。
従って高抵抗域では単独で、又低抵抗〜中抵抗域では従
来のＲＵ ０２粉末と適宜混合して用いることにより、
抵抗値の全領域でＴＣＰをＯ近傍に例えば±５０１１１
）ｍ以内に容易に調整することができる。しかも従来の
Ｔ ＣＰ調整剤は、Ｒｕ ０２−ガラス系抵抗に対して
不純物として配合されることになるので、不均一になり
易く、バラツキ等の問題を生じたが、本発明組成物では
抵抗体の均−ｔ！ｌが極めて優れているＩＣめバラツキ
も小さく、緒特性のレベルが向上する。又、耐電圧、ノ
イズ特性及び半田や熱衝撃に対する安定性も極めて優れ
Ｃいる。
来のＲＵ ０２粉末と適宜混合して用いることにより、
抵抗値の全領域でＴＣＰをＯ近傍に例えば±５０１１１
）ｍ以内に容易に調整することができる。しかも従来の
Ｔ ＣＰ調整剤は、Ｒｕ ０２−ガラス系抵抗に対して
不純物として配合されることになるので、不均一になり
易く、バラツキ等の問題を生じたが、本発明組成物では
抵抗体の均−ｔ！ｌが極めて優れているＩＣめバラツキ
も小さく、緒特性のレベルが向上する。又、耐電圧、ノ
イズ特性及び半田や熱衝撃に対する安定性も極めて優れ
Ｃいる。
本発明で導電粉末として用いる表面に複合酸化物層を有
するＲｕ ０２粉末は、主体が微細で旧つ安定性の高い
ＲＩＪ ０２粉末であるため、粒子自体が非常に細かく
熱的安定性も高い。例えば米国特許第３５８３９３１号
のパイロクロア型酸化物粒子は原料の酸化物を溶融し、
固化させた後機械的に粉砕して製造されるので、粒子が
粗く、そのｌ（め耐電圧、ノイズに悪影響があると考え
られるのに比較して、本発明Ｃはこれらの緒特性が非常
に良好である。同時にレーザートリミングによるマイク
ロクラックの発生が減少し、トリミング後の安定性が極
めて良い。これは複合酸化物層の介イｆによりＲＬＩ
０２とガラス間のなじみが改善されたためと考えられる
。
するＲｕ ０２粉末は、主体が微細で旧つ安定性の高い
ＲＩＪ ０２粉末であるため、粒子自体が非常に細かく
熱的安定性も高い。例えば米国特許第３５８３９３１号
のパイロクロア型酸化物粒子は原料の酸化物を溶融し、
固化させた後機械的に粉砕して製造されるので、粒子が
粗く、そのｌ（め耐電圧、ノイズに悪影響があると考え
られるのに比較して、本発明Ｃはこれらの緒特性が非常
に良好である。同時にレーザートリミングによるマイク
ロクラックの発生が減少し、トリミング後の安定性が極
めて良い。これは複合酸化物層の介イｆによりＲＬＩ
０２とガラス間のなじみが改善されたためと考えられる
。
表面にＢ１及び／又はｐｂと、Ｒｕとの複合酸化物層を
有づ−るＲＬＩＯ２粉末は湿式法・乾式法等いかなる方
法で製造されたものＣ′もよい。一般には種々の方法で
Ｂｉ 、Ｐｂ又はこれらの化合物をＲＵＯ２粉末の表面
に付着させ、高温で焙焼づることによりＲＵ ０２粉末
の表層部をＦ３ｉ、Ｐｂと反応させて複合酸化物層を形
成させる。例えば湿式法では、水溶性の８１塩やｐｂ塩
の水溶液中に微細なＲｕ ０２粉末を分散させ、アルカ
リなどの沈澱剤を用いて処理してＲＬＩ ０２の表面に
３ｉ及び／又はＰｂの化合物を析出吸着させ、焙焼する
。
有づ−るＲＬＩＯ２粉末は湿式法・乾式法等いかなる方
法で製造されたものＣ′もよい。一般には種々の方法で
Ｂｉ 、Ｐｂ又はこれらの化合物をＲＵＯ２粉末の表面
に付着させ、高温で焙焼づることによりＲＵ ０２粉末
の表層部をＦ３ｉ、Ｐｂと反応させて複合酸化物層を形
成させる。例えば湿式法では、水溶性の８１塩やｐｂ塩
の水溶液中に微細なＲｕ ０２粉末を分散させ、アルカ
リなどの沈澱剤を用いて処理してＲＬＩ ０２の表面に
３ｉ及び／又はＰｂの化合物を析出吸着させ、焙焼する
。
又別法とし工はＢｉ及び／又はＰｂをＲＵ ０２粉末表
面に蒸着、スパッタリング、めっき等の方法で１００人
程鹿の厚さに付着させ、焙焼して表面に薄い複合酸化物
層を形成することによって製造することができる。焙焼
は好ましくは酸化性雰囲気中７００〜９００℃で１〜１
０時間程度行なう。
面に蒸着、スパッタリング、めっき等の方法で１００人
程鹿の厚さに付着させ、焙焼して表面に薄い複合酸化物
層を形成することによって製造することができる。焙焼
は好ましくは酸化性雰囲気中７００〜９００℃で１〜１
０時間程度行なう。
これらの方法で作られる粉末の粒度は、核となるＲＬＩ
Ｏｚ粉末の粒度によって決まるので、コントロールが゛
容易である。
Ｏｚ粉末の粒度によって決まるので、コントロールが゛
容易である。
形成される複合酸化物は、代表的には１３ｉ及び／又は
ｌ）ｂと、ＲＬＩとを含むパイロクロア型複合酸化物で
ある。
ｌ）ｂと、ＲＬＩとを含むパイロクロア型複合酸化物で
ある。
複合酸化物の生成最は、Ｒｕ０ｚと複合酸化物の合ｉｔ
ｆｆｉに対して１〜２５モル％程度がよい。
ｆｆｉに対して１〜２５モル％程度がよい。
２５モル％を越えると複合酸化物層が厚くなりすぎ、粒
子間の焼結が進んで粒成長してしまう。又１モル％より
少ないと、均一な被覆層の形成が九しくなる。
子間の焼結が進んで粒成長してしまう。又１モル％より
少ないと、均一な被覆層の形成が九しくなる。
表面に複合酸化物層を形成させるべきＲ１１０２粉末は
、比表面積５〜８０Ｔｌ１２／ｇ程度の微細な、且つ結
晶性の良いものを用いるのがよい。粒度が大ぎいとノイ
ズ、耐電圧が悪化するので望ましくない。逆に細か寸ぎ
ると、Ｂ１やＰｂと反応ザる際に隣接粒子間での焼結が
進み、粒成長を起こし易い。又結晶性の良好なＲＬＩ
０２を用いることにより焙焼時の粒成長が防止され、比
表面積が５〜６０Ｔｌ１２／ｇ程度の微細な複合酸化物
層を右する粉末が得られる。同時に反応性が小さいので
粉末表面にのみ複合酸化物層が形成され、抵抗組成物を
焼成する際にもその結晶構造は変化しない。
、比表面積５〜８０Ｔｌ１２／ｇ程度の微細な、且つ結
晶性の良いものを用いるのがよい。粒度が大ぎいとノイ
ズ、耐電圧が悪化するので望ましくない。逆に細か寸ぎ
ると、Ｂ１やＰｂと反応ザる際に隣接粒子間での焼結が
進み、粒成長を起こし易い。又結晶性の良好なＲＬＩ
０２を用いることにより焙焼時の粒成長が防止され、比
表面積が５〜６０Ｔｌ１２／ｇ程度の微細な複合酸化物
層を右する粉末が得られる。同時に反応性が小さいので
粉末表面にのみ複合酸化物層が形成され、抵抗組成物を
焼成する際にもその結晶構造は変化しない。
複合酸化物層を有するＲＬＩＯ２粉末と配合しく用いる
ＲＬＩ０２粉末は、従来の抵抗組成物に用いられている
ものでよく、比表面（１１５〜６０ ｎ＋’ ／ ｇ程
度の微粉末が好ましい。この範囲を越え（ｆｉｌｌ ／
）１いと、塗料適性が悪化し、又粗いとレーリ゛−１〜
リミング性が豚くなる。
ＲＬＩ０２粉末は、従来の抵抗組成物に用いられている
ものでよく、比表面（１１５〜６０ ｎ＋’ ／ ｇ程
度の微粉末が好ましい。この範囲を越え（ｆｉｌｌ ／
）１いと、塗料適性が悪化し、又粗いとレーリ゛−１〜
リミング性が豚くなる。
表面に複合酸化物層を有するＲＬＩ ０２粉末と、Ｒｕ
Ｏ２粉末との混合割合は、重量比でおよそ５：９５〜１
００：Ｏの範囲で抵抗値と品持性の関係により適宜選択
される。
Ｏ２粉末との混合割合は、重量比でおよそ５：９５〜１
００：Ｏの範囲で抵抗値と品持性の関係により適宜選択
される。
ガラス質フリットは通常抵抗組成物に使用されているも
のであればよく、例えば硼珪酸鉛ガラス、硼珪酸アルカ
リ土類塩ガラス、硼珪酸鉛アルミニウムガラス、硼珪酸
鉛亜鉛ガラス等が用いられる。
のであればよく、例えば硼珪酸鉛ガラス、硼珪酸アルカ
リ土類塩ガラス、硼珪酸鉛アルミニウムガラス、硼珪酸
鉛亜鉛ガラス等が用いられる。
粒度は１０部ｍ以下、好ましくは０．３〜３廂のものが
よい。導電粉末とガラスの混合比は、およそ６０ ：
４０〜５：９５の範囲で、要求される抵抗値によって決
める。
よい。導電粉末とガラスの混合比は、およそ６０ ：
４０〜５：９５の範囲で、要求される抵抗値によって決
める。
ビヒクルとし、では、従来から用いられている有機、無
機のビヒクルならいかなるものでも適宜選択して使用で
きる。
機のビヒクルならいかなるものでも適宜選択して使用で
きる。
水元１νＪ組成物にはビヒクルの他、必要に応じてＴＣ
Ｐやその他繰返し焼成特性、チイズ効果などの特性改善
の目的で従来から普通に使用されている金属酸化物添加
剤、例えば酸化銅、酸化マンガン、酸化ランタン、酸化
ネオジム、酸化サマリウム、酸化プラセオジム、アルミ
ナ、シリカ、酸化ニオブ等を、導電成分とガラス質フリ
ツ１への合計量に対して約２０重量％まで添加すること
が−（きる。本発明は抵抗体の均一性が従来より格段に
優れているため、これらの添加剤を配合しでも品持性を
ほとんど悪化させない。金属酸化物添加剤はガラス質フ
リット中に予め含有させた形で配合してもよい。
Ｐやその他繰返し焼成特性、チイズ効果などの特性改善
の目的で従来から普通に使用されている金属酸化物添加
剤、例えば酸化銅、酸化マンガン、酸化ランタン、酸化
ネオジム、酸化サマリウム、酸化プラセオジム、アルミ
ナ、シリカ、酸化ニオブ等を、導電成分とガラス質フリ
ツ１への合計量に対して約２０重量％まで添加すること
が−（きる。本発明は抵抗体の均一性が従来より格段に
優れているため、これらの添加剤を配合しでも品持性を
ほとんど悪化させない。金属酸化物添加剤はガラス質フ
リット中に予め含有させた形で配合してもよい。
本発明組成物は適当な・ビヒクル中に分散さＵ、ペース
ト状にして絶縁基板上に印刷し、乾燥後、空気中７００
℃〜９００℃程度で焼成して抵抗体を得る。本発明は特
に１００Ω／口以上の中〜高抵抗域の抵抗体製造に極め
て右動である。。
ト状にして絶縁基板上に印刷し、乾燥後、空気中７００
℃〜９００℃程度で焼成して抵抗体を得る。本発明は特
に１００Ω／口以上の中〜高抵抗域の抵抗体製造に極め
て右動である。。
以下実施例を以て本発明を具体的に説明づる。
実施例中「部」はリーベて車■部である。
実施例で用いた表面にＢ１及び／又はＰ ｂと、Ｒｕと
の複合酸化物層を有するＲｕＯ２粉末（以下処理粉とい
う）は次のようにしＣ製造した。
の複合酸化物層を有するＲｕＯ２粉末（以下処理粉とい
う）は次のようにしＣ製造した。
製造例１（処理粉Ａ）
Ｂｉ （ＮＯ３）３１９８．ＯＩＪを水１℃に溶解させ
た水溶液中に比表面積２５ＴＩＩ２／ｇのＲＬＩ ０２
粉末２６６．０ＣＩ を分散サセ、ＫＯＨｌｏｏ（Ｉを
１００ｍ１２に溶かした水溶液を加え、ＲＵ ０２粒子
表面にＢｉ（Ｏｆ−１）３として吸着させて共沈させた
。これを濾過、洗浄し、乾燥した後９００℃で２時間焙
焼し、Ｒｕ ０２粒子表面にＢｉ ２ ＲＵ ２０７を
主成分とする３ｉ−Ｒｕ複合酸化物層を生成さけた。生
成量は、全粉末巾約１４Ｔニル％であっｌこ 。
た水溶液中に比表面積２５ＴＩＩ２／ｇのＲＬＩ ０２
粉末２６６．０ＣＩ を分散サセ、ＫＯＨｌｏｏ（Ｉを
１００ｍ１２に溶かした水溶液を加え、ＲＵ ０２粒子
表面にＢｉ（Ｏｆ−１）３として吸着させて共沈させた
。これを濾過、洗浄し、乾燥した後９００℃で２時間焙
焼し、Ｒｕ ０２粒子表面にＢｉ ２ ＲＵ ２０７を
主成分とする３ｉ−Ｒｕ複合酸化物層を生成さけた。生
成量は、全粉末巾約１４Ｔニル％であっｌこ 。
製造例２（処理粉Ｂ）
Ｐｂ （ＮＯ３＞２１２２．５（Ｉを水１℃に溶解ざＵ
た水溶液中に比表面積２５ ｙｎ２／ ＣＩのＲｕ ０
２粉末２６６、Ｏｆ＋を分散させ、ＫＯ３７０ｇを１０
０ ｍｌに溶かした水溶液を加え、Ｐｂ （ＯＨ）２ど
してＲＵ ０２粒子表面に吸着させて共沈させた。
た水溶液中に比表面積２５ ｙｎ２／ ＣＩのＲｕ ０
２粉末２６６、Ｏｆ＋を分散させ、ＫＯ３７０ｇを１０
０ ｍｌに溶かした水溶液を加え、Ｐｂ （ＯＨ）２ど
してＲＵ ０２粒子表面に吸着させて共沈させた。
以下、製造例１と同様の処理を行って、ＲＵ ０２粒子
表面にＰｂ ２ Ｒｕ ２０６を主成分とするＰｂ−Ｒ
ｕ複合酸化物層を生成させた。生成量は全粉末巾約１０
モル％であった。
表面にＰｂ ２ Ｒｕ ２０６を主成分とするＰｂ−Ｒ
ｕ複合酸化物層を生成させた。生成量は全粉末巾約１０
モル％であった。
製造例３（処理粉Ｃ）
Ｂｉ （ＮＯ３）３９９．０（Ｉ とＰｂ （ＮＯ３）
２ ’８２．８（］を水１℃に溶解させた水溶液中に比
表面相２５１１１２／ｇのＲｕ ０２粉末２６６．０ｇ
を分散させ、ＫＯＯｆ９０（］を１００鑓に溶かした水
溶液を加え、Ｐｂ（ＯＨ）２としでＲ１ｊＯ２粒子表面
に吸着させて共沈させた。以下製造例１ど同様の処理を
行って、ＲＵ Ｏ，！粒子表面に３ｉ 、ｐｂ、Ｒｕを
含む複合酸化物層を生成させた。生成量は全粉末巾約１
４モル％であった。
２ ’８２．８（］を水１℃に溶解させた水溶液中に比
表面相２５１１１２／ｇのＲｕ ０２粉末２６６．０ｇ
を分散させ、ＫＯＯｆ９０（］を１００鑓に溶かした水
溶液を加え、Ｐｂ（ＯＨ）２としでＲ１ｊＯ２粒子表面
に吸着させて共沈させた。以下製造例１ど同様の処理を
行って、ＲＵ Ｏ，！粒子表面に３ｉ 、ｐｂ、Ｒｕを
含む複合酸化物層を生成させた。生成量は全粉末巾約１
４モル％であった。
ガラスはＰｂＯ５４％、ＳｉＯ２３ｂ％、８２０３ ８
％、Ａｌ２Ｏ３３％からなる平均粒径０．５μｍのもの
を用いた。
％、Ａｌ２Ｏ３３％からなる平均粒径０．５μｍのもの
を用いた。
実施例１
製造例１で作っ“た処理粉Ａ ３０部
ガラス質フリッ１− ７０部
をエチルセルロースをテルピネオールで溶解したビヒク
ルと混練し、ペースト状の抵抗組成物とした。
ルと混練し、ペースト状の抵抗組成物とした。
これをアルミナ基板上にスクリーン印刷し、１５０℃で
１０分間乾燥した後電気炉中ピーク温度８５０℃で１０
分間焼成して１ ｍｕ Ｘ １ ｉｎのパターンの抵抗
体を製造した。
１０分間乾燥した後電気炉中ピーク温度８５０℃で１０
分間焼成して１ ｍｕ Ｘ １ ｉｎのパターンの抵抗
体を製造した。
実施例２
”Ａ造例２で作った処理粉Ｂ ３０部
ガラス貿フリッ１へ ７０部
を実施例１と同様にペーストとし、抵抗体を製造した。
実施例３
製造例３で作った処理粉Ｃ３０部
ガラス質フリット ７０部
を実施例１と同様にペーストとし、抵抗体を製造し ｌ
こ 。
こ 。
実施例１〜３で得られた抵抗体について、それぞれ抵抗
値、１−ＣＲ（ｖ濡〜＋１２５℃）、ノイズ、耐電圧、
レーザートリミング後の抵抗値ドリフトを測定し、結果
を表１に示した。数値は、ノイズについてはマイナスに
大きいほど、又ＴＣＲ１耐電圧、トリミング後の抵抗値
ドリフトは絶対値が小さいほど抵抗体としで優れている
と判断される。
値、１−ＣＲ（ｖ濡〜＋１２５℃）、ノイズ、耐電圧、
レーザートリミング後の抵抗値ドリフトを測定し、結果
を表１に示した。数値は、ノイズについてはマイナスに
大きいほど、又ＴＣＲ１耐電圧、トリミング後の抵抗値
ドリフトは絶対値が小さいほど抵抗体としで優れている
と判断される。
尚、又耐電圧の測定及びレーザートリミングは次のよう
にして行った。
にして行った。
耐電圧：最大４００ｖの交流電圧を１秒印加し、２５秒
休止する断続過負荷を１０，００１イクル繰返した後の
抵抗変化率で示した、。
休止する断続過負荷を１０，００１イクル繰返した後の
抵抗変化率で示した、。
レーザートリミング：レーザー１〜リマーににす、残り
幅が１１５になるようストレートカッ１〜した。
幅が１１５になるようストレートカッ１〜した。
比較例１〜３
それぞれ未処理のＲＵ ０２粉末、パイロクロア型Ｂｉ
２ＲＵ２０７粉末〈以下単にパイロクロア粉末という
）、及びパイロクロア粉末と未処理のＲｕ○２粉末の課
合物を導電粉末として用いく同程度の抵抗値を右する抵
抗体を製造し、特性を比較した。導電粉末とガラスの割
合及び実施例１〜３と同様な特性試験の結果を表１に示
η。尚、ここで用いたパイロタ１］ア粉末はＲＩＪＯ２
１３，３９とＢｉ２Ｏ３２３，３０を混合し、ペレット
化したものを空気中９ （’） ０℃で５時間焼成した
後、ボールミルで粉砕して製造した平均粒径０．５廓の
ものである。未処理のＲｔｌＯ２粉末は化表面積２５Ｔ
Ｉ１２／ｇのものを用いた。ガラスは実施例と同じもの
を使用した。
２ＲＵ２０７粉末〈以下単にパイロクロア粉末という
）、及びパイロクロア粉末と未処理のＲｕ○２粉末の課
合物を導電粉末として用いく同程度の抵抗値を右する抵
抗体を製造し、特性を比較した。導電粉末とガラスの割
合及び実施例１〜３と同様な特性試験の結果を表１に示
η。尚、ここで用いたパイロタ１］ア粉末はＲＩＪＯ２
１３，３９とＢｉ２Ｏ３２３，３０を混合し、ペレット
化したものを空気中９ （’） ０℃で５時間焼成した
後、ボールミルで粉砕して製造した平均粒径０．５廓の
ものである。未処理のＲｔｌＯ２粉末は化表面積２５Ｔ
Ｉ１２／ｇのものを用いた。ガラスは実施例と同じもの
を使用した。
実施例４〜５、比較例４〜５
導電成分及び導電成分とガラス質フリットの配合比を表
２のように変える他は、実施例１と同様にして抵抗体を
製造した。各々の抵抗値及び品持性を調べ、結果を表２
に示した。
２のように変える他は、実施例１と同様にして抵抗体を
製造した。各々の抵抗値及び品持性を調べ、結果を表２
に示した。
表１及び２から、同程度の抵抗値で比較した場合、本発
明の抵抗組成物は従来のものより品持性全般において優
れていることが明らかである。
明の抵抗組成物は従来のものより品持性全般において優
れていることが明らかである。
（以下余白）
７／
、／”
実施例６〜８
処理粉Ａ及び未処理のＲ１１０２粉末の混合物を導電成
分とじて用いる他は、実施例１と同様にして抵抗体を製
造した。各々について抵抗伯及び−ＩＣＲを調べ、結果
を導電成分の組成と共に表３に示しＩＣ０ 表３ 実施例９〜１１ 処理粉Ａ、ガラス貿フリッ１〜及び金属らす化物添加剤
を表４に示される配合で含む抵抗組成物から、実施例１
と同様にして抵抗体を製造した。持重（［試験の結果を
表４に承り。
分とじて用いる他は、実施例１と同様にして抵抗体を製
造した。各々について抵抗伯及び−ＩＣＲを調べ、結果
を導電成分の組成と共に表３に示しＩＣ０ 表３ 実施例９〜１１ 処理粉Ａ、ガラス貿フリッ１〜及び金属らす化物添加剤
を表４に示される配合で含む抵抗組成物から、実施例１
と同様にして抵抗体を製造した。持重（［試験の結果を
表４に承り。
表４
実施例から明らかなように、表面に８１及び。
又はｐｂと、ＲＵとの複合酸化物層を有するＲＬＯ２ｙ
Ｊ末を用いた本発明の抵抗組成物を用いるとにより、広
い抵抗範囲にわたってＴＣＲが小く、品持性の安定した
厚膜抵抗体を得ることがきる。
Ｊ末を用いた本発明の抵抗組成物を用いるとにより、広
い抵抗範囲にわたってＴＣＲが小く、品持性の安定した
厚膜抵抗体を得ることがきる。
特許出願人 昭栄化学工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電粉末とガラス質フリットとビヒクルとからなる
組成物において、導電粉末の少なくとも一部が表面にＢ
１及び／又はＰ、ｂと、ＲＵとの複合酸化物層を有する
ＲＬＩ ０２粉末であることを特徴とする抵抗組成物。 ２ 導電粉末の全部が表面に８１及び／又はＰｂと、Ｒ
ｕとの複合酸化物層を有するＲＬＩ ０２粉末である特
許請求の範囲第１項記載の抵抗組成物。 ３ 導電粉末が、イ）ＲＬＩ０２粉末と口）Ｂ１及び／
又はｐｂと、Ｒｕとの複合酸化物層を有するＲＵ ０２
粉末との混合物である特許請求の範囲第１項記載の抵抗
組成物。 ４ 特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれかに記載
の抵抗組成物に金属酸化物添加剤を加えた抵抗組成物。 ５ ＠属酸化物添加剤が、酸化銅、酸化マンガン、酸化
ランタン、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化プラセ
オジム、アルミナ、シリカ及び酸化ニオブからなる群よ
り選ばれる１種又は２ ｆ、ｉｌｉ以上である特許請求
の範囲第４項記載の抵抗組成物。 ６ Ｂｉ及び／又はｐｂと、Ｒｕとの複合酸化物がパイ
ロクロア型酸化物である特許請求の範囲第１項乃至第５
項のいずれかに記載の抵抗組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59000595A JPS60145949A (ja) | 1984-01-06 | 1984-01-06 | 抵抗組成物 |
| US06/680,640 US4574055A (en) | 1984-01-06 | 1984-12-12 | Resistor compositions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59000595A JPS60145949A (ja) | 1984-01-06 | 1984-01-06 | 抵抗組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145949A true JPS60145949A (ja) | 1985-08-01 |
| JPS6359999B2 JPS6359999B2 (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=11478087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59000595A Granted JPS60145949A (ja) | 1984-01-06 | 1984-01-06 | 抵抗組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4574055A (ja) |
| JP (1) | JPS60145949A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01147801A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-09 | Murata Mfg Co Ltd | 抵抗ペースト |
| US5756162A (en) * | 1995-08-31 | 1998-05-26 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method for manufacturing sendust core powder |
| JP2006253143A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | E I Du Pont De Nemours & Co | 黒色導電性厚膜組成物、黒色電極、およびこれらの形成方法 |
| JP2011523489A (ja) * | 2008-04-18 | 2011-08-11 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 表面改質された酸化ルテニウム導電性材料、無鉛ガラス、厚膜抵抗体ペースト、およびそれより製造されたデバイス |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4636332A (en) * | 1985-11-01 | 1987-01-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film conductor composition |
| US4780248A (en) * | 1987-02-06 | 1988-10-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film electronic materials |
| US5298330A (en) * | 1987-08-31 | 1994-03-29 | Ferro Corporation | Thick film paste compositions for use with an aluminum nitride substrate |
| US4962257A (en) * | 1988-10-06 | 1990-10-09 | Mobil Oil Corp. | Process for the catalytic disproportionation of toluene |
| US5096619A (en) * | 1989-03-23 | 1992-03-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film low-end resistor composition |
| JPH09293465A (ja) * | 1995-11-28 | 1997-11-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 陰極線管用抵抗体の製造方法 |
| US7442227B2 (en) * | 2001-10-09 | 2008-10-28 | Washington Unniversity | Tightly agglomerated non-oxide particles and method for producing the same |
| US7510995B2 (en) * | 2003-04-01 | 2009-03-31 | United Technologies Corporation | Application of a mixed metal oxide catalyst to a metallic substrate |
| KR101747621B1 (ko) * | 2014-09-12 | 2017-06-14 | 소에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 | 후막 저항체 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3583931A (en) * | 1969-11-26 | 1971-06-08 | Du Pont | Oxides of cubic crystal structure containing bismuth and at least one of ruthenium and iridium |
| US3560410A (en) * | 1969-11-28 | 1971-02-02 | Du Pont | Resistor compositions containing pyrochlore-related oxides and cadmium oxide |
| US3681262A (en) * | 1970-10-01 | 1972-08-01 | Du Pont | Compositions for making electrical elements containing pyrochlore-related oxides |
| JPS5837963B2 (ja) * | 1977-07-09 | 1983-08-19 | 住友金属鉱山株式会社 | 抵抗体用ペ−ストの製造方法 |
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| US4225468A (en) * | 1978-08-16 | 1980-09-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Temperature coefficient of resistance modifiers for thick film resistors |
| US4302362A (en) * | 1979-01-23 | 1981-11-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Stable pyrochlore resistor compositions |
| US4312770A (en) * | 1979-07-09 | 1982-01-26 | General Motors Corporation | Thick film resistor paste and resistors therefrom |
| US4362656A (en) * | 1981-07-24 | 1982-12-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film resistor compositions |
| CA1191022A (en) * | 1981-12-29 | 1985-07-30 | Eiichi Asada | Resistor compositions and resistors produced therefrom |
| US4476039A (en) * | 1983-01-21 | 1984-10-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Stain-resistant ruthenium oxide-based resistors |
-
1984
- 1984-01-06 JP JP59000595A patent/JPS60145949A/ja active Granted
- 1984-12-12 US US06/680,640 patent/US4574055A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01147801A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-09 | Murata Mfg Co Ltd | 抵抗ペースト |
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| JP2011523489A (ja) * | 2008-04-18 | 2011-08-11 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 表面改質された酸化ルテニウム導電性材料、無鉛ガラス、厚膜抵抗体ペースト、およびそれより製造されたデバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4574055A (en) | 1986-03-04 |
| JPS6359999B2 (ja) | 1988-11-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |