JPH02210830A - ＧａＡｓ基板の表面処理方法 - Google Patents
ＧａＡｓ基板の表面処理方法Info
- Publication number
- JPH02210830A JPH02210830A JP1029981A JP2998189A JPH02210830A JP H02210830 A JPH02210830 A JP H02210830A JP 1029981 A JP1029981 A JP 1029981A JP 2998189 A JP2998189 A JP 2998189A JP H02210830 A JPH02210830 A JP H02210830A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- gaas substrate
- acid
- gaas
- surface treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高効率レーザーを得るに際し、良好なエピタ
キシャル層を液相エピタキシャル成長で形成させるのに
適した表面処理方法に関する。
キシャル層を液相エピタキシャル成長で形成させるのに
適した表面処理方法に関する。
（従来の技術）
ＧａＡｓの化学的表面処理方法として、硫酸、硝酸など
の酸またはＫ ＯＨ、ＮａＯＨなどのアルカリが広く用
いられている。この中で酸は鏡面を得るのに適したエツ
チング液であり、アルカリは格子欠陥を観察するために
適したエツチング液である。したがって、エピタキシャ
ル成長前の前処理としては従来硫酸、硝酸などによるエ
ツチング液が用いられていた。
の酸またはＫ ＯＨ、ＮａＯＨなどのアルカリが広く用
いられている。この中で酸は鏡面を得るのに適したエツ
チング液であり、アルカリは格子欠陥を観察するために
適したエツチング液である。したがって、エピタキシャ
ル成長前の前処理としては従来硫酸、硝酸などによるエ
ツチング液が用いられていた。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら１例えばＰ型ＧａＡｓ基板にエピタキシャ
ル成長によってｎ型ＧａＡｓ層を形成する場合、従来は
硫酸、硝酸などの酸を基本にしたエツチング液でＧ ａ
Ａ ｓ基板をエツチングしていたが、酸で前処理した
場合、ＧａＡｓ基板の表面に厚さ〜３００人程度０ガリ
ウムもしくは砒素の酸化物が形成されエピタキシャル層
の成長を阻害していた。
ル成長によってｎ型ＧａＡｓ層を形成する場合、従来は
硫酸、硝酸などの酸を基本にしたエツチング液でＧ ａ
Ａ ｓ基板をエツチングしていたが、酸で前処理した
場合、ＧａＡｓ基板の表面に厚さ〜３００人程度０ガリ
ウムもしくは砒素の酸化物が形成されエピタキシャル層
の成長を阻害していた。
その結果１発光特性の不良１発光特性の劣化などにより
著しく製造歩留を低下させる問題点があった。
著しく製造歩留を低下させる問題点があった。
本発明は上記従来の問題を解決するものであり、酸で表
面腐食処理した後のＧａＡｓ基板に残るガリウムもしく
は砒素の酸化物を除去したのち均一なエピタキシャル成
長層を得ることを目的とするものである。
面腐食処理した後のＧａＡｓ基板に残るガリウムもしく
は砒素の酸化物を除去したのち均一なエピタキシャル成
長層を得ることを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明は上記目的を達成するために、酸で表面処理した
ＧａＡｓ基板をエタノールまたは酒石酸を含む溶液で処
理するようにしたものである。
ＧａＡｓ基板をエタノールまたは酒石酸を含む溶液で処
理するようにしたものである。
（作 用）
したがって１本発明によれば、酸で表面処理したＧ ａ
Ａ ｓ基板にはガリウムもしくは砒素の複合酸化物が
残存し、大気中で保存すると安定な酸化物となるが、複
合酸化物は非晶質であり、その組成はＧａ、 Ｏ，、Ｇ
ａＯ、Ｇａ、 Ｏ、Ｇａ（ＯＨ）、のガリウム酸化物、
ガリウム水酸化物、Ｈ，ＡｓＯ２゜Ａｓ、Ｏ，などの砒
素酸化物であり、これらの酸化物は、エタノールおよび
酒石酸水溶液に可溶であり容易に溶解除去できる作用を
有する。
Ａ ｓ基板にはガリウムもしくは砒素の複合酸化物が
残存し、大気中で保存すると安定な酸化物となるが、複
合酸化物は非晶質であり、その組成はＧａ、 Ｏ，、Ｇ
ａＯ、Ｇａ、 Ｏ、Ｇａ（ＯＨ）、のガリウム酸化物、
ガリウム水酸化物、Ｈ，ＡｓＯ２゜Ａｓ、Ｏ，などの砒
素酸化物であり、これらの酸化物は、エタノールおよび
酒石酸水溶液に可溶であり容易に溶解除去できる作用を
有する。
（実施例）
第１図はＢＴＲ８型レーザーの断面図である。
第１図において、１はＰ”−ＧａＡｓ基板、２はＰ”−
ＧａＡｓブロック層、３はＰ−ＧａＡｓクラッド層、４
はｌ−ＧａＡｓ活性層、５はＮ−ＧａＡｓクラッド層、
６はＮ ” −Ｇ ａ Ａ ｓ電極形成層である。
ＧａＡｓブロック層、３はＰ−ＧａＡｓクラッド層、４
はｌ−ＧａＡｓ活性層、５はＮ−ＧａＡｓクラッド層、
６はＮ ” −Ｇ ａ Ａ ｓ電極形成層である。
次に上記第１図のＢＴＲ５型レーザーを実現する本発明
の実施例について説明する。
の実施例について説明する。
去】１吐−」−
（１１０）面を表裏に持つＰ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板を、
硫酸１容、過酸化水素水１容、水８容からなる混合液に
て２分間エツチングした後、純水中で１０分間水洗し、
その後エタノール中で５分間ボイルし赤外線下で乾燥さ
せた後、第１図の断面構造のレーザーを液相エピタキシ
ャル成長法で形成する。
硫酸１容、過酸化水素水１容、水８容からなる混合液に
て２分間エツチングした後、純水中で１０分間水洗し、
その後エタノール中で５分間ボイルし赤外線下で乾燥さ
せた後、第１図の断面構造のレーザーを液相エピタキシ
ャル成長法で形成する。
災凰叢−又
（１１０）面を表裏に持つＰ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板を、
硫酸１容、過酸化水素水１容、水８容からなる混合液で
２分間エツチングした後、純水で１０分間水洗し、その
後酒石酸１５０ ｇを純水ＩＱに溶かした溶液中で３分
間エツチングし、純水で１０分間水洗後赤外線下で乾燥
させる。その後第１図の断面構造のレーザーを液相エピ
タキシャル成長法で形成する。
硫酸１容、過酸化水素水１容、水８容からなる混合液で
２分間エツチングした後、純水で１０分間水洗し、その
後酒石酸１５０ ｇを純水ＩＱに溶かした溶液中で３分
間エツチングし、純水で１０分間水洗後赤外線下で乾燥
させる。その後第１図の断面構造のレーザーを液相エピ
タキシャル成長法で形成する。
叉産旌−是
（１１０）面を表裏に持つＰ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板を、
硫酸１容、過酸化水素水１容、水８容からなる混合液で
２分間エツチングした後、純水で１０分間水洗し、その
後酒石酸１５ｇをエタノールＩＱに溶かした溶液中で１
分間エツチングし、純水で１０分間水洗後赤外線下で乾
燥させる。その後第１図の断面構造のレーザーを液相エ
ピタキシャル成長法で形成する。
硫酸１容、過酸化水素水１容、水８容からなる混合液で
２分間エツチングした後、純水で１０分間水洗し、その
後酒石酸１５ｇをエタノールＩＱに溶かした溶液中で１
分間エツチングし、純水で１０分間水洗後赤外線下で乾
燥させる。その後第１図の断面構造のレーザーを液相エ
ピタキシャル成長法で形成する。
第２図は本発明の実施例および従来例による成長させた
ブロック層（Ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ）の膜厚のばらつきを
示したものである。第２図から明らかなように、ブロッ
ク層の膜厚１．０．を目標に成長させた場合、従来例で
はＯ〜１．５戸にばらついているのに対し、本発明によ
るものは、実施例１では０．８〜１．４５戸、実施例２
では０．７５〜１．４戸、実施例３では０．８〜１．２
５７ｍに分布しており、膜厚のバラツキが減少している
。
ブロック層（Ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ）の膜厚のばらつきを
示したものである。第２図から明らかなように、ブロッ
ク層の膜厚１．０．を目標に成長させた場合、従来例で
はＯ〜１．５戸にばらついているのに対し、本発明によ
るものは、実施例１では０．８〜１．４５戸、実施例２
では０．７５〜１．４戸、実施例３では０．８〜１．２
５７ｍに分布しており、膜厚のバラツキが減少している
。
（発明の効果）
本発明は上記実施例より明らかなように、Ｐ型Ｇ ａ
Ａ ｓ基板の前処理は液相エピタキシャル成長させるブ
ロック層の膜厚のバラツキを減少させる効果を有する。
Ａ ｓ基板の前処理は液相エピタキシャル成長させるブ
ロック層の膜厚のバラツキを減少させる効果を有する。
また、Ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板上に形成したブロック層
は、レーザーダイオードの逆および順方向特性に影響す
るばかりか、その後のクラッド層、活性層の成長にも関
係し、その結果製造歩留に著しい影響があり、従来例で
は歩留り３２．７％に対し、実施例１では歩留り平均４
２．２％、実施例２では歩留り平均４３．１％、実施例
３では平均４６．３％であって歩留り向上の効果を有す
る。
は、レーザーダイオードの逆および順方向特性に影響す
るばかりか、その後のクラッド層、活性層の成長にも関
係し、その結果製造歩留に著しい影響があり、従来例で
は歩留り３２．７％に対し、実施例１では歩留り平均４
２．２％、実施例２では歩留り平均４３．１％、実施例
３では平均４６．３％であって歩留り向上の効果を有す
る。
第１図はＢＴＲ５型レーザーの断面図、第２図は本発明
の実施例１ないし３および従来例によってＰ型ＧａＡｓ
基板上に成長させたブロック層（Ｐｏ−ＧａＡｓ）の膜
厚のバラツキを示した図である。 １ − Ｐ”−ＧａＡｓ基板、 ２ ・Ｐ”Ｇ ａ
Ａ ｓブロック層、 ３−Ｐ−ＧａＡｓクラッド層、
４ ・・・ ｌ−ＧａＡｓ活性層、５ ・・・Ｎ Ｇ
ａＡｓクラッド層、 ６ ・・・Ｎ” ＧａＡｓ電極
形成層。 特許出願人 松下電器産業株式会社
の実施例１ないし３および従来例によってＰ型ＧａＡｓ
基板上に成長させたブロック層（Ｐｏ−ＧａＡｓ）の膜
厚のバラツキを示した図である。 １ − Ｐ”−ＧａＡｓ基板、 ２ ・Ｐ”Ｇ ａ
Ａ ｓブロック層、 ３−Ｐ−ＧａＡｓクラッド層、
４ ・・・ ｌ−ＧａＡｓ活性層、５ ・・・Ｎ Ｇ
ａＡｓクラッド層、 ６ ・・・Ｎ” ＧａＡｓ電極
形成層。 特許出願人 松下電器産業株式会社
Claims (1)
- 硫酸、過酸化水素水の混合液で表面腐食する第１の工程
と、第１工程に次いで酒石酸あるいはエタノールの何れ
か一方または両方を含む溶液で表面仕上げする第２の工
程からなるＧａＡｓ基板の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1029981A JPH02210830A (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | ＧａＡｓ基板の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1029981A JPH02210830A (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | ＧａＡｓ基板の表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02210830A true JPH02210830A (ja) | 1990-08-22 |
Family
ID=12291138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1029981A Pending JPH02210830A (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | ＧａＡｓ基板の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02210830A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5171236A (ja) * | 1974-12-18 | 1976-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | Etsuchingueki |
| JPS577126A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of compound semiconductor device |
| JPS63142638A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-02-10 JP JP1029981A patent/JPH02210830A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5171236A (ja) * | 1974-12-18 | 1976-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | Etsuchingueki |
| JPS577126A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of compound semiconductor device |
| JPS63142638A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101224532B1 (ko) | 질화물 반도체소자의 제조 방법 | |
| Munoz‐Yague et al. | Preparation of Carbon‐Free GaAs Surfaces: AES and RHEED Analysis | |
| US7998359B2 (en) | Methods of etching silicon-containing films on silicon substrates | |
| DE102014111282A1 (de) | Verfahren zum sauren Ätzen von Silizium-Wafern | |
| US6001744A (en) | Method of cleaning a surface of a compound semiconductor crystal of group II-VI elements of periodic table | |
| JP2000100801A (ja) | エピタキシャルウェハおよびその製造方法ならびにそれに用いられる化合物半導体基板の表面清浄化方法 | |
| JP2001044499A (ja) | シリコン基板を用いたＺｎＯ系化合物半導体発光素子およびその製法 | |
| Shelton et al. | Ultrasmooth GaN etched surfaces using photoelectrochemical wet etching and an ultrasonic treatment | |
| EP0226931A2 (en) | A method of preparing semiconductor substrates | |
| EP2051288A1 (en) | GaxIn1-xN SUBSTRATE AND GaxIn1-xN SUBSTRATE CLEANING METHOD | |
| JPH02210830A (ja) | ＧａＡｓ基板の表面処理方法 | |
| EP0535736B1 (en) | Semiconductor device | |
| RU2323503C2 (ru) | Способ обработки поверхности монокристаллической пластины кремния | |
| JP3097863B2 (ja) | ＡｌＧａＡｓ自然酸化物 | |
| JPH06177102A (ja) | 化合物半導体表面の清浄化方法および装置 | |
| JP3232833B2 (ja) | ＧａＡｓ単結晶ウェハの製造方法 | |
| RU2483387C1 (ru) | Способ предэпитаксиальной обработки поверхности германиевой подложки | |
| CN112831777A (zh) | GaAs基高功率半导体激光器腔面钝化处理方法及其钝化液 | |
| CN113410350A (zh) | 深紫外发光元件及其制备方法 | |
| JPH0645318A (ja) | ＧａＡｓウェハ及びその製造方法 | |
| US12080801B2 (en) | Method of controlling oxygen vacancy concentration in a semiconducting metal oxide | |
| CN118867832B (zh) | 一种GaN基EEL激光芯片腔面钝化的方法 | |
| JP3306894B2 (ja) | ＧａＡｓ化合物半導体基板 | |
| Kanber et al. | Origin and reduction of impurities at GaAs epitaxial layer-substrate interfaces | |
| JPH01268174A (ja) | 発光素子の製造方法 |