JPH02210887A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents

磁気抵抗効果素子

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JPH02210887A
JPH02210887A JP1031454A JP3145489A JPH02210887A JP H02210887 A JPH02210887 A JP H02210887A JP 1031454 A JP1031454 A JP 1031454A JP 3145489 A JP3145489 A JP 3145489A JP H02210887 A JPH02210887 A JP H02210887A
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ceramic
magnetoresistive element
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electrode
case
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Yasunobu Iwanaga
岩永 康暢
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気抵抗効果素子に関し、特にこの素子に使用
されるリードレスセラミックケースの構造に関する。
〔従来の技術〕
一般に、リードレスセラミックケースは、LSI、IC
等の半導体あるいはSAWデバイス、水晶振動子、磁気
抵抗効果素子等のケースとして多く使用されている。
従来のリードレスセラミックケースは、基本的には三層
構造となっており、各層のセラミック基板には必要に応
じて回路パターンが印刷される。
又、封止用キャップにはセラミック板あるいはコバー系
の金属薄板が使用されている。これはそれぞれ接着剤又
は抵抗溶接法の一種であるシームウェルド法にて封止さ
れる。
第2図(A)、(B)は従来のセラミックケースの一例
の分解斜視図および磁気抵抗素子を実装した時の断面図
を示している。第一層セラミック板1は、セラミックス
グリーンシート上に所定の回路パターンを印刷しプレス
型で打抜き指定形状に成型し、第二層および第三層セラ
ミック基板11.12も成型される。これらセラミック
板1.11.12はそれぞれを重ね合せられた後、約1
600℃の電気炉中で焼成される。この後、セラミック
板12上に封止用金属枠3を取付けられ、最後に、回路
パターン部に金メツキを行ない完成となる。この時外部
接続用電極4はセラミックケースの横方向にのみ露出さ
れる。
このように形成されたセラミックケースのセラミック基
板1上に接着剤7を塗布し磁気抵抗素子チップ6を接着
し乾燥する。次に、磁気抵抗素子チップ6の上に設けた
電極とセラミック基板11上に設けた電極とを金または
アルミニウムのボンディングワイヤ8で接続する。この
時、セラミック板11と磁気抵抗素子チップ6の電極面
の高さはほぼ同等である。最後に、金属カバー5を取付
はシームウェルドを行ない封止を完了する。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のリードレスセラミックケースでは、三層
構造を成しているセラミック基板1゜11.12の寸法
が同一であるため、封止後のデバイスの特性検査には測
定用の特殊な治工具を用意してリードレスセラミックケ
ースの横方向から測定しなければならない、このリード
レスセラミックケースは電極面積部分が小さいため、測
定検査に困難を伴なうこととなる。
本発明の目的は、このような問題を解決し、リードレス
セラミックケースの電極部分を改良し、測定、検査を容
易にできるようにした磁気抵抗効果素子を提供すること
にある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の構成は、絶縁基板上に強磁性金属薄膜を形成し
所定パターンを形成した磁気抵抗効果素子チップを、二
層構成から成るリードレスセラミックケース内に配設し
た磁気抵抗効果素子に於て、前記二層構成としたセラミ
ックケースの第一層のセラミック基板より第二層のセラ
ミック基板の寸法を小さくする事により形成される第一
層セラミック基板の段差上に測定用電極端子を設け、か
つ前記セラミックケース上を、非磁性金属キャップで密
封して形成された事を特徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図(A)、(B)は本発明の一実施例のセラミック
ケース部分の分解斜視図および磁気抵抗素子を実装した
時の断面図である0本実施例に用いられるリードレスセ
ラミックケースは、外部リード接触用回路パターンを形
成した第一のセラミック基板1と封止用カバー5を支え
る第二のセラミック板2と封止用金属リング3とで構成
されており、第二のセラミック板2が外部リード引出し
方向のみ短かくなっている事を特徴としている。
すなわち、第一のセラミック基板1と第二のセラミック
基板2の寸法を変えることにより、第一のセラミック基
板1の回路パターンに上方部より測定リード端子を接触
出来るようにした事を特徴としている。
本実施例において、第一層セラミック板1は、セラミッ
ク板クリーンシート上に所定の電極を印刷しプレス抜き
加工を行ない、同じく回路配線を必要としない部品につ
いてもグリーンシートより打抜く、ここでグリーンシー
トとはセラミック板を成形加工、焼成する前のテープ状
の半製品をいう、この後、2枚のグリーンシートの位置
合せを行ない、約1600℃の電気炉中で焼成し電極用
セラミックス板1及び枠周(第二層)セラミック板2を
形成する。この後、枠周セラミックス板2の上に、封止
用金属板5のカバーを取付けるための金属電極3を設け
る。この電極3は金ロウ付けで接続される。この時枠周
セラミックス板2の電極方向寸法は、電極用セラミック
板1より短かくなっているため、外部接続用電極4が露
出して見える事になる。
このように形成されたセラミックケースの電極用セラミ
ックス板1上に接着剤7を塗布し磁気抵抗素子チップ6
を接着、乾燥する。次に、磁気抵抗素子チップ6の上に
設けた電極部と電極用セラミックス板1上に設けた電極
を金またはアルミニウムのボンディングワイヤ8で接続
する。最後に、封止用金属カバー5を取付はシームウェ
ルドを行なう事により、金属電極3と金属カバー5とを
融着して封止し、これにより十分な気密度を保つ事が出
来る。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、リードレスセラミックケ
ースが外部接続用電極部をケース上方にも露出させてい
るので、封止後の電気的特性検査を容易に行なう事が出
来るという効果がある0例えば、連続的に電気特性を測
定する時はプリント配線板に測定用リード端子を取付け
ないわゆるプローブカードを用い上方から測定する事が
出来、測定用ステージは同期して上下する事が出来る機
能があれば良い。
ツブを組込んだ断面図である。
1・・・第一層セラミック板、2,11・・・第二層セ
ラミック板、12・・・第三層セラミック板、3・・・
封止用金属枠、4・・・外部リード電極、5・・・封止
用金属板(カバー)、6・・・磁気抵抗素子チップ、7
・・・エポキシ接着剤、8・・・ボンディングワイヤ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 絶縁基板上に強磁性金属薄膜を形成し所定パターンを形
    成した磁気抵抗効果素子チップを、二層構成から成るリ
    ードレスセラミックケース内に配設した磁気抵抗効果素
    子に於て、前記二層構成としたセラミックケースの第一
    層のセラミック基板より第二層のセラミック基板の寸法
    を小さくする事により形成される第一層セラミック基板
    の段差上に測定用電極端子を設け、かつ前記セラミック
    ケース上を、非磁性金属キャップで密封して形成された
    事を特徴とする磁気抵抗効果素子。
JP1031454A 1989-02-09 1989-02-09 磁気抵抗効果素子 Expired - Lifetime JP2545964B2 (ja)

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JPH02210887A true JPH02210887A (ja) 1990-08-22
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9342269B2 (en) 2014-01-28 2016-05-17 Seiko Epson Corporation Quantum interference unit, quantum interference device, atomic oscillator, electronic apparatus, and moving object
JP2018017554A (ja) * 2016-07-26 2018-02-01 株式会社デンソー 電流センサ
JP2018017553A (ja) * 2016-07-26 2018-02-01 株式会社デンソー 電流センサ

Cited By (4)

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US9342269B2 (en) 2014-01-28 2016-05-17 Seiko Epson Corporation Quantum interference unit, quantum interference device, atomic oscillator, electronic apparatus, and moving object
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WO2018021082A1 (ja) * 2016-07-26 2018-02-01 株式会社デンソー 電流センサ

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JP2545964B2 (ja) 1996-10-23

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