JPH02212307A - 酸化物超伝導薄膜 - Google Patents
酸化物超伝導薄膜Info
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は５ＱＵＩＤ、ジョセフソン素子、超伝導トラン
ジスタ、電磁波センサー 素子配線、電極等に用いる超
伝導薄膜に関する。
ジスタ、電磁波センサー 素子配線、電極等に用いる超
伝導薄膜に関する。
現在話題の酸化物超伝導物質は結晶構造に起因して興方
正が強い、例えば臨界電流密度を見るとＣ軸方向はａ、
ｂ軸方向の１１５〜１／７となっている。故に高臨
界電流密度を要求する薄膜デバイスに酸化物超伝導物質
を応用するにはエピタキシャル成長をさせることが必要
不可欠といえる。
正が強い、例えば臨界電流密度を見るとＣ軸方向はａ、
ｂ軸方向の１１５〜１／７となっている。故に高臨
界電流密度を要求する薄膜デバイスに酸化物超伝導物質
を応用するにはエピタキシャル成長をさせることが必要
不可欠といえる。
エピタキシャル成長をさせるには基板との格子定数をマ
ツチングさせる必要があり一般的には応用物理第５７巻
第２号（１９８８）ｐ２２７−２３１や公開特許公報昭
６３−２７０３９５に述べられているように基板に５ｒ
Ｔｉ０３を初めとしたペロブスカイト型酸化物の単結晶
を用いていた。
ツチングさせる必要があり一般的には応用物理第５７巻
第２号（１９８８）ｐ２２７−２３１や公開特許公報昭
６３−２７０３９５に述べられているように基板に５ｒ
Ｔｉ０３を初めとしたペロブスカイト型酸化物の単結晶
を用いていた。
またＪａｐａｎｐｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ Ｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ、２７
Ｎｏ。
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ、２７
Ｎｏ。
６ １９８８ ｐｐＬ１０６８−１０７０に述べられ
ている様にシリコンウェハー上にＺｒＯ２層を形成した
後酸化物超伝導層を形成する方法も検討されている。
ている様にシリコンウェハー上にＺｒＯ２層を形成した
後酸化物超伝導層を形成する方法も検討されている。
しかしながら従来の酸化物超伝導薄膜の形成に用いるペ
ロブスカイト型酸化物の単結晶基板はベルヌーイ法で作
製されており、結晶の直径が約２ｃｍφ前後以下のもの
に限られていた。そのため大口径化は、不可能であり、
用途が限定される（小型素子しか応用できない）、量産
性が無い、基板のコストが高い（例えば５ｒＴｉ０３の
２ｃｍφ単結晶基板は約２万円／枚である）等の問題を
有していた。
ロブスカイト型酸化物の単結晶基板はベルヌーイ法で作
製されており、結晶の直径が約２ｃｍφ前後以下のもの
に限られていた。そのため大口径化は、不可能であり、
用途が限定される（小型素子しか応用できない）、量産
性が無い、基板のコストが高い（例えば５ｒＴｉ０３の
２ｃｍφ単結晶基板は約２万円／枚である）等の問題を
有していた。
また大口径化の可能な単結晶シリコンウェハーを用いＺ
ｒＯ２層を形成した後酸化物超伝導薄膜を付ける場合は
ＺｒＯ２と酸化物超伝導物質の格子定数に大きな差があ
りエピタキシャル成長性が悪いとゆう問題を有していた
。
ｒＯ２層を形成した後酸化物超伝導薄膜を付ける場合は
ＺｒＯ２と酸化物超伝導物質の格子定数に大きな差があ
りエピタキシャル成長性が悪いとゆう問題を有していた
。
本発明はこの様な問題を解決するものであり、その目的
とするところは大口径、高臨界電流密度で用途の限定が
無く量産性に優れた酸化物超伝導薄膜を低コストで得ん
とするものである。
とするところは大口径、高臨界電流密度で用途の限定が
無く量産性に優れた酸化物超伝導薄膜を低コストで得ん
とするものである。
上記の問題を解決するため本発明の酸化物超伝導薄膜は
１）単結晶シリコンウェハー基板上に形成する酸化物超
伝導薄膜に於て単結晶シリコンウェハー基板と酸化物超
伝導薄膜の中間部にＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ，Ｓ
ｒＯ，ＣａＯの白河れかの酸化物層と組成式をＡｘＴｉ
ｙＱｚ（ここでＡは希土類元素を示す）と表したとき０
．９≦ｘ≦１゜１．０．８５≦ｙ≦１．１５である酸化
物層を形成して成る事２）酸化物超伝導物質がＬｎ１Ｂ
ａ２Ｃｕ３Ｏｙ系（ここでＬｎはＹを含み４価元素を除
く希土類元素）で有ることを特徴とする。ｘ、 ｙの
値が上記組成範囲を外れると酸化物層は安定した結晶構
造をとらなくなる。それは酸化物超伝導薄膜のエピタキ
シャル成長を阻害する原因となる。
１）単結晶シリコンウェハー基板上に形成する酸化物超
伝導薄膜に於て単結晶シリコンウェハー基板と酸化物超
伝導薄膜の中間部にＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ，Ｓ
ｒＯ，ＣａＯの白河れかの酸化物層と組成式をＡｘＴｉ
ｙＱｚ（ここでＡは希土類元素を示す）と表したとき０
．９≦ｘ≦１゜１．０．８５≦ｙ≦１．１５である酸化
物層を形成して成る事２）酸化物超伝導物質がＬｎ１Ｂ
ａ２Ｃｕ３Ｏｙ系（ここでＬｎはＹを含み４価元素を除
く希土類元素）で有ることを特徴とする。ｘ、 ｙの
値が上記組成範囲を外れると酸化物層は安定した結晶構
造をとらなくなる。それは酸化物超伝導薄膜のエピタキ
シャル成長を阻害する原因となる。
また値は共に１に近いほど好ましい。２は薄膜では測定
が困難なため確認できていないがバルクでは最適組成に
おいて３となっている。
が困難なため確認できていないがバルクでは最適組成に
おいて３となっている。
以下実施例に従い本発明を説明する。
実施例−１
先ず最初に１００配向の単結晶シリコンウェハー基板上
にＺｒ０２（Ｙ安定化）酸化物層を反応蒸着法（電子ビ
ーム）により形成する。成膜条件は蒸発源にＺｒとＹペ
レットを用い、基板温度６２０℃、真空度２〜８１１０
−’Ｔｏｒｒ、成膜速度７ｎｍ／ｍｉｎであり基板への
酸素供給は成膜中に基板周辺に酸素を吹き付けて行なう
。得られた酸化物層の組成は（Ｙ２Ｏ２） ０．０９
（Ｚ ｒ０２） ０．９１でありＸ線回折とＲＨＥＥＤ
分析によるとＣ軸配向した極めて単結晶に近い膜であり
格子定数は５゜１５〜５− ３２ Ａ （ａ ＠ｓ
ｂ ＠）であった０次に第１表に示した組成の酸化物層
をＲＦマグネトロンスパッタ法により形成する。
にＺｒ０２（Ｙ安定化）酸化物層を反応蒸着法（電子ビ
ーム）により形成する。成膜条件は蒸発源にＺｒとＹペ
レットを用い、基板温度６２０℃、真空度２〜８１１０
−’Ｔｏｒｒ、成膜速度７ｎｍ／ｍｉｎであり基板への
酸素供給は成膜中に基板周辺に酸素を吹き付けて行なう
。得られた酸化物層の組成は（Ｙ２Ｏ２） ０．０９
（Ｚ ｒ０２） ０．９１でありＸ線回折とＲＨＥＥＤ
分析によるとＣ軸配向した極めて単結晶に近い膜であり
格子定数は５゜１５〜５− ３２ Ａ （ａ ＠ｓ
ｂ ＠）であった０次に第１表に示した組成の酸化物層
をＲＦマグネトロンスパッタ法により形成する。
使用ターゲットは第１表の組成に近い組成（最終的に第
１表になるよう補正したもの）の酸化物焼結ターゲット
である。成膜条件は基板温度４５０℃〜８００℃、真空
度３〜８＊１Ｏ−２Ｔｏｒｒ、使用ガス０２：Ａｒ比３
： ｌ、Ｐｏｗｅｒ ｄｅｎＳ ｉ ｔ ７３−
９ （Ｗ／ Ｃｍす、成膜速度は７〜１５ｎｍ／ｍｉｎ
である。また膜厚は５００〜５５０ｎｍである０次に酸
化物層の結晶構造を安定化させるため７５０’Ｃ酸素雲
囲気中で１時間アニール処理を行う。得られた酸化物膜
はＸ線回折とＲＨＥＥＤにより分析したところエピタキ
シャル成長した膜であった。また格子定数は３．８９〜
３．９４Ａ（ａｓ）でありＬｎ−Ｂａ−Ｃｕ−０（Ｌｎ
は４価元素を除く希土類元素）系酸化物超伝導物質に近
いものであった。
１表になるよう補正したもの）の酸化物焼結ターゲット
である。成膜条件は基板温度４５０℃〜８００℃、真空
度３〜８＊１Ｏ−２Ｔｏｒｒ、使用ガス０２：Ａｒ比３
： ｌ、Ｐｏｗｅｒ ｄｅｎＳ ｉ ｔ ７３−
９ （Ｗ／ Ｃｍす、成膜速度は７〜１５ｎｍ／ｍｉｎ
である。また膜厚は５００〜５５０ｎｍである０次に酸
化物層の結晶構造を安定化させるため７５０’Ｃ酸素雲
囲気中で１時間アニール処理を行う。得られた酸化物膜
はＸ線回折とＲＨＥＥＤにより分析したところエピタキ
シャル成長した膜であった。また格子定数は３．８９〜
３．９４Ａ（ａｓ）でありＬｎ−Ｂａ−Ｃｕ−０（Ｌｎ
は４価元素を除く希土類元素）系酸化物超伝導物質に近
いものであった。
次に反応蒸着法により前記酸化物膜上にＥｕ−Ｂａ−Ｃ
ｕ−０超伝導薄膜（１： ２： ３組成）を１５０ｎｍ
形成した。成膜条件は蒸発源にＥｕ、Ｂａ、Ｃｕの金属
を用い、真空度３〜６＊１Ｏ−５Ｔｏｒｒ、基板温度６
５０°Ｃ１成膜速度２０〜３５ｎｍ／ｍｉｎであり、酸
素の供給はマイクロ波で活性化した酸素プラズマを基板
部に成膜中に照射して行った。
ｕ−０超伝導薄膜（１： ２： ３組成）を１５０ｎｍ
形成した。成膜条件は蒸発源にＥｕ、Ｂａ、Ｃｕの金属
を用い、真空度３〜６＊１Ｏ−５Ｔｏｒｒ、基板温度６
５０°Ｃ１成膜速度２０〜３５ｎｍ／ｍｉｎであり、酸
素の供給はマイクロ波で活性化した酸素プラズマを基板
部に成膜中に照射して行った。
次にａｓ−ｄｅｐｏ、 状態で良好な膜が得られる場
合もあるが必要に応じ５００’Ｃ酸素♂囲気中において
アニール処理を行い不足している酸素を補給すると共に
（酸素不足は低臨界温度相の発生を招く）結晶構造を安
定化させ酸化物超伝導薄膜を得る。酸化物超伝導薄膜を
Ｘ線回折、ＲＨＥＥＤにより分析したところエピタキシ
ャル成長した膜であった。
合もあるが必要に応じ５００’Ｃ酸素♂囲気中において
アニール処理を行い不足している酸素を補給すると共に
（酸素不足は低臨界温度相の発生を招く）結晶構造を安
定化させ酸化物超伝導薄膜を得る。酸化物超伝導薄膜を
Ｘ線回折、ＲＨＥＥＤにより分析したところエピタキシ
ャル成長した膜であった。
第１表
実施例−２
実施例−１と同様な条件で単結晶シリコンウェハー基板
上に酸化物層をＭｇＯ酸化物層、Ｅｕ−Ｔｉ−０酸化物
層の順に形成する。膜厚はそれぞれ２００ｎｍ、４００
ｎｍである０次にＥｕ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を１１００
ｎ形成し酸化物超伝導薄膜を得る。
上に酸化物層をＭｇＯ酸化物層、Ｅｕ−Ｔｉ−０酸化物
層の順に形成する。膜厚はそれぞれ２００ｎｍ、４００
ｎｍである０次にＥｕ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を１１００
ｎ形成し酸化物超伝導薄膜を得る。
実施例−３
実施例−１と同様な条件で単結晶シリコンウェハー基板
上に酸化物層をＡｌ２Ｏ３酸化物層、Ｅｕ−Ｔｉ−０酸
化物層の順にそれぞれ２００ｎｍ、５００ｎｍ形成する
。次にＥｕ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を１１００ｎ形成し酸
化物超伝導薄膜を得る。
上に酸化物層をＡｌ２Ｏ３酸化物層、Ｅｕ−Ｔｉ−０酸
化物層の順にそれぞれ２００ｎｍ、５００ｎｍ形成する
。次にＥｕ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を１１００ｎ形成し酸
化物超伝導薄膜を得る。
実施例−４
実施例−１と同様な条件で単結晶シリコンウェハー基板
上に酸化物層をＳｒＯ酸化物層、Ｌａ−Ｔｉ−０酸化物
層の順にそれぞれ３５０ｎｍ、４００ｎｍ形成する。次
にＹｂ＝Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を１１００ｎ形成し酸化物
超伝導薄膜を得る。
上に酸化物層をＳｒＯ酸化物層、Ｌａ−Ｔｉ−０酸化物
層の順にそれぞれ３５０ｎｍ、４００ｎｍ形成する。次
にＹｂ＝Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を１１００ｎ形成し酸化物
超伝導薄膜を得る。
実施例−５
実施例−１と同様な条件で単結晶シリコンウェハー基板
上に酸化物層をＢａＯ酸化物層、ＣａＯ酸化物層、Ｅｕ
−Ｔｉ−〇酸化物層の順にそれぞれ１５０ｎｍ、２００
ｎｍ、４００ｎｍ形成する。
上に酸化物層をＢａＯ酸化物層、ＣａＯ酸化物層、Ｅｕ
−Ｔｉ−〇酸化物層の順にそれぞれ１５０ｎｍ、２００
ｎｍ、４００ｎｍ形成する。
この時の酸化物の格子定数はＢａ＞Ｃａ＞Ｅｕである８
次にＥｕ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を１１００ｎ形成し酸化
物超伝導薄膜を得る。
次にＥｕ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を１１００ｎ形成し酸化
物超伝導薄膜を得る。
第２表
上記得られた酸化物超伝導薄膜の臨界温度と臨界電流密
度を４端子法により測定した。測定温度は７７Ｋ（ダイ
キン工業製極低温冷凍機Ｔ、ＴＶ２０４ＳＲ使用）で測
定雰囲気はヘリウムガス中である。
度を４端子法により測定した。測定温度は７７Ｋ（ダイ
キン工業製極低温冷凍機Ｔ、ＴＶ２０４ＳＲ使用）で測
定雰囲気はヘリウムガス中である。
結果を第２表（実施例−１）と第３表（実施例−２、実
施例−３、実施例−４、実施例−５）に比較例と共に示
した。比較例は単結晶シリコンウェハー基板上に直接Ｅ
ｕ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を１１００ｎ形成した場合（Ｇ
）、 ＺｒＯ３酸化物層のみの場合（Ｈ）、 Ｅｕ−Ｔ
ｉ−０酸化物層のみの場合（Ｉ）と基板にＳ ｒ Ｔ
ｉ ０３単結晶を用いた場合（Ｊ：応用物理第５７巻第
２号１９８８ｐ２２７−２３１ ＮＴＴデータによる
）である。
施例−３、実施例−４、実施例−５）に比較例と共に示
した。比較例は単結晶シリコンウェハー基板上に直接Ｅ
ｕ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を１１００ｎ形成した場合（Ｇ
）、 ＺｒＯ３酸化物層のみの場合（Ｈ）、 Ｅｕ−Ｔ
ｉ−０酸化物層のみの場合（Ｉ）と基板にＳ ｒ Ｔ
ｉ ０３単結晶を用いた場合（Ｊ：応用物理第５７巻第
２号１９８８ｐ２２７−２３１ ＮＴＴデータによる
）である。
表より判るように本発明の酸化物超伝導薄膜は基板に単
結晶シリコンウェハーを用いても高い臨界電流密度を得
ることが出来る。比較例Ｇ、 Ｈ１工の特性の悪いの
は、 （Ｇ）： シリコンウェハーと酸化物超伝導物質
が反応して酸化物超伝導の結島構造を壊しているため、
（Ｈ）： ｚｒ０２酸化物層は単結晶に近いもので
あるがＺｒＯ２酸化物層と酸化物超伝導物質には格子定
数に大きな差がありマツチングが悪く酸化物超伝導膜の
エピタキシャル成長が阻害されているため、 （１）：
シリコンウエハーと酸化物層のマツチングが悪く酸化物
層の構造が安定していないためその上に形成される酸化
物超伝導膜も安定したエピタキシャル成長膜にならない
ためである。これらの点を纏めると本発明は基板と酸化
物超伝導層の間に酸化物超伝導物質よりエピタキシャル
成長させ易い酸化物層を格子定数が少しずつ変化するよ
う多段に配したことにより反応がなく且エピタキシャル
性の良い酸化物超伝導膜が出来るようになったといえる
。更に酸化物元素に酸化物超伝導物質と同じ希土類元素
を用いているため界面でミキシングがあっても影響が少
ない事も良い一因といえる。
結晶シリコンウェハーを用いても高い臨界電流密度を得
ることが出来る。比較例Ｇ、 Ｈ１工の特性の悪いの
は、 （Ｇ）： シリコンウェハーと酸化物超伝導物質
が反応して酸化物超伝導の結島構造を壊しているため、
（Ｈ）： ｚｒ０２酸化物層は単結晶に近いもので
あるがＺｒＯ２酸化物層と酸化物超伝導物質には格子定
数に大きな差がありマツチングが悪く酸化物超伝導膜の
エピタキシャル成長が阻害されているため、 （１）：
シリコンウエハーと酸化物層のマツチングが悪く酸化物
層の構造が安定していないためその上に形成される酸化
物超伝導膜も安定したエピタキシャル成長膜にならない
ためである。これらの点を纏めると本発明は基板と酸化
物超伝導層の間に酸化物超伝導物質よりエピタキシャル
成長させ易い酸化物層を格子定数が少しずつ変化するよ
う多段に配したことにより反応がなく且エピタキシャル
性の良い酸化物超伝導膜が出来るようになったといえる
。更に酸化物元素に酸化物超伝導物質と同じ希土類元素
を用いているため界面でミキシングがあっても影響が少
ない事も良い一因といえる。
また実施例の中でＢとＥが他に比べ臨界電流密度が高い
のは酸化物超伝導側の酸化物層が最適組成に近いことに
より最適結晶構造をとり、それが酸化物超伝導膜のエピ
タキシャル成長を促しているためである。故に酸化物の
組成はＡｘＴｉｙＯｚ（ここでＡは希土類元素を示す）
と表したとき０゜９≦ｘ≦１．１．０．８５≦ｙ≦１．
１５の範囲内である必要があり、外れると臨界電流密度
は急激に低下する。
のは酸化物超伝導側の酸化物層が最適組成に近いことに
より最適結晶構造をとり、それが酸化物超伝導膜のエピ
タキシャル成長を促しているためである。故に酸化物の
組成はＡｘＴｉｙＯｚ（ここでＡは希土類元素を示す）
と表したとき０゜９≦ｘ≦１．１．０．８５≦ｙ≦１．
１５の範囲内である必要があり、外れると臨界電流密度
は急激に低下する。
これら実施例の値は第３表の比較例に示す５ｒＴｉ０３
単結晶基板を用いた値（比較例Ｊ： ＮＴＴデータ）に
近いものであり十分デバイス等に応用できる値である。
単結晶基板を用いた値（比較例Ｊ： ＮＴＴデータ）に
近いものであり十分デバイス等に応用できる値である。
第４表に単結晶シリコンウェハー基板と従来よく用いら
れていた５ｒＴｉ０３単結晶基板の１枚の値段を示した
。単結晶シリコンウェハー基板は４インチ（約１０ｃｍ
φ）と５ｒＴｉ０３単結晶基板の約５倍と大口径である
にも関わらず値段は約１／１０であり大幅な低コスト化
が可能となる。
れていた５ｒＴｉ０３単結晶基板の１枚の値段を示した
。単結晶シリコンウェハー基板は４インチ（約１０ｃｍ
φ）と５ｒＴｉ０３単結晶基板の約５倍と大口径である
にも関わらず値段は約１／１０であり大幅な低コスト化
が可能となる。
尚本実施例では基板と酸化物超伝導層の間に２種類の酸
化物層を１層ずつ形成するものが多いが各層とも多層構
造になっても何等差し支えない。
化物層を１層ずつ形成するものが多いが各層とも多層構
造になっても何等差し支えない。
第３表
第４表
°〔発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば大口径化の可能な単結
晶シリコンウェハーを基板に用いても酸化物超伝導薄膜
のエピタキシャル成長が可能となり、なお且基板との反
応を抑制できるため高い臨界電流密度をえられる。さら
に大口径で有るにも関わらず基板の値段が格段に安い。
晶シリコンウェハーを基板に用いても酸化物超伝導薄膜
のエピタキシャル成長が可能となり、なお且基板との反
応を抑制できるため高い臨界電流密度をえられる。さら
に大口径で有るにも関わらず基板の値段が格段に安い。
即ち形状や臨界電流密度による用途の限定が無く、量産
性に優れた酸化物超伝導薄膜を低コストで得ることが出
来る。
性に優れた酸化物超伝導薄膜を低コストで得ることが出
来る。
本発明により得られた酸化物超伝導薄膜はそのままで用
いたり微細加工、保護膜形成、他物質の積層等を施した
後５ＱＵＩＤ、ジョセフソン素子、超伝導トランジスタ
、電磁波センサー 磁気センサー 素子配線、電流制御
素子、磁束量子メモリ、光スイツチ素子、磁気シールド
等に応用することが出来る。
いたり微細加工、保護膜形成、他物質の積層等を施した
後５ＱＵＩＤ、ジョセフソン素子、超伝導トランジスタ
、電磁波センサー 磁気センサー 素子配線、電流制御
素子、磁束量子メモリ、光スイツチ素子、磁気シールド
等に応用することが出来る。
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
代理人弁理士 上柳雅誉 他１名
Claims (2)
- （１）単結晶シリコンウェハー基板上に形成する酸化物
超伝導薄膜に於て単結晶シリコンウェハー基板と酸化物
超伝導薄膜の中間部にＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、
ＳｒＯ、ＣａＯの内何れかの酸化物層と組成式をＡｘＴ
ｉｙＯｚ（ここでＡは希土類元素を示す）と表したとき
０．９≦ｘ≦１．１、０．８５≦ｙ≦１．１５である酸
化物層を形成して成る事を特徴とする酸化物超伝導薄膜
。 - （２）酸化物超伝導物質がＬｎ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｙ系（
ここでＬｎはＹを含み４価元素を除く希土類元素）で有
ることを特徴とする請求項１記載の酸化物超伝導薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1034147A JP2844207B2 (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 酸化物超伝導素子および酸化物超伝導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1034147A JP2844207B2 (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 酸化物超伝導素子および酸化物超伝導体薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02212307A true JPH02212307A (ja) | 1990-08-23 |
| JP2844207B2 JP2844207B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=12406088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1034147A Expired - Lifetime JP2844207B2 (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 酸化物超伝導素子および酸化物超伝導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2844207B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1858091A1 (en) * | 2006-05-18 | 2007-11-21 | Nexans | Conductor coated with a polycrystalline film useful for the production of high temperatures superconductor layers |
-
1989
- 1989-02-14 JP JP1034147A patent/JP2844207B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| APPLIED.PHYSICS.LETTERS=V53 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1858091A1 (en) * | 2006-05-18 | 2007-11-21 | Nexans | Conductor coated with a polycrystalline film useful for the production of high temperatures superconductor layers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2844207B2 (ja) | 1999-01-06 |
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