JPH02213183A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
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- JPH02213183A JPH02213183A JP1033958A JP3395889A JPH02213183A JP H02213183 A JPH02213183 A JP H02213183A JP 1033958 A JP1033958 A JP 1033958A JP 3395889 A JP3395889 A JP 3395889A JP H02213183 A JPH02213183 A JP H02213183A
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
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- H01S5/32325—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm red laser based on InGaP
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、可視光領域でレーザ発振する半導体レーザお
よびその製造方法に関する。
よびその製造方法に関する。
従来の技術
（ＡｌｘＧａＩＫ ”’ｔ −Ｘ ）０．５ ”０．５
Ｐ系化合物半導体装置ＧａＡｇ基板に格子整合しながら
直接遷移型で禁止帯幅が１．９ ｅＶから２，３６ｖま
での範囲で組成Ｘを変えながら変化させることができる
。この為。
Ｐ系化合物半導体装置ＧａＡｇ基板に格子整合しながら
直接遷移型で禁止帯幅が１．９ ｅＶから２，３６ｖま
での範囲で組成Ｘを変えながら変化させることができる
。この為。
この混晶系を用すたダブルヘテロ構造の半導体レーザは
波長０．６８μｍから０．５８μｍまで発光する魅力あ
る材料であυ最近活発に研究開発されている。この系の
半導体レーザの利用分野は波長が短いため記録密度の向
上を狙ったコンパクトディスクや光デイスク用光源とし
て有望視されている。
波長０．６８μｍから０．５８μｍまで発光する魅力あ
る材料であυ最近活発に研究開発されている。この系の
半導体レーザの利用分野は波長が短いため記録密度の向
上を狙ったコンパクトディスクや光デイスク用光源とし
て有望視されている。
この系の半導体レーザの一例として第４図に示す構造で
波長６７０μｍの赤色レーザが得られている（第２０同
周体素子材料コンフルンス、Ｄ−３−３，１９８８）。
波長６７０μｍの赤色レーザが得られている（第２０同
周体素子材料コンフルンス、Ｄ−３−３，１９８８）。
１１はｎ型ＧａＡｓ基板、１２はｎ型ＯａムＳバッフ１
層、１３ばｎ型（ＡｌｘＧａＩＧ、７Ｇ飄Ｓ ） ０．
５ ”０．Ｓ Ｐクラッド層、１４はＫｎ Ｇａ
Ｐ活性層、１５はｐ型（ＡｌｘＧａ”０．７”０，１
）０，５ｏ、ｓ ｏ、ｓ Ｘｎ Ｐクラッド層、１６はｐ型Ｉｎｏ、Ｇａｏ、Ｐ
層。
層、１３ばｎ型（ＡｌｘＧａＩＧ、７Ｇ飄Ｓ ） ０．
５ ”０．Ｓ Ｐクラッド層、１４はＫｎ Ｇａ
Ｐ活性層、１５はｐ型（ＡｌｘＧａ”０．７”０，１
）０，５ｏ、ｓ ｏ、ｓ Ｘｎ Ｐクラッド層、１６はｐ型Ｉｎｏ、Ｇａｏ、Ｐ
層。
１７はｐ型Ｇａム８埋め込み層、１８はｎ型電極。
１９はｐ型電極である。この構造の特徴はｐ型りラッド
層１６に設けたメサ部と、メサ外部に設けた活性層１４
より屈折率が大きなｐ型ＣａＡｓ層１７により、接合に
対して水平方向に実効屈折率差をつけ、また、ｐ型Ｇａ
Ａｓ層は光吸収層として拗き、高次モードを抑制し横モ
ードの安定化を図っている。そのため、高出力化が可能
となり安定な光−電流特性が得られている。この素子の
成長は一般に減圧有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）で
行っている。しかしながら、この素子は吸収層を用いた
反相折率導波型であるため、出射角は一般に水平方向で
７〜８°、垂直方向で３０〜４０°で楕円状のビーム形
状で１通常のストライプ型レーザと同様非点収差が約４
０μｍと大きく光ディスクやコンパクトディスクなどの
記録用光源としては使用上難点がある。
層１６に設けたメサ部と、メサ外部に設けた活性層１４
より屈折率が大きなｐ型ＣａＡｓ層１７により、接合に
対して水平方向に実効屈折率差をつけ、また、ｐ型Ｇａ
Ａｓ層は光吸収層として拗き、高次モードを抑制し横モ
ードの安定化を図っている。そのため、高出力化が可能
となり安定な光−電流特性が得られている。この素子の
成長は一般に減圧有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）で
行っている。しかしながら、この素子は吸収層を用いた
反相折率導波型であるため、出射角は一般に水平方向で
７〜８°、垂直方向で３０〜４０°で楕円状のビーム形
状で１通常のストライプ型レーザと同様非点収差が約４
０μｍと大きく光ディスクやコンパクトディスクなどの
記録用光源としては使用上難点がある。
発明が解決しようとする課題
以上のように従来の技術においてはＡｌＧａ１ｎＰ系の
半導体レーザは反相折率導波型のため非点収差が大きい
という問題点がある。
半導体レーザは反相折率導波型のため非点収差が大きい
という問題点がある。
課題を解決するための手段
本発明によれば、第１の導電型基板上に第１の導電型の
（ＡｌｘＧａ１ｘＧａ、−ｘ） ＩｎＰ り−ｙ 、
、ド層（０＜）Ｃ≦１）。
（ＡｌｘＧａ１ｘＧａ、−ｘ） ＩｎＰ り−ｙ 、
、ド層（０＜）Ｃ≦１）。
（ＡｌｙＧａ１−、）ＩｎＰ活性層（０≦ｙ＜ｘ、ｚ）
およびストライプ状の凸部を有する第２の導電型の（Ａ
ｌｘＧａｌ、 Ｇａ、−、） ＩｎＰクラッド層（０＜
ｚ≦１）を形成してなるダブルヘテロ構造であって、第
２の導電型り５ラド層の凸部側面ならびに凸部外の表面
から、前記凸部直下の活性層を除く活性層ならびに第１
の導電型クラッド層中まで第２の導電型クラッド層中ま
で第２の導電型の不純物が拡散された領域を具備した半
導体レーザである。更にその作製方法をＭｏｖｐｘ法に
よシ活性層の成長温度を６３０℃から７００℃の範囲で
作製する。
およびストライプ状の凸部を有する第２の導電型の（Ａ
ｌｘＧａｌ、 Ｇａ、−、） ＩｎＰクラッド層（０＜
ｚ≦１）を形成してなるダブルヘテロ構造であって、第
２の導電型り５ラド層の凸部側面ならびに凸部外の表面
から、前記凸部直下の活性層を除く活性層ならびに第１
の導電型クラッド層中まで第２の導電型クラッド層中ま
で第２の導電型の不純物が拡散された領域を具備した半
導体レーザである。更にその作製方法をＭｏｖｐｘ法に
よシ活性層の成長温度を６３０℃から７００℃の範囲で
作製する。
作用
上述の本発明による手段を用いると、容易に屈折率導波
型の半導体レーザが得られ、安定な単一横モードが得ら
れるだけでなく出射角は垂直方向は３０〜４０’と変わ
らないが水平方向は１６〜２０°と大きくなってアスペ
クト比が向上し、また、非点収差唸数μｍと改善される
。更に、活性層の成長温度を６３０’Ｃから７００ ’
Ｃの範囲で成長を行うことによって、活性層近傍におい
て接合に対して水平方向の屈折率差をより大きくとるこ
とが可能となり、よシ安定な単一モード発振ならびに低
非点収差の特性を持つ半導体レーザが得られる。
型の半導体レーザが得られ、安定な単一横モードが得ら
れるだけでなく出射角は垂直方向は３０〜４０’と変わ
らないが水平方向は１６〜２０°と大きくなってアスペ
クト比が向上し、また、非点収差唸数μｍと改善される
。更に、活性層の成長温度を６３０’Ｃから７００ ’
Ｃの範囲で成長を行うことによって、活性層近傍におい
て接合に対して水平方向の屈折率差をより大きくとるこ
とが可能となり、よシ安定な単一モード発振ならびに低
非点収差の特性を持つ半導体レーザが得られる。
実施例
（実施例１）
以・下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の半導体レーザの構造ψ面図を示す。な
お１図中の番号は説明を簡単にするため従来例の第４図
と同じにしている。、１１けｎ型Ｏａム基板、１２はｎ
型ＱａＡｓバッ７ツ層（厚みｄ〜０．５μｍ、キャリア
濃ｉｎ〜Ｉ Ｘｌ ０１８ｃｙｘ″）、１３はｎ型（Ａ
ｌｘＧａｌ、 Ｇａ、−、） ＸｎＰ クラット層（（
１〜１ μｍ 、 ｎ〜５Ｘ１ ｏ１７ｃ＝＊−３）
１４はＩｎＧａＰ 活性層（ｄ〜０．１ ａｍ 、アン
ドープ）、１５は順メサ形状のｐ型（ＡｌｘＧａｅＸ”
１−Ｘ ）ＩｎＰり−Ｐッド層（（ＩＮｏ、７ μｍ
、 ｐ〜５ Ｘ １０”ｃｌｌｌ−３）、１６はｐ型
ＩｎＧａＰ層（ｄ 〜０．５１１ｍ 。
お１図中の番号は説明を簡単にするため従来例の第４図
と同じにしている。、１１けｎ型Ｏａム基板、１２はｎ
型ＱａＡｓバッ７ツ層（厚みｄ〜０．５μｍ、キャリア
濃ｉｎ〜Ｉ Ｘｌ ０１８ｃｙｘ″）、１３はｎ型（Ａ
ｌｘＧａｌ、 Ｇａ、−、） ＸｎＰ クラット層（（
１〜１ μｍ 、 ｎ〜５Ｘ１ ｏ１７ｃ＝＊−３）
１４はＩｎＧａＰ 活性層（ｄ〜０．１ ａｍ 、アン
ドープ）、１５は順メサ形状のｐ型（ＡｌｘＧａｅＸ”
１−Ｘ ）ＩｎＰり−Ｐッド層（（ＩＮｏ、７ μｍ
、 ｐ〜５ Ｘ １０”ｃｌｌｌ−３）、１６はｐ型
ＩｎＧａＰ層（ｄ 〜０．５１１ｍ 。
ｐ〜２Ｘ１０１８ｉ”１ｌ−５）ｌ１１ Ｔ社ｐ型ＧＩ
Ｌム８コンタクト層（ｄ〜３μ＠ 、 ｐ〜３Ｘ１０′
８ＣＭ ’） 。
Ｌム８コンタクト層（ｄ〜３μ＠ 、 ｐ〜３Ｘ１０′
８ＣＭ ’） 。
１８はｎ型ムｕＧｅ ／ Ｎｉ電極、１９はｐ型ムｕＺ
ｎ電極である。また、ｐ型クラッド層表面から拡散した
ｐ型Ｚｎ拡散層（深さ１μｍ、ｐ〜５Ｘ１０”１−５）
が第１＠のように形成されている。
ｎ電極である。また、ｐ型クラッド層表面から拡散した
ｐ型Ｚｎ拡散層（深さ１μｍ、ｐ〜５Ｘ１０”１−５）
が第１＠のように形成されている。
ｐ型ＩｎＧａＰ層１６の福は３μｍである。したがって
、Ｚｎ拡散されていない置載の活性層のストライプ幅は
約２μｍである。
、Ｚｎ拡散されていない置載の活性層のストライプ幅は
約２μｍである。
第１図の素子の電流通路はへテロ障壁の小さいｐ型Ｇａ
ムＳ層１７からｐ型Ｉ ｎＧａ Ｐ層１６を通ってｐ型
りラッド層１５．ＩｎＧａＰ活性層１４へと注入される
。これはｐ型ＩｎＧａＰ層１８によってｐ型ＧａムＳコ
ンタクト層１７よりｐ型クラッド層１７との間の電気抵
抗低減のためである。第１図の構造の特徴は、まず従来
の第４図と同様、電流狭窄は上述のようにヘテロ障壁差
を利用してＰＭコンタクト層１７とｐ型クラッド層１６
によって行われる。先導波はストライプ状のメサに形成
されたクラッド層１６において行われる。っｔＤＰ型拡
散拡散層２０って活性層１４内に高濃度ｐ型領域１００
とアンドープ領域１０１間の屈折率差が生じる。つｉシ
、屈折率は波長８７０ｎｌＥ１に対してアンドープ層１
０１は３．５８．高濃度層１ωは３．６７で、高濃度ｐ
型偵域の方が屈折率が約３Ｘ１０ １度小さくなシ、
本発明の構造は従来の構造と異なりｍ折率導波型レーザ
となる。したがって、反屈折率導波型と異な多接合に対
して垂直方向だけでなく水平方向も導波する光の波面は
曲がることなく、出射光は共振器端面で理想的に回折さ
れる。したがって、基本的に非点収差は小さく抑えられ
る。実際に作製した素子の特性はしきい値電流６０ｒＩ
Ｌム、出射角は水平方向１０″以上、垂直方向３０６．
非点収差１０μｍ以下のものが得られた。一方、第２図
はｐ型りヲッド層上にｎ型Ｇ＆ムＳ電流ブロック層２１
を設けている。
ムＳ層１７からｐ型Ｉ ｎＧａ Ｐ層１６を通ってｐ型
りラッド層１５．ＩｎＧａＰ活性層１４へと注入される
。これはｐ型ＩｎＧａＰ層１８によってｐ型ＧａムＳコ
ンタクト層１７よりｐ型クラッド層１７との間の電気抵
抗低減のためである。第１図の構造の特徴は、まず従来
の第４図と同様、電流狭窄は上述のようにヘテロ障壁差
を利用してＰＭコンタクト層１７とｐ型クラッド層１６
によって行われる。先導波はストライプ状のメサに形成
されたクラッド層１６において行われる。っｔＤＰ型拡
散拡散層２０って活性層１４内に高濃度ｐ型領域１００
とアンドープ領域１０１間の屈折率差が生じる。つｉシ
、屈折率は波長８７０ｎｌＥ１に対してアンドープ層１
０１は３．５８．高濃度層１ωは３．６７で、高濃度ｐ
型偵域の方が屈折率が約３Ｘ１０ １度小さくなシ、
本発明の構造は従来の構造と異なりｍ折率導波型レーザ
となる。したがって、反屈折率導波型と異な多接合に対
して垂直方向だけでなく水平方向も導波する光の波面は
曲がることなく、出射光は共振器端面で理想的に回折さ
れる。したがって、基本的に非点収差は小さく抑えられ
る。実際に作製した素子の特性はしきい値電流６０ｒＩ
Ｌム、出射角は水平方向１０″以上、垂直方向３０６．
非点収差１０μｍ以下のものが得られた。一方、第２図
はｐ型りヲッド層上にｎ型Ｇ＆ムＳ電流ブロック層２１
を設けている。
これによって、高電圧駆動する場合の活性層以外に流れ
る電流を阻止する役目を担っており高出力動作の折には
有利となる。
る電流を阻止する役目を担っており高出力動作の折には
有利となる。
次に１本発明の実施例の構造の作製方法について第３図
を用いて述べる。まず、第３図（！Ｌ）においてｍｏｖ
ｐｘ法もしくはＭＢＥ法を用いてｎ型Ｇ１ムＳ基板１１
上にｎ型ＧＩＬＡ！ｉバ、ファ層１２゜ｎ型クラッド層
１３、ＩｎＧＩＬＰ活性層１４．ｐ型クラッド層１６な
らびにｐ型Ｉ ｎＧＩＰ層１６全１６する。次に、第３
図山）のようにストライプ状の幅３μｍの５ｉＯ２Ｊを
フォトリングラフィ法により形成する。第３図（ｃ）で
硫設系液でｐ型ＩｎＧａＰＲ１ｅならびにｐ型クラッド
層１５をメサエッチングする。そして、に３図町でＳ
ｘ Ｏｚ ＋ｉ ２２をマスク托してメサエッチング表
面からＺｎ拡散して拡散層２０を深さ約１μｍ形成する
。
を用いて述べる。まず、第３図（！Ｌ）においてｍｏｖ
ｐｘ法もしくはＭＢＥ法を用いてｎ型Ｇ１ムＳ基板１１
上にｎ型ＧＩＬＡ！ｉバ、ファ層１２゜ｎ型クラッド層
１３、ＩｎＧＩＬＰ活性層１４．ｐ型クラッド層１６な
らびにｐ型Ｉ ｎＧＩＰ層１６全１６する。次に、第３
図山）のようにストライプ状の幅３μｍの５ｉＯ２Ｊを
フォトリングラフィ法により形成する。第３図（ｃ）で
硫設系液でｐ型ＩｎＧａＰＲ１ｅならびにｐ型クラッド
層１５をメサエッチングする。そして、に３図町でＳ
ｘ Ｏｚ ＋ｉ ２２をマスク托してメサエッチング表
面からＺｎ拡散して拡散層２０を深さ約１μｍ形成する
。
Ｚｎ拡散条件は拡散ソースＺｎＰ２および赤リンを石英
アンプル中へエビウニノー−とともに真空封入（真空度
＜Ｉ Ｘ １０−’ ｔｏｒｒ） して６００’（，１
０分間で行なった。
アンプル中へエビウニノー−とともに真空封入（真空度
＜Ｉ Ｘ １０−’ ｔｏｒｒ） して６００’（，１
０分間で行なった。
その後、拡散表面の熱ダメージ層をＨ２５０４系液で軽
くエツチングした後、直ちにウェハーを成長室に導入し
、第３図（６）でｐ型Ｇ＆ムＳ層１７を埋め込み成長す
る。最後に第３図（ｆ’）で電極１９．２０を形成して
作製プロセスは終了する。
くエツチングした後、直ちにウェハーを成長室に導入し
、第３図（６）でｐ型Ｇ＆ムＳ層１７を埋め込み成長す
る。最後に第３図（ｆ’）で電極１９．２０を形成して
作製プロセスは終了する。
（実施例２）
次に、本発明の第２の実施例について述べる。
有機金１気相成長法でＩｎＧａＰを成長する場合。
成長温度によ勺組成が同一でも禁止帯幅が異なることが
報告されている。例えば、５明ら、アプライド フィツ
クス レター 第６０巻、Ｐ、θ７３（１９８７）。こ
の論文では成長温度６６０℃近傍で成長した結晶は■族
副格子上のＧａとＩｎの配列に規則性が生じ、所謂自然
超格子が形成される（オーダリング）。実際ランダムに
配列された場合（ディスオーダリング）とくらべ禁止帯
幅は約５ＱｍｅＶ小さくなる。我４の実験ではオーダリ
ングの生じる成長温度は６３０〜７００ ’Ｃであった
。したがって、第１図の本発明の第１の実施例の構造に
おいて、活性層１４を有機金１気相成長法で成長温度ｅ
ｓｏ’ｃ近傍で成長するとオーダリングの状態の結晶構
造のものが得られ、Ｚｎ拡散によってＺｎ拡散領域２ｏ
中にある活性層１４は結晶構造がくずれ、ディスオーダ
になる。よって。
報告されている。例えば、５明ら、アプライド フィツ
クス レター 第６０巻、Ｐ、θ７３（１９８７）。こ
の論文では成長温度６６０℃近傍で成長した結晶は■族
副格子上のＧａとＩｎの配列に規則性が生じ、所謂自然
超格子が形成される（オーダリング）。実際ランダムに
配列された場合（ディスオーダリング）とくらべ禁止帯
幅は約５ＱｍｅＶ小さくなる。我４の実験ではオーダリ
ングの生じる成長温度は６３０〜７００ ’Ｃであった
。したがって、第１図の本発明の第１の実施例の構造に
おいて、活性層１４を有機金１気相成長法で成長温度ｅ
ｓｏ’ｃ近傍で成長するとオーダリングの状態の結晶構
造のものが得られ、Ｚｎ拡散によってＺｎ拡散領域２ｏ
中にある活性層１４は結晶構造がくずれ、ディスオーダ
になる。よって。
メサストライプ中の活性層１４の両側には禁止帯幅の大
きな、所謂屈折率の小さな領域が形成された屈折高専波
型構造が得られる。実効屈折率差はＺｎ拡散をｅｏｏ℃
で行った場合、拡散濃度は約５ Ｘ Ｉ Ｑ”ｃＭ−’
で波長ｅ７０μｒｒｔ、クラッド層の組Ｆｆ、Ｘ＝
０．６とした時、約８×１０ となり通常の埋め込み
型構造と変わり無いものが得られる。したがって、接合
に対し水平の出射角を制御することが可能となるだけで
なく、屈折率導波型であるため非点収差の小さな半導体
レーザが作製可能となる。実際に素子を作製したところ
、オーダリングの結晶構造を有する活性層１４のストラ
イプ幅が２μ扉に対して、しきい値電流が６０１ム、出
射角は水平方向１６〜２ｏ０．垂直方向３０′で従来の
素子に比べ真円に近く、低非点収差１〜２μｍのものが
得られた。また、電流だ対する光出力特性も改善され高
電流注入においても槓モードの安定な特性であった。
きな、所謂屈折率の小さな領域が形成された屈折高専波
型構造が得られる。実効屈折率差はＺｎ拡散をｅｏｏ℃
で行った場合、拡散濃度は約５ Ｘ Ｉ Ｑ”ｃＭ−’
で波長ｅ７０μｒｒｔ、クラッド層の組Ｆｆ、Ｘ＝
０．６とした時、約８×１０ となり通常の埋め込み
型構造と変わり無いものが得られる。したがって、接合
に対し水平の出射角を制御することが可能となるだけで
なく、屈折率導波型であるため非点収差の小さな半導体
レーザが作製可能となる。実際に素子を作製したところ
、オーダリングの結晶構造を有する活性層１４のストラ
イプ幅が２μ扉に対して、しきい値電流が６０１ム、出
射角は水平方向１６〜２ｏ０．垂直方向３０′で従来の
素子に比べ真円に近く、低非点収差１〜２μｍのものが
得られた。また、電流だ対する光出力特性も改善され高
電流注入においても槓モードの安定な特性であった。
発明の効果
以上のようＫ、まず第１に、第１の導電型のＧａＡｇ基
板１に第１の導電型の（ＡｌｘＧａ’）Ｃ”１−Ｘ）１
ｎＰクラッド層、 ＩｎＧａＰ活性層、ならびに凸部を
有する第２の導電型の（ＡｌｘＧａ１ｘＧａ ｔ−ｘ
） Ｉ ｎＰクラッド層からなるダブルヘテロ構造で、
第２の導電型のクラッド層表面から第２の導電型の不純
物を拡散してストライプ状の活性層近傍の側面に低屈折
率領域を設けて、屈折率導波型半導体レーザを作製する
。すると、出射角は接合に対して水平方向は従来の素子
に比べ大きくなる。また、非点収差は１０μｍ以下とな
り改善が見られた。
板１に第１の導電型の（ＡｌｘＧａ’）Ｃ”１−Ｘ）１
ｎＰクラッド層、 ＩｎＧａＰ活性層、ならびに凸部を
有する第２の導電型の（ＡｌｘＧａ１ｘＧａ ｔ−ｘ
） Ｉ ｎＰクラッド層からなるダブルヘテロ構造で、
第２の導電型のクラッド層表面から第２の導電型の不純
物を拡散してストライプ状の活性層近傍の側面に低屈折
率領域を設けて、屈折率導波型半導体レーザを作製する
。すると、出射角は接合に対して水平方向は従来の素子
に比べ大きくなる。また、非点収差は１０μｍ以下とな
り改善が見られた。
第２に、活性層の成長温度をｅａｏ〜７００℃近傍で成
長を行うことによりストライプ状の活性層において拡散
領域を境にして実効屈折率差を大きくとることが可能と
なって、非点収差が１〜２μｍとより小さく、−１だ水
平方向の出射角もより大きくとることが可能となった。
長を行うことによりストライプ状の活性層において拡散
領域を境にして実効屈折率差を大きくとることが可能と
なって、非点収差が１〜２μｍとより小さく、−１だ水
平方向の出射角もより大きくとることが可能となった。
第１図は本発明の第１の実施例の半導体レーザの断面図
、第２図は本発明の第１の実施例の半導体レーザの断面
図、第３図は第１図の素子の作製工程断面図、第４図は
従来の実施例の断面図である。 １１・・・・・・ｎ塁Ｇａム８基板、１３・・・・・・
ｎを（ＡｌｘＧａ／ｘＧ″＋−ｘ）ＩｎＰクラッド層、
１４−−−−−−ｐｔｉ（五１ｘＧａ、−ｘ） Ｉｎ
Ｐクラッド層、 ２１−−−−−− ｎ型Ｇａムｇｔ流
ブロック層、２０・・・・・・Ｚｎ拡散層。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名２０
−・−Ｐ！城秋管 第 図 第 図 （Ｇ
、第２図は本発明の第１の実施例の半導体レーザの断面
図、第３図は第１図の素子の作製工程断面図、第４図は
従来の実施例の断面図である。 １１・・・・・・ｎ塁Ｇａム８基板、１３・・・・・・
ｎを（ＡｌｘＧａ／ｘＧ″＋−ｘ）ＩｎＰクラッド層、
１４−−−−−−ｐｔｉ（五１ｘＧａ、−ｘ） Ｉｎ
Ｐクラッド層、 ２１−−−−−− ｎ型Ｇａムｇｔ流
ブロック層、２０・・・・・・Ｚｎ拡散層。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名２０
−・−Ｐ！城秋管 第 図 第 図 （Ｇ
Claims (3)
- （１）第１の導電型の化合物半導体基板上に第１の導電
型の（Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ）ＩｎＰクラッド層（
０＜ｘ≦１）、（Ａｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿７）ＩｎＰ活
性層（０≦ｙ＜ｘ、ｚ）およびストライプ状の凸部を有
する第２の導電型の（Ａｌ＿ｚＧａ＿１＿−＿２）Ｉｎ
Ｐクラッド層（０＜ｚ≦１）を有し、前記第２の導電型
クラッド層表面から、前記凸部直下に位置する前記活性
層を除く前記活性層ならびに第１の導電型クラッド層中
まで第２の導電型の不純物が拡散された領域を具備した
ことを特徴とする半導体レーザ。 - （２）第１の導電型化合物半導体基板上に第１の導電型
の（Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ）ＩｎＰクラッド層（０
＜ｘ≦１）、（Ａｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙ）ＩｎＰ（０
≦ｙ＜１）活性層および第２の導電型の（Ａｌ＿ｚＧａ
＿１＿−＿ｚ）ＩｎＰクラッド層（０＜ｚ≦１）を形成
してなるダブルヘテロ構造を積層する第１の成長工程と
、第２の導電型のクラッド層をストライプ状にエッチン
グして凸部を形成する工程と、前記第２の導電型クラッ
ド層表面から前記凸部直下に位置する活性層を除く前記
活性層ならびに第１の導電型クラッド層まで第２の導電
型の不純物を拡散する工程と、前記拡散工程の後に前記
基板と格子整合する化合物半導体を成長する工程を具備
した半導体レーザの製造方法。 - （３）有機金属気相成長法で成長温度６３０℃から７０
０℃までの範囲で（Ａｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙ）ＩｎＰ
活性層（０≦ｙ＜１）を成長することを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載の半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1033958A JPH02213183A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1033958A JPH02213183A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02213183A true JPH02213183A (ja) | 1990-08-24 |
Family
ID=12401000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1033958A Pending JPH02213183A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02213183A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05110192A (ja) * | 1991-10-18 | 1993-04-30 | Kubota Corp | 半導体レーザ素子 |
-
1989
- 1989-02-14 JP JP1033958A patent/JPH02213183A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05110192A (ja) * | 1991-10-18 | 1993-04-30 | Kubota Corp | 半導体レーザ素子 |
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