JPH0373584A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH0373584A JPH0373584A JP21031589A JP21031589A JPH0373584A JP H0373584 A JPH0373584 A JP H0373584A JP 21031589 A JP21031589 A JP 21031589A JP 21031589 A JP21031589 A JP 21031589A JP H0373584 A JPH0373584 A JP H0373584A
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2201—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure in a specific crystallographic orientation
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- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32325—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm red laser based on InGaP
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＰＯＳ、ＦＡシステム等のバーコードリーダー
用および光計測等の光源に用いられる半導体レーザ装置
に関し、発振波長が６８０ｎｍ以下のＡｔ１ＧａＩｎｖ
系可視光半導体レーザ装置の構造に関する。
用および光計測等の光源に用いられる半導体レーザ装置
に関し、発振波長が６８０ｎｍ以下のＡｔ１ＧａＩｎｖ
系可視光半導体レーザ装置の構造に関する。
第３図は従来の利得ガイド型のＡｌＧａＩｎＰｌ可視光
半導体レーザの構造を示す断面図である（例えば、昭和
６１年度電子通信学会予稿集。
半導体レーザの構造を示す断面図である（例えば、昭和
６１年度電子通信学会予稿集。
Ｐ、４−９２）。
図中ｌはｎ−ＧａＡｓ基板であり、この基板１上にはｎ
−ＧａＡｓバッファー層２が形成されている。バッファ
ー層２上にはｎ−ＡＩＧａＩｎＰクラッド層３．Ｇａ、
ＩｎＰ活性層４．ｐ ＡｆｆＧａＩｎＰクラッド層５．
ｐ−ＧａＩｎＰエツチング停止層６．ｎ−ＧａＡｓ電流
阻止層７及ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８からなるダブル
ヘテロ接合構造が形成されている。
−ＧａＡｓバッファー層２が形成されている。バッファ
ー層２上にはｎ−ＡＩＧａＩｎＰクラッド層３．Ｇａ、
ＩｎＰ活性層４．ｐ ＡｆｆＧａＩｎＰクラッド層５．
ｐ−ＧａＩｎＰエツチング停止層６．ｎ−ＧａＡｓ電流
阻止層７及ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８からなるダブル
ヘテロ接合構造が形成されている。
この構造を有する半導体レーザ装置は通常ＭＯＶＰＥ法
又はＭＢＥ法によって製造されるが、ここでは量産性に
優れたＭＯＶＰＥ法を用いた場合について述べる。
又はＭＢＥ法によって製造されるが、ここでは量産性に
優れたＭＯＶＰＥ法を用いた場合について述べる。
先ず、１回目のＭＯＶＰＥ成長によってｎ−ＧａＡｓバ
ッファー層２から゛ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７までの６
層構造を順次形成し、ｎ−ＧａＡｓ￥を流阻止層７の一
部にｐ−ＧａＩｎＰエツチング停止層６が露出するスト
ライブ状の溝９を形成する。
ッファー層２から゛ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７までの６
層構造を順次形成し、ｎ−ＧａＡｓ￥を流阻止層７の一
部にｐ−ＧａＩｎＰエツチング停止層６が露出するスト
ライブ状の溝９を形成する。
続いて２回目のＭＯＶＰＥ成長によって溝９を含むｎ−
ＧａＡｓ’！［流阻止層７上にｐ−ＧａＡｓ：＋７２２
４層８が形成されている。その後、コンタクト層８の上
面にｐ側電極１０が被着され、基板１の下面にはｎ側電
極１１が被着されている。
ＧａＡｓ’！［流阻止層７上にｐ−ＧａＡｓ：＋７２２
４層８が形成されている。その後、コンタクト層８の上
面にｐ側電極１０が被着され、基板１の下面にはｎ側電
極１１が被着されている。
この構造では、電流狭窄はｐ −Ｇ ａ Ａ ｓコンタ
クト層８とｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７により行なわれる
。また、ｐ−ＧａＩｎＰエツチング停止層６はストライ
ブ状の溝９を形成する際にｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７だ
けが化学エツチングされるためのエツチング停止の役目
をしており、またｐ −ＡｆｌＧａＩｎＰクラッド層５
とｐ−ＧａＡＳ：Ｉンタクト層８との間の電気抵抗低減
を目的とするものである。このようにして利得ガイド型
の半導体レーザ装置が構成される。
クト層８とｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７により行なわれる
。また、ｐ−ＧａＩｎＰエツチング停止層６はストライ
ブ状の溝９を形成する際にｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７だ
けが化学エツチングされるためのエツチング停止の役目
をしており、またｐ −ＡｆｌＧａＩｎＰクラッド層５
とｐ−ＧａＡＳ：Ｉンタクト層８との間の電気抵抗低減
を目的とするものである。このようにして利得ガイド型
の半導体レーザ装置が構成される。
Ｃ発明が解決しようとする課題）
【、かしながら、このような従来の半導体レーザ装置で
は、以下に述べるような結晶成長上の問題点がある。す
なわち、Ａｌ２ＧａＩｎＰ系の化合物半導体をＭＯＶＰ
Ｅ法によって結晶成長する場合、下地結晶の面方位によ
って、その上に成長されるＡ、ｆｆＧａＩｎＰおよびＧ
ａＩｎＰ層の結晶構造が異なることが知られている。例
えば面方位（１００）ＧａＡｓ基板上に成長させたＧ
＆ ｏ、ｓ Ｉ ｎ ａ、ｓＰ結晶（第３図に示すＧａ
ＩｎＰ活性層４に相当する）には、（１１１）面にＧａ
とＩｎが交互に規則配列する自然超格子が形成され、バ
ンドギャップが正常値（約ｌ、９ｅＶ）より約５０ｍｅ
Ｖ程小さくなる。一方、面方位（１１１）または（１１
０）ＧａＡｓ基板上には自然超格子は形成されず、約１
．９ｅＶの正常なバンドギャップをとることが知られて
いる。（例えば昭和６３年度秋季応用物理学会予稿集、
Ｐ、２７７〜２７８）。
は、以下に述べるような結晶成長上の問題点がある。す
なわち、Ａｌ２ＧａＩｎＰ系の化合物半導体をＭＯＶＰ
Ｅ法によって結晶成長する場合、下地結晶の面方位によ
って、その上に成長されるＡ、ｆｆＧａＩｎＰおよびＧ
ａＩｎＰ層の結晶構造が異なることが知られている。例
えば面方位（１００）ＧａＡｓ基板上に成長させたＧ
＆ ｏ、ｓ Ｉ ｎ ａ、ｓＰ結晶（第３図に示すＧａ
ＩｎＰ活性層４に相当する）には、（１１１）面にＧａ
とＩｎが交互に規則配列する自然超格子が形成され、バ
ンドギャップが正常値（約ｌ、９ｅＶ）より約５０ｍｅ
Ｖ程小さくなる。一方、面方位（１１１）または（１１
０）ＧａＡｓ基板上には自然超格子は形成されず、約１
．９ｅＶの正常なバンドギャップをとることが知られて
いる。（例えば昭和６３年度秋季応用物理学会予稿集、
Ｐ、２７７〜２７８）。
従がって、従来の半導体レーザ装置では得られる発振波
長は６６０〜６８０ｎｍに限定され、さらなる６８０ｎ
ｍ以下の短波長域のレーザ発振を得ることが困難であり
、またＭＯＶＰＥ法による成長温度、Ｖ１ｍ比、ドーピ
ングによってもＧａとＩｎの配列秩序の程度によりバン
ドギャップが変動することも知られており、一定のバン
ドギャップな有する結晶層を再現性良く得ることが困難
である。
長は６６０〜６８０ｎｍに限定され、さらなる６８０ｎ
ｍ以下の短波長域のレーザ発振を得ることが困難であり
、またＭＯＶＰＥ法による成長温度、Ｖ１ｍ比、ドーピ
ングによってもＧａとＩｎの配列秩序の程度によりバン
ドギャップが変動することも知られており、一定のバン
ドギャップな有する結晶層を再現性良く得ることが困難
である。
本発明は、このような問題点を解決し、面方位（１００
）の基板を用いても発振波長の再現性に優れ、６６０ｎ
ｍ以下のレーザ発振を可能とするＡｆＧａＩｎＰ系可視
光半導体レーザ装置を提供するものである。
）の基板を用いても発振波長の再現性に優れ、６６０ｎ
ｍ以下のレーザ発振を可能とするＡｆＧａＩｎＰ系可視
光半導体レーザ装置を提供するものである。
本発明の半導体レーザ装置は、ＡｎＧａＩｎＰｎＧａＩ
ｎ−ザ装置において、少なくとも発光領域となる活性層
部は（１００）または（００１）結晶面を含まない面指
数を有する結晶面、例えば（１１１）、 （２１１）結
晶面上に形成されており、非発光領域となる活性層部は
（１００）または（００１）結晶面上に形成された構造
を有している。
ｎ−ザ装置において、少なくとも発光領域となる活性層
部は（１００）または（００１）結晶面を含まない面指
数を有する結晶面、例えば（１１１）、 （２１１）結
晶面上に形成されており、非発光領域となる活性層部は
（１００）または（００１）結晶面上に形成された構造
を有している。
〔実施例１〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の半導体レーザ装置の構造を
示す横断面図である。
示す横断面図である。
まず、面方位（１００）のｎ、 −Ｇ ａ Ａ ｓ基板
１２の表面に＜０１１＞方向に平行で内側面が（１１１
）と（１１１）面ではさまれるストライフ状のＶ溝１３
を形成する。ここで、フォトレジスト膜またはＳｉＯ２
膜をマスクとして用い、ＮＨ４ＯＨとＨ２０ｔの混合液
でエツチングすることにより、幅４〜６μｍ、深さ２μ
ｍのＶ溝１３を形成できる。
１２の表面に＜０１１＞方向に平行で内側面が（１１１
）と（１１１）面ではさまれるストライフ状のＶ溝１３
を形成する。ここで、フォトレジスト膜またはＳｉＯ２
膜をマスクとして用い、ＮＨ４ＯＨとＨ２０ｔの混合液
でエツチングすることにより、幅４〜６μｍ、深さ２μ
ｍのＶ溝１３を形成できる。
次に、原料としてメタル系■族有機金属（トリメチルイ
ンジウム、トリエチルガリウム、トリメチルアルミニウ
ム）とＶ放水素化物（Ｐ Ｈｓ 、 Ａ ５Ｈ３）とを
用いた減圧下でのＭＯＶＰＥ法により、前記Ｖ溝１３を
施こしたｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板１２（ｎ濃度２Ｘ１
０’″Ｃ１１ｌ−１）上に厚さ０．５ μｍのｎ−Ｇ
ａ、 Ａ ｓバッファー層１４（ｎ濃度ｌＸｌ０”Ｃ１
１−”）１厚さ１．ｉＪｍのｎ−（ＡＪ！ｏ、ｇＧａａ
ｉ） ａｓ Ｉ ｎａｉＰクラ、ド層１５（ｎ濃度５
Ｘ １０ ”Ｃｌ１１−’） 、厚さ０．０６，１ＪＩ
ｎのＧａ１ｌＬＩＩ工ｎａ、Ｐ活性層１６．厚さ１μｍ
のｐ （ＡｆａａＧＩＬｗｉ）ｗｓＩｎ。、ｓＰクラッ
ド層１７（Ｐ濃度３ Ｘ １０１７ａｍ−’） 、厚さ
０．０５ｐｍのｐ ＧａａｓＩ ｎａｓＰエツチング停
止層１８（ｐ濃度Ｉ Ｘ １０ ”ａｍ−’）、厚さ０
．６ μｍのｎ−Ｑ ａ Ａ ｓ電流阻止層１９（ｎ濃
度Ｉ Ｘ １０ ”ａｎ−’）を順次成長してダブルヘ
テロ構造を形成する。続いて、ＳｉＯｘ膜またはフォト
レジスト膜をマスクとして用い、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止
層１８を貫通し、Ｉ） Ｇａ１ｓＩｎｌｌｊＰ工ｙチ
ング停止層１８が露出したストライブ状の溝２０を前記
■溝１３に対向した位置に形成する。これは、Ｈｓ Ｐ
Ｏｔ −Ｈ，Ｏ，、Ｈ２０の混合液を用いることによ
り電流阻止層１８のみが選択的にエツチングされること
により得られる。
ンジウム、トリエチルガリウム、トリメチルアルミニウ
ム）とＶ放水素化物（Ｐ Ｈｓ 、 Ａ ５Ｈ３）とを
用いた減圧下でのＭＯＶＰＥ法により、前記Ｖ溝１３を
施こしたｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板１２（ｎ濃度２Ｘ１
０’″Ｃ１１ｌ−１）上に厚さ０．５ μｍのｎ−Ｇ
ａ、 Ａ ｓバッファー層１４（ｎ濃度ｌＸｌ０”Ｃ１
１−”）１厚さ１．ｉＪｍのｎ−（ＡＪ！ｏ、ｇＧａａ
ｉ） ａｓ Ｉ ｎａｉＰクラ、ド層１５（ｎ濃度５
Ｘ １０ ”Ｃｌ１１−’） 、厚さ０．０６，１ＪＩ
ｎのＧａ１ｌＬＩＩ工ｎａ、Ｐ活性層１６．厚さ１μｍ
のｐ （ＡｆａａＧＩＬｗｉ）ｗｓＩｎ。、ｓＰクラッ
ド層１７（Ｐ濃度３ Ｘ １０１７ａｍ−’） 、厚さ
０．０５ｐｍのｐ ＧａａｓＩ ｎａｓＰエツチング停
止層１８（ｐ濃度Ｉ Ｘ １０ ”ａｍ−’）、厚さ０
．６ μｍのｎ−Ｑ ａ Ａ ｓ電流阻止層１９（ｎ濃
度Ｉ Ｘ １０ ”ａｎ−’）を順次成長してダブルヘ
テロ構造を形成する。続いて、ＳｉＯｘ膜またはフォト
レジスト膜をマスクとして用い、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止
層１８を貫通し、Ｉ） Ｇａ１ｓＩｎｌｌｊＰ工ｙチ
ング停止層１８が露出したストライブ状の溝２０を前記
■溝１３に対向した位置に形成する。これは、Ｈｓ Ｐ
Ｏｔ −Ｈ，Ｏ，、Ｈ２０の混合液を用いることによ
り電流阻止層１８のみが選択的にエツチングされること
により得られる。
次いで、トリエチルガリウムとＡ Ｓ Ｈｓを原料とし
て用いた減圧下での２回目のＭＯＶＰＥ法により、第１
図に示す如＜ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２１を厚さ４μ
ｍ成長する。その後、ｐ −Ｇ ａＡｓコンタクト層２
１上にｐ側電極２２．基板１２の下面にｎ側電極２３を
形成することによって、第１図に示す構造の半導体レー
ザ装置が完成する。
て用いた減圧下での２回目のＭＯＶＰＥ法により、第１
図に示す如＜ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２１を厚さ４μ
ｍ成長する。その後、ｐ −Ｇ ａＡｓコンタクト層２
１上にｐ側電極２２．基板１２の下面にｎ側電極２３を
形成することによって、第１図に示す構造の半導体レー
ザ装置が完成する。
第１図に示すように、ＭＯＶＰＥ法によるＶ溝１３上へ
の結晶成長においては、■溝１３０幅が成長層の厚さが
大きくなるにつれ狭くなり最後には平坦となる性質があ
るが、ここでは活性層１６までがＶ形状になるように半
導体層１４，１５の成長層厚を制御する。すなわち、活
性層１６が（１１１）と（１１１）面で構成されるＶ形
状のｎ （Ａｌｌ’ｗｇＧａｃｔ）。５ＩｎａｓＰク
ラッド層１５上に成長されるように層厚を設定する。
の結晶成長においては、■溝１３０幅が成長層の厚さが
大きくなるにつれ狭くなり最後には平坦となる性質があ
るが、ここでは活性層１６までがＶ形状になるように半
導体層１４，１５の成長層厚を制御する。すなわち、活
性層１６が（１１１）と（１１１）面で構成されるＶ形
状のｎ （Ａｌｌ’ｗｇＧａｃｔ）。５ＩｎａｓＰク
ラッド層１５上に成長されるように層厚を設定する。
また、レーザ発振に必要な電流注入が■形状の活性層１
６領域に集中してなされる様に溝２０を配置している。
６領域に集中してなされる様に溝２０を配置している。
〔実施例２〕
第２図は本発明の実施例２の横断面図である。
先ず第１図で説明した同様のエツチング工程で面方位（
１００）のｎ−ＧａＡｓ基板２３表面に＜０１１＞方向
に平行で外側面が（１１１）と（１１１，）面とではさ
まれるストライブ状の突起３４を形成する。次に、この
基板２３上にＭＯＶＰＥ法によって第１図と同様にバッ
ファー層り４．ｎ−クラ、ド層２５．活性層２６．ｐ−
クラ、ド層２７、エツチング停止層２８および電流阻止
層２９を順次形成する。その後、電流阻止層２９を貫通
しｐ Ｇ＆ｗｓＩｎａ、ｓＰエツチング停止層２８を露
出させたストライブ状の１１３０を前記突起３４に対向
した位置に配置形成する。
１００）のｎ−ＧａＡｓ基板２３表面に＜０１１＞方向
に平行で外側面が（１１１）と（１１１，）面とではさ
まれるストライブ状の突起３４を形成する。次に、この
基板２３上にＭＯＶＰＥ法によって第１図と同様にバッ
ファー層り４．ｎ−クラ、ド層２５．活性層２６．ｐ−
クラ、ド層２７、エツチング停止層２８および電流阻止
層２９を順次形成する。その後、電流阻止層２９を貫通
しｐ Ｇ＆ｗｓＩｎａ、ｓＰエツチング停止層２８を露
出させたストライブ状の１１３０を前記突起３４に対向
した位置に配置形成する。
次いで、２回目のＭＯＶＰＥ法によって、第１図と同様
にｐ−ＧａＡｓコンタクト層３１を形成し、その後電極
３２．３３を形成してレーザ用ウェハーが完成する。
にｐ−ＧａＡｓコンタクト層３１を形成し、その後電極
３２．３３を形成してレーザ用ウェハーが完成する。
本実施例では、ｎ−ＧａＡｓバッファー層２４からＧａ
ａｇＩｎａｓＰ活性層２６まで、突起形状が維持できる
様に層２４，２５の厚さを設定する。
ａｇＩｎａｓＰ活性層２６まで、突起形状が維持できる
様に層２４，２５の厚さを設定する。
すなわち、活性層２６が（１１１）面と（１１１）面で
構成される突起状のｎ−（ＡＩｌａｓＧ ａａａ）。
構成される突起状のｎ−（ＡＩｌａｓＧ ａａａ）。
Ｉｎ。Ｐクラッド層２５上に成長される。また、ｐ（Ａ
ｎａ、５Ｇａ１４） ａｓ Ｉ ｎａｓＰクラッド層１
７、ｐ ＧａａａＩｎ。、ｓＰエツチング停止層２８
、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層２９の上面は第２図に見るよ
うに台形状となり、次に成長するｐ−ＧａＡｓコンタク
ト層３１が４μｍ程度と厚いために、この台形の幅が広
く形成され、半導体レーザ装置組立上には問題とならな
い。
ｎａ、５Ｇａ１４） ａｓ Ｉ ｎａｓＰクラッド層１
７、ｐ ＧａａａＩｎ。、ｓＰエツチング停止層２８
、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層２９の上面は第２図に見るよ
うに台形状となり、次に成長するｐ−ＧａＡｓコンタク
ト層３１が４μｍ程度と厚いために、この台形の幅が広
く形成され、半導体レーザ装置組立上には問題とならな
い。
以上説明したように本発明によれば、ＭＯＶＰＥ法によ
り成長形成されるＧａ１ｌＬｉＩｎ！ｌｓＰ活性層１６
．２６が（１１１）面と（ＩＩＴ）面とだけで構成され
るｎ （ＡＡａｓＧａａ４）ｗａＩ ｎｏ、ｓＰクラ
ッド層１５．２５上に形成されることになり、自然超格
子の形成なしに約１．９ ｅ Ｖの正常なバンドギャッ
プを有する活性層１６．２６が得られる。
り成長形成されるＧａ１ｌＬｉＩｎ！ｌｓＰ活性層１６
．２６が（１１１）面と（ＩＩＴ）面とだけで構成され
るｎ （ＡＡａｓＧａａ４）ｗａＩ ｎｏ、ｓＰクラ
ッド層１５．２５上に形成されることになり、自然超格
子の形成なしに約１．９ ｅ Ｖの正常なバンドギャッ
プを有する活性層１６．２６が得られる。
従って、面方位（１００）基板を用いても発振波長が６
６０ｎｍ以下のレーザ発振を実現でき、ＭＯＶＰＥ成長
条件となる成長温度、 Ｖ／ＩＩＩ比。
６０ｎｍ以下のレーザ発振を実現でき、ＭＯＶＰＥ成長
条件となる成長温度、 Ｖ／ＩＩＩ比。
ドーピングによるバンドギャップの変動もなく安定した
発振波長が得られる。
発振波長が得られる。
また、本発明では、活性層１６．２６が発光領酸部で折
れ曲っているため、この両側領域とで作りつけの屈折率
差が生じ、いわゆる屈折率ガイド型構造となり、横モー
ド制御された低発振しきい値、高効率のレーザ発振をも
実現できる。
れ曲っているため、この両側領域とで作りつけの屈折率
差が生じ、いわゆる屈折率ガイド型構造となり、横モー
ド制御された低発振しきい値、高効率のレーザ発振をも
実現できる。
２２．３２・・・・・・Ｐ側電極、１１，２３．３３・
・・・・・ｎ側電極、１３・・・・・・Ｖ溝、３４・・
・・・・突起を示す。
・・・・・ｎ側電極、１３・・・・・・Ｖ溝、３４・・
・・・・突起を示す。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成したダブルヘテロ接合構造部が（Ａ
ｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿
５Ｐ（０≦ｘ≦１）で成る半導体レーザ装置において、
少なくとも発光領域となる活性層部は（１００）または
（００１）結晶面を含まない面指数を有する結晶面上に
形成されており、非発光領域となる活性層部は（１００
）または（００１）結晶面上に形成されていることを特
徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21031589A JPH0373584A (ja) | 1989-08-14 | 1989-08-14 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21031589A JPH0373584A (ja) | 1989-08-14 | 1989-08-14 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0373584A true JPH0373584A (ja) | 1991-03-28 |
Family
ID=16587387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21031589A Pending JPH0373584A (ja) | 1989-08-14 | 1989-08-14 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0373584A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4444313A1 (de) * | 1993-12-13 | 1995-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | Laserdiode für sichtbares Licht und Verfahren zur Herstellung der Laserdiode für sichtbares Licht |
| US5543470A (en) * | 1993-12-08 | 1996-08-06 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Vulcanized rubber for heat resistant vibration-isolator |
| JPH10242583A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ装置 |
-
1989
- 1989-08-14 JP JP21031589A patent/JPH0373584A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5543470A (en) * | 1993-12-08 | 1996-08-06 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Vulcanized rubber for heat resistant vibration-isolator |
| DE4444313A1 (de) * | 1993-12-13 | 1995-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | Laserdiode für sichtbares Licht und Verfahren zur Herstellung der Laserdiode für sichtbares Licht |
| JPH10242583A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ装置 |
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