JPH02213991A - Ｉｃカード - Google Patents
ＩｃカードInfo
- Publication number
- JPH02213991A JPH02213991A JP1035468A JP3546889A JPH02213991A JP H02213991 A JPH02213991 A JP H02213991A JP 1035468 A JP1035468 A JP 1035468A JP 3546889 A JP3546889 A JP 3546889A JP H02213991 A JPH02213991 A JP H02213991A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- supply terminal
- voltage supply
- write voltage
- card
- semiconductor memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はカード状の部材にマイクロコンピュータ、半導
体メモリを含む電子回路を搭載してなるＩＣカードに係
り、特に書込電圧供給端子の接触不良によるラッチ・ア
ップ現象の発生を防止し得るようにしたＩＣカードに関
するものである。
体メモリを含む電子回路を搭載してなるＩＣカードに係
り、特に書込電圧供給端子の接触不良によるラッチ・ア
ップ現象の発生を防止し得るようにしたＩＣカードに関
するものである。
（従来の技術）
従来から、コンピュータおよびコンピュータを利用した
電子機器の外部記憶装置としては、フロッピーディスク
、カセットテープ等の磁気記録媒体が広く利用されてい
るが、近年では取扱い易さ、小形化を図るべく、ＲＡＭ
、ＲＯＭ等の半導体メモリーを備えたカード状あるいは
パッケージ状の記録媒体が用いられてきている。一方、
クレジットカード、ＩＤカード、銀行カード等の分野に
おいては、磁気カードに代わるカードとして、カード状
の部材にマイクロプロセッサやＲＡＭ。
電子機器の外部記憶装置としては、フロッピーディスク
、カセットテープ等の磁気記録媒体が広く利用されてい
るが、近年では取扱い易さ、小形化を図るべく、ＲＡＭ
、ＲＯＭ等の半導体メモリーを備えたカード状あるいは
パッケージ状の記録媒体が用いられてきている。一方、
クレジットカード、ＩＤカード、銀行カード等の分野に
おいては、磁気カードに代わるカードとして、カード状
の部材にマイクロプロセッサやＲＡＭ。
ＲＯＭ等の半導体メモリを含む電子回路を搭載したいわ
ゆるＩＣカードが、情報記憶容量が非常に大きいこと、
および高セキュリティ性を有することから開発されてき
ている。このＩＣカードは、限定された数の端子を介し
て外部の端末装置との間で必要な情報の交換および処理
が行なわれるようになっている。
ゆるＩＣカードが、情報記憶容量が非常に大きいこと、
および高セキュリティ性を有することから開発されてき
ている。このＩＣカードは、限定された数の端子を介し
て外部の端末装置との間で必要な情報の交換および処理
が行なわれるようになっている。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、このようなＩＣカードにおいて、その半導体
メモリの素子としては、メモリセルの消費電力が小さい
という特徴を有する点から、Ｃ−ＭＯＳが多く用いられ
てきている。一方、この種のＩＣカードでは、外部から
電圧を供給する必要があるが、コネクタ端子の接触不良
、特に書込電圧供給端子の接触不良に伴う書込電圧の制
御不良によって、Ｃ−ＭＯＳの欠点であるラッチ・アッ
プ現象が発生する。その結果、素子自体が破壊されたり
、ＩＣモジュールが異常発熱したりするという間層が生
じる。
メモリの素子としては、メモリセルの消費電力が小さい
という特徴を有する点から、Ｃ−ＭＯＳが多く用いられ
てきている。一方、この種のＩＣカードでは、外部から
電圧を供給する必要があるが、コネクタ端子の接触不良
、特に書込電圧供給端子の接触不良に伴う書込電圧の制
御不良によって、Ｃ−ＭＯＳの欠点であるラッチ・アッ
プ現象が発生する。その結果、素子自体が破壊されたり
、ＩＣモジュールが異常発熱したりするという間層が生
じる。
本発明は上述のような問題を解決するために成されたも
ので、書込電圧供給端子の接触不良によるラッチ会アッ
プ現象の発生を確実に防止して、半導体メモリの破壊な
らびにＩＣモジュールの異常発熱を未然に回避すること
が可能な信頼性の高いＩＣカードを提供することを目的
とする。
ので、書込電圧供給端子の接触不良によるラッチ会アッ
プ現象の発生を確実に防止して、半導体メモリの破壊な
らびにＩＣモジュールの異常発熱を未然に回避すること
が可能な信頼性の高いＩＣカードを提供することを目的
とする。
（課題を解決するための手段）
上記の目的を達成するために本発明では、カード状の部
材にマイクロコンピュータ、半導体メモリを含む電子回
路を搭載してなり、限定された数の端子を介して外部の
端末装置との間で必要な情報の交換および処理を行なう
ＩＣカードで、端子として少なくとも書込電圧供給端子
と動作電圧供給端子を備え、かつ半導体メモリとして書
込電圧制御を必要とするメモリを備えたものにおいて、
書込電圧供給端子に通じるラインと動作電圧供給端子に
通じるラインとの間に、ダイオード等からなるクランプ
回路を設けている。
材にマイクロコンピュータ、半導体メモリを含む電子回
路を搭載してなり、限定された数の端子を介して外部の
端末装置との間で必要な情報の交換および処理を行なう
ＩＣカードで、端子として少なくとも書込電圧供給端子
と動作電圧供給端子を備え、かつ半導体メモリとして書
込電圧制御を必要とするメモリを備えたものにおいて、
書込電圧供給端子に通じるラインと動作電圧供給端子に
通じるラインとの間に、ダイオード等からなるクランプ
回路を設けている。
（作用）
従って、本発明のＩＣカードでは、書込電圧供給端子に
通じるラインと動作電圧供給端子に通じるラインとの間
にクランプ回路が設けられていることにより、書込電圧
供給端子に接触不良が発生した場合には、動作電圧供給
端子を通して供給される電圧からクランプ回路による電
圧降下を差引いた分の大きさの電圧が、書込電圧として
半導体メモリに供給される。これにより、書込電圧供給
端子の接触不良による半導体メモリでのラッチ・アップ
現象の発生を防止することが可能となる。
通じるラインと動作電圧供給端子に通じるラインとの間
にクランプ回路が設けられていることにより、書込電圧
供給端子に接触不良が発生した場合には、動作電圧供給
端子を通して供給される電圧からクランプ回路による電
圧降下を差引いた分の大きさの電圧が、書込電圧として
半導体メモリに供給される。これにより、書込電圧供給
端子の接触不良による半導体メモリでのラッチ・アップ
現象の発生を防止することが可能となる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例について図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は、本発明によるＩＣカードの構成例を示す図で
ある。第１図において、ＩＣカード１は、データバスＩ
）ｓ、アドレスバスＡｍ、および制御信号ラインＣＩに
より互いに接続されたマイクロコンピュータ（ＭＰＵ）
２．半導体メモリ３を含む電子回路を、カード状の部材
に搭載してなっている。そして、限定された数の端子、
すなわちアース端子ＧＮＤ、クロック供給端子ＣＬＫ、
人出力データ伝送端子Ｉ１０．リセット信号供給端子Ｒ
８Ｔ、動作電圧供給端子Ｖ ｅｅ、および書込電圧供給
端子ｖｐｐを介して、図示しない外部の端末装置との間
で必要な情報の交換および処理を行なうようにしている
。さらに、書込電圧供給端子Ｖｌ）ｐに通じるラインと
、動作電圧供給端子ＶＣＣに通じるラインとの間には、
クランプ回路であるダイオード４を図示のように、アノ
ード側が動作電圧供給端子ｖｅｃに通じるラインに、カ
ソード側か書込電圧供給端子Ｖｌ）Ｉ）に通じるライン
に接続されるように設けている。ここで、半導体メモリ
３としては、書込電圧制御を必要とするＣ−ＭＯＳから
なるＥＰＲＯＭを用いている。また、ダイオード４とし
５ては、電圧降下の少ないダイオードを用いるのが望ま
しい。
ある。第１図において、ＩＣカード１は、データバスＩ
）ｓ、アドレスバスＡｍ、および制御信号ラインＣＩに
より互いに接続されたマイクロコンピュータ（ＭＰＵ）
２．半導体メモリ３を含む電子回路を、カード状の部材
に搭載してなっている。そして、限定された数の端子、
すなわちアース端子ＧＮＤ、クロック供給端子ＣＬＫ、
人出力データ伝送端子Ｉ１０．リセット信号供給端子Ｒ
８Ｔ、動作電圧供給端子Ｖ ｅｅ、および書込電圧供給
端子ｖｐｐを介して、図示しない外部の端末装置との間
で必要な情報の交換および処理を行なうようにしている
。さらに、書込電圧供給端子Ｖｌ）ｐに通じるラインと
、動作電圧供給端子ＶＣＣに通じるラインとの間には、
クランプ回路であるダイオード４を図示のように、アノ
ード側が動作電圧供給端子ｖｅｃに通じるラインに、カ
ソード側か書込電圧供給端子Ｖｌ）Ｉ）に通じるライン
に接続されるように設けている。ここで、半導体メモリ
３としては、書込電圧制御を必要とするＣ−ＭＯＳから
なるＥＰＲＯＭを用いている。また、ダイオード４とし
５ては、電圧降下の少ないダイオードを用いるのが望ま
しい。
次に、以上のように構成したＩＣカード１において、書
込電圧供給端子ｖｐｐに接触不良等の異常が無い場合に
は、第２図（ａ）に示すように書込電圧供給端子Ｖｌ）
Ｉ）を通して供給される所定大きさの電圧が、そのまま
半導体メモリ３に書込電圧として供給される。
込電圧供給端子ｖｐｐに接触不良等の異常が無い場合に
は、第２図（ａ）に示すように書込電圧供給端子Ｖｌ）
Ｉ）を通して供給される所定大きさの電圧が、そのまま
半導体メモリ３に書込電圧として供給される。
一方、書込電圧供給端子ｖｐｐに接触不良等の異常が発
生し、書込電圧供給端子ｖｐｐを通して供給される電圧
が所定大きさよりも低下した場合には、書込電圧供給端
子ｐｐに通じるラインと動作電圧供給端子ＶＣＣに通じ
るラインとの間にダイオード４が図示極性で設けられて
いることにより、第２図（ｂ）に示すように動作電圧供
給端子Ｖｅｅを通して供給される電圧から、ダイオード
４による電圧降下Ｋを差引いた分の大きさ（Ｖｅｃ−Ｋ
）の電圧が、書込電圧と１７で半導体メモリ３に供給さ
れる。
生し、書込電圧供給端子ｖｐｐを通して供給される電圧
が所定大きさよりも低下した場合には、書込電圧供給端
子ｐｐに通じるラインと動作電圧供給端子ＶＣＣに通じ
るラインとの間にダイオード４が図示極性で設けられて
いることにより、第２図（ｂ）に示すように動作電圧供
給端子Ｖｅｅを通して供給される電圧から、ダイオード
４による電圧降下Ｋを差引いた分の大きさ（Ｖｅｃ−Ｋ
）の電圧が、書込電圧と１７で半導体メモリ３に供給さ
れる。
これにより、書込電圧供給端子ＶｐＩ）に接触不良等の
異常が発生しても、半導体メモリ３には書込電圧が継続
して供給されることになり、書込電圧供給端子ｖｐｐの
接触不良発生による半導体メモリでのラッチ・アップ現
象の発生を防止するごとができる。なお第３図は、書込
電圧供給端子ｖｐｐからの供給電圧ｖｐｐｉｎと、半導
体メモリ３に供給される書込電圧Ｖｌ）ｌ）Ｏｕｔとの
関係を示したものである。
異常が発生しても、半導体メモリ３には書込電圧が継続
して供給されることになり、書込電圧供給端子ｖｐｐの
接触不良発生による半導体メモリでのラッチ・アップ現
象の発生を防止するごとができる。なお第３図は、書込
電圧供給端子ｖｐｐからの供給電圧ｖｐｐｉｎと、半導
体メモリ３に供給される書込電圧Ｖｌ）ｌ）Ｏｕｔとの
関係を示したものである。
−Ｌ述したように本実施例では、カード状の部材にマイ
クロコンピュータ２．半導体メモリ３を含む電子回路を
搭載してなり、限定された数の端子（アース端子ＧＮＤ
、クロック供給端子ＣＬＫ。
クロコンピュータ２．半導体メモリ３を含む電子回路を
搭載してなり、限定された数の端子（アース端子ＧＮＤ
、クロック供給端子ＣＬＫ。
入出力データ伝送端子工１０．リセット信号供給端子Ｒ
３Ｔ、動作電圧供給端子Ｖ ＣＣ，および書込電圧供給
端子Ｖ ｐＩ））を介して外部の端末装置との間で必要
な情報の交換および処理を行ない、半導体メモリ３とし
て書込電圧制御を必要とするＣ−ＭＯＳからなるＥＰＲ
ＯＭを備えたＩＣカード１において、書込電圧供給端子
ｖｐｐに通じるラインと動作電圧供給端子Ｖｃｃに通じ
るラインとの間に、クランプ回路として電圧降下の少な
いダイオード４を設けるようにしたものである。
３Ｔ、動作電圧供給端子Ｖ ＣＣ，および書込電圧供給
端子Ｖ ｐＩ））を介して外部の端末装置との間で必要
な情報の交換および処理を行ない、半導体メモリ３とし
て書込電圧制御を必要とするＣ−ＭＯＳからなるＥＰＲ
ＯＭを備えたＩＣカード１において、書込電圧供給端子
ｖｐｐに通じるラインと動作電圧供給端子Ｖｃｃに通じ
るラインとの間に、クランプ回路として電圧降下の少な
いダイオード４を設けるようにしたものである。
従って、書込電圧供給端子Ｖｌ）ｌ）に接触不良等の異
常が発生した場合には、動作電圧供給端子ＶｃＣを通１
７て供給される電圧からダイオード４による電圧降下を
差引いた分の大きさの電圧が、書込電圧として半導体メ
モリ３に供給されるため、書込電圧供給端子Ｖｌ）Ｉ）
の接触不良による半導体メモリ３でのラッチ・アップ現
象の発生を防止することが可能となる。これにより、半
導体メモリ３の素子自体が破壊されたり、ＩＣモジュー
ルが異常発熱したりするというような問題を未然に回避
することができる。
常が発生した場合には、動作電圧供給端子ＶｃＣを通１
７て供給される電圧からダイオード４による電圧降下を
差引いた分の大きさの電圧が、書込電圧として半導体メ
モリ３に供給されるため、書込電圧供給端子Ｖｌ）Ｉ）
の接触不良による半導体メモリ３でのラッチ・アップ現
象の発生を防止することが可能となる。これにより、半
導体メモリ３の素子自体が破壊されたり、ＩＣモジュー
ルが異常発熱したりするというような問題を未然に回避
することができる。
尚、上記実施例では、半導体メモリ３と１２てＣ−ＭＯ
ＳからなるＥＦＲＯＭを用いたが、これに限らず例えば
Ｃ−ＭＯ８からなるＥ２ＰＲＯＭを用いるようにしても
よい。
ＳからなるＥＦＲＯＭを用いたが、これに限らず例えば
Ｃ−ＭＯ８からなるＥ２ＰＲＯＭを用いるようにしても
よい。
また、上記実施例では、クランプ回路としてダイオード
を用いたが、これ以外の素子を用いるようにしてもよい
。
を用いたが、これ以外の素子を用いるようにしてもよい
。
さらに、上記実施例において、クランプ回路であるダイ
オードは、チップ上あるいはチップ外のいずれに設ける
ようにしてもよい。
オードは、チップ上あるいはチップ外のいずれに設ける
ようにしてもよい。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、書込電圧供給端子
に通じるラインと動作電圧供給端子に通じるラインとの
間にクランプ回路を設けるように（７たので、書込電圧
供給端子の接触不良によるラッチ・・アップ現象の発生
を確実に防止して、半導体メモリの破壊ならびにＩＣモ
ジュールの異常発熱を未然に回避することが可能な極め
て信頼性の高いＩＣカードが提供できる。
に通じるラインと動作電圧供給端子に通じるラインとの
間にクランプ回路を設けるように（７たので、書込電圧
供給端子の接触不良によるラッチ・・アップ現象の発生
を確実に防止して、半導体メモリの破壊ならびにＩＣモ
ジュールの異常発熱を未然に回避することが可能な極め
て信頼性の高いＩＣカードが提供できる。
第１−図は本発明によるＩＣカードの一実施例を示す構
成図、第２図および第３図は同実施例における作用をそ
れぞれ説明するための図である。 １・・・ＩＣカー ド、２・・・マイクロコンピュータ
（ＭＰＵ） 、３・・・半導体メモリ、４・・・ダイオ
ード、Ｄａ＋・・・データバス、ＡＩｌ！・・・アドレ
スバス、ＣＩ・・・制御信号ライン、ＧＮＤ・・・アー
ス端子、ＣＬＫ・・・クロック供給端子、Ｉｌｏ・・・
入出力データ伝送端子、Ｒ３Ｔ・・・リセット信号供給
端子、Ｖｃｃ・・・動作電圧供給端子、ｖｐｐ・・・書
込電圧供給端子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
成図、第２図および第３図は同実施例における作用をそ
れぞれ説明するための図である。 １・・・ＩＣカー ド、２・・・マイクロコンピュータ
（ＭＰＵ） 、３・・・半導体メモリ、４・・・ダイオ
ード、Ｄａ＋・・・データバス、ＡＩｌ！・・・アドレ
スバス、ＣＩ・・・制御信号ライン、ＧＮＤ・・・アー
ス端子、ＣＬＫ・・・クロック供給端子、Ｉｌｏ・・・
入出力データ伝送端子、Ｒ３Ｔ・・・リセット信号供給
端子、Ｖｃｃ・・・動作電圧供給端子、ｖｐｐ・・・書
込電圧供給端子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (2)
- （１） カード状の部材にマイクロコンピュータ、半導
体メモリを含む電子回路を搭載してなり、限定された数
の端子を介して外部の端末装置との間で必要な情報の交
換および処理を行なうＩＣカードで、前記端子として少
なくとも書込電圧供給端子と動作電圧供給端子を備え、
かつ前記半導体メモリとして書込電圧制御を必要とする
メモリを備えたものにおいて、前記書込電圧供給端子に
通じるラインと動作電圧供給端子に通じるラインとの間
にクランプ回路を設けて成ることを特徴とするＩＣカー
ド。 - （２） 前記クランプ回路として電圧降下の少ないダイ
オードを用いたことを特徴とする請求項（１）項記載の
ＩＣカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1035468A JPH0749237B2 (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | Ｉｃカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1035468A JPH0749237B2 (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | Ｉｃカード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02213991A true JPH02213991A (ja) | 1990-08-27 |
| JPH0749237B2 JPH0749237B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=12442613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1035468A Expired - Lifetime JPH0749237B2 (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | Ｉｃカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0749237B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7048196B2 (en) | 2003-08-21 | 2006-05-23 | Sony Corporation | Data communication device |
| US20110029722A1 (en) * | 2009-08-03 | 2011-02-03 | Denso Corporation | Electronic control apparatus including electrically rewritable non-volatile memory |
-
1989
- 1989-02-15 JP JP1035468A patent/JPH0749237B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7048196B2 (en) | 2003-08-21 | 2006-05-23 | Sony Corporation | Data communication device |
| CN100351864C (zh) * | 2003-08-21 | 2007-11-28 | 索尼株式会社 | 数据通信设备 |
| US20110029722A1 (en) * | 2009-08-03 | 2011-02-03 | Denso Corporation | Electronic control apparatus including electrically rewritable non-volatile memory |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0749237B2 (ja) | 1995-05-31 |
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