JPH02214023A - 垂直磁気ディスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置に用いて好適な垂
直磁気ディスクの製造方法に関し、簡単な方法によりデ
ィスク基板の半径方向に磁気容易軸が向（ように磁気異
方性を付与した軟磁性膜を容易に形成して、その軟磁性
膜の透磁率を高めることを目的とし、 非磁性のディスク基板上にめっき用下地導電膜を介して
めっき膜からなる高透磁率な軟磁性層を形成する垂直磁
気ディスクの製造工程において、前記めっき用下地導電
膜をその一部を半径方向に電気的に分断されたリング状
のパターンに形成し、この電気的に分断されためっき用
下地導電膜パターンの両端に電流を流して前記ディスク
基板の半径方向に磁界を発生させた状態で、該下地導電
膜上に電解めっき法により上記軟磁性層を形成するよう
に構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置に用いて
好適な垂直磁気ディスクの製造方法に係リ、特に記録再
生特性の良い二層膜構造の垂直磁気ディスクにおける軟
磁性薄膜の形成方法に関するものである。

磁気ディスク装置に用いられる磁気ディスクとしては、
記録層における記録トラックに対して水平方向に情報を
磁化記録する水平磁気記録方式の磁気ディスクが広く用
いられている。この方式の磁気ディスクへの磁化記録で
は記録トラックに対して水平方向に連なって磁化された
微小な磁石が隣接する磁石と反発し合って、互いに磁化
を弱め合う傾向がある。

このような傾向は情報記録の高密度化に伴って顕著に現
れてくるため、高密度記録化に対して限界が生じてくる
。

従って、このような限界を打破するものものとして記録
層における記録トラックに対して垂直方向への磁化を利
用する垂直磁気記録方式の磁気ディスクが提案され、こ
れを実現する磁気ディスクとして高透磁率な軟磁性層と
垂直記録層とを積層した二層膜構造の垂直磁気ディスク
が実用化されつつある。

この垂直磁気ディスクにおける軟磁性層は、磁気ヘッド
からの記録磁界が垂直記録層を垂直に通って磁化した後
、再び磁気ヘッド側のリターンヨークへ帰還させる磁界
経路の役目を果たす磁気ヘッドの一部の機能を担ってお
り、その透磁率を高めることにより記録再生効率を向上
し、記録再生特性の優れた垂直磁気ディスクを得ること
が必要とされている。

〔従来の技術〕

従来、上記した二層膜構造の垂直磁気ディスクを製造す
る方法としては、第３図に示すように例えばアルマイト
表面処理が施されたアルミニウム（八り板、或いはガラ
ス板等からなる非磁性のディスク基板１上に１μＩの膜
厚のＮｉ−Ｆｅからなる軟磁性層（軟磁性裏打ち層とも
称する）２と、０．２μｍの膜厚のＣｏ−Ｃｒからなる
垂直記録Ｎ３を連続スパッタリング法により順に形成し
、その垂直記録層３の表面に磁気ヘッドに対する摩擦、
摩耗を低減するために保護膜４及び潤滑膜５を施してい
る。

しかし、上記した製造方法によって得られた垂直磁気デ
ィスクにおける軟磁性Ｎ２の透磁率は高々、数百程度と
極めて低く、充分な記録再生特性が得られず、スパッタ
リング法を用いたＮｉ−Ｆｅからなる軟磁性層の形成方
法では、これ以上に透磁率は高めることが困難であった
。

そこで薄膜磁気ヘッドのＮｉ−Ｆｅからなる磁極を電解
めっき法により形成することにより、その透磁率が高め
られることに着目して、例えば第４図に示すようにＮｉ
−Ｆｅめっき液１２が満たされためっき槽１１内のめっ
き電極１３に対向して、表面にめっき下地導電膜（図示
せず）が施された非磁性のディスク基板１を基板ホルダ
１４に支持した形で配置し、該ディスク基板１を回転さ
せた状態で該めっき下地導電膜上に電解めっきによりＮ
ｉ−Ｆｅめっき膜からなる軟磁性層を形成することによ
り、その透磁率を１０００程度にまで改善している。

ところがこの程度の透磁率の軟磁性層でも、なお充分な
記録再生特性が得られず、その透磁率を更に数倍以上に
高める必要があった。

高い透磁率の軟磁性層を得るために検討した結果、電解
めっきにより形成されたＮｉ−Ｆｅからなる軟磁性層の
磁気特性は等方的であることから、ディスク基板の半径
方向に磁気容易軸が向くように磁気的に異方性が付与さ
れた軟磁性層を形成することがでれば、その円周方向、
即ち記録トラック方向の透磁率を２０００以上に高めら
れることが判明した。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記したような磁気異方性を付与したＮ
ｌ−Ｆｅからなる軟磁性層を得る方法としては、■予め
磁気容易軸を付与する半径方向に多数の掻きキズ等を設
けたディスク基板面に電解めっきにより軟磁性層を形成
する、■半径方向に磁界を印加した状態のディスク基板
面に電解めっきにより軟磁性層を形成する等の方法が考
えられるが、■についてはディスク基板面の円周方向に
多数の掻きキズ等を形成することは比較的容易であるが
、これが半径方向となると極めて困難である。また■に
ついては同心円形状のマグネット等ヲ用イテ基板面の半
径方向に磁界を印加することが考えられるが、電解めっ
きを前提条件としたマグネットに対する基板取り付は機
樽が大掛かりとなり、実用化が難しい等の問題があった
。

本発明は上記した従来の実状に濫み、簡単な方法により
ディスク基板の半径方向に磁気容易軸が向くように磁気
異方性を付与した軟磁性膜を容易に形成して、その軟磁
性膜の透磁率を高め、記録再生特性の向上を図った新規
な磁気ディスクの製造方法を提供することを目的とする
ものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は上記した目的を達成するため、非磁性のディス
ク基板上にめっき用下地導電膜を介してめっき膜からな
る高透磁率な軟磁性層を形成する垂直磁気ディスクの製
造工程において、前記めっき用下地導電膜をその一部を
半径方向に電気的に分断されたリング状のパターンに形
成し、この電気的に分断されためっき用下地導電膜パタ
ーンの両端に電流を流して前記ディスク基板の半径方向
に磁界を発生させた状態で、該下地導電膜上に電解めっ
き法により上記軟磁性層を形成するように構成する。

〔作　用〕

本発明では上記したようにめっき用下地導電膜を電気的
に半径方向に分断されたリング状パターンに形成し、そ
の分断された両端に電流を流すことにより、ディスク基
板の半径方向に磁界を発生させることができる。

従って、このような磁界発生中でのめっき用下地導電膜
上にＮｉ−Ｆｅからなるめっき膜を形成すれば、簡単に
該基板の半径方向を磁気容易軸とする磁気異方性が付与
され、かつ円周方向に透磁率の高められためっき層から
なる軟磁性層が容易に形成できる。その結果、記録再生
特性の優れた垂直磁気ディスクが得られる。

〔実施例〕

以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。

第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明に係る垂直磁気ディスク
の製造方法の一実施例を順に示す図であり、図（ａ）は
斜視図、また図ら）及び（Ｃ）は要部断面図である。

先ず第１図（ａ）に示すようにアルマイト表面処理を施
したアルミニウム（Ａ　ｆ　）等からなる非磁性のディ
スク基板２１上に、スパッタリング法等により１０００
人の膜厚のＮｉ−Ｆｅからなるめっき用下地導電膜２２
を被着形成する。そしてこの下地導電膜２２の一部をイ
オンミリング法等により図示のように２μｍ程度の微細
幅で除去して半径方向に電気的に分断する。

次にこの電気的に分断されたリング状パターンのめっき
用下地導電膜２２の両端部を接続端子２３ａ。

２３ｂとし、該再接続端子２３ａ　、　２３ｂを電流発
生源（Ｐ＾）３１と接続する。そしてこのディスク基板
２１を、第２図に示すように基板ホルダ１４に取付けて
、例えば硫酸ニッケル（ＮｉＳＯｎ　・６ＨｔＯ）と硫
酸第一鉄（ＦｅＳＯｎ・７Ｈ，０）を主成分とするＮｉ
−Ｆｅめっき液１２が満たされためっき槽１１内のめっ
き電極１３に対向して配置する。

そして前記めっき用下地導電膜２２の再接続端子２３ａ
、　２３ｂに所定の電流を断続的（パルス状）に流して
前記ディスク基板２１の半径方向に磁界を発生させた状
態で、更に前記めっき用下地導電膜（陰極）２２とめっ
き電極（陽極）１３間に４〜５ｖの電圧を印加して電流
密度が６Ａ／ｄｍ”のめっき条件によって、第１図（ｂ
）に示すように該下地導電膜２２上に１μｍの膜厚のＮ
ｉ−Ｆｅめっき膜を形成する。このめっき時における前
記ディスク基板２１は必要りこ応じて回転させる。

かくすれば、前記ディスク基板２１の半径方向に容易軸
が向くように磁気異方性が付与されるため、その円周方
向、即ち記録トラック方向に２０００以上の極めて高い
透磁率を有するＮｉ−Ｆｅめっき膜からなる軟磁性膜２
４が容易に得られる。

また、前記めっき用下地導電膜２２の再接続端子２３ａ
、　２３ｂに通電する電流値は、例えばディスク基板２
１の半径方向に発生する磁界が１０エルステツド（Ｏｅ
）程度となるように設定する。更に上記したようにめっ
き用下地導電膜２２に単に所定の電流を通電してディス
ク基板２１の半径方向に磁界を発生させた状態で該下地
導電膜２２上にＮｉ−Ｆｅからなるめっき膜を形成する
場合、該下地導電膜２２とめっき電極１３間及び下地導
電膜２２面に添って電界が生じるため、形成しためっき
膜の膜厚が多少不均一な分布になり易い傾向がある。従
って、そのような傾向を解消してより均一な膜厚分布の
めっき膜を形成するには、該下地導電膜２２の再接続端
子２３ａ。

２３ｂに流す電流をパルス状に流すようにすれば良い。

なお、前記下地導電膜２２の一部が微細幅で除去された
部分は段差部分となるが、前記微細幅は２μ晴程度であ
るため、ヘッド浮上時の安定性に悪影響を及ぼすことは
ない。

従って、かかる方法で形成された軟磁性膜２４上に、第
１図（Ｃ）に示すように従来例と同様のＣｏ−Ｃｒから
なる０、２μ晴の膜厚の垂直記録層２５をスパッタリン
グ法等により形成し、その表面に更に保護膜２６及び潤
滑膜２７を形成することによって、記録再生特性の優れ
た垂直磁気ディスクが完成する。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように、本発明に係る二層膜構
造の垂直磁気ディスクの製造方法によれば、ディスクの
円周方向（記録トラック方向）に透磁率の高いＮｉ−Ｐ
ｅめっき膜からなる軟磁性膜を容易に形成することがで
きる優れた利点を有し、記録再生効率の高い、優れた記
録再生特性を有する垂直磁気ディスクを得ることが可能
となる。

従って、このような二層膜構造の垂直磁気ディスクの製
造方法に適用して極めて有利である。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明に係る垂直磁気ディスク
の製造方法の一実施例を順に示す図で あり、図（ａ）は斜視図、また図（ｂ）及び（Ｃ）は要
部断面図、 第２図は本発明に係る電解めっきによる軟磁性層の形成
方法を説明するための装置構 成断面図、 第３図は従来の垂直磁気ディスクの製造方法を説明する
ための要部断面図、 第４図は従来の電解めっきによる軟磁性層の形成方法を
説明するための装置構成断面 図である。 第１図（ａ）〜（Ｃ）及び第２図において、１１はめっ
き槽、１２はめっき液、１３はめっき電極、１４は基板
ホルダ、２１はディスク基板、２２はめっき用下地導電
膜、２３ａ、２３ｂは接続端子、２４は軟磁性層、２５
は垂直記録層、２６は保護膜、２７は潤滑膜、３１は電
流発生源をそれぞれ示す。 第１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 非磁性のディスク基板（２１）上にめっき用下地導電膜
   （２２）を介してめっき膜からなる高透磁率な軟磁性層
   （２４）を形成する垂直磁気ディスクの製造工程におい
   て、 上記めっき用下地導電膜（２２）をその一部を半径方向
   に電気的に分断されたリング状のパターンに形成し、こ
   の電気的に分断されためっき用下地導電膜パターンの両
   端（２３ａ、２３ｂ）に電流を流して前記ディスク基板
   （２１）の半径方向に磁界を発生させた状態で、該下地
   導電膜（２２）上に電解めっき法により上記軟磁性層（
   ２４）を形成することを特徴とする垂直磁気ディスクの
   製造方法。