JPH0317829A - 垂直磁気ディスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （概　要〕 垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置に用いて好適な垂
直磁気ディスクの製造方法に関し、簡単な手段によりデ
ィスク基板の半径方向に磁気容易軸が向くように磁気異
方性を付与した軟磁性層を容易に形威して、その軟磁性
層のｉ３６ｆｔ率を高めることを目的とし、 ディスク基板上に高透磁率な軟磁性層を形成する垂直磁
気ディスクの製造方法であって、上記ディスク基板を円
周方向に電流を通電可能にした電極板上に絶縁部材を介
して配置し、該電極板に電流を通電して前記ディスク基
板の半径方向に磁界を発生させた状態で、該基板上にめ
っき法、蒸着法、若しくはスパノタリング法により高ｉ
３Ｊｆｉ率の軟磁性層を形成するように横戒する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置に用いて
好適な垂直磁気ディスクの製造方法に係り、特に記録再
生特性の良い二層膜構造の垂直磁気ディスクにおける軟
磁性層の形戒方法に関するものである。

｛ｎ気ディスク装置に用いられる磁気ディスクと゛して
は、一般に記録層における記録トラックに対して水平方
向に情報を磁化記録する水平磁気記録方式の磁気ディス
クが広く用いられているが、近来、情報記録の高密度化
に伴って記録層における記録トラックに対して垂直方向
への磁化を利用する垂直磁気記録方式の磁気ディスクと
して、高透磁率な軟磁性層と垂直記録層とを積層した二
層膜構造の垂直磁気ディスクが実用化されつつある。

このような垂直磁気ディスクに於ける軟磁性層は、垂直
磁気ヘッドの主磁極から発生する磁束を垂直記録層を垂
直に通って磁化した後、軟磁性層を水平に通って再び垂
直記録層を通過し、前記磁気ヘッドのリターンヨークヘ
戻してやる磁気ヘッドの一部とも考えられる磁界経路の
役目を担っており、その膜特性としては記録再生効率を
向上し、優れた記録再生特性を得るために、透磁率をよ
り高めることが要求されている。

〔従来の技術〕

従来、上記したような二層膜構造の垂直磁気ディスクの
製造方法は、第６図に示すようにアルマイト表面処理が
施されたアルミニウム（Ａ　Ｉ　）板、またはガラス板
等からなる非磁性のディスク基板１上にｌｌＪＩＩ１程
度の膜厚のＮｉ−Ｆｅ等からなる軟磁性層（軟磁性裏打
ち層とも称する）２と、０．１５μ一程度の膜厚のＣｏ
−Ｃｒからなる垂直記録層３とを連続スパッタリング法
により順に積層形成し、該垂直記録層３の表面には磁気
ヘソドに対する摩擦・摩耗等を低減するための保護膜４
及び潤滑膜５を施している。

しかしながら、上記の如きスパッタリング法を用いた製
造方法によって得られた垂直磁気ディスクにおける軟磁
性層２の透［率は高々、数百程度と極めて低く、かかる
成膜方法ではこれ以上に透磁率を高めることが困難であ
り、十分な記録再生効率を有する垂直磁気ディスクが得
られなかった。

従って、８１膜磁気ヘソドのＮｉ−Ｆｅからなる磁極を
電解めっき法により形成することにより、その磁極の透
磁率が高められることに着目して、該電解めっき法によ
り前記軟磁性層を形戒することも試みられているが、か
かる電解めっき法により形威された軟磁性層の透磁率は
１０００程度にまでは高められるが、なおそのｉ３磁率
を数倍以上に高める必要があった。

そこで前記軟磁性層の透磁率を更に高める方法を検討し
た結果、電解めっき法により形成された軟磁性層の磁気
特性は等方的となることから、例えばディスク基板の半
径方向に磁気容易軸が向くように磁気異方性が付与され
た軟磁性層を形成することが出来れば、その円周方向、
即ち記録トラック方向の透磁率を２０００以上に高めら
れることが判明した。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで上記したような磁気異方性を付与したＮｉ−Ｆ
ｅからなる軟磁性層を得る方法としては、■予め磁気容
易軸を賦与する半径方向に多数の微小筋儂等を施したデ
ィスク基板面に電解めっき法により軟磁性層を形成する
、■半径方向に磁界を印加した状態のディスク基板面に
電解，めっき法により軟磁性層を形成する等の方法が考
えられる。

ところが、■についてはディスク基板面の円周方向には
比較的容易に微小筋傷等を形成することが出来るが、半
径方向への微小筋傷等の形成は極めて困難である。また
■においては同心円状のマグネット等を利用して基板面
の半径方向に磁界を印加する方法が考えられるが、電解
めっきを前提条件としたマグネットに対する基板取付け
機構が大掛かりとなり実用化が容易でない等の問題があ
った。

本発明は上記した従来の実状に鑑み、簡単な手段により
ディスク基板の半径方向に磁気容易軸が向くように磁気
異方性を付与した軟磁性層を容易に形成して、その軟磁
性層の透磁率を高め、記録再生特性の向上を図った新規
な垂直磁気ディスクの製造方法を提供することを目的と
するものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は上記した目的を達成するため、ディスク基板上
に高′Ｊｙｌ磁率な軟磁性層を形戒する垂直磁気ディス
クの製造方法であって、上記ディスク基板を円周方向に
電流を通電可能にした電極板上に絶縁部材を介して配置
し、該電極板に電流を通電して前記ディスク基板の半径
方向に磁界を発生させた状態で、該基板上にめっき法、
蒸着法、若しくはスパッタリング法により高ｙｊ磁率の
軟磁性層を形成するように構或する。

〔作　用〕

本発明の製造方法では、上記したようにディスク基板の
片面側に絶縁部材を介して配置した前記電極板に電流を
流すことにより、該ディスク基板の半径方向に磁界を容
易に発生させることができる。

従って、このような磁界発生中のディスク基板のもう一
方の片面上にＮｉ−Ｆｅからなる軟磁性層を電解めっき
法、或いは蒸着法、スパッタリング法等により形成する
ことによって、該ディスク基板の半径方向を簡単に磁気
容易軸とする磁気異方性が付与され、かつ円周方向に従
来よりも透磁率の高められた軟磁性層が容易に形成でき
る。その結果、記録再生特性の優れた垂直磁気ディスク
を得ることができる。

〔実施例〕

以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。

第１図及び第２図は本発明に係る垂直磁気ディスクの製
造方法に用いるディスク基板と電極板との組み合わせの
一実施例を示す分解斜視図及びその組み合わせ構成を示
す斜視図である。

先ず、第１図に示すように中心に導体部２１ａを有する
絶縁性の基板ホルダー２１上に、中心に円孔１１ａを有
するディスク基板１１と略同形状でＩＩｍＩＩ＋程度の
厚さの、例えばタングステン（一）等からなり、かつそ
の一部を１旧以下、例えば０　．　５ｍ＋ｍ程度の微細
幅で除去して半径方向に電気的に分断し、その分断した
両端部に通電端子２２ａ，　２２ｂを設けたＣ字リング
状の電極板２２を配置し、その電極板２２上に前記ディ
スク基板１１と略同形状で、かつ０．　５＋＋＋ａ＋程
度の厚さの例えばテフロンシ一ト等からなる絶縁部材２
３を介して、表面に予めスパンタリング法等により０，
１５μｍの膜厚のＮｉ−Ｆｅからなるめっき用下地膜ｌ
２が被着された前記中心に円孔１１ａを有するディスク
基板ｌ１を配置し、これらの中心部を第２図に示すよう
にねじ付止め金具２４等により前記基板ホルダー２１に
締め付けて固定する。

次に第３図に示すように前記電極板２２の両通電端子２
２ａ，　２２ｂを電流源３５と接続し、この状態の前記
ディスク基板１１が固定された基板ホルダー２ｌを、ホ
ルダー支持部３４に取付け、更に例えば硫酸ニッケル（
ＮｉＳＯｎ　・６１ｈＯ）と硫酸第一鉄（１’ｅＳＯ．
　−　７Ｈ，０）とを主成分とするＮｉ−Ｆｅめっき液
３２が満たされためっき槽３ｌ内に、そのディスク基板
１１面がめつき電極３３と対向するように配置する。

そして前記電極Ｆｉ．２２の両通電端子２２ａ．　２２
ｂに所定の電流を流すことにより前記ディスク基板ｔｉ
の半径方向に磁界を発生させる。本実施例では例えば通
電電流値を制御して１００ｅ（エルステンド）程度の磁
界を発生させた状態で、更に前記ホルダー支持部３４、
基板ホルダー２１及びねじ付止め金具２４を介してディ
スク基板１１上のめっき用下地膜１２とめっき電極３３
間に４〜５■の電圧を印加し、電流密度が６Ａ／ｄ＋ｗ
”のめっき条件により第４図ｉａｌに示すように該めっ
き用下地膜ｌ２上に１μ弟の膜厚のＮｉ−Ｆｅめっき膜
を形成する。このめっき中に必要に応じて前記ディスク
基板１１を回転させるようにすることもできる。

かくすれば、前記ディスク基板ｌ１の半径方向に磁気容
易軸が向くように磁気異方性が付与され、かつ円周方向
、即ち記録トラック方向に２０００以上の極めて高い透
磁率を有するＮｉ−Ｆｅめっき膜からなる軟磁性層ｌ３
が容易に得られる。

従って、このようにして形成され、基板ホルダー２１か
ら外されたディスク基板ｌｌ上の軟磁性１ｉ１３の表面
に第４図山》に示すように従来例と同様にＣｏＣｒから
なる、例えば０．１５μｍの膜厚の垂直記録層ｌ４をス
パッタリング法等により形威し、その表面に更に保護膜
ｌ５及び潤滑ＩＩ１１６を被着形威することによって記
録再生特性の優れた垂直磁気ディスクが完戒する。

第５図及び第６図は本発明に係る垂直磁気ディスクの製
造方法に用いるディスク基板と電極板との組合わせの他
の実施例を示す分解斜視図及びその組合わせ構或を示す
斜視図であり、第１図及び第２図と同等部分には同一符
号を付している。

これらの図で示す実施例が第ｌ図及び第２図の例と異な
る点は、第１図及び第２図で示す実施例で説明した半径
方向に電気的に分断し、その分断した両端部に通電端子
２２ａ．　２２ｂを設けたＣ字リング状の電極板２２の
両面に、それぞれテフロンシ一ト等からなる絶縁部材２
３を介して、予め表面にスパッタリング法等によりＮｉ
−Ｆｅからなるめっき用下地膜ｌ２が被着された二枚の
ディスク基仮１１を配置し、これらの中心部を第５図で
示すように両側から一対の締め付け金具４１ａ，　４ｌ
ｂにより一体に締め付けて固定する． そして前記第３図及び第４図（ａ），　（ｂ）による実
施例と同様に、前記電極板２２の両通電端子２２ａ，　
２２ｂを電流源３５と接続し、所定の電流を流して前記
二枚のディスク基板１１の各半径方向に磁界を発生させ
た状態で、各基板表面のめっき下地膜上に電解めっき法
により同時に１μ一程度の膜厚のＮｉ−Ｆｅめっき膜を
形成するようにしたことである。

この実施例によっても第３図及び第４図（ａ），　（ｂ
）による実施例と同様に前記各ディスク基板１１の半径
方向に磁気容易軸が向くように磁気異方性が付与され、
その円周方向く記録トランク方向〉に２０００以上の極
めて高いｉ３磁率を有するＮｉ−Ｆｅめっき膜からなる
軟磁性層を容易に得ることができる。

従って、かかる各ディスク基板１１の軟磁性層上に、従
来と同様にＣｏ−Ｃｒからなる０．１５μｍの膜厚の垂
直記録層及び保護膜、潤滑膜を形成することにより前記
実施例と同様に記録再生特性の優れた垂直磁気ディスク
が得られる。

なお、以上の実施例ではディスク基板の半径方向に磁界
を発生させた状態で電解めっき法により高透磁率な軟磁
性層を形成する場合の例について説明したが、この電解
めっき法の他に蒸着法、或いはスパソタリング法等を用
いて同様な磁界発生中でＮｉ−Ｆｅ軟磁性層を形威した
場合にもその透磁率をｌ５００以上に高めることが可能
となる。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように、本発明に係る垂直磁気
ディスクの製造方法によれば、ディスク基板の円周方向
（記録トランク方向）に透磁率の高い軟磁性層を容易に
形戒することができる優れた利点を有し、記録再生効率
の高い、優れた記録再生特性を有する二層膜構造の垂直
磁気ディスクを得ることが可能となる。

従って、このような垂直磁気ディスクの製造方法に適用
して極めて有利である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る垂直磁気ディスクの製造方法に用
いるディスク基板と電極板と の組合わせの一実施例を示す分解斜視 図、 第２図は本発明に係る垂直磁気ディスクの製造方法に用
いるディスク基板と電極板と を組合わせた一体構成を示す斜視図、 第３図は本発明に係る電解めっきによる軟磁性膜の形成
方法を説明するための装置構 成断面図、 第４図（ａ）．　（ｂ）は本発明に係る垂直磁気ディス
クの製造方法の一実施例を順に説明する ための要部断面図、 第５図は本発明に係る垂直磁気ディスクの製造方法に用
いるディスク基板と電極板と の組合わせの他の実施例を示す分解斜 視図、 第６図は従来の垂直磁気ディスクの製造方法を説明すに
ための要部断面図である。 第ｌ図〜第５図において、 １１はディスク基板、ｌｌａは円孔、ｌ２はめっき用下
地膜、１３は軟磁性層、ｌ４は垂直記録層、ｌ５は保護
膜、ｌ６は潤滑膜、２ｌは基板ホルダー、２１ａは導体
部、２２電極板、２２ａ，２２ｂは通電端子、２３は絶
縁部材、２４はねし止め金具、３ｌめっき槽、３２はめ
っき液、３３はめっき電極、３４はホルダー支持部、３
５は電流源、４１ａ，　４ｌｂは締め付け金具をそれぞ
れ示す。 第 ３ 図 第 ４ 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　ディスク基板（１１）上に高透磁率な軟磁性層（１３
   ）を形成する垂直磁気ディスクの製造方法であって、上
   記ディスク基板（１１）を円周方向に電流を通電可能に
   した電極板（２２）上に絶縁部材（２３）を介して配置
   し、該電極板（２２）に電流を通電して前記ディスク基
   板（１１）の半径方向に磁界を発生させた状態で、該基
   板（１１）上にめっき法、蒸着法、若しくはスパッタリ
   ング法により高透磁率の軟磁性層（１３）を形成するこ
   とを特徴とする垂直磁気ディスクの製造方法。