JPH02214185A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH02214185A JPH02214185A JP3543289A JP3543289A JPH02214185A JP H02214185 A JPH02214185 A JP H02214185A JP 3543289 A JP3543289 A JP 3543289A JP 3543289 A JP3543289 A JP 3543289A JP H02214185 A JPH02214185 A JP H02214185A
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- JP
- Japan
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- mask
- ion
- layer
- semiconductor laser
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
- H01S5/2063—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion obtained by particle bombardment
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体レーザの製造方法に関し、特に光・電
子集積回路（以下、０ＥＩＣという）へ組み込むのに適
した横型半導体レーザの製造方法に関するものである。
子集積回路（以下、０ＥＩＣという）へ組み込むのに適
した横型半導体レーザの製造方法に関するものである。
第３図は従来の横方向電流注入半導体レーザ（以下、横
型半導体レーザという）を示す断面図である（古屋氏等
、電子情報通信学会、研究会予稿集０ＱＥ−８６−１６
２ｐ、１１７） 、図において、１は半絶縁性ＧａＡｓ
基板、２はアンドープＡｔ！ＧａＡｓクラッド層、３は
多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層、４はアンドープＡｊＧ
ａＡｓクラッド層、７はｎ型不純物（例えばＳｔ）拡散
領域、８はｐ型不純物（例えばＺｎ）拡散領域、９は活
性領域、１０はｎ電極、１１はｐ電極、１２は絶縁膜で
ある。
型半導体レーザという）を示す断面図である（古屋氏等
、電子情報通信学会、研究会予稿集０ＱＥ−８６−１６
２ｐ、１１７） 、図において、１は半絶縁性ＧａＡｓ
基板、２はアンドープＡｔ！ＧａＡｓクラッド層、３は
多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層、４はアンドープＡｊＧ
ａＡｓクラッド層、７はｎ型不純物（例えばＳｔ）拡散
領域、８はｐ型不純物（例えばＺｎ）拡散領域、９は活
性領域、１０はｎ電極、１１はｐ電極、１２は絶縁膜で
ある。
次に、従来の横型半導体レーザの動作及び製造方法につ
いて説明する。従来の横型半導体レーザにおいては、多
重量子井戸活性層３がＧａＡｓ井戸層、例えばＡｌ ６
，３ Ｇ ａ １１．？ Ａ Ｓからなる多重量子井戸
から構成されている。そして、表面からｎ型不純物（例
えばＳｉ）及びｐ型不純物（例えばＺｎ）をそれぞれＡ
ｊ！ＧａＡｓクランド層２に到達するように所定の深さ
に拡散することにより、ｎ型不純物拡散領域７及びｎ型
不純物拡散領域８が形成されている。また、それぞれの
不純物拡散領域７，８上には、ｎ電極１０及びｎ電極１
１が取り付けられている。
いて説明する。従来の横型半導体レーザにおいては、多
重量子井戸活性層３がＧａＡｓ井戸層、例えばＡｌ ６
，３ Ｇ ａ １１．？ Ａ Ｓからなる多重量子井戸
から構成されている。そして、表面からｎ型不純物（例
えばＳｉ）及びｐ型不純物（例えばＺｎ）をそれぞれＡ
ｊ！ＧａＡｓクランド層２に到達するように所定の深さ
に拡散することにより、ｎ型不純物拡散領域７及びｎ型
不純物拡散領域８が形成されている。また、それぞれの
不純物拡散領域７，８上には、ｎ電極１０及びｎ電極１
１が取り付けられている。
一般に、多重量子井戸構造は、ｐ型、ｎ型の不純物を拡
散することにより、無秩序化され実効的に活性層よりも
エネルギーギャップが大きく、屈折率が小さくなること
が知られている。従って、このレーザ構造では、横方向
に屈折率段差が形成されることにより、ｎ型、ｐ型の不
純物拡散領域７．８に挟まれた領域９に光が閉じ込めら
れ、この領域が活性領域となる。
散することにより、無秩序化され実効的に活性層よりも
エネルギーギャップが大きく、屈折率が小さくなること
が知られている。従って、このレーザ構造では、横方向
に屈折率段差が形成されることにより、ｎ型、ｐ型の不
純物拡散領域７．８に挟まれた領域９に光が閉じ込めら
れ、この領域が活性領域となる。
また、この半導体レーザは、多重量子井戸活性領域９に
横歩行から電子、ホールが注入されるため、各量子井戸
へのキャリアの注入が効率良く行なうことができる。こ
のため、従来の縦方向注入（上方のクラッド層からキャ
リアを注入）型の量子井戸レーザに比べ低閾値化が可能
であるという特徴がある。
横歩行から電子、ホールが注入されるため、各量子井戸
へのキャリアの注入が効率良く行なうことができる。こ
のため、従来の縦方向注入（上方のクラッド層からキャ
リアを注入）型の量子井戸レーザに比べ低閾値化が可能
であるという特徴がある。
さらに、表面に段差のないプレーナー構造であり、同一
表面上にｐ、ｎ両電極を取付けできることから０ＥＩＣ
を構成する光デバイスとして適した構造である。
表面上にｐ、ｎ両電極を取付けできることから０ＥＩＣ
を構成する光デバイスとして適した構造である。
次に、第４図（ａ）、 （ｂ）は従来の横型半導体レ
ーザの不純物拡散領域の主要製造工程を示す断面図であ
る。
ーザの不純物拡散領域の主要製造工程を示す断面図であ
る。
まず、同図（ａ）のように所定幅の開口を有するＳｉＯ
，、ＳｉＮ膜等の拡散マスク上に拡散源としてＳｉ蒸着
膜１３を形成した後、所定の温度所定の時間で固相拡散
し、ｎ拡散領域７を形成する。
，、ＳｉＮ膜等の拡散マスク上に拡散源としてＳｉ蒸着
膜１３を形成した後、所定の温度所定の時間で固相拡散
し、ｎ拡散領域７を形成する。
次に、同図（ｂ）の様に同様な材質の拡散マスクを再び
形成し、ｎ拡散領域７との間隔を所定距１１！Ｉ（例え
ば１〜２μｍ以下）に制御して拡散窓を形成する。その
後、Ｚｎ等のｐ型不純物を気相拡散し、ｎ型不純物拡散
領域８を形成する。
形成し、ｎ拡散領域７との間隔を所定距１１！Ｉ（例え
ば１〜２μｍ以下）に制御して拡散窓を形成する。その
後、Ｚｎ等のｐ型不純物を気相拡散し、ｎ型不純物拡散
領域８を形成する。
従来の横型半導体レーザは上記のような工程で製造され
ているため、活性領域幅を決定するｐ型不純物拡散領域
とｎ型不純物拡散領域との間隔をマスク合わせにより、
数μｍ以下の小さな値に精度よく制御する必要があり、
低閾値のレーザを再現性１歩留まり良く得ることが困難
であった。
ているため、活性領域幅を決定するｐ型不純物拡散領域
とｎ型不純物拡散領域との間隔をマスク合わせにより、
数μｍ以下の小さな値に精度よく制御する必要があり、
低閾値のレーザを再現性１歩留まり良く得ることが困難
であった。
本発明は上記のような欠点を解消するためになされたも
ので、活性領域幅を精度良く制御できると共に０ＥＩＣ
に組み込むのに適した低閾値の半導体レーザを再現性２
歩留まり良く得ることができる半導体レーザの製造方法
を得ることを目的とする。
ので、活性領域幅を精度良く制御できると共に０ＥＩＣ
に組み込むのに適した低閾値の半導体レーザを再現性２
歩留まり良く得ることができる半導体レーザの製造方法
を得ることを目的とする。
本発明に係る半導体レーザの製造方法は、活性領域とな
るべき領域上にストライプ状の注入イオン阻止用マスク
を形成する工程と、この注入イオン阻止用マスクのマス
ク長に対し半導体基板の斜め上方から第１の導電型の第
１の不純物イオンを第１のクラッド層又は量子井戸活性
層に到達する深さまでイオン注入する工程と、注入イオ
ン阻止用マスクのマスク長に対し第１の不純物イオンと
反対方向の斜め上方から第２の導電型の第２の不純物イ
オンをイオン注入する工程と、半導体基板に注入した第
１の導電型及び第２の導電型の不純物イオンを活性化、
拡散し量子井戸活性層を無秩序化する熱拡散工程とを有
している。
るべき領域上にストライプ状の注入イオン阻止用マスク
を形成する工程と、この注入イオン阻止用マスクのマス
ク長に対し半導体基板の斜め上方から第１の導電型の第
１の不純物イオンを第１のクラッド層又は量子井戸活性
層に到達する深さまでイオン注入する工程と、注入イオ
ン阻止用マスクのマスク長に対し第１の不純物イオンと
反対方向の斜め上方から第２の導電型の第２の不純物イ
オンをイオン注入する工程と、半導体基板に注入した第
１の導電型及び第２の導電型の不純物イオンを活性化、
拡散し量子井戸活性層を無秩序化する熱拡散工程とを有
している。
ストライプ状の注入イオン素子用マスクのマスク長に対
し、第１導電型及び第２導電型の不純物イオンをそれぞ
れ反対方向の斜め上方からイオン注入することにより、
第１導電型及び第２導電型の不純物注入領域を形成する 〔実施例〕 以下、本発明の実施例を図に従って説明する。
し、第１導電型及び第２導電型の不純物イオンをそれぞ
れ反対方向の斜め上方からイオン注入することにより、
第１導電型及び第２導電型の不純物注入領域を形成する 〔実施例〕 以下、本発明の実施例を図に従って説明する。
第１図は本発明に係る一実施例を示した半導体レーザの
断面図である。図において、第３図と同−部分又は相当
部分には同一符号を付する。５はＧａＡｓコンタクト層
である。また、活性領域９の両側は、ｐ型、ｎ型の不純
物注入、拡散領域が形成され、量子井戸活性層３は無秩
序化されて、実効的なバンドギャップが太き（なること
共に屈折率が小さくなっていることは、第３図の横型半
導体レーザと基本的に同様である。
断面図である。図において、第３図と同−部分又は相当
部分には同一符号を付する。５はＧａＡｓコンタクト層
である。また、活性領域９の両側は、ｐ型、ｎ型の不純
物注入、拡散領域が形成され、量子井戸活性層３は無秩
序化されて、実効的なバンドギャップが太き（なること
共に屈折率が小さくなっていることは、第３図の横型半
導体レーザと基本的に同様である。
次に、第２図（ａ）〜（ｄ）は第１図に示す半導体レー
ザの主要製造工程を示す断面図である。
ザの主要製造工程を示す断面図である。
以下、この図に従って説明する。
まず、第２図（ａ）のように面方位（１００）の半絶縁
性ＧａＡｓ基板ｌ上に順次、ｐ型又は高抵抗クラッド層
２、量子井戸活性１ｉ３．ｎ型又は高抵抗クラッド層４
．ＧａＡｓコンタクト層５をＭＯＣＶＤ法等によりエピ
タキシャル成長する。
性ＧａＡｓ基板ｌ上に順次、ｐ型又は高抵抗クラッド層
２、量子井戸活性１ｉ３．ｎ型又は高抵抗クラッド層４
．ＧａＡｓコンタクト層５をＭＯＣＶＤ法等によりエピ
タキシャル成長する。
そして、写真製版技術を用いて〔０１１）又は（０１１
）方向にフォトレジストからなるストライプ状の注入イ
オン素子用マスク６を形成する。
）方向にフォトレジストからなるストライプ状の注入イ
オン素子用マスク６を形成する。
次に、同図（ｂ）に示すように、ＧａＡｓコンタクト層
５の表面から、ｎ型不純物（例えばＳｉイオン）を注入
イオン素子用マスク６のマスク長に対し図面の左斜め上
方から所定角度でイオン注入する。このときの注入エネ
ルギーは、ＳｉイオンがＡｊ！ＧａＡｓクラッド層２の
途中まで到達するような値に設定する。一般に、イオン
注入では所謂チャンネリング現象を防ぎ注入イオンの結
晶中での分布の再現性を良くするため、基板の垂直方向
に対し５〜１０°傾斜させるが、本実施例においては所
定幅の活性領域を得るため、１０゛以上傾けることが望
ましい。
５の表面から、ｎ型不純物（例えばＳｉイオン）を注入
イオン素子用マスク６のマスク長に対し図面の左斜め上
方から所定角度でイオン注入する。このときの注入エネ
ルギーは、ＳｉイオンがＡｊ！ＧａＡｓクラッド層２の
途中まで到達するような値に設定する。一般に、イオン
注入では所謂チャンネリング現象を防ぎ注入イオンの結
晶中での分布の再現性を良くするため、基板の垂直方向
に対し５〜１０°傾斜させるが、本実施例においては所
定幅の活性領域を得るため、１０゛以上傾けることが望
ましい。
次に、同図（ｃ）のように、同じ注入イオン素子用マス
ク６を用い上記Ｓｉイオンの注入方向と注入イオン素子
用マスク６のマスク長とに対し反対側、即ち図面の右斜
め上方よりｐ型不純物（例えばＺｎイオン）を注入する
。このときの注入エネルギー及び注入量は、ｎ型不純物
拡散領域７がｐ型に反転しないようにするため、Ｓｉ、
Ｚｎ両者のイオンが注入される結晶中において、Ｚｎイ
オンの不純物濃度がＳｉイオンの不純物濃度を上回らな
いよう設定する必要がある。また、同図（ｃ）から判る
ように、両不純物イオンを注入後注入イオン素子用マス
ク６直下の部分には、両不純物原子とも含まれない領域
９が形成されると共に、そのすぐ左側近傍ではＳｉのみ
が存在する領域、右側近傍ではＺｎのみが存在する領域
が形成される。
ク６を用い上記Ｓｉイオンの注入方向と注入イオン素子
用マスク６のマスク長とに対し反対側、即ち図面の右斜
め上方よりｐ型不純物（例えばＺｎイオン）を注入する
。このときの注入エネルギー及び注入量は、ｎ型不純物
拡散領域７がｐ型に反転しないようにするため、Ｓｉ、
Ｚｎ両者のイオンが注入される結晶中において、Ｚｎイ
オンの不純物濃度がＳｉイオンの不純物濃度を上回らな
いよう設定する必要がある。また、同図（ｃ）から判る
ように、両不純物イオンを注入後注入イオン素子用マス
ク６直下の部分には、両不純物原子とも含まれない領域
９が形成されると共に、そのすぐ左側近傍ではＳｉのみ
が存在する領域、右側近傍ではＺｎのみが存在する領域
が形成される。
そして、所定温度、所定時間の熱処理（アニル）を行な
って注入イオンを活性化する。そして、必要に応じ若干
の注入不純物の拡散を行なうことにより、注入イオン素
子用マスク６下の左側近傍にＺｎイオンに重なり合わな
いｎ型不純物拡散領域？ａ、右側近傍にＳｉイオンに重
なり合わないｐ型不純物拡散領域８ａが形成される。こ
れらの領域では、量子井戸活性層３は通常の不純物拡散
と同様無秩序化され、実効的エネルギーギャップは増加
して屈折率が低下する。従って、２つの不純物拡散領域
７，８に挟まれた活性層が活性領域９となる。
って注入イオンを活性化する。そして、必要に応じ若干
の注入不純物の拡散を行なうことにより、注入イオン素
子用マスク６下の左側近傍にＺｎイオンに重なり合わな
いｎ型不純物拡散領域？ａ、右側近傍にＳｉイオンに重
なり合わないｐ型不純物拡散領域８ａが形成される。こ
れらの領域では、量子井戸活性層３は通常の不純物拡散
と同様無秩序化され、実効的エネルギーギャップは増加
して屈折率が低下する。従って、２つの不純物拡散領域
７，８に挟まれた活性層が活性領域９となる。
次に、同図（ｄ）のようにｎ型電極１０．及びｎ型電極
１１を両不純物拡散領域上のＧａＡｓコンタクト層５上
に形成した後、ＧａＡｓコンタク。
１１を両不純物拡散領域上のＧａＡｓコンタクト層５上
に形成した後、ＧａＡｓコンタク。
ト層５中に形成されるｐ−ｎ接合を取り除き、リーク電
流を防ぐため、両不純物が注入されていないＧａＡｓコ
ンタクト層５を完全に除去する（この場合のエツチング
マスクとしてｎ電極］０．ｐ電極１１をそのまま用いる
ことができる）ことにより、横型半導体レーザが完成す
る。
流を防ぐため、両不純物が注入されていないＧａＡｓコ
ンタクト層５を完全に除去する（この場合のエツチング
マスクとしてｎ電極］０．ｐ電極１１をそのまま用いる
ことができる）ことにより、横型半導体レーザが完成す
る。
このように本実施例における半導体レーザは、ストライ
プ状の注入イオン素子用マスク６に対し、ｐ型及びｎ型
の不純物原子イオンをそれぞれ反対方向の斜め上方から
イオン注入することにより、ｐ型及びｎ型不純物注入領
域を形成するようにしたので、マスク合わせなしに自己
整合的に横型半導体レーザの活性領域幅を決定すること
が可能となる。これにより、再現性９歩留まり良く、さ
らに０ＥＩＣに組み込むことに適した低閾値発振の横型
半導体レーザを得ることができる。
プ状の注入イオン素子用マスク６に対し、ｐ型及びｎ型
の不純物原子イオンをそれぞれ反対方向の斜め上方から
イオン注入することにより、ｐ型及びｎ型不純物注入領
域を形成するようにしたので、マスク合わせなしに自己
整合的に横型半導体レーザの活性領域幅を決定すること
が可能となる。これにより、再現性９歩留まり良く、さ
らに０ＥＩＣに組み込むことに適した低閾値発振の横型
半導体レーザを得ることができる。
なお、上記実施例では、ＡｆｆＧａＡｓ系材料を用いた
横型半導体レーザの製造方法への適用例について説明し
たが、ＩｎＧａＡｓ系長波長レーザやＡｌＧａ ＩｎＰ
系可視光レーザに適用してもよい。
横型半導体レーザの製造方法への適用例について説明し
たが、ＩｎＧａＡｓ系長波長レーザやＡｌＧａ ＩｎＰ
系可視光レーザに適用してもよい。
以上説明したように本発明は、ストライプ状の注入イオ
ン素子用マスクのマスク長に対し、第１導電型及び第２
導電型の不純物イオンをそれぞれ反対方向の斜め上方か
らイオン注入することにより、第１導電型及び第２導電
型の不純物注入領域を形成するようにしたので、マスク
合わせなしに自己整合的に半導体レーザの活性領域幅を
決定することができる。これにより、再現性１歩留まり
良く、さらに０ＢＩＣに組み込むことに適した低閾値発
振の横型半導体レーザを得ることができる。
ン素子用マスクのマスク長に対し、第１導電型及び第２
導電型の不純物イオンをそれぞれ反対方向の斜め上方か
らイオン注入することにより、第１導電型及び第２導電
型の不純物注入領域を形成するようにしたので、マスク
合わせなしに自己整合的に半導体レーザの活性領域幅を
決定することができる。これにより、再現性１歩留まり
良く、さらに０ＢＩＣに組み込むことに適した低閾値発
振の横型半導体レーザを得ることができる。
第１図は本発明に係る一実施例を示した半導体レーザの
断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は第１図に示す半導体レ
ーザの主要製造工程を示す断面図、第３図は従来の横方
向電流注入半導体レーザを示す断面図、第４図（ａ）、
（ｂ）は従来の横型半導体レーザの不純物拡散領域
の主要製造工程を示す断面図である。 １・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、２・・・アンドープＡ
ｌＧａＡｓクラッド層、３・・・多重量子井戸（ＭＱＷ
）活性層、４・・・アンドープＡｌＧａＡｓクラッド層
、５・・・ＧａＡｓコンタクト層、７・・・ｎ型不純物
拡散領域、８・・・ｐ型不純物拡散領域、９・・・活性
領域、１０・・・ｎ電極、１１・・・ｐ電極。
断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は第１図に示す半導体レ
ーザの主要製造工程を示す断面図、第３図は従来の横方
向電流注入半導体レーザを示す断面図、第４図（ａ）、
（ｂ）は従来の横型半導体レーザの不純物拡散領域
の主要製造工程を示す断面図である。 １・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、２・・・アンドープＡ
ｌＧａＡｓクラッド層、３・・・多重量子井戸（ＭＱＷ
）活性層、４・・・アンドープＡｌＧａＡｓクラッド層
、５・・・ＧａＡｓコンタクト層、７・・・ｎ型不純物
拡散領域、８・・・ｐ型不純物拡散領域、９・・・活性
領域、１０・・・ｎ電極、１１・・・ｐ電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板上に第１の導電型又は高抵抗の第１のクラッ
ド層、量子井戸活性層、第２の導電型又は高抵抗の第２
のクラッド層を順次形成してなるダブルヘテロ構造にお
いて、 活性領域となるべき領域上にストライプ状の注入イオン
阻止用マスクを形成する工程と、この注入イオン阻止用
マスクのマスク長に対し、前記半導体基板の斜め上方か
ら第１の導電型の第１の不純物イオンを前記第１のクラ
ッド層又は量子井戸活性層に到達する深さまでイオン注
入する工程と、 前記注入イオン阻止用マスクのマスク長に対し、前記第
１の不純物イオンと反対方向の斜め上方から第２の導電
型の第２の不純物イオンをイオン注入する工程と、 前記半導体基板に注入した前記第１の導電型及び第２の
導電型の不純物イオンを活性化、拡散し、前記量子井戸
活性層を無秩序化する熱拡散工程とを有することを特徴
とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3543289A JPH02214185A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3543289A JPH02214185A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02214185A true JPH02214185A (ja) | 1990-08-27 |
Family
ID=12441694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3543289A Pending JPH02214185A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02214185A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003264346A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体レーザ素子 |
-
1989
- 1989-02-15 JP JP3543289A patent/JPH02214185A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003264346A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体レーザ素子 |
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